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电子测量仪器的优点 - 电子测量仪器的原理_电子测量仪器的优点_电子测量仪器有哪些
来源：网络整理 作者：日 18:30
[导读] 广义的电子测量仪器是指利用电子技术进行的测量分析的仪器，是测量仪器的一大类别。
　　电子测量仪器的优点
　　1、测量量程广
　　电子测量仪表的量程是测量范国的上限值与下限值之差。由于被测量的电量大小差别较大故而要求电子测量仪器要有足够的测量范围。例如常用的MF-30型三用表电阻测量t1当的范围从几欧姆到几兆欧，量程可达6个数量级; 高灵敏度的数字式电压表可用来测量10 mv~1kv的电压值有11个数量级的量程电子计数式频率计的量程范围更大，可达到17个以上的数量级。
　　2、则量准确度高
　　电子测量仪器的测量准确度相当高，对于长度测量的准确度最高可达到约10-8; 对于热量测量的准确度最高可达约10-5O 力学测量的淮确度最高约为10-9。但如采用电子测量仪器对力学方面的待测量进行测量。测量的淮确度则可达到10-13~ 10-140 这主要是通过电子测量仪器的高精度来保证的。
　　3、测量频率范围宽
　　采用电子测量仪器对频率进行测量时，低端除了可以测量直流量的数值外，还可以测量数值低到0~4 Hz的频率高端可测量到可见光范围约88X1012HZ。必须注意的是并不是所有电子测量仪器的频率范同都很宽有些电子测量仪器的工作频率仅侧重于某一频段故应根据实际需要选用相应的测量仪器。
　　4、测量速度快
& & & & 电子测量速度快主要是由于电子测量仪器的工作是通过电子运动和电磁波的传播进行的，故在尖端科学技术中如原子核裂变的研究、手-弹发射速度的测量、超高速电子计- 算机工作状态的检查等都是采用电子测量方式来完成的。
　　5、容易实现无线遥控
　　遥测电子测量很容易通过无线或有线系统对人体不使于接触的区域（例如有毒、污染、易爆等场所） 或无法到达的区域（例如核反应堆内部、发射中的导弹、高空、海洋深处等）进行测量，这是其他测量方式无法实现的。
　　6、容易实现智能化和自动化
　　由于电子测量仪器可与微处理器组合在一起，构成智能化的测量仪器，故可将电子测量仪做得很小功能更多、性能更强使它适用范围更广泛。对于具有通用标准接口的GP- 1B独立仪器还可通过与母线互连并在计算机的控制下实现自动、智能测试可以用来进行白动测量，自动诊断故障，自动记录，白动完成数据的运算、分析与处理等。
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电信与信息服务业务经营许可证：粤B2-18被浏览3201分享邀请回答233 条评论分享收藏感谢收起srdata.nist.gov/xps/ElmSpectralSrch.aspx?selEnergy=PEB. 化学态与结构分析——窄区扫描（也叫高分辨谱）如果测定化学位移，或者进行一些数据处理，如峰拟合、退卷积、深度剖析等，则必须进行窄扫描以得到精确的峰位和好的峰形。扫描宽度应足以使峰的两边完整，通常为10eV~30eV。为获得较好的信噪比，可用计算机收集数据并进行多次扫描。6. XPS定量分析方法与原理A. 基本原理：经X射线辐照后，从样品表面出射的光电子的强度（I，指特征峰的峰面积）与样品中该原子的浓度（n）有线性关系，因此可以利用它进行元素的半定量分析。简单的可以表示为：I = n*S, S称为灵敏度因子（有经验标准常数可查，但有时需校正）。对于对某一固体试样中两个元素i和j, 如已知它们的灵敏度因子Si和Sj,并测出各自特定谱线强度Ii和Ij,则它们的原子浓度之比为:ni:nj=(Ii/Si):(Ij/Sj）,因此可以求得相对含量。
温馨提示：这里只是简单的原理，后面会有实例分析，敬请期待。B. 为什么XPS是一种半定量分析手段？鉴于光电子的强度不仅与原子的浓度有关，还与光电子的平均自由程、样品的表面光洁度，元素所处的化学状态，X射线源强度以及仪器的状态有关。因此，XPS技术一般不能给出所分析元素的绝对含量，仅能提供各元素的相对含量。备注：由于元素的灵敏度因子不仅与元素种类有关，还与元素在物质中的存在状态，仪器的状态有一定的关系，因此不经校准测得的相对含量也会存在很大的误差。在实际分析中也可用对照标样校正，测量元素的相对含量。声明：本期参考了很多前辈的资料，包括北京大学化学与分子工程学院起草的国标等，谢谢他们！———————————————————————————————————————————下面将结合实例进行讨论，告诉大家XPS该怎么用，数据该如何分析等等，希望能够对大家有所帮助。A. XPS谱图中有哪些重要的谱线结构？具体是什么？ XPS谱图一般包括光电子谱线，卫星峰（伴峰），俄歇电子谱线，自旋-轨道分裂(SOS)等1. 光电子谱线：每一种元素都有自己特征的光电子线，它是元素定性分析的主要依据。谱图中强度最大、峰宽最小、对称性最好的谱峰，称为XPS的主谱线。实例说明一：上图中，对于In元素而言，In 3d强度最大、峰宽最小，对称性最好，是In元素的主谱线。而除了主谱线In 3d之外，其实还有In 4d, In 3p等其它谱线，这是因为In元素有多种内层电子,因而可以产生多种In XPS信号。2. 卫星峰（伴峰）：常规Ｘ射线源(Al/Mg Kα1,2)并非是单色的，而是还存在一些能量略高的小伴线（Kα3,4,5和Kβ等），所以导致XPS中，除Kα1,2所激发的主谱外，还有一些小的伴峰。实例说明二：上图为Mg阳极X射线激发的C1s主峰（α1,2）及伴峰（α3,4,5和β）。从图中可以看出，主峰的强度比伴峰要强很多。3. 俄歇电子谱线：电子电离后，芯能级出现空位，弛豫过程中若使另一电子激发成为自由电子，该电子即为俄歇电子。俄歇电子谱线总是伴随着XPS，但具有比XPS更宽更复杂的结构，多以谱线群的方式出现。特征：其动能与入射光ｈν无关。实例说明三：上图中O KLL, C KLL即为O和C的俄歇电子谱线，从图中可以看到O KLL其实有三组峰，最左边的为起始空穴的电子层，中间的是填补起始空穴的电子所属的电子层，右边的是发射俄歇电子的电子层。备注：关于俄歇电子能谱的相关内容，等有机会咱们再详细讨论。4. 自旋-轨道分裂(SOS)：由于电子的轨道运动和自旋运动发生耦合后使轨道能级发生分裂。对于l＞0的内壳层来说，用内量子数j（j=｜l±ms｜）表示自旋轨道分裂。即若l=0 则j=1/2；若l=1则j=1/2或3/2。除s亚壳层不发生分裂外，其余亚壳层都将分裂成两个峰。实例说明四：上图所示为PbO的XPS谱图，图中Pb 4f裂分成4f5/2和4f7/2两个峰。重要意义：对于某一特定价态的元素而言，其p, d, f 等双峰谱线的双峰间距及峰高比一般为一定值。p峰的强度比为1:2；d线为2:3；f线为3:4。对于p峰，特别是4p线，其强度比可能小于1:2。双峰间距也是判断元素化学状态的一个重要指标。5. 鬼峰：有时，由于X射源的阳极可能不纯或被污染，则产生的X射线不纯。因非阳极材料X射线所激发出的光电子谱线被称为“鬼峰”。 B. 化合物中元素种类的分析——全谱分析1. 什么时候需要进行全谱分析（XPS survey）？全谱分析的目的是什么？全谱分析一般用来说明样品中是否存在某种元素。比较极端的，对于某一化学成分完全未知的样品，可以通过XPS全谱分析来确定样品中含有哪些元素（H和He除外）。而更多情况下，人们采用已知成分的原料来合成样品，然后通过XPS全谱来确定样品中到底含有哪些元素；或者对某一已知成分的样品进行某种处理（掺杂或者脱除），然后通过XPS全谱分析来确定元素组成，最终证实这种处理手段的有效性。实例说明五：J. Appl. Phys. 3911一文中，采用XPS全谱分析来对比AlN和AlN:Er,证实reactive magnetron sputtering处理后，Er成功掺杂到AlN薄膜中。实例说明六：Appl. Catal. B: Environ. –602.一文中采用XPS全谱分析来说明Fe成功掺杂到TiO2 nanorod中。从以上两个例子中可以看出，全谱分析主要看峰的有无，进而确定是否存在该元素。2. 全谱分析有何不足之处？全谱分析所得到的信号比较粗糙，只是对元素进行粗略的扫描，确定元素有无以及大致位置。对于含量较低的元素而言，信噪比很差，不能得到非常精细的谱图。通常，全谱分析只能得到表面组成信息，得不到准确的元素化学态和分子结构信息等。3. XPS全谱分析与EDS有何异同？a. EDS与XPS的相同点：两者均可以用于元素的定性和定量检测。 b. EDS与XPS的不同点：1) 基本原理不一样: 简单来说，XPS是用X射线打出电子，检测的是电子；EDS则是用电子打出X射线，检测的是X射线。2) EDS只能检测元素的组成与含量，不能测定元素的价态，且EDX的检测限较高（含量＞2%），即其灵敏度较低。而XPS既可以测定表面元素和含量，又可以测定表其价态。XPS的灵敏度更高，最低检测浓度＞0.１％。3) 用法不一样：EDS常与SEM，TEM联用，可以对样品进行点扫，线扫，面扫等，能够比较方便地知道样品的表面（和SEM联用）或者体相（和TEM联用）的元素分布情况；而XPS则一般独立使用，对样品表面信息进行检测，可以判定元素的组成，化学态，分子结构信息等。备注：EDS或EDX指能量色散X射线光谱仪，全称为Energy Dispersive X-ray Spectroscopy。C. 化合物中元素化学态与结构分析——窄区扫描（高分辨谱）1. 什么叫荷电校正？为什么需要进行荷电校正？当用XPS测量绝缘体或者半导体时，由于光电子的连续发射而得不到电子补充，使得样品表面出现电子亏损，这种现象称为“荷电效应”。荷电效应将使样品表面出现一稳定的电势Vs，对电子的逃离有一定束缚作用。因此荷电效应将引起能量的位移，使得测量的结合能偏离真实值，造成测试结果的偏差。在用XPS测量绝缘体或者半导体时，需要对荷电效应所引起的偏差进行校正（荷电校正的目的），称之为“荷电校正”。2. 如何进行荷电校正？最常用的，人们一般采用外来污染碳的C1s作为基准峰来进行校准。以测量值和参考值(284.8 eV)之差作为荷电校正值(Δ)来矫正谱中其他元素的结合能。具体操作：1) 求取荷电校正值：C单质的标准峰位(一般采用284.8 eV)-实际测得的C单质峰位=荷电校正值Δ；2)采用荷电校正值对其他谱图进行校正：将要分析元素的XPS图谱的结合能加上Δ，即得到校正后的峰位（整个过程中XPS谱图强度不变）。将校正后的峰位和强度作图得到的就是校正后的XPS谱图。 3. 如何通过高分辨谱判定样品中某种元素的价态？高分辨谱定性分析元素的价态主要看两个点：1）可以对照标准谱图值（NIST数据库或者文献值）来确定谱线的化合态；2）对于p,d,f等具有双峰谱线的（自旋裂分），双峰间距也是判断元素化学状态的一个重要指标。4. 高分辨谱的其他常见用途实际上，多数情况下，人们关心的不仅仅是表面某个元素呈几价，更多的是对比处理前后样品表面元素的化学位移变化，通过这种位移的变化来说明样品的表面化学状态或者是样品表面元素之间的电子相互作用。一般，某种元素失去电子，其结合能会向高场方向偏移，某种元素得到电子，其结合能会向低场方向偏移，对于给定价壳层结构的原子,所有内层电子结合能的位移几乎相同. 这种电子的偏移偏向可以给出元素之间电子相互作用的关系。实例说明七：下图所示是PtPd形成合金后其表面电子结构的变化，从图中可以看出，形成Pt1Pd3之后，Pd3d向低场偏移，Pt4f向高场偏移，说明Pd得到电子，Pt失去电子，也就是说形成合金后，Pt上的电子部分转移给Pd。PtPd的这种电子转移也是其形成合金的一个证据。本图选自Catal. Sci. Technol., 1–446，第一作者为浙江大学范杰老师课题组刘娟娟博士。172 条评论分享收藏感谢收起写回答您所在位置： &
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电子测量技术基础-赵徽存.pdf 181页
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电子测量技术基础
重 庆 大 学 出版 社
内 容 提 要
本书系高等学校本科系列“电子信息”类专业规划 教材, 书中主要介绍 电子测量的原理和方法 。具体 内
容有测量误差与数据处理、测试信号的产 生、电信号的波形显示、测试信号 的分析、频率和时 间的测量、电压
的测量、数据域的测量、智能仪器 等 。本书在透 彻讲述基本概念 和原理 以外, 突 出先进 的测试 技术及仪器 。
每章附有小结和精选 的习题 。
本书可作为“电子测量技术 ”、“电子仪器 ”课程 的教材, 也可作为电子信息类工程技术人员的参考书。
图书在版编 目( CIP) 数据
电子测量技术基础/ 赵徽存, 黄进 良主编. —重庆: 重庆大学出版社, 2 004 . 6
电子信息工程专业本科系列教材)
电. . . Ⅱ. ①赵. . . ②黄. . .
Ⅲ. 电子测量—高等学校—教材
中国版本 图书馆 CIP 数据核字( 2004 ) 第 0 33314
电子测量技术基础
责任 编辑 : 彭
版 式设 计: 彭
责任 校对: 任卓 惠
责 任印制 : 张立 全
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年 5 月 第 1 版
年 5 月第 1 次 印刷
印数: 1 —4 00 0
ISBN 7 - -0 / TN ·64 定价: 18. 0 0
本 书如 有
正在加载中，请稍后...& 伏安法测电阻知识点 & “半导体热敏电阻是一种电阻值能很灵敏地随温...”习题详情
128位同学学习过此题，做题成功率72.6%
半导体热敏电阻是一种电阻值能很灵敏地随温度变化的半导体器材，根据它的这种特性，可以用它来做成一只电子温度计，下面是对一次实际制作过程的描述：图1是半导体电子温度计的电路，Rt就是准备用来测温的半导体热敏电阻，它与一只定律电阻R0相串联，然后两端加上一个恒定电压U0，电压表用来测量Rt两端的电压．当Rt的温度变化时，其阻值将发生变化，电压表的读数也发生变化．只要事先加以标定，由电压表的读数就可知道Rt所处的温度．在某次实际的实验中，取U0=12V，R0=2.0KΩ．把半导体热敏电阻插入一只填充了一种用以增加导热性的“导热硅脂”的薄铜管，就做成了温度计的探温头．为对这只电子温度计进行标度，把探温头和一只标准温度一起放在装有热水的容器内，如图2所示．随着水的逐渐冷却，记下标准温度计和电压表的读数，得到的数据点如图3所示．（1）据图3作出这只温度探头的“θ-u”（温度-电压）关系曲线．（2）图1表示电路中所用的15V～0.3V-0双量程电压表的刻度板，试在刻度板上标出20℃，40℃，60℃，80℃四个温度值的位置，并这与出其对应的电压值．再说明用的是电压表的哪一个量程．（3）求20℃时的热敏电阻阻值，并说明计算电阻值所依据的公式．
本题难度：一般
题型：解答题&|&来源：2013-杭州二模
分析与解答
习题“半导体热敏电阻是一种电阻值能很灵敏地随温度变化的半导体器材，根据它的这种特性，可以用它来做成一只电子温度计，下面是对一次实际制作过程的描述：图1是半导体电子温度计的电路，Rt就是准备用来测温的半导体热敏电阻，它...”的分析与解答如下所示：
题（1）的关键是认真描点作图，然后用平滑的曲线连接即可；题（2）的关键是依据图象求解即可；题（3）的关键是首先根据图象求出20°C时热敏电阻的电压，再结合串联电路和欧姆定律求出通过定值电阻的电流即可．
解：（1）：根据描点法作图如下图：&&&&&&&（2）：根据θ-U图象可知20℃，40℃，60℃，80℃四个温度值的位置对应的电压表的读数为：20℃-1.83V；40℃-1.08V；60℃-0.62V；80℃-0.42V，从图线上的数据可知，电压表的读数范围在“0-3V”范围内，故选择“0-3V”量程．（3）：根据电路图可得：U&0=U+U&R&0，通过电路的电流为I=U&R&0R&0，则热敏电阻为：&R&t=UI，联立以上各式解得：R&t=UR&0U&0-U，根据图象可读出20°C时电压表电压U=1.83V，代入上式解得：R&t=0.36kΩ；故答案为：（1）如图（2）“0-3V”量程（3）0.36KΩ，R&t=UR&0U&0-U
本题考查了分析热敏电阻随温度变化的特点、热敏电阻的辨别等问题，分析清楚图象、根据图象得出热敏电阻随温度变化的特点是正确解题的关键．
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半导体热敏电阻是一种电阻值能很灵敏地随温度变化的半导体器材，根据它的这种特性，可以用它来做成一只电子温度计，下面是对一次实际制作过程的描述：图1是半导体电子温度计的电路，Rt就是准备用来测温的半导体热...
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经过分析，习题“半导体热敏电阻是一种电阻值能很灵敏地随温度变化的半导体器材，根据它的这种特性，可以用它来做成一只电子温度计，下面是对一次实际制作过程的描述：图1是半导体电子温度计的电路，Rt就是准备用来测温的半导体热敏电阻，它...”主要考察你对“伏安法测电阻”
等考点的理解。
因为篇幅有限，只列出部分考点，详细请访问。
伏安法测电阻
与“半导体热敏电阻是一种电阻值能很灵敏地随温度变化的半导体器材，根据它的这种特性，可以用它来做成一只电子温度计，下面是对一次实际制作过程的描述：图1是半导体电子温度计的电路，Rt就是准备用来测温的半导体热敏电阻，它...”相似的题目：
（1）某学生想在实验室测定当地的重力加速度，有以下器材可供选用（设计出一种实验方案即可）：A．闪光照相机（已知物像的长度比为K，闪光灯闪光时间间隔为t）&B．秒表&C．电磁式打点计时器&D．4-6伏的交流电源（周期为T）&E．导线若干F．纸带&G．复写纸&H．铁架台&I．游标卡尺&J．重物&K．刻度尺&L．直径为1cm的小钢球&M．1m长的弹性绳&N．照相底片（a）请你帮他从给定的器材中选出实验所需器材（填器材前面的字母）&&&&．（b）需要测量的物理量是&&&&．（c）用你测量的物理量写出重力加速度的表达式&&&&．（2）从下表中选出适当的实验器材，设计一电路来测量一个刻度盘总共有10个小格且刻度均匀、但量程未准确确定的电压表V1的量程U1m．要求方法简捷，有尽可能高的精确度，并能测出多组数据．
器材（代号）&规&&&格&待测电压表V1&量程在25V左右，内阻r1=250kΩ&标准电压表V2&量程2V，内阻r2=20kΩ&电流表A&量程3A，内阻r3=0.01Ω&滑动变阻器R&总阻值1kΩ&稳压电源E&30V，内阻很小&开关S&&导线若干&&注：上述各电表的内阻都是已知量．（a）画出电路，标明所用器材的代号，并填入答卷中的指定位置．（b）若选用测量数据中的一组合理数据来计算V1的量程U1m，则表达式为U1m=&&&&式中各字母代表的是&&&&．
平行于水平桌面的细线（1）为了测定木块A和木板B之间的动摩擦因数，某同学设计了一个实验，其实验装置如图1所示．该同学在实验中的主要操作有：A．用弹簧秤测出木块A的重力为G=6.00N；B．用弹簧秤测出木板B的重力为G′=9.25N；C．按图的装置安装器材，安装过程中用手按住木块和木板；D．松开按住木块和木板的手，让其运动，待弹簧秤指针稳定时再读数．①该同学的上述操作中多余的步骤是&&&&．（填步骤序号）②在听取意见后，该同学按正确方法操作；读数时弹簧秤的指针位置如图2所示，其示数为&&&&N．根据该同学的测量数据，可得到木块A和木板B之间的动摩擦因数为&&&&．（2）如图所3示的电路中，定值电阻R′=15Ω，K2为单刀双掷开关．闭合S1，将K2切换到a端，调节电阻箱，读出其阻值为R1，记录“数字式理想电压表”测得的数据为U1；然后保持电阻箱的阻值不变，将K1切换到b端，记录“数字式理想电压表”测得的数据为U2．①根据电路图用画线代替导线将实验仪器连成实验电路（如图4）；②试写出测待测电阻RX的表达式&&&&；③若测得RX=2.5Ω，将K2切换到a端，多次调节电阻箱，读出多组电阻箱的阻值R和记录对应的“数字式理想电压表”数据U，对测得的数据进行处理，在1U-1R图上（如图5）描出了几个点．试在坐标上做出1U-1R的图线．可求得电源的电动势E=&&&&v，内阻r=&&&&Ω．
电压表是测量定值电阻两端电压的仪表，理想电压表的内阻可视为无穷大，但实际上使用的电压表的内阻并不是无穷大．为了侧量某一电压表的内阻，现给出了如下器材：A．蓄电池E电动势4V，内阻很小，可以忽略不计；B．电压表V1：量程30V，内阻约为30kΩ；C．电压表V2：量程3V，内阻约为3kΩ；D．毫安表A：量程5mA，内阻约为20Ω；E．定值电R：R=1000Ω；F．滑动变阻器R2：最大阻值为50Ω；C．开关S一个，导线若干．①若要较精确地侧定其中某只电压表的内阻，那么这只电压表是&&&&．请在虚线方框中画出设计的实验电路原理图．②实验中，要侧出的物理量有&&&&．请用已知量和测出的物理量来表示待测电压表内阻Rv=&&&&③根据设计的电路图，将实物图连接起来（未选用的仪器就不要连接）．
“半导体热敏电阻是一种电阻值能很灵敏地随温...”的最新评论
该知识点好题
1（2013o安徽）用图示的电路可以测量电阻的阻值．图中Rx是待测电阻，R0是定值，G是灵敏度很高的电流表，MN是一段均匀的电阻丝．闭合开关，改变滑动头P的位置，当通过电流表G的电流为零时，测得MP=l1，PN=l2，则Rx的阻值为（　　）
2某种小灯泡的伏安性曲线如图甲所示，三个完全相同的这种小灯泡连接成如图乙所示的电路，四个电表均为理想电表．现闭合开关S，电压表V&1，的示数为4.0V，以下说法正确的是（　　）
32007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家．材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度．若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中RB、R0分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值．为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB．请按要求完成下列实验．（1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路图，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）．要求误差较小．提供的器材如下：A．磁敏电阻，无磁场时阻值R0=150ΩB．滑动变阻器R，全电阻约20ΩC．电流表A，量程2.5mA，内阻约30ΩD．电压表V，量程3V，内阻约3KΩE．直流电源E，电动势3V，内阻不计F．开关S，导线若干（2）正确连线后，将磁敏电阻置于待测磁场中，测量数据如下表：
&1&2&3&4&5&6&U&（V）&0.00&0.45&0.92&1.50&1.79&2.71&A&（mA）&0.00&0.30&0.60&1.00&1.20&1.80&根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=&&&&，结合图1可知待测磁场的磁感应强度B=&&&&T．（3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？（4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？
该知识点易错题
1（2013o安徽）用图示的电路可以测量电阻的阻值．图中Rx是待测电阻，R0是定值，G是灵敏度很高的电流表，MN是一段均匀的电阻丝．闭合开关，改变滑动头P的位置，当通过电流表G的电流为零时，测得MP=l1，PN=l2，则Rx的阻值为（　　）
2某种小灯泡的伏安性曲线如图甲所示，三个完全相同的这种小灯泡连接成如图乙所示的电路，四个电表均为理想电表．现闭合开关S，电压表V&1，的示数为4.0V，以下说法正确的是（　　）
32007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家．材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度．若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中RB、R0分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值．为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB．请按要求完成下列实验．（1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路图，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）．要求误差较小．提供的器材如下：A．磁敏电阻，无磁场时阻值R0=150ΩB．滑动变阻器R，全电阻约20ΩC．电流表A，量程2.5mA，内阻约30ΩD．电压表V，量程3V，内阻约3KΩE．直流电源E，电动势3V，内阻不计F．开关S，导线若干（2）正确连线后，将磁敏电阻置于待测磁场中，测量数据如下表：
&1&2&3&4&5&6&U&（V）&0.00&0.45&0.92&1.50&1.79&2.71&A&（mA）&0.00&0.30&0.60&1.00&1.20&1.80&根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=&&&&，结合图1可知待测磁场的磁感应强度B=&&&&T．（3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？（4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？
欢迎来到乐乐题库，查看习题“半导体热敏电阻是一种电阻值能很灵敏地随温度变化的半导体器材，根据它的这种特性，可以用它来做成一只电子温度计，下面是对一次实际制作过程的描述：图1是半导体电子温度计的电路，Rt就是准备用来测温的半导体热敏电阻，它与一只定律电阻R0相串联，然后两端加上一个恒定电压U0，电压表用来测量Rt两端的电压．当Rt的温度变化时，其阻值将发生变化，电压表的读数也发生变化．只要事先加以标定，由电压表的读数就可知道Rt所处的温度．在某次实际的实验中，取U0=12V，R0=2.0KΩ．把半导体热敏电阻插入一只填充了一种用以增加导热性的“导热硅脂”的薄铜管，就做成了温度计的探温头．为对这只电子温度计进行标度，把探温头和一只标准温度一起放在装有热水的容器内，如图2所示．随着水的逐渐冷却，记下标准温度计和电压表的读数，得到的数据点如图3所示．（1）据图3作出这只温度探头的“θ-u”（温度-电压）关系曲线．（2）图1表示电路中所用的15V～0.3V-0双量程电压表的刻度板，试在刻度板上标出20℃，40℃，60℃，80℃四个温度值的位置，并这与出其对应的电压值．再说明用的是电压表的哪一个量程．（3）求20℃时的热敏电阻阻值，并说明计算电阻值所依据的公式．”的答案、考点梳理，并查找与习题“半导体热敏电阻是一种电阻值能很灵敏地随温度变化的半导体器材，根据它的这种特性，可以用它来做成一只电子温度计，下面是对一次实际制作过程的描述：图1是半导体电子温度计的电路，Rt就是准备用来测温的半导体热敏电阻，它与一只定律电阻R0相串联，然后两端加上一个恒定电压U0，电压表用来测量Rt两端的电压．当Rt的温度变化时，其阻值将发生变化，电压表的读数也发生变化．只要事先加以标定，由电压表的读数就可知道Rt所处的温度．在某次实际的实验中，取U0=12V，R0=2.0KΩ．把半导体热敏电阻插入一只填充了一种用以增加导热性的“导热硅脂”的薄铜管，就做成了温度计的探温头．为对这只电子温度计进行标度，把探温头和一只标准温度一起放在装有热水的容器内，如图2所示．随着水的逐渐冷却，记下标准温度计和电压表的读数，得到的数据点如图3所示．（1）据图3作出这只温度探头的“θ-u”（温度-电压）关系曲线．（2）图1表示电路中所用的15V～0.3V-0双量程电压表的刻度板，试在刻度板上标出20℃，40℃，60℃，80℃四个温度值的位置，并这与出其对应的电压值．再说明用的是电压表的哪一个量程．（3）求20℃时的热敏电阻阻值，并说明计算电阻值所依据的公式．”相似的习题。}