透明导体半导体绝缘体体有哪些????!!!!

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供应无色透明热绝缘体耐冲击性TPX日本三井化学MX021
产品名称:
TPX 日本三井化学 M...
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樟木头塑胶市场一期8号
TPX日本三井化学MX021详细介绍:
供应TPX热塑性弹性塑胶
日三井 RT18(高刚性) MX004(中刚性) MX002 MX001(低刚性)
日本三井TPX: MX021、MX002、MX004、RT-18、T110, BA518XB
日本三井TPX RT-18具有超耐高温、清晰透明、熔点240度、耐热和耐化学性、
MX002无色透明、耐酸、耐酒精、防碎、
MX004无色透明、热绝缘体、耐冲击性、
DX820无色透明、离形膜、耐热耐微波、
RT18XB清晰透明、含光热稳定剂、透光强。
RT18:可用一般热塑性塑料成型加工工艺、用于制作LED模条、医疗用针管、
实验室器具、透明化工装置、食品容器、照明设备及灯具、汽车用部件、
透明包封材料、电线电缆绝缘层、还可用做管材、包装薄膜
供应TPX日本三井化学DX320
供应TPX日本三井化学MX002
供应TPX日本三井化学MX004
供应TPX日本三井化学MX021
供应TPX日本三井化学DX810
供应TPX日本三井化学DX820
供应TPX日本三井化学DX845
供应TPX日本三井化学MSH204
供应TPX日本三井化学T130
供应TPX日本三井化学RT31XB
供应TPX日本三井化学RT18XB
①原料描述部分规格级别:注塑级外观颜色:无色透明
用途概述:LED模条、微波炉用餐具、医用注射器
备注说明:---
②原料技术数据性能项目试验条件[状态]测试方法测试数据数据单位
物理性能密度--- TM D- g/cm3
熔点--- MCI方法237℃
熔融指数(260℃、5kg) --- ASTM D-1238 26 g/10min
机械性能屈服拉伸强度--- ASTM D-638 26 MPa
拉伸模量--- ASTM D-638 1765 MPa
拉伸强度--- ASTM D-638 20 MPa
断裂伸长率--- ASTM D-638 32 %
弹性强度--- ASTM D-790 48 MPa
弹性模量--- ASTM D-790 1570 MPa
Izod耐冲击度--- ASTM D-256 11 KJ/m2
Rockwell硬度--- ASTM D-785 R88 ---
TPX离型膜可用射出、押出及吹气等方法成型,回转成型或粉体涂布则有困难。基本上,它是流动性良好的材料,可用与PE、PP相同的成型方法与设备来成型。由于是透明性材料,若有它种材料混入,会使透明性大幅下降。染色时可采干式混掺法,但颜料须选用可耐成型加工温度者。
  1、射出成型法
  a、成型机
  TPX离型膜的射出成型可用具适当加热容量及温度控制机构的聚烯用成型机。成型温度范围广,270-330℃间均可成型,内部变形小,为获得良好制品物性,应采高温成型,模温则为20-80℃。TPX和PP一样,均为热分解型材料,在长时间加热下会分解,因此成型机容量要适当,射出容量相对于制品重量过大时,反而无法获得良好制品。TPX离型膜熔点粘度低,会从喷嘴前流出,故要用关闭式喷嘴,若是用平直喷嘴,则温度要小心控制。
  b、模具构造
  模具的基本构造与PP大略相同,不同的地方如下:
  表面研磨:TPX离型膜的流动性佳,为使制品具高透明性与高光泽性,镜面的研磨是必要的。
  脱模:TPX离型膜在较高温度下会变柔软,顶出鞘可能将制品顶破,宜并用顶出与空气顶出。
  排气:成型温度高,易产生气体,必须有充分排气的构造。
  收缩率:会依制品形状、厚度成型条件不同而异,一般为1.5-2.5%。
  c、成型条件
  依成型条件之不同,TPX离型膜的收缩率与制品内部树脂的配向程度也会改变,甚至影响制品的实用物性。成型收缩率依树脂温度、模温、射出速度与时间不同而异,成型温度愈高,收缩率愈小,流动方向与直角方向收缩率的差也减少,可获得良好的制品。TPX离型膜的分子量很大,约40-120万,但分子间力很弱,故易于流动,虽将温度下降,只要施加足够成型压力,仍可成型,但因制品内部有树脂的配向,所得制品较脆且易龟裂。TPX离型膜射出成型的重点为使制品内部的分子配向小,因此模具内树脂的流速(射出速度)要慢,树脂粘度要降低(高温成型)。射出速度较慢者,适当条件范围广。
  2、挤出成型
  TPX离型膜的挤出制品如薄膜、涂布纸、管、圆棒等,在冷冻食品包装、离型纸、烘烤瓦楞纸、环氧树脂硬化用离型纸等方面均有应用。
  PE或PP用的全螺纹式螺杆或三段式螺杆,均可用于TPX离型膜的押出成型,但以几点是TPX离型膜与其它聚烯不同之点。
  注意事项:
  TPX离型膜的熔点为240℃,是聚烯中最高的,比热也较大,因此在可塑化阶段要供应大量的热。(PP、、的熔点分别为160℃ 130℃及105℃)。
  TPX离型膜的熔融粘度较PE或PP为低、温度变化也较大。
  比重只0.83,是热可塑性塑料中最小的。
  基于以上因素,以一般的挤出机来抽出TPX离型膜时,挤出量较PE、PP为少,若提高螺杆转速,又会使挤出波纹激增,不易安定生产。在此情形下,以适当的温度模式,并预热原料,以增强可塑化能力,才是提高押出量的方法。
  经过挤出条件的改进,其挤出量最高可达PP的70-80% 一种新开发的挤出螺杆,可让TPX离型膜高速且稳定地生产。此种螺杆可将固体与熔融体分离并可塑化。押出量可达与PE、PP相同的水准。
  3、吹塑成型
  TPX离型膜也可用一般的吹塑机来成型,但以下四点必须注意:
  熔融粘度低,模胚的垂流大。
  熔融粘度受温度的影响大。
  熔点高,易固化。
  表面状态对透明性的影响大。
  以上问题须藉由材料选择、模头温度控制、成型机加装积料槽等方式来改良,以获得良好制品。
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柔性ITO透明导电薄膜的研究94-3
薄膜主要应用于节能红外线反射膜,电磁屏蔽窗的反射;平板显示器自1990年以来得到了高速发展,200;随着平板显示器向更大面积和更快显示速度等方向的发;在有些彩色平板显示器中,透明电极需要沉积在不能承;Inz03:Sn(ITo)的电阻率很低,较薄的膜;2.1.3TCO薄膜的发展现状;近几十年来,人们已经研究了很多种材料的TCO薄膜;硬质TC0薄膜主要为玻璃基的
薄膜主要应用于节能红外线反射膜,电磁屏蔽窗的反射膜等;在电子电气方面主要被用作透明电极和电阻器,如平面显示器的电极膜,除霜窗的透明电阻器,太阳能电池的电极膜等。其中平板显示器是目前TC0薄膜的一个主要应用市场。平板显示器自1990年以来得到了高速发展,2000年的平板显示器全球销售额估计超过了150亿美元,并仍然在持续增长,在2005年销售额超过270亿美元n31。作为平板显示器的一部分,对TCO薄膜的需求也随之得到了迅猛发展。随着平板显示器向更大面积和更快显示速度等方向的发展,对TCO薄膜的要求也相应提高【141,要求TCO薄膜在保持足够的可见光透射率的情况下尽可能地降低面电阻;例如,lO英寸VGA(640x480像素)的超扭曲向列型液晶显示板(STN.LaD)所需要的TCO薄膜面电阻为"甜口,而SVGA(800x600像素)则需要面电阻为3-50./[3[151。当TCO薄膜的厚度达到lOOnm以上后,由于光波的干涉现象,其透射率不可避免地要出现色散现象,使TCO薄膜表现出一定的颜色。因此,不可能单纯依赖增加TCO薄膜厚度的方法来降低面电阻,必须要切实减小TCO薄膜的电阻率。在有些彩色平板显示器中,透明电极需要沉积在不能承受高温的基底材料上,因此要求在基底温度较低的情况下沉积1℃O薄膜。Inz03:Sn(ITo)的电阻率很低,较薄的膜就可以获得相当低的面电阻;而且ITO又较容易蚀Ntl61,故可以较容易制备出边界光滑的精密图形;另外,ITO可以在较低温度的基底上制备出质量较好的薄膜;因此,IT0一直是平板显示器中使用的TCO薄膜电极的首选材料,本文将其作为主体薄膜材料。2.1.3TCO薄膜的发展现状近几十年来,人们已经研究了很多种材料的TCO薄膜。根据衬底材料不同来划分,目前TC0薄膜主要有硬质和柔性两种TC0薄膜。硬质TC0薄膜主要为玻璃基的,人们已经研究出了Sn%In籼.Sn02-In:03,Zn0,Cd:Sn0+等多种玻璃基的TC0薄膜,近年来逐渐集中在以ITo,Zn0:M及锡酸镉、锡酸锌等多元复合材料为主,这是因为IT0是透明导电材料中光电性能较为优越的材料之一,而Zn0:A1的优势是价格低廉、性质稳定。淀积工艺主要以各种蒸发、溅射及CVD为主。如M.A.Martinez等人“”1995年报导用射频磁控溅射法制备的ITO膜在可见光范围内的透过率为80-90%,方块电阻为5-159I/0,电阻率约为10“o?cm;吴选之等人用射频磁控溅射技术制备出锡酸镉、锡酸锌透明导电膜,用作高稳定性太阳电池的缓冲层“”;T.Minami等人“”1996年用常压CVD制备的ZnO-In20。二元复合膜在可见光范围内的透过率为85%,电阻率4xi0"4Q?am;T.Minami和H.Nanto等人㈨用磁控溅射法在25012左右的衬底温度条件下,以7059玻璃为衬底制备出电阻率为2.7x10-4Q?cm的ZnO:hl膜;H.L.Ma和D.H.Zhang。o用反应蒸发法在7059玻璃上制备的ITO膜的电阻率为1.12X10“Q?cm,透率为95%。总之,在硬质衬底上制备TCO膜己达到了相当高的应用水平。继玻璃衬底透明导电膜得到广泛应用之后,为了满足有机光电器件发展的需要,国际上对有机衬底透明导电膜研究给予了高度重视,取得了令人鼓舞的研究成果。与硬质衬底透明导电膜相比,有机柔性基片(FlexibleSubstrate,如聚丙烯、聚酯薄膜等)透明导电膜不但具有玻璃基片透明导电膜的光电特性,并且有许多独特优点,例如可绕曲、重量轻、不易破碎、易于大面积生产、便于运输等。有机衬底透明导电薄膜可广泛应用于制造液晶显示器,大面积异质结薄膜太阳电池等。美国等发达国家己率先用柔性衬底研制并生产出塑料液晶显示器,且已获得多种应用。薄膜太阳电池的研究正朝着大面积、高效率、低成本方向发展,而有机衬底的透明导电膜正是为了满足这一发展趋势。利用有机衬底透明导电膜开发的新一代太阳电池,可以从根本上解决玻璃衬底易碎的问题,利用其可卷曲特性,可制作出各类便于携带的直流电源。利用其重量功率比较小的特点,可建立空间电站,制作太阳能汽车等。此外柔性衬底的透明导电膜还可用作大面积透明电磁屏蔽、柔性光电器件及触敏覆盖层等,利用其在红外区的高反射率还可作为透明隔热保温材料用于塑料大棚、汽车玻璃和民用建筑玻璃贴膜等。但是,有机衬底的特点就是耐温性能差,这给薄膜的制备带来一定的困难。因为淀积材料的附着和晶化一般需300℃以上的温度,而且在一定的范围内,衬底温度越高薄膜的光电性能越好。衬底温度过低,即使能成膜其导电性和可见光区透射率往往都不太理想。为了解决低温条件下TCO薄膜难制备的问题,人们不断改进柔性薄膜制备技术,已有一些关于在较低衬底温度下淀积柔性TCO薄膜的报导,E.Fortunato等人…在polyester(MylartypeD)衬底上采用磁控溅射法制备出ZAO膜,获得在可见光区域内透射率为83%,电阻率为3.6×1010.cm的AZO薄膜。另外,E.Fortunato嘲等用射频磁控溅射法,在柔性衬底上室温沉积ZnO:Ga20,(简称GZO)薄膜,他们首先做了基片的钝化处理,即用电子喷枪喷涂约lOOnm厚SiO:膜,最后得到的ZnO:Ga203膜特别均匀。由于ITO可以在较低温度的基底上制备出质量较好的薄膜,对于柔性ITO薄膜的研究成为热点。扎Buchanan等人㈨分别以玻璃和聚酯薄膜为衬底制备出电阻率为4×10“Q?cm的ITO透明导电膜;Fan洲等利用离子束溅射方法在Mylar薄膜衬底上制各得到性能良好的ITO膜,其电阻率约为5.5X10。Q?cm。透过率超过了80%,红外反射率达到了84%。然而在柔性衬底上生长ITO薄膜时,会出现薄膜与衬底结合差的问题。Chiou等人嘲采用RIE(反应离子刻蚀)的方法将聚丙烯(acrylic)衬底进行刻蚀提高其粗糙程度,增加了有机材料对薄膜的附着程度,RIE方法是将Acrylic表面腐蚀形成空洞(cavities)以利于机械连锁(mechanicalinterlocking)。经过功率25W的CF,/02气体25min刻蚀的柔性衬底,其r.m.s.粗糙度从22.3nm变化到30.1nm,附着力可以提高到5倍,但是薄膜的透过率会有所降低。其性能略差于玻璃衬底的薄膜。综上所述,柔性ITO薄膜与硬质ITO薄膜相比还是有一定差距,研究开发光电性能优良的柔性ITO薄膜具有非常实际的意义。基于此,我们开展了对柔性ITO薄膜的研究,增加了扩散阻挡层来改善薄膜同衬底的附着力,为了提高薄膜的电导率,创新地提出了在柔性衬底上沉积三明治结构(ITO/,Ig/ITO)的膜系,并采用提高氧的活性的办法来改善ITO薄膜的光电性能。在实验研究过程中,要改善ITO薄膜的光电性能,首先必须对其透明导电机制有所了解,下面将对ITO薄膜的光电特性进行分析.2.2ITO薄膜的特性分析ITO薄膜是一种既透明又导电的半导体材料,电导率和可见光区的透射率是描述ITO薄膜光电性能的两个重要指标。因此,我们先从半导体物理学出发,来简单介绍11D薄膜导电透光的机制。2.2.1电学性能ITO薄膜是In203基薄膜中研究和应用最多的,也是TCO薄膜中研究和应用最为广泛的。ITO薄膜是一种重掺杂、高简并的11型半导体材料,其导电能力主要由自由载流子浓度和载流子迁移率确定,电导率与载流子浓度和载流子迁移率都成正比关系,如式(2.1)所示:盯=nq/a,+pq/zp(2-1)式中盯代表电导率,以,心分别代表电子和空穴迁移率,n,p分别代表电子和空穴浓度,q代表电荷。因此,可以从TCO薄膜的载流子浓度和迁移率这两方面来分析TCO薄膜的电学性能。2.2。1.1载流子浓度ITO薄膜的基材料――In203的禁带宽度大于3Ev,在未掺杂且符合化学配比的理想情况下,由原子外层电子形成的能带是充满的,导带是空的,Fermi能级处于禁带之中。在室温下,价带中的电子无法通过热激发而越过较宽的禁带,只要外加电场不是特别强,理论上应该没有可以自由移动的载流子存在,因此表现为透明的绝缘体。但是,本征氧化铟锡在受热或真空环境下会失去部分氧,在晶格中原氧离子处形成空位,原被氧离子占有的两个电子被弱束缚在空位周围,室温就可以给它提供足够的能量使之脱离束缚而在晶体中自由运动,成为能够在晶格中自由运动的载流子。而氧空位表现为如同带有两个正电荷,如式(2.2)所示,式中V表示空位,下标O表示处于晶格中的氧离子位置,上标?和一分别表示正、负有效电荷【26】。这些金属氧化物由于化学失配而导致晶格中出现了导电电子,因此成为n型半导体材料[271。显然,载流子浓度是由氧空位浓度来确定的,载流子浓度最高可以达到氧空位浓度的两倍:然而,氧空位是一种晶格缺陷,对电子是有散射作用的,如果浓度过高,还会引起晶格结构畸变,严重影响载流子的迁移率;而且,它不是一种稳定结构,在有氧气氛中可以重新获得氧而减小载流子浓度[28,29]。1Oo铮Z,02(g)+Vo。+2e“(2?2)浙江大学硕士学位论文Cavendish实验室的BelliIlgll锄JR等人对氧空位的测量表明,ITO薄膜中对自由载流子有贡献的氧空位只占氧空位总数的10%以内口o】。这说明,ITO薄膜中氧空位对自由载流子的贡献可能存在一个严重的低电活性问题。2。2.'.2载流子迁移率在完整晶体中,电子是在周期性势场中运动,不存在产生阻力的微观结构。但在实际的材料中,晶体中的杂质、缺陷、晶粒间的乔面等结构上的不完整性,以及由于晶体原子的热振动而离开平衡位置等原因都会导致偏离周期性势场。这种偏离使电子波遭受散射,限制了载流子的漂移速度。载流子迁移率以就是这种限制的体现,它等于单位电荷e与弛豫时间f(指发生两次散射之间的平均间隔时间)的乘积再除以自由载流子的有效质量m?,如式(2-3)所示:∥c=以;盯(2-3)-T有效质量m,与电子质量不同,它计入了周期性势场对电子的影响。在外力作用下电子与晶格发生作用,能带底部的电子从外界获得的动量大于电子交给晶格的动量,其有效质量大于0;能带顶部的电子从外界获得的动量小于电子交给晶格的动量,其有效质量小于0。在ITO薄膜中,m?即为导带中电子的有效质量。驰豫时间f与温度、杂质浓度、缺陷密度、晶粒尺度都有关系。杂质、缺陷和晶界越少,则驰豫时间就越长。因此,若要提高载流子迁移率,需要设法减少材料中的杂质和缺陷数量,改善晶体的完整性【3”。在ITO薄膜中往往同时存在不只一种散射机制,载流子迁移率以由各种散射机制对载流子迁移率的贡献共同确定,如式(2-4)所示:,去=芋∑丢=莩上,uke―fk了心cz4,下面分别分析ITO薄膜中存在的对载流子迁移率可能有影响的几种散射机制。一、声子散射包含各类专业文献、高等教育、文学作品欣赏、应用写作文书、中学教育、生活休闲娱乐、各类资格考试、柔性ITO透明导电薄膜的研究94等内容。 
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