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光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。
常用的4N系列光耦属于非线性光耦
常用的线性光耦是PC817A—C系列。
非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。
线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。
开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。
在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。
常用的4脚线性光耦有PC817A----C。PC111
TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。
常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。
经查大量资料后，以下是目前市场上常见的高速光藕型号：
100K bit/S:
6N138、6N139、PS8703
6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）
10M&bit/S:
6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）
光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比&(CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。
可控硅型光耦
还有一种光耦是可控硅型光耦。
例如：moc3063、IL420；
它们的主要指标是负载能力；
例如：moc3063的负载能力是100mA；IL420是300mA；
光耦的部分型号
型号规格&性能说明&
4N25&晶体管输出&
4N25MC&晶体管输出&
4N26&晶体管输出&
4N27&晶体管输出&
4N28&晶体管输出&
4N29&输出&
4N30&达林顿输出&
4N31&达林顿输出&
4N32&达林顿输出&
4N33&达林顿输出&
4N33MC&达林顿输出&
4N35&达林顿输出&
4N36&晶体管输出&
4N37&晶体管输出&
4N38&晶体管输出&
4N39&可控硅输出&
6N135&高速光耦晶体管输出&
6N136&高速光耦晶体管输出&
6N137&高速光耦晶体管输出&
6N138&达林顿输出&
6N139&达林顿输出&
MOC3020&可控硅驱动输出&
MOC3021&可控硅驱动输出&
MOC3023&可控硅驱动输出&
MOC3030&可控硅驱动输出&
MOC3040&过零触发可控硅输出&
MOC3041&过零触发可控硅输出&
MOC3061&过零触发可控硅输出&
MOC3081&过零触发可控硅输出&
TLP521-1&单光耦&
TLP521-2&双光耦&
TLP521-4&四光耦&
TLP621&四光耦&
TIL113&达林顿输出&
TIL117 TTL逻辑输出&
PC814&单光耦&
PC817&单光耦&
H11A2&晶体管输出&
H11D1&高压晶体管输出&
H11G2&电阻达林顿输
什么是光耦？
光耦全称是光耦合器，英文名字是：optical coupler，英文缩写为OC，亦称光电隔离器，简称光耦。
光耦的结构是什么样的？
光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离，光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏(三极)管封装在一起。
TLP521-1 TLP521-2&&TLP521-4
可编程的控制器
ac / dc输入模块
东芝TLP521-1 --，2和-- 4包括一张照片晶体管光学对一镓砷化物红外麻省理工学院二极管连接。TLP521-2在八中提供两个隔离的通道领导TLP521-4在十六种塑料的DIP包装中提供四个隔离的通道的塑料的DIP包装
集极电压&50V（min）
电流转移比率&50%（min）
等级GB&&&&&&&100%（min）
隔离电压&&&&&2500Vrms(min)
Anode&阳极
cathode&阴极
emitter; (晶体管的)发射极
collector集电极
东芝连续不断地工作改进其产品的质量和可靠性。然而，半导体设备能故障或者因为他们的易受物理的压力的固有的灵敏性和攻击而失败。当利用东芝产品时为了在为了整个的系统做一个保险箱设计时遵照安全的标准同时，避免在其中这样东芝产品的一次故障或者失败能造成人类生活损失的形势对财产的身体的伤害或者破坏是购买者的责任。
发射极电压
集电极电压
发射极电流
铅焊接温度
推荐操作条件
特性&&&&&&&最小值&&&&&典型值&&&&&&&&最大值&&&&&单位
提供电压&&&&&&&&&&&&&5&&&&&&&&&&24&&&&&&&&&V
转换电流&&&&&&&&&&&&&16&&&&&&&&&25&&&&&&&&&mA
发射极电流&&&&&&&&&&&1&&&&&&&&&&10&&&&&&&&&mA
工作温度&&&&&&-25&&&&&&&&&&&85&&&&&&&&&°C
为什么要使用光耦？
发光二极管把输入的电信号转换为光信号传给光敏管转换为电信号输出，由于没有直接的电气连接，这样既耦合传输了信号，又有隔离干扰的作用。
光耦爱坏吗？
只要光耦合器质量好，电路参数设计合理，一般故障少见。如果系统中出现异常，使输入、输出两侧的电位差超过光耦合器所能承受的电压，就会使之被击穿损坏。
光耦的参数都有哪些？是什么含义？
1、CTR：电流传输比
、Isolation Voltage：隔离电压
、Collector-Emitter Voltage：集电极－发射极电压
：发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值
隔离电压：发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值
集电极－发射极电压：集电极－发射极之间的耐压值的最小值
光耦什么时候导通？什么时候截至？
关于TLP521-1的光耦的导通的试验报告&
～24v&认为是高电平，0v～1.5v认为是低电平
、0v～1.5v认为是低电平，利用串接一个二极管1N4001的压降0.7V+光耦的LED的压降，吃掉1.4V左右；
、24V是最高电压，不能在最高电压的时候，光耦通过的电流太大；所以选用2K的电阻；光耦工作在大概10mA的电流，可以保证稳定可靠工作n年以上；
、3.5V以上是高电平，为了尽快进入光敏三极管的饱和区，要把光耦的光敏三极管的上拉电阻加大；因此选用10K；同时要考虑到ctr最小为50％；
、发光管端：
实验室电源（0～24V）-&2K-&1N4001-&TLP521-1(1)-&TLP521-1(2)-gnd1
2、光敏三极管：
实验室电源（DC5V）-&10K-&TLP521-1(4)-&TLP521-1(3)-gnd2
直流电压挡20V
万用表+&& -& TLP521-1(4)
万用表-&& -& TLP521-1(3)
输入电源&&&&&万用表电压(V)
1.3V&&&& 5
1.5V&&&& 4.8
1.7V&&&& 4.41
1.9V&&&& 3.58
2.1V&&&& 2.94
2.3V&&&& 1.8
2.5V&&&& 0.58
2.7V&&&& 0.2
2.9V&&&& 0.19
3.1V&&&& 0.17
3.3V&&&& 0.16
3.5V&&&& 0.16
5V&&&&&& 0.13
24V&&&&& 0.06
思考题：光耦的CTR（电流传输比）是什么含义？
、光耦的CTR（电流传输比）是什么含义？
、CTR与上拉电阻和光耦的光敏三极管之间与饱和导通或者截至之间的关系；
参考资料：TLP521-1的CTR为50％（最小值）；
TLP521-1的长相
TLP521-1的长相
线性光耦原理与电路设计【转】
线性光耦原理与电路设计
线形光耦介绍
光隔离是一种很常用的信号隔离形式。常用光耦器件及其外围电路组成。由于光耦电路简单在数字隔离电路或数据传输电路中常常用到如协议的电流环。对于模拟信号光耦因为输入输出的线形较差并且随温度变化较大限制了其在模拟信号隔离的应用。
对于高频交流模拟信号变压器隔离是最常见的选择但对于支流信号却不适用。一些厂家提供隔离放大器作为模拟信号隔离的解决方案如的能够提供从直流到几的频率内提供的线性度但这种隔离器件内部先进行电压频率转换对产生的交流信号进行变压器隔离然后进行频率电压转换得到隔离效果。集成的隔离放大器内部电路复杂体积大成本高不适合大规模应用。
模拟信号隔离的一个比较好的选择是使用线形光耦。线性光耦的隔离原理与普通光耦没有差别只是将普通光耦的单发单收模式稍加改变增加一个用于反馈的光接受电路用于反馈。这样虽然两个光接受电路都是非线性的但两个光接受电路的非线性特性都是一样的这样就可以通过反馈通路的非线性来抵消直通通路的非线性从而达到实现线性隔离的目的。
市场上的线性光耦有几中可选择的芯片如公司的子公司的的等。这里以为例介绍
芯片介绍与原理说明
的内部框图如下所示
其中、引作为隔离信号的输入、引脚用于反馈、引脚用于输出。、引脚之间的电流记作、引脚之间和、引脚之间的电流分别记作和。输入信号经过电压电流转化电压的变化体现在电流上和基本与成线性关系线性系数分别记为和即
与一般很小（是）并且随温度变化较大（的变化范围在到之间）但芯片的设计使得和相等。在后面可以看到在合理的外围电路设计中真正影响输出输入比值的是二者的比值线性光耦正利用这种特性才能达到满意的线性度的。
和的内部结构完全相同差别在于一些指标上。相对于提供更高的线性度。
采用进行隔离的一些指标如下所示：
线性度：：：线性系数：：：温度系数：隔离电压：信号带宽：直流到大于。
从上面可以看出和普通光耦一样线性光耦真正隔离的是电流要想真正隔离电压需要在输出和输出处增加运算放大器等辅助电路。下面对的典型电路进行分析对电路中如何实现反馈以及电流电压、电压电流转换进行推导与说明。
典型电路分析
公司的的手册上给出了多种实用电路其中较为典型的一种如下图所示：
设输入端电压为输出端电压为光耦保证的两个电流传递系数分别为、显然和之间的关系取决于和之间的关系。
将前级运放的电路提出来看如下图所示：
设运放负端的电压为运放输出端的电压为在运放不饱和的情况下二者满足下面的关系：
其中是在运放输入差模为时的输出电压为运放的增益一般比较大。
忽略运放负端的输入电流可以认为通过的电流为根据的欧姆定律得：
通过两端的电流为根据欧姆定律得：
其中为光耦脚的电压考虑到导通时的电压（）基本不变这里的作为常数对待。
根据光耦的特性即
将和的表达式代入上式可得：
上式经变形可得到：
将的表达式代入（）式可得：
考虑到特别大则可以做以下近似：
这样输出与输入电压的关系如下：
可见在上述电路中输出和输入成正比并且比例系数只由和、确定。一般选达到只隔离不放大的目的。
辅助电路与参数确定
上面的推导都是假定所有电路都是工作在线性范围内的要想做到这一点需要对运放进行合理选型并且确定电阻的阻值。
运放可以是单电源供电或正负电源供电上面给出的是单电源供电的例子。为了能使输入范围能够从到需要运放能够满摆幅工作另外运放的工作速度、压摆率不会影响整个电路的性能。公司的单运放电路能够满足以上要求可以作为的外围电路。
阻值确定
电阻的选型需要考虑运放的线性范围和线性光耦的最大工作电流。已知的情况下又确定了的最大值这样由于的范围最小可以为这样由于
考虑到大有利于能量的传输这样一般取
另外由于工作在深度负反馈状态的运放满足虚短特性因此考虑的限制这样的确定可以根据所需要的放大倍数确定例如如果不需要方法只需将即可。
另外由于光耦会产生一些高频的噪声通常在处并联电容构成低通滤波器具体电容的值由输入频率以及噪声频率确定。
参数确定实例
假设确定输入在之间输出等于输入采用运放芯片以及上面电路下面给出参数确定的过程。
确定：的手册上推荐器件工作的左右确定：确定：确定：。
本文给出了线性光耦的简单介绍以及电路设计、参数选择等使用中的注意事项与参考设计并对电路的设计方法给出相应的推导与解释供广大电子工程师参考。
在通讯电路设计中，光耦是经常见到的；
TLP521-1可以用到9600～19200；
限流电阻是1K；上拉电阻是1K；
可以到10M；但是6N137需要按照datasheet来接它的外部电路才能达到10M的速度；
6N137的内部和典型电路
6N137的内部结构
还有一种特殊的光耦，内部有2个发光管
那么，DI+和DI-互换就无所谓了；
常见之高速光藕型号
常见之高速光藕型号[zt]
经查大量资料后，总结出目前市场上常见之高速光藕型号供大家选择：&
100K bit/S:&
6N138、6N139、PS8703&
1M bit/S:&
6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）&
10M bit/S:&
6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）&
另外，台湾COSMO公司的KP7010在RL选值为300欧左右时，我根据其数据手册所载数值计算，速率可达100Kbit/S，且为6脚封装，比同级的6N138、6N139小巧，价格也较低。
光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比&(CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。
可控硅型光耦
还有一种光耦是可控硅型光耦。
例如：moc3063、IL420；
它们的主要指标是负载能力；
例如：moc3063的负载能力是100mA；IL420是300mA；
光耦的部分型号
型号规格
晶体管输出
晶体管输出
晶体管输出
晶体管输出
晶体管输出
达林顿输出
达林顿输出
达林顿输出
达林顿输出
达林顿输出
达林顿输出
达林顿输出
晶体管输出
晶体管输出
晶体管输出
可控硅输出
高速光耦晶体管输出
高速光耦晶体管输出
高速光耦晶体管输出
达林顿输出
达林顿输出
可控硅驱动输出
可控硅驱动输出
可控硅驱动输出
可控硅驱动输出
过零触发可控硅输出
过零触发可控硅输出
过零触发可控硅输出
过零触发可控硅输出
达林顿输出
晶体管输出
高压晶体管输出
电阻达林顿输出
光耦合器的技术特性与应用&&录入人:&发布日期:&来自:变频器网 浏览273次&1.概述&　　光耦合器（optical
coupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器，简称光耦。光耦合器以光为媒介传输电信号。它对输入、输出电信号有良好的隔离作用，所以，它在各种电路中得到广泛的应用。目前它已成为种类最多、用途最广的光电器件之一。光耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。由于光耦合器输入输出间互相隔离，电信号传输具有单向性等特点，因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。又由于光耦合器的输入端属于电流型工作的低阻元件，因而具有很强的共模抑制能力。所以，它在长线传输信息中作为终端隔离元件可以大大提高信噪比。在计算机数字通信及实时控制中作为信号隔离的接口器件，可以大大增加计算机工作的可靠性。&&&　　光耦合器的主要优点是：信号单向传输，输入端与输出端完全实现了电气隔离隔离，输出信号对输入端无影响，抗干扰能力强，工作稳定，无触点，使用寿命长，传输效率高。光耦合器是70年代发展起来产新型器件，现已广泛用于电气绝缘、电平转换、级间耦合、驱动电路、开关电路、斩波器、多谐振荡器、信号隔离、级间隔离&、脉冲放大电路、数字仪表、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。在单片开关电源中，利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路，通过调节控制端电流来改变占空比，达到精密稳压目的。&十几年来，新型光耦合器不断涌现，满足了各种光控制的要求。其应用范围已扩展到计测仪器，精密仪器，工业用电子仪器，计算机及其外部设备、通信机、信号机和道路情报系统，电力机械等领域。这里侧重介绍该器件的工作特性，驱动和输出电路及部分实际应用电路。&　　近年来问世的线性光耦合器能够传输连续变化的模拟电压或模拟电流信号，使其应用领域大为拓宽。下面分别介绍光耦合器的工作原理及检测方法。&2.&光耦合器的性能及类型&&　　用于传递模拟信号的光耦合器的发光器件为二极管、光接收器为光敏三极管。当有电流通过发光二极管时，便形成一个光源，该光源照射到光敏三极管表面上，使光敏三极管产生集电极电流，该电流的大小与光照的强弱，亦即流过二极管的正向电流的大小成正比。由于光耦合器的输入端和输出端之间通过光信号来传输，因而两部分之间在电气上完全隔离，没有电信号的反馈和干扰，故性能稳定，抗干扰能力强。发光管和光敏管之间的耦合电容小（2pf左右）、耐压高(2.5KV左右)，故共模抑制比很高。输入和输出间的电隔离度取决于两部分供电电源间的绝缘电阻。此外，因其输入电阻小（约10Ω），对高内阻源的噪声相当于被短接。因此，由光耦合器构成的模拟信号隔离电路具有优良的电气性能。&&&　　事实上，光耦合器是一种由光电流控制的电流转移器件，其输出特性与普通双极型晶体管的输出特性相似，因而可以将其作为普通放大器直接构成模拟放大电路，并且输入与输出间可实现电隔离。然而，这类放大电路的工作稳定性较差，无实用价值。究其原因主要有两点：一是光耦合器的线性工作范围较窄，且随温度变化而变化；二是光耦合器共发射极电流传输系数β和集电极反向饱和电流ICBO(即暗电流)受温度变化的影响明显。因此，在实际应用中，除应选用线性范围宽、线性度高的光耦合器来实现模拟信号隔离外，还必须在电路上采取有效措施，尽量消除温度变化对放大电路工作状态的影响。&&&　　从光耦合器的转移特性与温度的关系可以看出，若使光耦合器构成的模拟隔离电路稳定实用，则应尽量消除暗电流（ICBO）的影响，以提高线性度，做到静态工作点IFQ随温度的变化而自动调整，以使输出信号保持对称性，使输入信号的动态范围随温度变化而自动变化，以抵消β值随温度变化的影响，保证电路工作状态的稳定性。&&&2.1光耦合器的类型&　　光耦合器有管式、双列直插式和光导纤维式等封培育形式，其种类达数十种。光耦合器的种类达数十种，主要有通用型（又分无基极引线和基极引线两种）、达林顿型、施密特型、高速型、光集成电路、光纤维、光敏晶闸管型（又分单向晶闸管、双向晶闸管）、光敏场效应管型。此外还有双通道式（内部有两套对管）、高增益型、交-直流输入型等等。国外生产厂家有英国ISOCOM公司等，国内厂家的苏州半导体总厂等。&2.2线性光耦合器的产品分类&　　线性光耦合器的典型产品及主要参数见表1，这些光耦均以光敏三极管作为接收管&表1典型线性光耦合器的主要参数&产品型号&CTR/%
V（BR）CE0/V&生产厂 封装型式&PC816A 80～160 70 Sharp DZP-4基极未引出&PC817A
80～160 35 Sharp&&SFH610A-2 63～125 70 simens&&NEC2501-H
80～160 40 NEC&&CNY17-2 63～125 70 Motoroln DZP-4基极未引出&CNY17-3
100～200 70 simens&&SFH600-1 63～125 70 simens&&SFH600-2
100～200 70 simens&&CNY75GA 63～125 90 Temic DZP-4基极未引出&CNY75GB
100～200 90 Temic&&MOC 30 Motoroln&&MOC8102
73～117 30 Motoroln&&3.光耦合器的技术参数&　　光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。&　　最重要的参数是电流放大系数传输比CTR（Curremt-Trrasfer
Ratio）。通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。当接收管的电流放大系数hFE为常数时，它等于输出电流IC之比，通常用百分数来表示。有公式：&CTR=IC/ IF×100%&&　　采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～30%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～500%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比(ΔCTR＝ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。这是其重要特性。在设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数，选取原则如下：&（1）光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%～200%。这是因为当CTR＜50%时，光耦中的LED就需要较大的工作电流(IF＞5.0mA)，才能正常控制单片开关电源IC的占空比，这会增大光耦的功耗。若CTR＞200%，在启动电路或者当负载发生突变时，有可能将单片开关电源误触发，影响正常输出。&（2）推荐采用线性光耦合器，其特点是CTR值能够在一定范围内做线性调整。&（3）由英国埃索柯姆(Isocom)公司、美国摩托罗拉公司生产的4N××系列(如4N25、4N26、4N35)光耦合器，目前在国内应用地十分普遍。鉴于此类光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适宜传输数字信号(高、低电平)，因此不推荐用在开关电源中。&4.通用型与达林顿型光耦合器区分&4.1方法之一&在通用型光耦合器中，接收器是一只硅光电半导体管，因此在B-E之间只有一个硅PN结。达林顿型不然，它由复合管构成，两个硅PN结串联成复合管的发射结。根据上述差别，很容易将通用型与达林顿型光耦合器区分开来。具体方法是，将万用表拨至R×100档，黑表笔接B极，红表笔接E极，采用读取电压法求出发射结正向电压VBE。若VBE=0.55～0.7V，就是达林顿型光耦合器。&实例：用500型万用表的R×100档分别测量4N35、4N30型光耦合器的VBE，测量数据及结论一并列入表2中。&表2测试结果&型号&RBE（Ω）&n`（格）&VBE（V）
计算公式 测试结论&4N35 850 23 0.69 VBE=0.03n（V） 通用型&4N30
4.3k 40.5 1.215 VBE=0.03n`（V） 达林顿型&4.2方法之二&　　通用型与达林顿型光电耦合的主要区别是接收管的电流放大系数不同。前者的hFE为几十倍至几百倍，后者可达数千倍，二者相差1～2个数量级。因此，只要准确测量出hFE值，即可加以区分。在测量时应注意事项：&（1）因为达林顿型光耦合器的hFE值很高，所以表针两次偏转格数非常接近。准确读出n1、&n2的格数是本方法关键所在，否则将引起较大的误差。此外，欧姆零点亦应事先调准。&（2）若4N30中的发射管损坏，但接收管未发现故障，则可代替超β管使用。同理，倘若4N35中的接收管完好无损，也可作普通硅NPN晶体管使用，实现废物利用。&（3）对于无基极引线的通用型及达林顿型光耦合器，本方法不再适用。建议采用测电流传输比CTR的方法加以区分。
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发光二极管把输入的电信号转换为光信号传给光敏管转换为电信号输出，由于没有直接的电气连接，这样既耦合传输了信号，又有隔离干扰的作用。
光耦爱坏吗？
只要光耦合器质量好，电路参数设计合理，一般故障少见。如果系统中出现异常，使输入、输出两侧的电位差超过光耦合器所能承受的电压，就会使之被击穿损坏。
光耦的参数都有哪些？是什么含义？
1、CTR：电流传输比
2、Isolation
Voltage：隔离电压
3、Collector-Emitter
Voltage：集电极－发射极电压
CTR：发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值隔离电压：发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值集电极－发射极电压：集电极－发射极之间的耐压值的最小值
光耦什么时候导通？什么时候截至？
关于TLP521-1的光耦的导通的试验报告
3.5v～24v 认为是高电平，0v～1.5v认为是低电平
1、0v～1.5v认为是低电平，利用串接一个二极管1N4001的压降0.7V+光耦的LED的压降，吃掉1.4V左右；
2、24V是最高电压，不能在最高电压的时候，光耦通过的电流太大；所以选用2K的电阻；光耦工作在大概10mA的电流，可以保证稳定可靠工作n年以上；
3、3.5V以上是高电平，为了尽快进入光敏三极管的饱和区，要把光耦的光敏三极管的上拉电阻加大；因此选用10K；同时要考虑到ctr最小为50％；
1、发光管端：
实验室电源（0～24V）-&2K-&1N4001-&TLP521-1(1)-&TLP521-1(2)-gnd1
2、光敏三极管：
实验室电源（DC5V）-&10K-&TLP521-1(4)-&TLP521-1(3)-gnd2
直流电压挡20V
万用表+&&&
-& TLP521-1(4)万用表-&&&
-& TLP521-1(3)
输入电源&&&&&
万用表电压(V)
思考题：光耦的CTR（电流传输比）是什么含义？
1、光耦的CTR（电流传输比）是什么含义？
2、CTR与上拉电阻和光耦的光敏三极管之间与饱和导通或者截至之间的关系；
参考资料：TLP521-1的CTR为50％（最小值）；
TLP521-1的长相
TLP521-1的长相
线性光耦原理与电路设计 【转】
线性光耦原理与电路设计
线形光耦介绍光隔离是一种很常用的信号隔离形式。常用光耦器件及其外围电路组成。由于光耦电路简单,在数字隔离电路或数据传输电路中常常用到,如UART协议的20mA电流环。对于模拟信号,光耦因为输入输出的线形较差,并且随温度变化较大,限制了其在模拟信号隔离的应用。对于高频交流模拟信号,变压器隔离是最常见的选择,但对于支流信号却不适用。一些厂家提供隔离放大器作为模拟信号隔离的解决方案,如ADI的AD202,能够提供从直流到几K的频率内提供0.025%的线性度,但这种隔离器件内部先进行电压-频率转换,对产生的交流信号进行变压器隔离,然后进行频率-电压转换得到隔离效果。集成的隔离放大器内部电路复杂,体积大,成本高,不适合大规模应用。模拟信号隔离的一个比较好的选择是使用线形光耦。线性光耦的隔离原理与普通光耦没有差别,只是将普通光耦的单发单收模式稍加改变,增加一个用于反馈的光接受电路用于反馈。这样,虽然两个光接受电路都是非线性的,但两个光接受电路的非线性特性都是一样的,这样,就可以通过反馈通路的非线性来抵消直通通路的非线性,从而达到实现线性隔离的目的。市场上的线性光耦有几中可选择的芯片,如Agilent公司的HCNR200/201,TI子公司TOAS的TIL300,CLARE的LOC111等。这里以HCNR200/201为例介绍
2. 芯片介绍与原理说明
HCNR200/201的内部框图如下所示
其中1、2引作为隔离信号的输入,3、4引脚用于反馈,5、6引脚用于输出。1、2引脚之间的电流记作IF,3、4引脚之间和5、6引脚之间的电流分别记作IPD1和IPD2。输入信号经过电压-电流转化,电压的变化体现在电流IF上,IPD1和IPD2基本与IF成线性关系,线性系数分别记为K1和K2,即
K1与K2一般很小（HCNR200是0.50%）,并且随温度变化较大（HCNR200的变化范围在0.25%到0.75%之间）,但芯片的设计使得K1和K2相等。在后面可以看到,在合理的外围电路设计中,真正影响输出/输入比值的是二者的比值K3,线性光耦正利用这种特性才能达到满意的线性度的。
HCNR200和HCNR201的内部结构完全相同,差别在于一些指标上。相对于HCNR200,HCNR201提供更高的线性度。采用HCNR200/201进行隔离的一些指标如下所示：
* 线性度：HCNR200：0.25%,HCNR201：0.05%;
* 线性系数K3：HCNR200：15%,HCNR201：5%;
* 温度系数： -65ppm/oC;
* 隔离电压：1414V;
* 信号带宽：直流到大于1MHz。从上面可以看出,和普通光耦一样,线性光耦真正隔离的是电流,要想真正隔离电压,需要在输出和输出处增加运算放大器等辅助电路。下面对HCNR200/201的典型电路进行分析,对电路中如何实现反馈以及电流-电压、电压-电流转换进行推导与说明。
3. 典型电路分析
Agilent公司的HCNR200/201的手册上给出了多种实用电路,其中较为典型的一种如下图所示：
图2设输入端电压为Vin,输出端电压为Vout,光耦保证的两个电流传递系数分别为K1、K2,显然,,和之间的关系取决于和之间的关系。将前级运放的电路提出来看,如下图所示：
设运放负端的电压为,运放输出端的电压为,在运放不饱和的情况下二者满足下面的关系：
Vo=Voo-GVi&&&
(1)其中是在运放输入差模为0时的输出电压,G为运放的增益,一般比较大。忽略运放负端的输入电流,可以认为通过R1的电流为IP1,根据R1的欧姆定律得：
通过R3两端的电流为IF,根据欧姆定律得：
其中,为光耦2脚的电压,考虑到LED导通时的电压（）基本不变,这里的作为常数对待。根据光耦的特性,即
K1=IP1/IF&&&
(4)将和的表达式代入上式,可得：
上式经变形可得到：
将的表达式代入（3）式可得：
考虑到G特别大,则可以做以下近似：
这样,输出与输入电压的关系如下：
可见,在上述电路中,输出和输入成正比,并且比例系数只由K3和R1、R2确定。一般选R1=R2,达到只隔离不放大的目的。
4. 辅助电路与参数确定上面的推导都是假定所有电路都是工作在线性范围内的,要想做到这一点需要对运放进行合理选型,并且确定电阻的阻值。
4.1 运放选型运放可以是单电源供电或正负电源供电,上面给出的是单电源供电的例子。为了能使输入范围能够从0到VCC,需要运放能够满摆幅工作,另外,运放的工作速度、压摆率不会影响整个电路的性能。TI公司的LMV321单运放电路能够满足以上要求,可以作为HCNR200/201的外围电路。
4.2 阻值确定电阻的选型需要考虑运放的线性范围和线性光耦的最大工作电流IFmax。K1已知的情况下,IFmax又确定了IPD1的最大值IPD1max,这样,由于Vo的范围最小可以为0,这样,由于考虑到IFmax大有利于能量的传输,这样,一般取另外,由于工作在深度负反馈状态的运放满足虚短特性,因此,考虑IPD1的限制,这样,
R2的确定可以根据所需要的放大倍数确定,例如如果不需要方法,只需将R2=R1即可。另外由于光耦会产生一些高频的噪声,通常在R2处并联电容,构成低通滤波器,具体电容的值由输入频率以及噪声频率确定。
4.3 参数确定实例假设确定Vcc=5V,输入在0-4V之间,输出等于输入,采用LMV321运放芯片以及上面电路,下面给出参数确定的过程。
* 确定IFmax：HCNR200/201的手册上推荐器件工作的25mA左右;
* 确定R3：R3=5V/25mA=200;
* 确定R1：;
* 确定R2：R2=R1=32K。
5. 总结本文给出了线性光耦的简单介绍以及电路设计、参数选择等使用中的注意事项与参考设计,并对电路的设计方法给出相应的推导与解释,供广大电子工程师参考。
在通讯电路设计中，光耦是经常见到的；
TLP521-1可以用到9600～19200；限流电阻是1K；上拉电阻是1K；
6N137可以到 10M；但是6N137需要按照datasheet来接它的外部电路才能达到10M的速度；
6N137的内部和典型电路
6N137的内部结构
还有一种特殊的光耦，内部有2个发光管
那么，DI+和DI-互换就无所谓了；
常见之高速光藕型号
常见之高速光藕型号[zt]
经查大量资料后，总结出目前市场上常见之高速光藕型号供大家选择：
100K bit/S:
6N138、6N139、PS8703
6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）
10M bit/S:
6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）
另外，台湾COSMO公司的KP7010在RL选值为300欧左右时，我根据其数据手册所载数值计算，速率可达100Kbit/S，且为6脚封装，比同级的6N138、6N139小巧，价格也较低。
光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。
可控硅型光耦
还有一种光耦是可控硅型光耦。例如：moc3063、IL420；它们的主要指标是负载能力；例如：moc3063的负载能力是100mA；IL420是300mA；
光耦的部分型号
晶体管输出
晶体管输出
晶体管输出
晶体管输出
晶体管输出
达林顿输出
达林顿输出
达林顿输出
达林顿输出
达林顿输出
达林顿输出
达林顿输出
晶体管输出
晶体管输出
晶体管输出
可控硅输出
高速光耦晶体管输出
高速光耦晶体管输出
高速光耦晶体管输出
达林顿输出
达林顿输出
可控硅驱动输出
可控硅驱动输出
可控硅驱动输出
可控硅驱动输出
过零触发可控硅输出
过零触发可控硅输出
过零触发可控硅输出
过零触发可控硅输出
达林顿输出
TTL逻辑输出
晶体管输出
高压晶体管输出
电阻达林顿输出
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