> 学模电第一步
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# 第一章 半导体器件
半导体介于导体与绝缘体之间
半导体-硅（si），锗（Ge）四价元素
3.饱和漏极电流$I_{DSS}$：对于结型场效应管，在$U_{GS}$=0v的情况下产生预夹断时的漏极电流
4.直流输入电阻$R_{GS(DC)}$:等于栅源电压与栅极电流之比
2.极间电容：场效应管的三个极之间均存在极间电容。
1.朂大漏极电流$I_{DM}$:$I_{DM}$是管子正常工作时漏极电流的上限值
2.击穿电压：管子进入恒流区，使$i_D$骤然增大的$U_{DS}$称为漏源击穿电压$U_{(BR)DS}$