AZ4620哪里能买到？
网上好像很难找到，最好离北京近点的。。。。
我这边有现货，，有需求的话速联系
hefeng84928 at
请问你们那有AZ5214光刻胶卖么？
rat404na at
4楼，我们这里有AZ5214光刻胶，你要就联系我。电话：132
我司有AZ5214E ，1加仑装的，没有小包装的，如果想买小包装的，那就爱莫能助了！
另外，AZ的常用光刻胶我司都可以提供，如 AZ4620 ,AZ5214E,AZ1500,AZ4999,AZ4903,AZ GXR 601,AZ400K,AZ300MIF等等，如有需要联系我
上海成道贸易，我们是AZ在中国的代理商，有需要的话可以联系我，，
hefeng84928 at
能提供小包装的不呢
楼上的各位
hefeng84928 at
请问你那里有小包装的没呢
rat404na at
楼上的，没有小包装。你买我们其他的胶吧，有小包装，详情联系我。电话：132
最新更新主题
月度关注热点光刻工艺和设备_文档下载_文档资料库
当前位置： >>
光刻工艺和设备
光刻加工平台http://snff.光刻培训流程到平台秘书处报名预约培训理论培训填写培训申请表需付费人签字上机培训 实习期内不得独立上机 操作，需相关人员陪同实习期
正式授权使用?正式授权后如一年内未进行上机操作者需从新授权使用光刻简介光刻的本质是把制作在掩膜版上的图形复制到以后 要进行刻蚀和离子注入的晶圆上。其原理与照相相 似，不同的是半导体晶圆与光刻胶代替了照相底片 与感光涂层。光刻流程图前部工艺 清洗 表面处理 涂胶 前烘 对准 & 曝光 坚膜 显影 后烘核心工艺 否去胶检查 黄光室 通过刻蚀注入基本工艺流程 ? 旋转涂胶 ?对准和曝光 ? 显影光源光刻版 光刻胶 衬底光刻胶光刻胶是一种有机化合物，受紫外曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。 晶片制造中所用的光刻胶通常以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。 负性光刻胶 　负性光刻胶在曝光后硬化变得不能溶解。 正性光刻胶 正性光刻胶曝光后软化变得可溶。UV负性胶 衬底 显影 衬底resister正性胶 衬底光刻版光刻胶表面处理?表面处理 ?涂胶 ?前烘 ?对准和曝光 ?显影 ?图形检查 ?坚膜晶圆容易吸附潮气到它的表面。光刻胶黏附要求要严格的干燥表面， 所以在涂胶之前要进行脱水烘焙和黏附剂的涂覆。脱水烘焙的温度通 常在140度到200度之间。有时还要用到黏附剂，黏附剂通常使用HMDS （六甲基二硅胺脘）。表面处理的主要作用是提高光刻胶与衬底之间 的粘附力，使之在显影过程中光刻胶不会被液态显影液渗透。（如下 图）光刻胶渗透显影液粘附力好表面Attractive interaction衬底是否要使用黏附剂要根据图形大小、衬底及光刻胶的种类 来决定，HMDS 可以用浸泡、喷雾和气相方法来涂覆。粘附力差的表面涂胶?表面处理 ?涂胶 ?前烘 ?对准和曝光 ?显影 ?图形检查 ?坚膜121. 2. 3. 4.3滴胶（静态、动态） 加速旋转 甩掉多余的胶 溶剂挥发4膜厚 :实验室现有匀胶设备：国产匀胶台SSE 涂胶台双轨自动涂胶显影机Process Troubleshooting 表面出现气泡 ?滴胶时胶中带有气泡 ?喷嘴尖端切口有问题或带刺放射状条纹 ?胶液喷射速度过高 ?设备排气速度过高 ?胶涂覆前静止时间过长 ?匀胶机转速或加速度设置过高 ?片子表片留有小颗粒 ?胶中有颗粒中心漩涡图案 ?设备排气速度过高 ?喷胶时胶液偏离衬底中心 ?旋图时间过长中心圆晕 ?不合适的托盘 ?喷嘴偏离衬底中心胶液未涂满衬底 ?给胶量不足 ?不合适的匀胶加速度针孔 ?光刻胶内存在颗粒或气泡 ?衬底上纯在颗粒较薄的区域 resist 如衬底图形台面 过高，要考虑到在台面上 的光刻胶要薄与实际希望的匀胶厚度（这 会影响到后步工艺） 衬底上突起结构厚边 匀胶后在衬底边缘处会形成较厚的边（这会影 响到光刻的图形精度）。可在涂胶过程中加入 去边及背喷工艺 侧视图 光 顶视图掩膜光表面反射对图形的 影响(反射切口效应) 衬底前烘?表面处理 ?涂胶 ?前烘 ?对准和曝光 ?显影 ?图形检查 ?坚膜前烘 : 目的是蒸发掉胶中的有机溶剂成分，使晶圆表面 的胶固化。 这个过程中胶中的溶剂基本被蒸发掉，因而通常 情况下胶的厚度会变薄（大约减少25%）前烘可在热板或烘箱中进行。每一种胶都有其特定的前烘温度和时间,更厚的胶可能需要更长的时间热板：95度1分钟烘箱：90度30分钟?烘烤过度: 减小光刻胶中感光成分的活性 ?前烘不足: 光刻胶中的溶剂不能完全被蒸发掉， 这将阻碍光对胶的作用并且影响到其在显影液中 的溶解度（如下图） ?肌肤效应对准和曝光?表面处理 ?涂胶 ?前烘 ?对准和曝光 ?显影 ?图形检查 ?坚膜曝光工具: ? 接触式光刻机 ? 接近式光刻机 ? 步进重复式曝光系统 ? 扫描式曝光系统分辨率：0.7 ? 套刻精度：±1 ?分辨率：0.7 ? 套刻精度：±0.5 ? 曝光面积：150*150mm国产光刻机SUSS MA6光刻机SUSS MA6及国产光刻机是设计用于实验室扩展研发、小批量生产或者试制生产环境下的高分 辨率光刻系统。 该机器提供了最好的基片适应性，可夹持不同厚度不规则形状、可变厚度的晶片。同时标准尺 寸基片最大直径为150mm或可达6″×6″。控制柜NIKON 分步投影光刻系统（NSR-1755i7B） 分辨率：0.5 ? ； 线宽的均匀性：MAX-MIN ≤ 0.09?； 最大曝光场：17.5*17.5（mm）； 曝光均匀性：2.0%； 套刻精度：LSA：lXl+3σ≤0.12?；FIA：lXl+3σ≤0.14?； 产能：30-60wafer/h曝光光源Name G-line Mercury Lamp H-line I-line XeF Excimer Laser XeCl KrF (DUV) ArF Fluorine Laser F2 Wavelength (nm) 436 405 365 351 308 248 193 157 0.13 &0.13 &0.1 0.35 Application feature Size (?m) 0.50国产光刻机光谱SUSS 光刻机光谱接触式光刻机的晶片的对准方式：光刻版上的标记Z θ X Y基片上的标记SUSS MA6载片系统光刻版国产光刻机载片系统步进投影光刻机的对位系统对位其实也就是定位 ?作为标准的计量坐标系 ?版台 ?硅片台坐标系 ?版自身 ?硅片自身坐标系 其中前面三个属于机器对准机构，后两个 是要进行对准的对象它实际上不是用圆片上的图形与掩膜版上的图形直接对准 来对位的，而是彼此独立的。 它的对位原理是，在曝光台上有一基准标记，可以把它看 作是定位用坐标系的原点，所有其它的位置都相对该点来 确定的。分别将掩膜版和圆片与该基准标记对准就可确定 它们的位置。在确定了两者的位置后，掩膜版上的图形转 移到圆片上就是对准的。相当与设备 的眼睛 LSA是Laser Step Alignment的缩写，它是一个 暗场下的衍射光或散射光的侦测系统。 FIA是Field Image Alignment的缩写,采用了宽 频非相干的光源照明、明场成像。4 20 4 26 4LSA标记4 20 4 26 4FIA标记后烘（Post-exposure back）光线照射到光刻胶与晶圆的界面上会产生部分 反射。反射光与入射光会叠加形成驻波。后烘会部分消除这种效应显影?表面处理 ?涂胶 ?前烘 ?对准和曝光 ?显影 ?图形检查 ?坚膜用化学显影液将曝光造成的光刻胶的可溶解区域溶解就是光刻胶的显影， 其主要目的就是把掩膜版的图形准确复制到光刻胶中。 常见的显影液有NaOH (Shipley 351), KOH (Shipley 606) ,TMAH (Shipley CD-26, MF-321, OCG 945)等。 需要注意的是：所有的这些显影液都会刻蚀铝实验室现有显影机台：SUSS 显影机手动显影操作台TRACK?表面处理 ?涂胶 ?前烘 ?对准和曝光 ?显影 ?图形检查 ?坚膜坚膜坚膜就是通过加温烘烤使胶膜更牢固地黏附在晶圆表面，并可 以增加胶层的抗刻蚀能力，坚膜并不是一道必需的工艺。 好处： ? 能够改善光刻胶的抗刻蚀、注入能力。 ? 改善光刻胶与晶圆表面的黏附性，有利于后续湿法腐蚀工艺。 ? 改善光刻胶中存在的针孔。 PR Substrate PR Pinhole Fill by Thermal Flow PR Substrate弊端： ?可能导致光刻胶流动，使图形精度减低。 ?通常会增加将来去胶的难度。去胶 (Stripping)图形转移加工后，光刻胶已完成它的使命，需要清除掉。去胶有湿法与干法两种。 湿法： 是用各种酸碱类溶液或有机溶剂将胶层腐蚀掉，最普通的腐蚀溶剂是丙酮，它可以溶 解绝大多数光刻胶。 干法： 用氧气等离子体刻蚀去胶（强氧化去胶） 注意：不能用于带有Ag、Cu、ZrO、parylene和聚酰亚胺的基片实验室现有光刻胶及其工艺AZ4620涂胶：3000rad/min 40秒（10微米） 软烘：90-100 度 90-120秒 曝光：宽带光源 30-40秒 显影：AZ400K：水=1：3 浸泡60 -120秒涂胶：目标30微米以上 1200转/分 45秒，在热板上90--100度3分钟 再涂胶：1200转/分 前烘：热板上90--100度3分钟 曝光：宽带光源 70-80秒 显影：AZ400K：水=1：3 浸泡60 -120秒PR实验室现有光刻胶及其工艺AZ5214作为正性胶使用 涂胶：旋涂 4000rad/min 30秒 前烘：90-100 度 60秒 曝光：宽带光源 7-10秒 显影：标准2.38% TMAH 浸泡40 -60秒 坚膜：110 度60 秒作为负性胶使用 涂胶：旋涂 4000rad/min 30秒 前烘：90-100 度 60秒 曝光：宽带光源 4-10秒 前烘: 110-120度60-120秒 泛曝光：宽带光源 40-60秒 显影：标准2.38% TMAH 浸泡40 -60秒 坚膜：110 度60 秒 5214反转后的剖面图实验室现有光刻胶及其工艺LOR+AZ5214双层胶工艺涂胶：LOR目 标厚度1 微米 4000rad/min 30秒 前烘：150-180度 60-100秒 涂胶：AZ5214 标厚度1.5 微米 4000rad/min 30秒 前烘：90-100 60秒 曝光：宽带光源 7-10秒 显影：标准2.38% TMAH 浸泡40 -80秒 坚膜：110 度60 秒 LOR+5214双层胶剖面图Reference? Handbook of Microlithography micromachining and Microfabrication.volume 1 P.rai-Choudhury, Editor ? Principles of Lithography. Edited by Harry J.Levinson ?
? photolithography . Dr. Chuan H. Liu ?Semiconductor Consulting Services 1999SUSS MA6 功能键图解301 302 303 304 305 306 307 308 309 310 311 312 313 314 315 316 317 318 319 320 321 322 323 324 325 326 327 X、Y-箭头键 FAST快速键 SEP分隔离键 ALIGN CONT/EXP对准 接触/曝光键 ALIGNMENT CHECK对准检测查键 F1键 LOAD载片键 UNLOAD卸片键 CHANGE MASK更换掩模板键 SELECT PROGRAM选择程序键 EDIT PRORAMETER编辑参数键 EDIT PROGRAM编辑程序键 ENTER进入确认键 SET REFERENCE设置基准键 SCAN扫描键 EXPOSURE曝光键 Multiple Exposure多重曝光键 LAMP TEST灯测试键 PRE-BOND预键合键 PERFORM CLAMPING执行吸附夹紧执行键 OPTION选项键 BSA显微镜键 左方向物镜键 双双向物镜键 右方向物镜键 顶部/底部键 图象图像抓取键1 2 3 4压力 基片 照度照明 真空电气装置电气部分电源开关 压缩空气压力计压力表 氮气压力表计 真空气压计气压表 真空腔体气压计气压表（包括调压器） 真空密封计气压表（包括调压器） WEC-压力气压计气压表（包括调压器） LCD-显示屏 接触指示灯 照度照明开关 BSA/IR显微镜照度照明 TSA显微镜照照明度 BSA放大开关 象场分场取景器分离视场开关 顶部基片左/右 底部基片左/右201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216MA6操作流程1 参数调整? 选择对准显微镜 关闭BSA MICROSCOPE键（LED灭） ? 选择曝光模式：SELECT PROGRAM键。 按SELECT PROGRAM键。在菜单中打开曝光程序，并再按SELECT PROGRAM键确认选择软接触。 ?参数编辑：EDIT PARAMETER键 按EDIT PARAMETER键编辑参数：曝光时间、对准间隙和WEC类型。更 改所有必要的数值，再按EDIT PARAMETER键进行确认。2 装载掩模板当心显微镜的移动！ ?启动掩模装载程序：CHANGE MASK键 首先取出掩模卡盘，180度反转后放在左边的托盘上。如果掩模已经装 载，按ENTER键触发关闭掩模真空，收缩掩模的机械压板，取下掩模板。 ?装载掩模和固定：ENTER键 背向放置掩模到掩模夹具上，靠紧止钉。通过按ENTER键触发掩模真空 开启。通过按板簧激活掩模机械压板。 ?将掩模夹具滑进机器且夹紧：CHANGE MASK键 将掩模夹具180度反转放入机器。再按CHANGE MASK键，锁定掩模夹具 的滑板。3 装载晶片 ?首先拉出传递滑板，装载晶片：LOAD键 机器显示：“拉出滑板和装载基片到卡盘上”。完全拉出传递滑板。插入合适的卡盘，放置晶 片靠紧预对准位置。按ENTER键确认。现在晶片通过真空固定。 ?移动滑板进入：ENTER键 机器显示“移动滑板进入机器，用ENTER键确认” 当心显微镜的移动！ ?楔型误差补偿 在装载完后自动开始WEC（楔型误差补偿）。晶片调整与掩模平行，移动到对准间隙。显 微镜向下移动开始对准。 4 显微镜对准 ?设置TSA符合需要：SPLITFIELD开关 对于M3XX显微镜，通过转动SPLITFIELD开关到左边，能在监控器上显示实际的TSA显微 镜图象。关闭BSA MICROSCOPE键。这个键切换BSA和TSA的控制操控器马达。 ?显微镜照明： 照明到TSA 转换ILLUMINATION开关到TSA，通过这个开关下的电位计调整光强。通过位于左/右显微 镜前部的光圈，可以分别调整左/右物镜的亮度。 ?对焦掩模板平面：TOP/BOTTOM键 使用TOP SUBSTRATE LEFT/RIGHT调节器分别进行精密对焦。 ?调整显微镜到掩模对准标记 使用OBJECTIVE X-SEPARATION knobs 物镜X-分离旋钮，移动左/右物镜到掩模板左/右对 准标记。5 晶片对准 ?对焦晶片表面 使用BOTTOM SUBSTRATE LEFT/RIGHT 调整器调节左/右显微镜图像。如果没有电 动对焦，则使用显微镜上的物镜手动精密对焦旋钮(进行调整。 ?对准 使用对准工作台的微分筒调节工作台-X-Y-T-MOVEMENT 。如果未配置，则利用 箭头键或操纵杆代替。对准晶片对准标记和掩模对准标记，使其中心对称。 如果掩模和晶片接触（接触指示灯亮），不要进行晶片对准。 ?对准检查 依据需要，使用SEP键、ALIGN CONT/EXP键或者ALIGNMENT CHECK键进行对准检 查非常有帮助。 6 曝光 ?EXPOSURE键 通过按这个键，晶片将移动进入曝光位置。曝光发生。尽管已经启动曝光程序 ，但如果在快门打开之前按“UNLOAD”键，将不曝光晶片，继续后续步骤。完成 之后晶片卡盘向下移动，取出曝光晶片。 当心显微镜的移动！ 7 取出掩模板：CHANGE MASK键 点击CHANGE MASK键，掩模夹具将释放。将掩模夹具拉出，180度反转后放到左 边的托盘上。点击ENTER键关闭掩模真空。松开机械压板，取出掩模板
光刻工艺和设备―汇集和整理大量word文档,专业文献,应用文书,考试资料,教学教材,办公文档,教程攻略,文档搜索下载下载,拥有海量中文文档库,关注高价值的实用信息,我们一直在努力,争取提供更多下载资源。 下载
 收藏
愿得一心人，白首不相离
 下载此文档
正在努力加载中...
石墨烯修饰铂电极传感器测定水中微量重金属镉和铅
下载积分：980
内容提示：石墨烯修饰铂电极传感器测定水中微量重金属镉和铅
文档格式：PDF|
浏览次数：1|
上传日期： 14:10:04|
文档星级：
该用户还上传了这些文档
下载文档:石墨烯修饰铂电极传感器测定水中微量重金属镉和铅.PDF
官方公共微信}