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贴片场效应管基本参数
贴片场效应管基本参数
贴片场效应管详细信息
品牌：&FAIRCHILD/仙童&
型号：&1N60&
种类：&绝缘栅(MOSFET)&
沟道类型：&N沟道&
导电方式：&增强型&
用途：&MOS-FBM/全桥组件&
封装外形：&SMD(SO)/表面封装&
材料：&N-FET硅N沟道&
场效应管的参数&&&&
场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：&
1、I&DSS&―&饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U&GS=0时的漏源电流。&
2、UP&―&夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。&
3、UT&―&开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。&
4、gM&―&跨导。是表示栅源电压U&GS&―&对漏极电流I&D的控制能力，即漏极电流I&D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM&是衡量场效应管放大能力的重要参数。&
5、BUDS&―&漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。&
6、PDSM&―&最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。&
7、IDSM&―&最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM
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求助山特C1K驱动小板编号为RKS的贴片场效应管参数
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ibmx31离线LV2本网技师积分：131|主题：5|帖子：12积分:131LV2本网技师 10:29:25
各位坛老师好，请问山特C1K驱动小板上面的2个编号为RKS的贴片场效应管是什么型号？此2个贴片管子是接在3845的第6脚输出端，2个都损坏，急需老师们的帮助可以用那种管子代换，非常感谢
找两个同样封装的耐压100V，电流5A左右的MOS管换上就可以了
|1632离线LV7版主积分：665|主题：200|帖子：164积分:665版主 11:43:15&这个不知道 ||
ibmx31离线LV2本网技师积分：131|主题：5|帖子：12积分:131LV2本网技师 16:26:01&谢谢 ||
pbpoem离线LV2本网技师积分：145|主题：10|帖子：23积分:145LV2本网技师 17:31:01倒数2& ||
ht_离线LV10总工程师积分：17034|主题：131|帖子：8069积分:17034LV10总工程师最新回复 23:10:55倒数1& ||ht_离线LV10总工程师积分：17034|主题：131|帖子：8069积分:17034LV10总工程师 11:48:20&PFC的那个小板？ ||
ibmx31离线LV2本网技师积分：131|主题：5|帖子：12积分:131LV2本网技师 16:25:24&谢谢老师，总共有3块结构都是一样的，PFC驱动就是其中一块，用2N7002代换工作不久就把后级的功率管烧掉了， ||海恋星依离线LV2本网技师积分：145|主题：4|帖子：37积分:145LV2本网技师 16:39:29&用BFR 194型号的三极管试试 ||
ibmx31离线LV2本网技师积分：131|主题：5|帖子：12积分:131LV2本网技师 22:41:53&谢谢，按照管子的丝印RKS代号查得是BFR194三极管（PNP），但小板实物的RKS确是正宗的场效应管，用BFR194三极管代换后开机立马冒烟！在此求助维修山特UPS的高手们支支招，谢谢啦 ||
海恋星依离线LV2本网技师积分：145|主题：4|帖子：37积分:145LV2本网技师 17:37:12&NPN型的三极管吧？你用万用表测测 ||zhougangming离线LV2本网技师积分：105|主题：0|帖子：5积分:105LV2本网技师 10:01:24&在淘宝淘块驱动小板，才20元，省心省力 ||
ibmx31离线LV2本网技师积分：131|主题：5|帖子：12积分:131LV2本网技师 15:25:16&朋友你好，有链接吗？谢谢 ||ht_离线LV10总工程师积分：17034|主题：131|帖子：8069积分:17034LV10总工程师 10:21:56&这两个管子并联使用，相当于反激电源中原边的MOS开关管，你的电池电压多少？不要随意替换，你要清楚耐压和电流。 ||ibmx31离线LV2本网技师积分：131|主题：5|帖子：12积分:131LV2本网技师 15:31:28&你好朋友，机器是C1K的，电池电压36V，这两个贴片管无法查到资料，如果用丝印的型号RKS查得是PNP的管子，但实物确是场效应管，请问朋友有这个管子的资料吗？谢谢你 ||dengchangwei离线LV2本网技师积分：102|主题：0|帖子：2积分:102LV2本网技师 16:54:20&我有连接，我找找发给你 ||
dengchangwei离线LV2本网技师积分：102|主题：0|帖子：2积分:102LV2本网技师 17:04:17&我有好几块坏的，有光耦坏的，3845坏的，稳压2极管坏的，也有和楼主的小板子坏的一样部位的&&&&&&&&&& ||
ht_离线LV10总工程师积分：17034|主题：131|帖子：8069积分:17034LV10总工程师 22:19:32&找两个同样封装的耐压100V，电流5A左右的MOS管换上就可以了 ||
海恋星依离线LV2本网技师积分：145|主题：4|帖子：37积分:145LV2本网技师 18:01:48&3845输出端的电压应该不大吧，为什么要用这么大耐压耐流的mos管？ ||
ht_离线LV10总工程师积分：17034|主题：131|帖子：8069积分:17034LV10总工程师 18:08:33&反激电源的直流电容的电来自于电池，电池电压加反射电压和尖峰电压，还要适当的留有一定的余量。 ||
海恋星依离线LV2本网技师积分：145|主题：4|帖子：37积分:145LV2本网技师 18:13:56&哦，这个板子我用过，请看图，还麻烦前辈给我分析下如何估算耐压值，以及如何选择mos管型号
ht_离线LV10总工程师积分：17034|主题：131|帖子：8069积分:17034LV10总工程师 18:24:45&图形标识有误，芯片的供电是VCC，D1阳极所接应为电池电压，另外你这个变压器应为反激变压器，同名端标识有误。
提供电池电压和变压器变比，以及副边输出电压为多少？ ||海恋星依离线LV2本网技师积分：145|主题：4|帖子：37积分:145LV2本网技师 18:56:52&嗯，确实是连接至电池电压12V，但是变压器我用LCR测过的确是正激变压器，变压器匝比13:38，副边输出30V ||
ht_离线LV10总工程师积分：17034|主题：131|帖子：8069积分:17034LV10总工程师 19:16:00&不清楚你测量的是否有错误，我以前接触的这个电源是反激拓扑。 ||
海恋星依离线LV2本网技师积分：145|主题：4|帖子：37积分:145LV2本网技师 19:31:17&前辈暂时按照我这个电路，分析一下吧！ ||
ht_离线LV10总工程师积分：17034|主题：131|帖子：8069积分:17034LV10总工程师 19:43:01&你想想你这个电路如果是正激，如何去磁呢？ ||海恋星依离线LV2本网技师积分：145|主题：4|帖子：37积分:145LV2本网技师 20:02:06& ||
ht_离线LV10总工程师积分：17034|主题：131|帖子：8069积分:17034LV10总工程师 20:07:00&这个电路和你那个电路是不同的，1脚是一个类似方波的信号，来自于前级3845控制的反激电源。这里负责驱动IGBT的驱动小板部分的电路，后级所需要的能量很小。 ||
海恋星依离线LV2本网技师积分：145|主题：4|帖子：37积分:145LV2本网技师 20:16:06&我的板子也是用来驱动IGBT的 ||
海恋星依离线LV2本网技师积分：145|主题：4|帖子：37积分:145LV2本网技师 20:04:48&如果是反激的，那请问这个电路怎么工作？两个整流二极管D1和D2已经很明确的指出了，这个电路只能是正激的！ ||
ht_离线LV10总工程师积分：17034|主题：131|帖子：8069积分:17034LV10总工程师 20:08:59&前级是反激，后级是正激，在我的那个UPS的帖子中已经对这个问题进行了讨论了。这个是不会有错的 ||
海恋星依离线LV2本网技师积分：145|主题：4|帖子：37积分:145LV2本网技师 20:20:38&链接可以发给我吗？小弟好好学习学习 ||
ht_离线LV10总工程师积分：17034|主题：131|帖子：8069积分:17034LV10总工程师 21:21:03& ||
海恋星依离线LV2本网技师积分：145|主题：4|帖子：37积分:145LV2本网技师 21:26:59倒数10&嗯，正在学习中，有好多疑问，还望前辈不吝赐教 ||
ht_离线LV10总工程师积分：17034|主题：131|帖子：8069积分:17034LV10总工程师 21:33:28倒数9&，我也是电源方面的新手 ||
海恋星依离线LV2本网技师积分：145|主题：4|帖子：37积分:145LV2本网技师 21:56:05倒数8&呵呵，不要谦虚嘛，偷偷地告诉你我是学自动化的，这个月初刚接触UPS，哎，一片茫然啊，不懂不懂，何时能入门！？ ||
ht_离线LV10总工程师积分：17034|主题：131|帖子：8069积分:17034LV10总工程师 22:14:10倒数7&没骗你 电源方面我懂得也不多 也是新手 大家共同交流共同学习！！！ ||
chxm8789离线LV6高级工程师积分：1036|主题：12|帖子：230积分:1036LV6高级工程师 14:39:07倒数3&图形标识没错，D1阳极所接应为VCC，同名端也没错，是正激式的，磁复位采用RCD复位。 ||
海恋星依离线LV2本网技师积分：145|主题：4|帖子：37积分:145LV2本网技师 18:03:27&请问，耐压和电流如何估算呢？ ||zhougangming离线LV2本网技师积分：105|主题：0|帖子：5积分:105LV2本网技师 17:01:47& ||
ibmx31离线LV2本网技师积分：131|主题：5|帖子：12积分:131LV2本网技师 15:34:25倒数6&感谢各位大师的帮忙，经多次试验（代价是烧毁几个5N120 IGBT）得出：用BUK474可以代用，电源网整好，谢谢各位。。。。 ||
海恋星依离线LV2本网技师积分：145|主题：4|帖子：37积分:145LV2本网技师 16:25:25倒数5&用的60V的还是200V的？ ||
chxm8789离线LV6高级工程师积分：1036|主题：12|帖子：230积分:1036LV6高级工程师 14:29:10倒数4&这块板是正激电路，管子参数是300ma，60V。 ||
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采用SOT-89封装贴片晶体管主要参数速查表（一）
&&& 采用SOT-89封装的3脚贴片晶体管与普通贴片三极管相比，体积较大，且带有散热片，其外形如图1所示。其中，该类贴片三极管的引脚功能如图2～图4所示，场效应管的引脚功能如图5，6所示，二极管的引脚功能如图7～图11所示。
&&& 在下表&类型&一列中，&MOS-n-FET&表示金属氧化物半导体N沟道场效应晶体管，&MOS-n-FET-e&表示金属氧化物半导体N沟道增强型场效应管，&MOS-p-FET&表示金属氧化物半导体p沟道场效应晶体管，&MOS-p-FET-e&表示金属氧化物半导体p沟道增强型场效应管；&引脚功能&一列中所列数字表示图号，如&2&，表示该元件的引脚功能见图2，依次类推。
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