求高手帮忙看一下这段max函数是什么意思思

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MPU9150运动中断配置的问题,请高手帮忙看一下!!!
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前两天使用stm32f103移植了官方的DMP库,并已可以使用dmp_read_fifo函数读取到四元数;昨天想使用DMP库中的函数来配置运动中断,碰到以下问题:
1. 使用dmp_set_interrupt_mode(DMP_INT_GESTURE)配置中断以后,感觉板子每次要转动一个很大的角度才产生一次中断,拿着板子轻轻晃动不会产生中断;产生一次中断后可以读取到四元数。
2.使用mpu_lp_motion_interrupt函数配置中断后,产生中断的灵敏度比上一个函数效果好,但是一直无法读取到有效的四元数。
另外在附上相关的配置代码,请高手帮忙指点一下。
& && && && && && && &result = mpu_set_sensors(INV_XYZ_GYRO | INV_XYZ_ACCEL);
& & & & & & & & result = mpu_configure_fifo(INV_XYZ_GYRO | INV_XYZ_ACCEL);
& & & & & & & & result = mpu_set_sample_rate(DEFAULT_MPU_HZ);
& & & & & & & & result = mpu_get_sample_rate(&gyro_rate);
& & & & & & & & result = mpu_get_gyro_fsr(&gyro_fsr);
& & & & & & & & result = mpu_get_accel_fsr(&accel_fsr);
& & & & & & & & result = dmp_load_motion_driver_firmware();
& & & & & & & & result = dmp_set_orientation(inv_orientation_matrix_to_scalar(gyro_orientation));
& & & & & & & & result = dmp_enable_feature(DMP_FEATURE_6X_LP_QUAT | DMP_FEATURE_TAP |
& & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & DMP_FEATURE_ANDROID_ORIENT | DMP_FEATURE_SEND_RAW_ACCEL | DMP_FEATURE_SEND_CAL_GYRO |
& & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & DMP_FEATURE_GYRO_CAL);
& & & & & & & & result = dmp_set_fifo_rate(DEFAULT_MPU_HZ);
& & & & & & & &
& & & & & & & &
& & & & & & & & //自校准
& & & & & & & & run_self_test();
& & & & & & & & result = mpu_set_dmp_state(1);
& & & & & & & & //这两个配置中断函数选其中之一使用
& & & & & & & & result = dmp_set_interrupt_mode(DMP_INT_GESTURE);
& & & & & & & & //result = mpu_lp_motion_interrupt(960,1,5);
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9150暂未没用过,建议仔细看下数据手册
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这是我的实验图,求高手帮我分析超级电容CV,EIS,GCD曲线
首先介绍下我的实验,材料主要是金属氧化物参杂碳材料,电解液为6M KOH,求高手帮我分析分析我的材料的一些问题,越详细越好!!!先谢过了!
1.为什么材料的CV曲线比泡沫镍的CV曲线电信号来得小,这是否说明此材料不适合作为超电材料?
2.关于EIS曲线,能否看出材料具有电容特性,怎么看?
3.根据充放电曲线能得出哪些具体信息?
4.就我的这个材料,电容大概多少?因为看过好多人说的计算公式,我第一次做,也不是很明白C=IT/mv,i、t、电压v的取值是怎么取的。
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pingping8899
老师推荐去 平台可以开发票,多次修改,不像有些公司磨磨唧唧的,二次修改还要再缴费。还有证明信
EIS图必须有半圆吗?我的图画出来半圆很不明显
楼主建议你多看看关于超电的文献,你问得这些问题看几篇文献全解决了
EIS不一定要有完整的半圆很多时候实验测出来的不是完整的半圆,你就按照等效电路图进行拟合就行。
: Originally posted by 胡琪 at
EIS不一定要有完整的半圆很多时候实验测出来的不是完整的半圆,你就按照等效电路图进行拟合就行。 能否帮我分析一下其他曲线!
: Originally posted by wycwy1 at
楼主建议你多看看关于超电的文献,你问得这些问题看几篇文献全解决了 有看过一些,不过想听听别人的意见!
mapengsonny
比电容差不多880。比电容的计算一般根据放电曲线计算。V取最高电压,t就是放电时间了。Eis我还没涉及到。你的泡沫镍不知道怎么预处理的,我们做实验的时候发现单纯的用盐酸处理过的泡沫镍比电容能达到几百,用丙酮跟乙醇处理过的泡沫镍比电容只有几十。
第一个图,活性物质的容量小于纯泡沫镍基底,可能原因是你的泡沫镍上有氧化物,NiO在碱性电解液中有容量的,而且很大,这个你可以参考的文献很多。你对照一下文献,看你基底的峰位和NiO材料的峰位是不是一致的,就能判断了。所以说,用泡沫镍做基底,是个挺不靠谱的。
计算电容的公式,有好多种,C=Q/V,这个是根本,其他的都是通过它推导出来的。另外也可以用阻抗谱计算,C=1/(2*pi*f*Zim).这些计算方式之间由于测试条件不一样,得到的数值也不一定相同,但是不同材料之间的规律是一致的。具体的,你可以参照,B.E. conwey的电化学电容器, F. beguin 和E. Frackowiak的超级电容器,两本著作,也可以看看他们的综述文章。三个人都可以说是电化学电容器中的顶级大牛了。
zhubajie2013
: Originally posted by mapengsonny at
比电容差不多880。比电容的计算一般根据放电曲线计算。V取最高电压,t就是放电时间了。Eis我还没涉及到。你的泡沫镍不知道怎么预处理的,我们做实验的时候发现单纯的用盐酸处理过的泡沫镍比电容能达到几百,用丙酮跟 ... 具体什么原因呢?你是怎么处理的
: Originally posted by mapengsonny at
比电容差不多880。比电容的计算一般根据放电曲线计算。V取最高电压,t就是放电时间了。Eis我还没涉及到。你的泡沫镍不知道怎么预处理的,我们做实验的时候发现单纯的用盐酸处理过的泡沫镍比电容能达到几百,用丙酮跟 ... 我是丙酮,2M HCl,乙醇,水,各超声15分钟
: Originally posted by mapengsonny at
比电容差不多880。比电容的计算一般根据放电曲线计算。V取最高电压,t就是放电时间了。Eis我还没涉及到。你的泡沫镍不知道怎么预处理的,我们做实验的时候发现单纯的用盐酸处理过的泡沫镍比电容能达到几百,用丙酮跟 ... V不是还得扣掉电压降吗?
: Originally posted by sounique at
第一个图,活性物质的容量小于纯泡沫镍基底,可能原因是你的泡沫镍上有氧化物,NiO在碱性电解液中有容量的,而且很大,这个你可以参考的文献很多。你对照一下文献,看你基底的峰位和NiO材料的峰位是不是一致的,就能 ... 非常感谢
: Originally posted by mapengsonny at
比电容差不多880。比电容的计算一般根据放电曲线计算。V取最高电压,t就是放电时间了。Eis我还没涉及到。你的泡沫镍不知道怎么预处理的,我们做实验的时候发现单纯的用盐酸处理过的泡沫镍比电容能达到几百,用丙酮跟 ... 你可以看一下中山大学童叶翔他们组直接用盐酸处理泡沫镍的文章,,电容高着呢,因为得到的是氧化镍。
: Originally posted by mapengsonny at
比电容差不多880。比电容的计算一般根据放电曲线计算。V取最高电压,t就是放电时间了。Eis我还没涉及到。你的泡沫镍不知道怎么预处理的,我们做实验的时候发现单纯的用盐酸处理过的泡沫镍比电容能达到几百,用丙酮跟 ... 你能写出算式吗,为什么我算出来没有880
mapengsonny
: Originally posted by Joyin1 at
你可以看一下中山大学童叶翔他们组直接用盐酸处理泡沫镍的文章,,电容高着呢,因为得到的是氧化镍。... 对啊,电化学测试的时候理想的集流体应对比电容没有贡献。如果用盐酸处理过的泡沫镍的比电容过大,那么怎么说明所用活性电极材料比电容的大小呢。
同学,你好,我最近也遇到同样的问题,尤其是CV曲线那一部分,你最后是怎样解决的呢?:hand:
yanghuanlele
超级电容的CV图应该是有矩形特点的曲线,首先你的CV图是缺乏电容特性的,你没提是什么金属氧化物,我没办法判断出峰位置。以二氧化锰为例的CV及GCD曲线见截图。图二是倍率图吗?规律是扫速增加峰电流降低,另外取峰电流对扫速作图,看是线性关系还是二次关系,可得出是扩散控制还是吸附控制的结论。图三中阻抗由3部分构成,是常规的曲线形式,具体对应关系可参照文献,(附件中已附上文献)。从图4 中可以看不出理想电容特性,理想的应该是充放电都是一个斜率,I为恒电流充放电的电流值,t是放电时间,V是电压降(你的是0.3+0.5即0.8),M是活性组分的质量。你给的公式得出来的就是质量比容量。
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