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请问硅的载流子浓度和光强有什么关系
问题是这样的：一个厚度为几微米，尺寸也在微米量级的半导体硅，如果入射光的光子能量大于禁带能量，不考虑频率、温度对光生载流子的影响，那么请问硅中光生载流子浓度和入射光光强的关系，能否给个大致的函数关系画个图呢？
问题本身可能不太专业，各位如果看懂了说一说你的看法，谢谢了。
这个很难给出函数关系，这个还关系到产生几率的大小，一般认为一个能量大于禁带宽度的光子能激发出一对光生载流子，产生几率随着光强变化。 你的假设把一些重要的问题给直接忽略掉了，硅对能量大于禁带宽度的光子的吸收性质是不一样，波长越短，光的贯穿深度越浅，反射越强。波长越长，吸收深度越深。你看一下硅的吸收系数的图像就知道了！你的问题还不如改成：hv&Eg的单色光（比如800nm的光）的光强和光生载流子的关系呢。那就是一个量子效率的问题，目前一个太阳照度下一般都认为是1吧，聚光之后可能会发生多激子激发，不太确定。可能和电池结构啊，硅的尺度这些都有关系，但是就算能激发多个电子空穴对，数量上还是很少的。目前sunpower的7倍聚光也不过把效率从非聚光的24%左右提升到30%左右，个人感觉性价比不行！ : Originally posted by cord at
这个很难给出函数关系，这个还关系到产生几率的大小，一般认为一个能量大于禁带宽度的光子能激发出一对光生载流子，产生几率随着光强变化。 感谢你的回复。我也觉得很难给出函数关系，因为影响因素实在太多了，也存在不确定性。 : Originally posted by SCU_magiclee at
你的假设把一些重要的问题给直接忽略掉了，硅对能量大于禁带宽度的光子的吸收性质是不一样，波长越短，光的贯穿深度越浅，反射越强。波长越长，吸收深度越深。你看一下硅的吸收系数的图像就知道了！你的问题还不如改 ... 谢谢回复。确实如你所说，波长也会有影响。事实上，我还要考虑一段波长范围内的光在不同光强下与硅中的光生载流子的关系。如果先考虑单色光，也无法说给出个大概的函数关系吧。实验上测单色光在不同光强下对载流子浓度的影响，一般可以通过霍尔效应的吧。总的来说，我所说的函数关系如果从理论推导是不太可能的。 : Originally posted by 上下左右求索 at
谢谢回复。确实如你所说，波长也会有影响。事实上，我还要考虑一段波长范围内的光在不同光强下与硅中的光生载流子的关系。如果先考虑单色光，也无法说给出个大概的函数关系吧。实验上测单色光在不同光强下对载流子 ... 实验的话可以测单波长的量子效率，光电流谱之类的；模拟计算的话，应该也可以实现，但是你的硅片尺度越小，复合越严重，如何量化复合很关键。如果固定一个复合速率，固定温度条件的话，PC1D/2D，APMS1D这些应该能算，虽然都是算电池的器件，但应该能提取出一些有用信息，间接得到你要的东西。 : Originally posted by SCU_magiclee at
实验的话可以测单波长的量子效率，光电流谱之类的；模拟计算的话，应该也可以实现，但是你的硅片尺度越小，复合越严重，如何量化复合很关键。如果固定一个复合速率，固定温度条件的话，PC1D/2D，APMS1D这些应该能算 ... 由于我对半导体材料不是很了解，你解释的一些术语我也不明了。不过还是要感谢你的回复。 : Originally posted by 上下左右求索 at
由于我对半导体材料不是很了解，你解释的一些术语我也不明了。不过还是要感谢你的回复。... 不客气，共同交流、学习！地区：昆明
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某半导体硅样品，施主杂质原子的浓度为1012cm3，试问在什么温度下它就不再呈现本征导电性?设Eg=1eV，
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某半导体硅样品，施主杂质原子的浓度为1012cm-3，试问在什么温度下它就不再呈现本征导电性?设Eg=1eV，
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