三极管放大电路的本质是什么_百度知道
三极管放大电路的本质是什么
本质就是小电流（基极电流IB）控制大电流（IC），使得输出放大。三极管就是一种能量转换装置，能量由直流电源提供。
采纳率：85%
使得输出放大，能量由直流电源提供。三极管就是一种能量转换装置本质就是小电流（基极电流IB）控制大电流（IC）
本回答被提问者采纳
三极管主要有放大和开关作用。用三极管组成的放大电路可以提高电路负载能力和输出能力，同时可以增强抗干扰能力。
其实你所说的&导通&和&饱和&是一个状态.其实它的三个工作状态是:截止状态,放大状态和饱和导通状态.
截止状态是指三极管的三个极都没有电流,停止工作了.放大状态是指当加在三极管每个极上的电压刚好处于某一恰当的值时.它就进入放大状态.一般是要满足以下条件.NPN管Vc&Vb&VE.PNP管Ve&Vb&Vc.且Vbe之间幅度有要求,硅管0.6V锗管0.3-0.4V.
饱和状态就是说加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
问题2:如果给基极一个大于发射极0.6V的电压.三极管就会进入放大状态.如果两极电压对调一下管子就载止.
问题3:因三极管内是由PN结组成的.具有单向导电性.所以说电压正向加在PN结上,PN结能够导通的就叫正偏.反过PN结就截止了来就是反偏了.
问题4:PNP和NPN管的区别不仅仅是箭头的.那只是电路图上的表示方法面已.其本质区别在于电流方向和电压正负不同,接法关系就是NPN管Vc&Vb&VE.PNP管Ve&Vb&Vc.
问题5:你看的没错.共基极...
收起其他1条回答
为您推荐：
其他类似问题
您可能关注的内容
放大电路的相关知识
等待您来回答三极管放大的条件是什么？_百度知道
三极管放大的条件是什么？
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。
用作晶体管开关，集电结反偏，iC=βiB三极管能够放大信号必须具备一定的外部条件。放大状态 :此时IC=?IB，用作放大器；二是工作在放大状态： uB＞0。三极管的主要应用分为两个方面?，IC基本不随UCE变化而变化，集电结加反向电压（习惯称反向偏置或反偏），发射结正偏。放大区，即给三极管的发射结加正向电压（习惯称正向偏置或正偏）。一是工作在饱和与截止状态，集电结反偏，此时发射结正偏
本回答被网友采纳
1 三极管的结构和分类
其共同特征就是具有三个电极，这就是“三极管”简称的来历。通俗来讲，三极管内部为由P型半导体和N型半导体组成的三层结构，根据分层次序分为NPN型和PNP型两大类。
上述三层结构即为三极管的三个区, 中间比较薄的一层为基区，另外两层同为N型或P型，其中尺寸相对较小、多数载流子浓度相对较高的一层为发射区，另一层则为集电区。三极管的这种内部结构特点，是三极管能够起放大作用的内部条件。
三个区各自引出三个电极，分别为基极（b） 、发射极（e）和集电极（c）。
如图b所示，三层结构可以形成两个PN结，分别称为发射结和集电结。三极管符号中的箭头方向就是表示发射结的方向。
三极管内部结构中有两个具有单向导电性的PN结，因此当然可以用作开关元件，但同时三极管还是一个放大元件，正是它的出现促使了电子技术的飞跃发展。
2 三极管的电流放大作用
直流电压源Vcc应大于Vbb，从而使电路满足放大的外部条件：发射结正向偏置，集电极反向偏置。改变可调电阻Rb，基极电流IB，集电极电流Ic 和发射极电流IE都会发生变化，由测量结果可以得出以下结论：
（1） IE ＝ IB ＋ IC ( 符合克希荷夫电流定理）
（2） IC ≈ IB ×...
三极管放大的基本条件是：集电极反偏，发射极正偏
集电极电位大于基极电位
收起其他3条回答
为您推荐：
其他类似问题
您可能关注的内容
三极管的相关知识
等待您来回答PN结死区电压应该多大？
PN结死区电压应该多大？
<span class="xi1" style="color:#ff
<span class="xi1" style="color:#ff
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 11:27:06 PN结（二极管）正向死区电压应该多大？
这似乎又是一个大家公认，毋庸置疑的问题，硅管大约0.5V，锗管大约0.2V。
我的一篇《对饱和时集电结偏置状态的质疑》引出了诸多问题，诸如：
1. 发射结正偏，集电极开路时，集电结有偏压吗？集电结有电流吗？
2.发射结正偏时，内部PN结压降只有几~几十mV?
问题1其实不用讨论，但却引来诸多争议，具体见对此贴的讨论。
问题2是一个实验结果，与传统观点相去甚远，至今还未搞清为何，讨论继续中。。。。。
今天的帖子主题又是一个可能令大家纠结的话题。楼主本身不做任何评价，只把实验仿真结果予以公布，请大家各抒己见，希望通过讨论最后能取得一直观点。进一步加深对半导体元件的认识程度。
为使各贴之间有一定连续性，本帖实验测试所用PN结为2N1711的发射结。即测试2n1711的发射结伏安特性，采用方法为使用Multisim12仿真软件中的VI分析仪。请看测试结果：
2N1711为硅管，上图V-I曲线是默认参数下的仿真结果(扫描电压正负50V)。按照一般得理解，死区电压为PN结刚开始导通是的正向电压，对应于曲线上电流刚开始出现的点，由此曲线可以求得该电压大约为1.194V。该数值显然已经比公认值0.5V大了许多。
下面我们利用上图仿真结果，只是改变一下坐标刻度，依然按照传统观点，利用VI曲线求死区电压，看看会有什么不一样的结果。
上图把很坐标设定在正负3V区段，电流刻度坐标范围为0~1A。结果测出死区电压大约为850.746mV，依然比公认的0.5V大许多。
继续看下图：
上图横坐标显示范围进一步缩小为0~1V，纵坐标刻度范围为0~20mA。结果求得死区电压大约为743.781mV，依然偏高。
上图横坐标显示范围进一步缩小为0~0.7V，纵坐标刻度范围为0~8uA。结果求得死区电压大约为524.129mV，基本接近公认的0.5V。
还没结束。
上图横坐标显示范围进一步缩小为0~0.5V，纵坐标刻度范围为0~0.01uA。结果求得死区电压大约为335.821mV，已经大大低于公认的的死区电压0.5V。
上图横坐标显示范围进一步缩小为0~0.5V，纵坐标刻度范围为0~0.001uA。结果求得死区电压大约为254.975mV，死区电压进一步降低。
上图的纵坐标刻度已经达到VI特性仪的纵坐标最小极限了。可以推知，如果VI特性仪的显示精度无限高，所求的死区电压将会无限低！。。。。。。岂不荒唐？
那么，错在哪里？仿真原理错误？还是仪器精度问题？还是传统观点对死区的定义不严密？还是？。。。。。。
欢迎各位发表高见！
温馨提示：只讨论有关话题，并请文明用语！
|lahoward在线LV10总工程师积分：11174|主题：40|帖子：3758积分:11174LV10总工程师 14:42:58&我只想对你说你很无知，整天沉浸在臆境中。还是那句话，无知不是你的错，出来炫耀无知就有错了。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 17:42:10&说我无知没什么，你给众位一个合理的解释才是该做的。
您觉得这样讽刺一下别人就可以解决问题吗？就能显示你很有知识、很有水平吗？
要么别说，要说就说点正事！请看温馨提示！ ||shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 18:12:22&请把测试二极管PN结死区电压测试的电路图参数传上来，我一定按参数做成实验用电路。来验证是教科书错还是你测试的错。有一点需要提醒如果是电池做电源不要用5V电源。用12V电池。如果采用AC-DC做电源，必须把这个电源的电压特性测试出来。比如电源空载是5ma
输出端接上被测电路，输入端的电流必须有明显增加到30m左右。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 18:20:29&哦哦，这是用Multisim12仿真的，就是用了VI特性测试仪，扫描电压正负50V。不是我不相信您的决心和毅力，如果真的做实验的话，我想恐怕一般仪器精度达不到。即便真的可以做，何止需要一天两天！请仔细看看原帖的叙述。
希望史厂长有空帮我看看关于应力电压的帖子，求教！ ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 20:57:27&
我这里各种测试仪表的灵敏度，精度相当高，并且电能质量也不错，测试电压档波形基本采用500mv以下。波形测试的分辨率更不在话下。所以你只要提出条件，我会测试的非常好，保证测试结果经得起分析。
除了波形测试方面有点体会，其它方面我自己还没有什么心得，可以学习一下你的帖子。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 21:49:46&
您如果愿意的话，可以试着重做一下我《质疑》一文中的实验二。按照实验二的方法，在测出不同基极电流情况下的发射结电压U[sub]B[sup]/[/sup]E[/sub]的同时，只要再准确测出基极电压UBE，就可以求出相应的基区横向体电阻R[sub]BB[sup]/[/sup][/sub]的值。当年考虑电压引入的系统误差可能较大，R[sub]BB[sup]/[/sup][/sub]的大小也不影响问题的讨论，所以没有测量不同基极电流情况下的基极电压UBE的准确值。留下一个遗憾。 ||cdzx11离线LV10总工程师积分：10086|主题：37|帖子：3965积分:10086LV10总工程师 01:40:53&1楼的说法可能尖锐了一点，但他真没说错。
你所碰到的问题其实是一个假象，原因很简单：显示精度有限。
如果你把各条曲线的具体数据导出来，那么你会发现：其中每一条曲线在相同的电流下，压降是一样的；反之亦然。
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 11:28:24&呵呵，批驳别人，总要有理有据吧？
别以为多读了几本书就以为自己天下第一，说话可以不讲证据，信口雌黄！
也请你把这个假象背后的真相说出来！一句“显示精度有限”就完事了？你需要多大显示精度就够了？
是mA、uA、nA、pA还是fA？呵呵，很多单位你听都没听说过吧？不知道就三缄其口吧。
“如果你把各条曲线的具体数据导出来，那么你会发现：其中每一条曲线在相同的电流下，压降是一样的；反之亦然。 ”
这算是你的又一句招调的话，但我不明白你是为了说明什么？ ||shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 12:29:30&
请问楼主：因为现在所有关于二极管伏安曲线都是只是波形周期的一部分，我准备做一个实验，完全复原伏安曲线上升段、下降段的完整伏安曲线变化。准备用规格最小的二极管+电阻进行实验。是否可以用LED发光二极管做伏安曲线实验？ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 17:06:50&1.我不太明白“关于二极管伏安曲线都是只是波形周期的一部分”是啥意思，能再具体一点吗？
2.你说的上升段和下降段具体是指哪一段？是不是可以理解为正向和反向伏安特性？
3.虽然LED正常发光时的正向电压比一般二极管要高，但没见有资料说其伏安特性曲线变化趋势（近似指数规律）与普通二极管不同。所以，我觉得可以做。
别看事小，真要测准不容易！ ||
cdzx11离线LV10总工程师积分：10086|主题：37|帖子：3965积分:10086LV10总工程师 12:55:43&你想要什么样的依据？
你这一系列仿真结果中，所谓死区电压的起点电流都是不一样的。如果你以同样的电流作为死区的节点，那么死区电压就不会变！
这么简单的问题都搞不懂，还要我拿出什么证据！
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 16:57:35&你就装懂吧！ ||
cdzx11离线LV10总工程师积分：10086|主题：37|帖子：3965积分:10086LV10总工程师 19:15:37&请拿出我不懂装懂的证据
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 22:39:56&什么是死区电压？
在同一坐标刻度标准下，电流刚开始出现时对应的正向电压，这是一般的理解吧？ ||cdzx11离线LV10总工程师积分：10086|主题：37|帖子：3965积分:10086LV10总工程师 22:42:44&什么叫做电流刚刚出现？标准是什么？
你用1mA作为电流刚刚出现的起点和10mA作为电流刚刚出现的起点，结压降相等才奇怪了。
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 23:40:38&就是在规定的坐标刻度（灵敏度）下，数值小到很难以分辨的值。不是吗？ ||wh6ic在线LV6高级工程师积分：1772|主题：5|帖子：190积分:1772LV6高级工程师 15:11:21&死区电压这个东东，是你的理解，不要安到别人头上，认为是一般的理解！
就像你的主贴中提到硅二级管正向压降公认0.5V一样，至少 我从不认为 硅二级管的正向压降是你说的某个固定数值。
二极管里面以前似乎只看到一个类似的，叫转折电压的玩意，与具体器件的工作电流有关。现在一般的器件手册里面已经看不到这个项目了。另外你的依据是仿真软件的结果，拿这个出来要讨论，就有点那个什么了吧
||shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 15:38:28&你的依据是仿真软件的结果，拿这个出来要讨论，就有点那个什么了吧 ，
严重同意你的看法！真正的曲线需要用示波器在一个标准电路测试过程中自动显示出来。不能根据设置一个电压，又测一个电流值来定坐标。 ||st.you离线LV8副总工程师积分：9009|主题：7|帖子：2763积分:9009LV8副总工程师 15:40:49&大师，多个连续的点，就成线了，别没事就抱着示波器乱跑啊，不小心砸到脚就不好了 ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 15:55:10&你不明白我的意思，现有的测试二极管的伏安特性的电路，一般是采用一个AC-DC电源。这个电源的输出回路已经串了一只整流管了。并且一般直流电输出也不是线性的。。。等等方面，所以用几个坐标做为二极管的VA曲线是不靠谱的，教科书上的曲线很可能就是电源本身的工作曲线。
所以必须要用标准正弦波电压给电路供电，形成一个与正弦波进行比较的电流曲线才是可靠的。
有关二极管的VA特性曲线实验，本人早就做了，只等机会理好头绪与诸君分享。 ||st.you离线LV8副总工程师积分：9009|主题：7|帖子：2763积分:9009LV8副总工程师 16:19:49&大师好有闲情啊，别人难说早已发现了你这个世纪大发现，为了避免这个问题，用电池作为电源来测试呢 ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 16:30:29&这个问题问的好，如果用电池来做实验，电压很平稳（相应的电流是平稳的）怎么会出现这样骤升曲线呢？
以下是常规的实验原理图：
st.you离线LV8副总工程师积分：9009|主题：7|帖子：2763积分:9009LV8副总工程师 16:37:51&话说外行看热闹，大师问得我无言以对啊，请指教。 ||
triaco离线LV3助理工程师积分：213|主题：0|帖子：57积分:213LV3助理工程师 21:43:56&根据这个正反向特性图来看，就是当电压超过 A或D 时，电阻随电压增加而减小了。 ||
triaco离线LV3助理工程师积分：213|主题：0|帖子：57积分:213LV3助理工程师 13:19:54&由发电机或变压器直接输出的正弦电压波，其负荷特性是线性的，
而且，因为交流电本身就是个连续的变化过程，可以在示波器中看到低压正弦波通过二极管所得的电流波形（跟电压波比较看看有畸变否）。 ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 13:50:15&是，你讲到点子上了。 ||
triaco离线LV3助理工程师积分：213|主题：0|帖子：57积分:213LV3助理工程师 12:33:04&好咧，波形出来了，伏安特性曲线呢，是不是还要把电压波放在X轴，电流波加到Y轴，才可得出来，得出来的，跟坊间既有的是否一致？
接下来，0.0…………跟一个干干净净的0，大家认为一样吗；如果元件有电压而电流是0，完全截止，那毫无疑问当然是死区，否则，死区在哪，是门槛值下的线性高阻区，还是极限载流量的某个百份比？ ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 15:24:12&我原来有测试二极管在导通启始开始至全电压导通波形，电流波形的时间坐标很清楚。只是没有记录二极管的端电压。这个实验是按你讲的测试方案，在电路上加正弦波电压。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 20:38:30&别这么测了，我觉得没多大意义 ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 14:52:02&这样测的结果与你仿真的曲线完全是一回事，在输入电压进行调压时，必有一个曲线是与你仿真曲线一致。你仿真的曲线仅仅是看见一个很小的电源工作电压曲线，与二极管没有什么关系。 ||
YTDFWANGWEI在线LV7版主积分：92100|主题：134|帖子：41885积分:92100版主 15:17:44&你连二极管的分类都搞不清楚，还谈什么曲线，在你眼力，两个脚的就都是二极管，三个脚的是三极管。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 20:35:25&厂长这么说可就可能让人存疑了，你这是要测什么呢？ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 20:31:08&道理是一样的，只不过一个是仿真，一个是实验。实验也有两个方法，一是用电压、电流表逐点测量；一是用BJT特性测试仪（似乎就是史厂长所说示波器）扫描显示并测量。
不管哪种方法，都有一个精度问题。
只要仿真模型和实际元件高度一致，仿真结果自然会真实可靠。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 20:06:41&问题是，目前的教科书上一直沿用这种说法或叫法。您会怎么看？如果原来的提法不科学却一直没有修正，你也觉得没有必要拿出来讨论？你觉得有点那个什么了呢？ ||
lahoward在线LV10总工程师积分：11174|主题：40|帖子：3758积分:11174LV10总工程师 03:11:15&这是你的理解还是一般的理解？
你已经愚蠢到了不可救药的地步了，亏你还在高校任教，你要毒害多少学生？ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 20:10:55&请说说你以为的一般理解！
到底谁愚蠢，大家自有公论，还轮不到你评头论足吧？！
我在哪里任教，也不是你说了算，少操心吧！ ||
lahoward在线LV10总工程师积分：11174|主题：40|帖子：3758积分:11174LV10总工程师 08:43:56&温馨提示了什么？是指文明用语吗？难道说你无知就是不文明用语？
温馨还提示了什么？是指说正事吗？难道请你不要秀无知不是正事？
您常常梦想着能发现什么，不过基本上就是停留在研究茴香豆的茴字有几种写法层次。
估计过一段时间你还会发现原来绝缘体通电也是会有电流的，于是你就纳闷了：不是绝缘体吗怎么通电会有电流呢？
再过段时间你又会发现原来导体是有电阻的，于是你又纳闷了，导体怎么能有电阻呢？
无限循环。。。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 11:35:20&呵呵，你继续！
你可以说别人无知，但你应该说明为什么吧？难道就凭你主观臆断、凭空想象？！
如果你做过短路保护设计或者仪器参数整定，你就不会再如此说了！
导体吗，电阻是可以忽略的！你还会这么说吗？！ ||lahoward在线LV10总工程师积分：11174|主题：40|帖子：3758积分:11174LV10总工程师 12:47:14&懂不懂什么叫二极管的阈值电压？不懂先去翻翻书看看，没有书就上网查查，无知不可怕，可怕的是把无知当资本，
你们学校居然让你上讲台，这是对学生不负责，你想想你要误导多少学生？
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 14:15:37&你就等着改天请你上讲台吧！
不过今天你先说说什么是阈值电压吧，别光知道抬杠！ ||lahoward在线LV10总工程师积分：11174|主题：40|帖子：3758积分:11174LV10总工程师 13:25:35&把这种根本不值一提的问题弄得像发现新大陆一样是不是很可悲啊？你是不是该主动辞去教师的工作了？到实验室去混混吧。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 14:12:48&很可惜，这个你说了不算！ 不过我倒是觉得实验室你也混不好！
||lahoward在线LV10总工程师积分：11174|主题：40|帖子：3758积分:11174LV10总工程师 13:38:13&说我 “如果你做过短路保护设计或者仪器参数整定，你就不会再如此说了！” 也不怕下巴落下来？
你这么一个连仪器的测量误差都不会算还好意思谈仪器整定？ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 14:11:58& ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 20:14:07&说你什么好呢！你是不是以为只要你会的别人都不会？！ ||lahoward在线LV10总工程师积分：11174|主题：40|帖子：3758积分:11174LV10总工程师 13:41:52&话说您老前列腺肿胀，您老的跑冒滴漏算不算导通？
这样说您老是否理解了什么叫二极管的导通？ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 14:11:23&你难道是深有感触啊！
请慎重用语！
你来说说什么叫二极管导通？！ ||
lahoward在线LV10总工程师积分：11174|主题：40|帖子：3758积分:11174LV10总工程师 13:49:52&最后再给您老一张图，能不能看懂二极管的阈值电压全凭您老的造化了。不要跟我说什么死区电压，这种土语尽量少用。
||ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 14:09:16&对不起，我是真的不懂外语！
你还是去跟老外说吧！
死区电压不是什么土语，是线行教材的通用语言，你是不是不看太久，所以忘记了？！
lahoward在线LV10总工程师积分：11174|主题：40|帖子：3758积分:11174LV10总工程师 14:21:24&并不指望您老能看懂，您老已老朽了，按您老的朋友说法您老已不可雕了。
这是给参与这一话题的网友看的，以避免你误导别人。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 14:33:11&多数人的眼睛都是雪亮的！
朽与不朽，雕与不雕，你说了不算。
学术不分长幼，这是公众平台，误导了别人，就是犯罪！
你以为我很有兴致和你在这磨牙啊？
事关是非曲直，差之毫厘，谬以千里！
要是只为了你自己，我才懒得和你叨叨呢！
lahoward在线LV10总工程师积分：11174|主题：40|帖子：3758积分:11174LV10总工程师 03:20:47&误导了别人，就是犯罪！--这是你唯一一句说得正确的话，你用错误的理论在误导别人，正在犯罪，提醒你犯罪中止尚能在给你量刑时考虑轻判，否则就是知法犯法。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 19:58:45&呵呵，我没公布什么新理论，只是摆出一些真结果。请搞明白！ ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 16:02:17&53楼这张所谓的二极管的VA特性曲线示意图，本身的实验方法就存在问题，且不完整。很容易造成盲人摸象的错觉。 ||st.you离线LV8副总工程师积分：9009|主题：7|帖子：2763积分:9009LV8副总工程师 13:08:15&
PN结压降，都是看电流来的，你所说的大约0.5V，用数字万用表的二极管档来测量的话就经常出现这个数，大家一般也这么说（我一般会跟人家说一个PN结压降，不说具体数的），但要具体多少伏，还是得看规格书。
||cdzx11离线LV10总工程师积分：10086|主题：37|帖子：3965积分:10086LV10总工程师 13:39:58&似乎楼主不认同肖克来方程 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 17:10:02&这可是你说的。请不要随便猜想别人的观点。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 17:08:09&您的话我没有意见。换句话说，教科书的有些表述的确不严密！ ||triaco离线LV3助理工程师积分：213|主题：0|帖子：57积分:213LV3助理工程师 17:01:06&曲线跟直线相切就会这样的吧？ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 17:10:59&请说得再清楚一点，好吗？ ||cdzx11离线LV10总工程师积分：10086|主题：37|帖子：3965积分:10086LV10总工程师 23:00:56&其实，你无非想证明PN结的结压降可以只有几十毫伏罢了。
的确，PN结的结压降可以小到几十毫伏，但前提是电流足够小。
为什么我要强调肖克来方程？因为这个方程告诉我们PN结的结压降是条指数曲线，虽然实际的PN结不是理想二极管，不完全服从肖克来方程，但大致趋势还是指数曲线。
实际上，普通硅二极管的伏安特性基本上可以看成由三段指数曲线拼接起来的，肖特基二极管大致是两段指数曲线拼接起来的。如果电流特别大，二极管的模型中还应该加上一个电阻（阻值不大），你可以去找我过去发的一个帖子来看看，里面有一些有用的资料（别人发的）。
从某种意义上来说，二极管的死区电压实际上是不存在的，因为它的伏安特性是一条连续的曲线，并不存在死区电压这个拐点。之所以出现（死区电压）这个说法，是因为二极管在合理的电流范围内，正向压降总是落在一个大致相同的范围内。
当然，这就牵涉到我们为什么不承认你的PN结电压只有几十毫伏的推论的问题了。这个问题显然是一两句话说不明白的，但问题是：你的那个可以在很大范围内变化的电阻根本没有物理基础。
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 23:35:00&1.我只是把仿真结果如实的发出来，也没作任何评论。
请不要再无端的猜想别人的想法！或者说带着成见去看人。你怎么知道我“无非想证明PN结的结压降可以只有几十毫伏罢了”？
2.你接下来的一大段内容我没有异议。尤其这一段“普通硅二极管的伏安特性基本上可以看成由三段指数曲线拼接起来的，肖特基二极管大致是两段指数曲线拼接起来的。如果电流特别大，二极管的模型中还应该加上一个电阻（阻值不大），”我觉得很有意义。希望你能把您的帖子找找，我很想看看。谢谢！
3. “PN结电压只有几十毫伏”不是我的推论，也只是一个实验结果。
4.“。。。可以在很大范围内变化的电阻根本没有物理基础。 ”这个结论你是怎么得出来的？看来你还是不能真正理解二极管和BJT的非线性。
二极管的非线性有个公认的指数模型（数学模型），从物理角度理解就是体现在其等效电阻的受控可变性（受电压控制）。
BJT没有外部偏压时，由于基区掺杂很低，电阻也就很大；PN结内没有可以停留的载流子，对外呈现的电阻可以认为无穷大。
外部电压（电场）通过对PN结内电场的影响，改变多子扩散和少子漂移的速度，导致各区载流子密度得重新分配，最终导致各区电阻的变化。
外部电压确定后后，PN结偏置一定，结电流就确定，使PN结对外也呈现确定的等效电阻。
||cdzx11离线LV10总工程师积分：10086|主题：37|帖子：3965积分:10086LV10总工程师 23:41:35&你这个4说的就是PN结本身，你凭什么把它从PN结中分离出来，变成一个Rbb'?
基区参杂浓度和电阻率的问题，难道我们还得去找具体晶体管的内部制造参数？然后再去计算？
服了你了！
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 23:46:30&呵呵，不用大惊小怪吧？
随着外部骗压的变化，基区的厚度和PN结厚度都会随着变化。
你说对了，“基区参杂浓度和电阻率的问题，难道我们还得去找具体晶体管的内部制造参数？然后再去计算？”这个可以有，而且必须有！ ||
cdzx11离线LV10总工程师积分：10086|主题：37|帖子：3965积分:10086LV10总工程师 23:49:13&那你去找吧，祝你好运 ||ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 23:51:18&我想已经找到了，谢谢！是不是这个？
“二极管模型问题——正向等效模型中是否包含一个串联电阻？” ||
cdzx11离线LV10总工程师积分：10086|主题：37|帖子：3965积分:10086LV10总工程师 00:12:51&我说找这个：“基区参杂浓度和电阻率的问题，难道我们还得去找具体晶体管的内部制造参数？然后再去计算？” ||ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 08:10:07&难道不可以吗？半导体理论讲啥的？难道只会看看人家测出的伏安特性（外特性），然后拟合出一个等效模型就完事了？
结构决定特性，它不是以你我的意志为转移的！
你似乎对在一定条件下，BJT内部载流子的分配规律所知甚少。 ||cdzx11离线LV10总工程师积分：10086|主题：37|帖子：3965积分:10086LV10总工程师 08:49:51&你这人真的很无趣
我那个帖子是做啥用的，你搞清楚再说好不好？ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 11:38:01&对死区电压的一个疑问，行不行？！
你是不是觉得有疑问就是否定以前的定论？
是你先想清楚了再说吧！ ||
cdzx11离线LV10总工程师积分：10086|主题：37|帖子：3965积分:10086LV10总工程师 12:00:03&我那个帖子只关心外部特性，因为我是用来做仿真程序的元件库，只要元件在仿真过程中的表现和真实元件足够相似就够用了。
我想那么多做啥？ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 12:02:53&那是你的事哦！
还是先把外部特性搞清楚再说吧！ ||
triaco离线LV3助理工程师积分：213|主题：0|帖子：57积分:213LV3助理工程师 11:11:18&二极管芯片本身的阻值，是毫欧微欧级的，
反向耐压与正向死区 都是PN结势垒的作用，但这个『阻挡层』是不严密的，总会有点漏电，
0.001μA，即是pA了，只要你给的电压不是0V，继续下去电流还不会是零，只是，在门槛值以下，PN结已不活跃，甚至不活动了(就像个普通的兆欧级电阻)…………。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 11:52:03&基本同意您的说法。
只是基区掺杂极轻，接近本征半导体，基区体电阻，尤其是横向体电阻也不容忽视。 ||shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 11:55:59&为什么你会同意37楼的观点?
他的观点没有什么根据。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 12:01:45&他说的芯片本身应该只是指电极引线电阻而已 ||
triaco离线LV3助理工程师积分：213|主题：0|帖子：57积分:213LV3助理工程师 13:41:53&是晶片本身啊！ ||
triaco离线LV3助理工程师积分：213|主题：0|帖子：57积分:213LV3助理工程师 13:42:18&是晶片本身啊！ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 14:18:39&那你就该好好补补课了！
triaco离线LV3助理工程师积分：213|主题：0|帖子：57积分:213LV3助理工程师 14:32:32&那我就真个不解了，
管脚，引线，及引线跟晶片的接触（欧姆接触），这几个阻值会大吗，会造成 非线性的伏安特性 吗？ ||
triaco离线LV3助理工程师积分：213|主题：0|帖子：57积分:213LV3助理工程师 14:32:36&那我就真个不解了，
管脚，引线，及引线跟晶片的接触（欧姆接触），这几个阻值会大吗，会造成 非线性的伏安特性 吗？ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 14:35:00&这个是真的不会！ ||
cdzx11离线LV10总工程师积分：10086|主题：37|帖子：3965积分:10086LV10总工程师 12:21:46&你认为基区参杂浓度极低的依据是什么？
你知不知道基区穿通？
||cdzx11离线LV10总工程师积分：10086|主题：37|帖子：3965积分:10086LV10总工程师 12:25:31&还有，你知不知道现在三极管基本上都是扩散型晶体管，不是合金型晶体管。
扩散型晶体管的基区是集电区基础上扩散形成的，基区本身均匀扩散都难以做到，要让扩散掺杂刚好抵消原始材料的掺杂元素的作用，能做到吗？ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 14:23:03&做不做得到是工艺问题，可不可行是原理问题。
你没有金刚钻，能揽得了瓷器活？ ||ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 14:20:42&别光知道问，还是给大家一个能接受的的解释吧！
cdzx11离线LV10总工程师积分：10086|主题：37|帖子：3965积分:10086LV10总工程师 15:02:25&你说基极参杂浓度极低（接近本征半导体应该可以算极低了吧？）的理由解释了吗？
我这是告诉你，如果真的这样做，可能带来的后果和面临的困难。
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 20:18:03&回去好好温习一下BJT的放大原理吧！！
triaco离线LV3助理工程师积分：213|主题：0|帖子：57积分:213LV3助理工程师 14:22:48&穿通，就是两个『阻挡层』相连了，相连的阻挡层反而是没有阻挡的作用的，这是BJT里头的事，二极管只有雪崩击穿或齐纳击穿。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 14:24:41&穿通可以随便发生？条件呢？！没有条件，哪来结果？！ ||
triaco离线LV3助理工程师积分：213|主题：0|帖子：57积分:213LV3助理工程师 14:53:24&任何事情的发生都需要条件的吧，但我讲的不是诱因，而是结构，二极管有发生 穿通 的结构条件吗？ ||
triaco离线LV3助理工程师积分：213|主题：0|帖子：57积分:213LV3助理工程师 15:08:12&刚才看到其他网站的一些文章，说阻挡层是可以扩张到 引线跟晶片的欧姆接触端面的，这也是穿通，这种穿通是可以发生于二极管的，只是在本帖中的问题应该不涉及吧？ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 19:49:34&哦哦，您这么说没问题，只是这里的穿通和击穿可就是两码事了。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 08:10:49&哦哦，谢了！ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 08:12:39& ||
cdzx11离线LV10总工程师积分：10086|主题：37|帖子：3965积分:10086LV10总工程师 23:43:30&关于那个帖子，你点我的名字就能找到，不需要谢 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 23:46:54& ||东方离线LV8副总工程师积分：3979|主题：4|帖子：1295积分:3979LV8副总工程师 07:06:40&楼主的发现有点意思，和楼主讨论，首先要规范定义，其他几个帖子都有这个问题，如果规范了定义，几个帖子都没有了存在的必要。& && && &例如：
& && &&& 对三极管正偏和反偏的定义不清；
& && &&& 就是对集电结的定义不清，二是对集电极开路的定义不清。
& && &&&&&该贴更加明显，所谓发射结不是通常定义的发射结，而是dxm在BJT内部想象一个区域，说几mV即能导通，但BJT的发射结导通，还是要0.7V左右。
& && &&&本帖一定也是如此。看来要规范死区电压的定义，
& && &&&XW：看二极管的特性曲线，
& && &&&东方：起始导通电压和温度有关，也和电流有关，还和二极管材料和功率之类有关。比如温度，如果不界定，楼主很可能在不同的温度下得出不同的死区电压，图中25℃是0.94V，到150℃是0.62V，又会提出“PN结死区电压应该多大？”其实就是和温度有关。
& && &&&XW：本帖和什么有关？
& && &&&东方：本帖考察的主要是电流，电流小，死区电压就低，怎么办？下定义就行：
& && &&&【定义】把额定电流的0.1%定为起始导通电流，此时的电压称为起始导通电压U[sub]T[/sub]或死区电压。
& && &&&XW：能不能解决楼主的困惑？第一图，电压=1.179V怎么回事？
& && &&&东方：这时的电流是62mA太大，基极电流不可能是60A，所以1.179V不是死区电压。
& && &&&XW：再找一个图：电压254mV，电流1.571pA
& && &&&东方：电流太小，额定电流不可能只有1μA。所以0.254V也不是死区电压。
& && &&&XW：哪个电压才是呢？
& && &&&东方：这要问楼主，额定电流多大？如果是10mA，0.1%是0.01mA。
& && &&&XW：有个图，32μA/0.7V
& && &&&东方：比较接近。
& && &&&XW：怎么不是0.5V呢？
& && &&&东方：这时要用实际三极管试验，看看问题在哪里？
本帖最后由 东方 于
00:15 编辑
||shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 08:20:40&
请问东方先生考究过你采用的二极管特性曲线图的真实性吗？如果是照本宣科的话就没有必要认定楼主的几个贴子是没有意义的话题了。因为楼主确实是发现了二极管特性方面存在一定问题。 ||
东方离线LV8副总工程师积分：3979|主题：4|帖子：1295积分:3979LV8副总工程师 12:12:40&真实不容怀疑。请厂长放心。
XW：那是不是楼主的几个帖子是没有意义的话题？
厂长：楼主确实是发现了二极管特性方面存在一定问题。
东方：不知是什么性质的问题？
楼主：楼主本身不做任何评价，只把实验仿真结果予以公布，请大家各抒己见。
东方：请厂长讲一下，楼主到底发现什么问题？楼主、厂长不要急，真有问题，咱找专家帮你解决。 ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 15:16:35&请东方先生看一下78楼有关二极管VA特性测试原理图有没有问题？所采用的反向特性测试电路在被测二极管支路会测试电流吗？ ||
东方离线LV8副总工程师积分：3979|主题：4|帖子：1295积分:3979LV8副总工程师 18:04:30&
XW:这是史厂长的测试曲线
东方：很漂亮啊！是怎样测出来的？
XW：电路是直流：
东方：正向测试电路很对头。请问厂长，这个曲线就是这样测出来的吗？
XW：这你还有疑问吗？厂长是很严格的。
厂长：请问东方先生考究过你采用的二极管特性曲线图的真实性吗？
东方：对，也要请教厂长：考究过你的二极管特性曲线图的真实性吗？硅管的死区电压UT时电流约3mA，是这样吗？
厂长：所采用的反向特性测试电路在被测二极管支路会测试电流吗？
东方：可以测出电流，但硅管的反向击穿电压往往较高，而击穿电流不能太大，所以要提高电源电压，也增大限流电阻。用微安表测试为好。 ||
东方离线LV8副总工程师积分：3979|主题：4|帖子：1295积分:3979LV8副总工程师 19:09:34&史厂长怀疑东方的二极管特性曲线的真实性，现在再发一个给您。
XW：这个应该是真实的。现在的问题是，为什么和史厂长的曲线不一样呢？到底哪个是真实的？ ||shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 19:40:17&
这个不是我测试的二极管VA曲线，但是这个曲线是目前教科书以及产品说明书广泛采纳的产品性能曲线。
楼主现在质疑它的正确性，本人很早以前根据测试原理图的工作原理分析，也怀疑其准确性，所以测试了几个不同型号LED的不同正弦波电压下的工作状态。发现二极管的VA曲线与教科书上面的差距实在太大。过十来天我会邀请一位电气方面的大学教授，再仔细做一次实验，全面记录各种参数争取早日与电源网朋友分享，听取意见。避免大家对楼主这个问题争论不休。 ||ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 20:49:13&很好。
不过你要是打算请元大教授的话，我劝你还是别浪费功夫和金钱了。 ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 14:07:37&这是我数月之前测试的交流调压器控制LED+R电路，使LED灯的照明由微光----中光----强光的状态下电路的波形变化曲线。这个光谱输出可以循环往复进行，LED不会损坏。（万用表测试的电压值是哪个位置忘记了，仅做参考）。
LED出现微光。电压正半周出现5ms导通时间。15ms电流截止。二极管死区时间很长！
2 调节电压，LED发光明显，电压正半周电流是导通8ms ,电流截止时间是12ms,
3 继续升高输入电压，LED又亮一些。在电压负半周出现导通现象。导通时间2.5ms.
继续调高电压，LED亮度增加，电压负半周导通时间在6ms
继续调高调压器输出电压，LED很亮状态，二极管死区时间很短。
调高电压到220V时，LED很亮，电流在电压正负半周几乎完全导通，没有明显的死区电压。
实验总结：
当二极管电流很小（温度很低的时候）死区电压很长，单向导通。当二极管工作电流很大（二极管温度高）的时候，几乎没有正负半周的死区电压。二极管是双向全导通的！ ||ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 12:19:02&这应该是反向也击穿了。请问厂长，万用表指示的是谁的电压，交流还是直流？ ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 12:35:11&原来测试的目的是显示电流波形，万用表好像是测试调压器AC输出端. 所以想按你的要求进行测试。我已经准备好了一切测试需要的东西。
你仿真的电路是什么样的电路结构，我想挑毛病出来。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 17:51:49&1.我的方针是调用了仿真软件里自带的VI特性测试仪。电路连接也已经和曲线图一并给出了，就在曲线图的左上侧。
关于VI特性仪的原理希望您自己搜一下相关资料。
2.你波形，
（1）万用表测得不可能是调压器的输出AC，最有可能是R两端电压。
（2）示波器测得也不是LED两端的电压，而应该是R两端的电压。
（3）建议你做如下测试：
最后一个实验，即在大AC电压的情况。您把示波器显示灵敏度调得高一点，比如和实验一或实验二的灵敏度一样，然后看一下AC电压过零附近的波形，你或许会有新的体会。 ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 18:04:20&
我在测任何电流波形的时候，所选择的电压档都是极低的，就是为了保证其灵敏度和清晰度。你可以看看我在电源网上传的测试波形，基本用几毫伏或几十毫伏电压档。
我希望你把能够得到你仿真效果的电路传上来，是要和你讨论一下，你的仿真为什么会失真！
为什么现在教科书的二极管VA特性测试的电路有问题？ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 21:14:37&1.电路在上传的曲线图左上侧了！
2.现在教科书的二极管VA特性测试的电路没有问题。问题出在实际仪表带来的系统误差可能很大。 ||triaco离线LV3助理工程师积分：213|主题：0|帖子：57积分:213LV3助理工程师 16:55:41&那太好喽，交直流通吃，甭整流，甭调控了，但如果没有那个 R 的话，LED还安全吗？ ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 17:48:42&
用AC来测PN结的VA特性时，选用LED来进行测试是最佳选择，由于LED的PN结结点很小，对电流变化时温升反应极快，当输入几个合适的正弦波电压时。能够把二极管的正反向VA曲线完全测试出来。
你不要担心LED的安全性，因为LED驱动电压比较低，就算没有那个R来降压限流，驱动电源输出回路还有一个整流二极管保驾护航，绝对不会发生反向电流。LED工作电流永远是半波状态。 ||
YTDFWANGWEI在线LV7版主积分：92100|主题：134|帖子：41885积分:92100版主 20:32:10&别光说不练，将R去掉，你再完整的将这个实验复现出来再说。 ||triaco离线LV3助理工程师积分：213|主题：0|帖子：57积分:213LV3助理工程师 13:58:29&这个「保驾护航」二极管的反向漏电也大得过份了吧！ ||
YTDFWANGWEI在线LV7版主积分：92100|主题：134|帖子：41885积分:92100版主 15:15:51&这不是二极管，这是LED，二极管跟LED特性根本两个概念，难道厂长这种混淆是非的把戏你也没看出来 ？ ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 15:55:43&我不敢拿到这个电阻，因为LED实际也有整流作用，因为PN结的触点极小，所以发热比较严重。
你去看教科书标准的二极管VA曲线测试电路图，必须也有一个电阻和一个可调电阻。你敢说电阻是多余的吗？ ||
YTDFWANGWEI在线LV7版主积分：92100|主题：134|帖子：41885积分:92100版主 16:13:17&你大爷的，你看看118楼你说的什么，你说不用那个电阻限流也可以，这是谁说的？你既然 不敢拿掉这个电阻，还说什么不用这个电阻限流也可以这样的话？你既然说教科书上的是错误的，干吗还参考教科书上的测试方法？ ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 17:07:13&教科书上测试二极管的VA曲线所用电源肯定有问题，只是你不能理解而已。二极管正向电阻那么小，你还建议人家直接接电源测试，居心不良！ ||YTDFWANGWEI在线LV7版主积分：92100|主题：134|帖子：41885积分:92100版主 20:23:32&擦，你怎么又蹦跶出来了？
你用lED做测试，然后下结论说二极管是双向全导通的？你脑子进水了啊，谁告诉你LED特性跟二极管特性是一样的？ ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 16:02:35&
输入电压只要使二极管的正半周完全导通了，二极管PN结达到一定的温度。如果电压还有上升，任何二极管都可以双向导通，只要温度不会无限制上升，二极管是不会损坏的。从测试几个不同型号LED的过程中中都可以证明。 ||
YTDFWANGWEI在线LV7版主积分：92100|主题：134|帖子：41885积分:92100版主 16:10:58&你知道二极管跟LED的区别吗？用LED测试能说明二极管特性？你是真傻还是装疯卖傻？LED当然可以测试到双向导通特性，1N4007，MBR1100这些二极管你测试出来再说话吧。 ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 17:37:47&你说LED是不是二极管，有没有单向导电性能？如果1N4007,MBR1100可以忍耐高温的话，双向导通没有问题。不过我不想试。 ||
YTDFWANGWEI在线LV7版主积分：92100|主题：134|帖子：41885积分:92100版主 22:26:24&要不问你真傻还是装傻，如果可以耐高温双向导通没有问题，可问题是它能耐高温吗？以一个不成立的依据来支撑你的结论？退10000步讲，你见过Led有不带限流电阻的 吗？你见过二极管有带限流电阻使用的吗？你给一个MBR1100串联一个100M的电阻加在220交流两端，一样可以测量到交流电压，但如果你用H额r208，就测量不到，你知道为什么吗？ ||
YTDFWANGWEI在线LV7版主积分：92100|主题：134|帖子：41885积分:92100版主 22:28:24&一些基础的东西都不懂，不是去好好学习，反而一天到晚装个专家样，说这个不对，说那个不对，不觉得羞愧？ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 09:33:51& ||
YTDFWANGWEI在线LV7版主积分：92100|主题：134|帖子：41885积分:92100版主 20:28:31&另外，别随便下定义，工作电流大没死区，你知道这个你所谓的死区时间是如何计算的吗？你知道这个死区时间与什么有关系吗？V*SINωT=固定值，当V增大的时候，ωT是必须减小的，也就是这个死区的角度会越来越小，（你自己的实验也证明了这一点）你敢说你220V输入的时候，过零点附近一点死区都没有，将你最后一个图过零点放大仔细看看去。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 21:07:18&
基础不一样，理解万岁！
东方离线LV8副总工程师积分：3979|主题：4|帖子：1295积分:3979LV8副总工程师 11:40:18&XW:原来厂长的曲线不是真实的测试结果。
厂长：这个曲线是目前教科书广泛采纳的二极管性能曲线。
东方：是照本宣科。
XW：好像厂长不赞同啊！
厂长：如果是照本宣科的话就没有必要。
XW：是说别人没必要？让他来照本宣科。
东方：期待厂长真实的数据。
XW：结果会怎样？
东方：肯定是一棍子打蒙dxm 。
XW：这么肯定？
东方：也只是预测。大家拭目以待。
XW：但是楼主只是公布了仿真的结果，怎样才能打蒙他呢？
东方：主要是仿真的数据和实际测试结果有明显的差距。参见85楼。已经明确指出，楼主的数据：Ib=32.407μA时，Ube=743.781mV，和实际情况不符合。希望厂长和电气方面的大学教授能够拨乱反正。
||ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 12:13:51&你就继续瞎诌吧！
不一样的管子，不同的参数好不好！有什么可比性？！ ||
东方离线LV8副总工程师积分：3979|主题：4|帖子：1295积分:3979LV8副总工程师 19:22:54&楼主怕被打蒙。又在找借口。
XW：该蒙的也躲不开呀！楼主不要怕，可能验证你的仿真呢？
东方：这个史厂长一时半会儿还拿不出结果。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 20:09:27&呵呵，说谁呢？！ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 20:01:34&东方：主要是仿真的数据和实际测试结果有明显的差距。参见85楼。已经明确指出，楼主的数据：Ib=32.407μA时，Ube=743.781mV，和实际情况不符合。
楼主：请给出实际情况是怎样的？你自己做过吗？你不会继续张冠李戴吧？ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 20:46:41&二位都该好好体会“非线性”的问题。
我的电压、电流表的帖子不是随便贴出来的。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 20:53:04&这一贴算是有点东西。不过
1.请在发帖之前最好先看看有没有低级的文字、数据错误。
2.定义可不是谁想下就随便可以下的。 ||
东方离线LV8副总工程师积分：3979|主题：4|帖子：1295积分:3979LV8副总工程师 13:15:29&XW：看来楼主发现了你“文字、数据的低级错误”？
东方：放心，翻成白话就是：“没有发现错误”。如果发现，楼主是如获至宝，还会秘而不宣？
楼主：定义可不是谁想下就随便可以下的。
东方：这个说法没有道理。
XW：难道是“谁想下就随便可以下”吗？
东方：现在是“东方”在下定义呀！关键不是随便下定义。
XW：你怎么能随便下定义？
东方：被楼主误导了吧？没有人“随便下定义”。但到东方下定义之前，也没有人下过明确定义！所以东方才敢大胆下定义。非常慎重的。
XW：那别人不也可以下定义吗？
东方：当然可以，如果有人下了明确定义，东方就不用下定义了。
XW：不过，难道以前真的没人下过“死区电压”的定义吗？
东方：要讲严格点，以前的定义不严格，让楼主们产生歧义。
XW：我看看百度，有人问：书上说U be 小于死区电压时，I b=0，什么意思？
回答：死区电压也叫开启电压，在二极管正负极间加电压，当正向电压超过一定数值（硅管约0.5V，锗管约0.1V）后，二极管电阻变得很小，电流增长很快。这个电压往往称死区电压。
东方：这就是不严格的定义。教科书上根据这样的定义，说“U be 小于死区电压时，I b=0”显然也不准确。举个例子，下图中，D是硅管，求U2的电位，可能就比较纠结。
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 12:11:02&1.回到85楼，你的插图下边第二行，睁开你的X眼，认真看看！有没有低级错误！！！！！！！
就这图，求U2的电位，只有你才会纠结！因为你已经彻底把自己搞糊涂了！
东方离线LV8副总工程师积分：3979|主题：4|帖子：1295积分:3979LV8副总工程师 19:14:43&哈哈！终于开骂了。这可是dxm判据里已经指出的：191楼东方
dxm判据：当dxm理屈词穷时也会开骂。
XW：dxm为什么这样配合你呢？
东方：这也是总结出来的经验。古人云：图穷而匕首见。黔驴技穷了，只好叫几声。
请楼主赏光。
||ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 19:35:25&
请说正事！难道你还没发现错误！？眼长哪里了！非给你贴出来吗？！
骂你？你也得值得我骂！ 睁开你的狗眼看看！：“图中25℃是0.94V，到150℃是6.2V，”是6.2V吗？？？？？？？鄙视你！
东方离线LV8副总工程师积分：3979|主题：4|帖子：1295积分:3979LV8副总工程师 09:37:07&应该是0.62V，这是笔误看不出来？有必要大做文章吗？知道了不就好了？
东方：dxm语气：我打字笔误不丢人，你借机开骂就……
XW：你也要体谅楼主，找不到别人论点论据错误，就找打字笔误也好过过瘾。
东方：好！谢谢楼主，这样的错误以后还会有，错别字也会有。继续发挥狗眼的作用吧。但最好放在实质性的问题上。楼主仿真和自己的试验数据相差十倍，到现在也没有个交代，实验三数据错误，也不纠正，是不是有点舍本逐末了？
XW：且慢，就你上面的数据，楼主看来还是有错误。
东方：怎么讲？
XW:你说的仿真Uce=0.088V，而他的试验数据是0.00729V，相差是12.倍。
楼主： 睁开你的狗眼看看！：是十倍吗？？？？？？？鄙视你！
dxm判据：当dxm吹毛求疵出言不逊时也是理屈词穷的一种表现。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 19:19:10&唉，无语了！
回109楼看看，你是怎样回复善意提醒的！
XW：看来楼主发现了你“文字、数据的低级错误”？
东方：放心，翻成白话就是：“没有发现错误”。如果发现，楼主是如获至宝，还会秘而不宣？
东方离线LV8副总工程师积分：3979|主题：4|帖子：1295积分:3979LV8副总工程师 23:40:57&用一个笔误大做文章，趁机开骂，是不是如获至宝？没有冤枉他吧？
XW：他说是善意提醒。
东方：嘿嘿，只要说声应该是0.62V不就行了吗？还提什么醒？
XW：要不要鄙视他？
东方：恐怕是可怜他更确切些。举个例子说，就楼主所发帖子而言，所谓低级错误不胜枚举，看到就算了，谁会去和一个逻辑不通的人顶真？如果东方也像他那样甩出话来：“看看有没有低级的文字、数据错误”，但就不讲，他会怎么办？真的会把他所有的帖子看个遍，找错误？那就让楼主试试看。如果不找出来，下次就挑个地方，“睁开你的狗眼看看！这个‘正加正向电压’是什么意思？”
XW：你这样有意思吗？不要这样的啦。
东方：当然不会，这属于dxm判据，在理屈词穷时就会吹毛求疵，找个笔误或数据精度什么的开骂。咱们上网也不是出书，即使像元教授出书，恐怕也有勘误，也不必如获至宝，乘机开骂吧。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 17:15:08&真的是无语！！！ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 19:53:07&呵呵，看过了，这那个总结算是说了点正事，我没意见。对数特性还没等我贴出来，你就贴出来了，给你个大大的赞！
但你那个定义就先别拿出来了，伪命题的事，也还是不提的好。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 21:24:47&你的这个题目不咋地，难得的是你还知道对数伏安特性！
对数VI特性仿真结果：
要进入正题了！
第一组测试：
各位可能要有新想法了，各抒己见吧，后面还会有更复杂点的数据等着各位 。
温馨提示：
请不要忘记肖克莱方程和对数特点：
（1）零和负数没有对数
（2）底的对数等于1，
（3）1的对数等于0哦！ ||shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 07:56:27&
不要只关心二极管两端的电压对应二极管支路的电流值。因为实验用电源的频率，波形是影响二极管导通点最关键因数。
所以必须先交代清楚实验电路的供电电源的电压特性。比如这个直流电源。
||lahoward在线LV10总工程师积分：11174|主题：40|帖子：3758积分:11174LV10总工程师 08:48:39&厂长，您就歇歇吧，不要做无用功了。 ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 09:10:42&真的想歇，可是不能见死不救啊！ ||st.you离线LV8副总工程师积分：9009|主题：7|帖子：2763积分:9009LV8副总工程师 09:14:27&大师，人家用的是电池，不存在频率啊波形啊一类的东西 ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 09:20:02&做这个实验绝对不敢用蓄电池！78楼的实验电路是标准的。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 19:14:10&
所以啊，先看明白人家说什么很重要，没有条件，哪来结果啊！
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 19:16:35&厂长，我们讨论的是静态特性，不是动态特性。 ||
triaco离线LV3助理工程师积分：213|主题：0|帖子：57积分:213LV3助理工程师 14:57:13&《二极管的死区究竟在哪》嘛，
像第53楼的图那样的，这只管的电压「死区」就是3.5小格。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 17:21:33&没明白您的意思。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 23:50:35&东方看到此楼无话可说了? ||forget离线LV8副总工程师积分：2359|主题：40|帖子：647积分:2359LV8副总工程师 23:13:26&仿真没有说服力，你直接拿一个实物测量一下吧。 ||东方离线LV8副总工程师积分：3979|主题：4|帖子：1295积分:3979LV8副总工程师 12:01:51&是的。尤其是楼主的任性，把三极管的发射结电压加到±50V，电流达到100A，这样的数据有讨论的意义吗？
XW：实际三极管呢？
东方：正向不能超过1V太多，反向一般不能超过8V。
XW：一超过呢？
东方：发射结就击穿了。
XW：那仿真怎么就不真了呢？
东方：这是运用仿真的人的错。没有按真实的数据设置仿真，仿真也是受害者。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 12:00:51&您也可以试试啊！不要光说不做好不好？ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 11:59:31&说起来容易，做起来难！
要不您来试试？ ||cmg离线LV7版主积分：11990|主题：117|帖子：4520积分:11990版主 08:32:39&感觉大家好清闲啊 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 19:11:12&
我也这么觉得。
没想到啊，本来是最基本的东西，却在这里争论不休，没完没了了！ ||
lahoward在线LV10总工程师积分：11174|主题：40|帖子：3758积分:11174LV10总工程师 14:02:43&你没觉得这最基本的东西你的认识最不清？ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 17:16:18&
请你这清楚的给大家解释一下如何？ ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 10:42:31&
楼主如果按仿真的电源接一个电阻进行测试，出现的VA曲线死区电压和接一个三级管的PN结测试的死区电压一模一样。因为任何实验用直流电源输出端已经串联一只二极管了。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 12:00:02&厂长，善意的提醒你，你不是太懂电源。其实直流电源真的有很多种，并不是只有交流经变换获得直流电源一种方式。 ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 12:10:29&
所以直流电源有许多的转换形式，在二极管上形成的VA曲线肯定不同，让你把你仿真采用的电源形式传上来，你却不肯传上来。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 12:25:26&你可以认为是理想直流电压源，即不带任何纹波的纯净直流电压源，内阻等于零的理想电压源。
仿真软件里自带的，理想电压源在实际中是不存在的，只能尽量接近！ ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 12:37:01&我是在做工频变压器的厂家，虽然做直流电源（开关电源）不熟，但是测量直流电源的电压（电流）特性曲线，很有心得，因为再标准的直流源也会根据负载变化，产生不同的电流波形来，比如你接一个三极管PN结到电源的+\-极上，可能因为阻抗太小，形成电源输出短路、过载。电源输出波形就很不正常了。你量PN结的电压，和电流已经是非线性了。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 13:06:57&这都很正常啊，有什么可以奇怪的吗？ ||
shiyunping离线LV8副总工程师积分：8978|主题：51|帖子：3936积分:8978LV8副总工程师 13:10:55&电源接PN结发生短路很正常么？ ||lahoward在线LV10总工程师积分：11174|主题：40|帖子：3758积分:11174LV10总工程师 14:10:28&楼主被问倒了。 ||
东方离线LV8副总工程师积分：3979|主题：4|帖子：1295积分:3979LV8副总工程师 15:51:13&
dxmPK史厂长
lahoward在线LV10总工程师积分：11174|主题：40|帖子：3758积分:11174LV10总工程师 16:09:49&Dxm哪是史厂长的对手。只有落荒而逃的份。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 18:19:06&
你就别瞎捣乱了 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 18:20:36&你知道我在说什么吗？ ||lahoward在线LV10总工程师积分：11174|主题：40|帖子：3758积分:11174LV10总工程师 14:18:08&延伸阅读： 从21电源网友研究二极管的惊人发现并有世界领先的科研成果谈起
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 16:32:55&
这会才想起来，拉选票啊 ||
lahoward在线LV10总工程师积分：11174|主题：40|帖子：3758积分:11174LV10总工程师 00:54:16&帮你推广啊。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 07:56:10&
你吗？似乎用不着，你还是省省吧。 ||
lahoward在线LV10总工程师积分：11174|主题：40|帖子：3758积分:11174LV10总工程师 10:02:32&如此伟大的发明不推广岂不可惜？ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 10:10:19&
这是你说的，豆大的心眼！
lahoward在线LV10总工程师积分：11174|主题：40|帖子：3758积分:11174LV10总工程师 10:17:13&这与心眼何关？莫非你已觉醒？ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 10:26:57&
你在等待？ ||
lahoward在线LV10总工程师积分：11174|主题：40|帖子：3758积分:11174LV10总工程师 13:38:53倒数10&笑话，等什么？等你悔悟？我没事干了？ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 21:22:21倒数9&
该干啥干啥去吧。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 12:22:42倒数8&有问题请教：
lahoward在线LV10总工程师积分：11174|主题：40|帖子：3758积分:11174LV10总工程师 13:32:26倒数7&那个帖子似乎没人感兴趣。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 18:09:22倒数6&呵呵 ||
lahoward在线LV10总工程师积分：11174|主题：40|帖子：3758积分:11174LV10总工程师 01:22:34倒数5&你能不能弄点有新意的东西？ ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 09:51:29倒数4&呵呵
去看看，图4的仿真结果是明显有悖于电路基本原理的，麻烦你解释一下。 ||
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主 22:38:33倒数3&
谁与争风离线LV6高级工程师积分：872|主题：7|帖子：223积分:872LV6高级工程师 09:11:03倒数2&你这不叫实验测试吧& &你测试的应该是仿真软件的数学模型！你的软件是正版的吗
ddxxmm_001离线LV7版主积分：-732|主题：12|帖子：17积分:-732版主最新回复 19:52:09倒数1&软件应该没有问题，只是数学模型我不是很熟悉。实验20多年前做过较为准确的测试，与仿真的结果基本符合，你有何指教，愿闻其详
热门技术、经典电源设计资源推荐
世纪电源网分部
广 东：(7 /()
北 京：(010) /()
上 海：(021) /()
香 港：HK(852)
中国电源学会
地 址：天津市南开区黄河道大通大厦5层
电 话：(022)
传 真：(022)
E-mail：cpss#(#换成@)}