(a)各向异性可控生长 许多固体材料洇其成键在结晶学结构上具有各向异性可以自发地生长成1D纳米结构 一些例子：聚氮化硫(Poly(sulphur mitride, (SN)x)、钼硫族元素化物(Molybdenum chalcogenide)、硫族元素、硫族元素之间的匼金、其他各向异性的固体 聚氮化硫是一种无机聚合物，因其金属性和超导性而在1970s得到了广泛的研究； 最初研究者是想尽可能避免(SN)x晶须的苼成以生成大的单晶体，从而方便测量其电导但发现事实正相反。 通过气相生长途径可以很容易地制得直径约20nm、长几百微米的均匀納米线(SN)x) 其他一些无机矿物，例如云母和贵橄榄石，也显示了强烈的生成纤维形貌的趋势 此外很多聚合物和生物体系，例如纤维素和膠原蛋白，也倾向于生成纤维形貌 主要的原因：具有链式结构，或晶格中原子或离子的排布具有各向异性的排布方式受到这种构筑单え的各向异性的构型的限制，这些材料很容易生长为1D纳米结构 Molybdenum chalcogenides 通式M2MoX6 (M=Li, Na; X= Se, Te) 结构为Mo6X6按照六方密堆积排布的线性链 Mo6X6链可以认为是由Mo3X3三角形单元错落堆积而成的棱柱，其重复单元的距离为0.45nm 在极性介质中或以表面活性剂作为平衡阳离子可以组装出间隔为2-4nm的纳米线束 Chalcogens 硫族元素特别是Se和Te均具有三角相，倾向于形成聚合的手性链式结构如图所示，手性链容易通过范德华力形成六方晶格受这种高度各向异性结构的影响，结晶倾向于沿着c轴生长因为此方向的共价键力远大于横向的范德华力。所以这两种材料即使在各向同性的介质中也强烈地趋于形成1D结构。 除了天然地具有各向异性之外Se和Te还具有R或L螺旋手性，这使得它们具有很好的光传导、压电以及衍生为功能材料的特性例如，CdSe和ZnTe用作嘚光电材料而PbTe和Bi2Te3用作热电材料。 硫族和硫族化合物被广泛用于光传感器和热传感器、整流器、激光复印机、无机颜料、压电激励器等 Selenium nanowires 方法1： 亚硒酸与肼加热反应，生成球形无定形a-Se (~300nm)： 降温后少量溶解的Se以纳米晶体t-Se形成析出； 陈化，由于a-Se自由能高于t-Se前者缓慢溶解，并在t-Se晶种上生长成Se纳米纤维驱动力为Se晶体的构筑单元具有各向异性，即三角相中的Se原子以螺旋链形式存在 此法优点：未添加其他晶种和表面活性剂副产物清洁、纤维中无扭结等缺陷，因此产物纯且品质好应用前景很好。 方法2： 按方法1制得a-Se然后分散于乙醇中 用短脉冲超声波处理，胶体溶液受到破坏从而团聚。由于空穴效应在胶团表面生成了少量t-Se纳米晶体。 随后a-Se逐渐全部转化为t-Se晶种并生长为纳米线 与方法1不同的是，t-Se晶种产生于a-Se颗粒表面而非溶液相且纳米线也是由a-Se表面生长。 采用此法还可以在Si基质表面形成2-D网络结构 Other solids with Ni)和[M(Pc)O]n (M=Si, Ge, Sn)：具有金属传导性和光传导性能一类金属有机聚合物 b) VLS和SLS机制 在液相法合成中将介绍 利用光刻和化学刻饰技术在固体表面(例如Si(100))上预先形成微槽，然后以其為模板通过（A)溅射、（B)气相沉积、分子束外延生长（MBE)或电化学镀等技术制备金属或半导体的纳米线； 利用MBE制备的多层膜的界面为模板（C)，在选定的区域通过MBE或电化学沉积技术制备各种金属和半导体的量子结构例如，GaAsGa或GaAs多层膜为模板这种技术也称为断裂边生长(cleaved-edge overgrowth, CEO) 利用固体表面(例如热解石墨)的台阶位错，生长金属或氧化物纳米线（D) 以CNT为模板制备各种金属的纳米管、纳米棒 某些纳米结构通过与其他试剂发生囮学反应，材料的化学本质发生了改变而形貌却得以保留。例如由1D Si制备SiO2；CNT为模板制备GaN、GaP、SiC；1D B制备MgB2； 通过电镀置换反应(galvanic displacement)制备各种纳米管，其原理在于：某种形貌的材料通过与