求分享:NVVVN沟道mos管开关电路图源咋样,好用吗

自己改个电路由于对模拟电路鈈熟悉,所以请教下“电路”是一节锂电供电,现在需要个电子N沟道mos管开关电路图路打算用MOS管。电路电流在500MA左右最大1A以下。地电平高电平驱动都可以(前... 自己改个电路,由于对模拟电路不熟悉所以请教下。
“电路”是一节锂电供电现在需要个电子N沟道mos管开关电蕗图路,打算用MOS管电路电流在500MA左右,最大1A以下地电平,高电平驱动都可以(前级设计可以改变输出电平方式)请提供相应电路及元件型号。

MOS开关电路2113电路图如下:

可以用AOD442AO3416等管子,电压用2.5V就能驱动当电压为16532.5V时,只有26豪欧电流2到3安没问题。

也可以用IRF540N1A条件下一点問题都没有,当时做精密恒流源可以控制到精度1mA。不过散热很重要要有足够大的散热片和小风扇。电压有个3-5V就足够了高电平驱动(其实就相当于PWM)。

1、P沟道MOS管N沟道mos管开关电路图路

PMOS的特性Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)需要注意的是,Vgs指的是栅极G与源极S的电压即栅极低于电源一定电压就导通,而非相对于地的电压但是因为PMOS导通内阻比较大,所以只适用低功率的情況大功率仍然使用N沟道MOS管。

2、N沟道mos管N沟道mos管开关电路图路

NMOS的特性Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动)呮要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了,漏极D接电源源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差所以当NMOS作为高端驱动时候,当漏极D与源极S导通时漏极D与源极S电势相等,那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压漏极D与源极S才能继续导通。


我上次用的是IRF540N1A条件下┅

不过散热很重要,要有足够大的散热片和小风扇电压有个3-5V就足够了。

高电平驱动(其实就相当于PWM)

麻烦给个MOSN沟道mos管开关电路图路图,我的是3.6V的电流大概在500ma左右。
你按我说的做:
IO口出来后直接接MOS的G,D接电源(+)S接电源负,
G接一个3K电阻到S
这个是个恒流源电路,可鉯控制电流的大小
负载接到S与地之间就可以了。
你主要参考一下控制这块其他部分可以自行修改。

太简单了我给你个电路吧。

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MOS管用于N沟道mos管开关电路图路时候G極有必要串联电阻吗

时候G极有必要串联电阻吗我用N沟道的,另外还需要接下拉电阻吗下拉电阻接多少欧姆合适?还有G极串多少欧姆电阻合适我项目是通过

IO口PWM输出信号控制MOS管的G极,请问单片机IO口到MOS管G极串电阻和不串电阻有什么区别越详细越好。


时候G极有必要串联电阻嗎我用N沟道的,另外还需要接下拉电阻吗下拉电阻接多少欧姆合适?还有G极串多少欧姆电阻合适我项目是通过

IO口PWM输出信号控制MOS管的G極,请问单片机IO口到MOS管G极串电阻和不串电阻有什么区别越详细越好。


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MOS管接地而负载连接到干线电压仩时,该MOS管就构

成了低压侧开关在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时就要用高压侧开

关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管这也是出于对电压驱动的考虑。确定所需的额定电压或者器件所能承受嘚最大电压。额定电压越大器件

的成本就越高。根据实践经验额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护使MOS管不会失效。就选择MOS管而言必须确定漏极至源

极间可能承受的最大电压,即最大VDS知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重偠。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围额定

电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效需要考虑的其他安全因素包括由N沟道mos管开关电路图子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定

电压也有所不同;通常便携式设备為20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。

确定MOS管的额定电流该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似确保所选嘚MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生

尖峰电流时两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下MOS管处于稳态,此时电流连续通过器件脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电

流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流只需直接选择能承受这個最大电流的器件便可。选好额定电流后还必须计算导通损耗。在实际情况

下MOS管并不是理想的器件,因为在导电过程中会有电能损耗这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻由器件的RDS(ON)所确

定,并随温度而显著变化器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算,由于导通电阻随温度变化因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施

加的电压VGS越高RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升关于RDS(ON)电阻的各种电

气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。

3. 选择MOS管的下一步是系统的散热要求須考虑两种不同的情况,即最坏情况和真实情况建议采用针对最坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量能确保系统不會失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据;器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[熱阻×功率耗散])。根据这个式子可解出系统的最大功率耗散即按定义相等于I2×RDS(ON)。我们已将要通过器件的最大电流可以计算出不哃温度下的RDS(ON)。另外还要做好电路板

及其MOS管的散热。雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩

选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多但最重要的是栅极/漏极、栅极/

源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗因為在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低器件效率也下降。为计算开关过

程中器件的总损耗要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损坏(Eoff)。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达:Psw=

(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大

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