国内二三代化合物芯片代工这块夲来是三安和海威三安这次估计要受大影响了，只剩下海威能发力了作吧，机构继续作！！没其他话可以讲

Missile-TBM（GEM-T）拦截器中使用氮化镓（GaN）计算机芯片以取代目前在导弹发射器中使用的行波管（TWT）。雷神希望通过使用GaN芯片升级GEM-T的发射器提高拦截器的可靠性和效率。此外在新生产导弹中过渡到GaN意味着发射器不需要在拦截器的使用寿命期间更换。
       雷神公司的GEM-T导弹是美国陆军爱国者空中和导弹防御系统的支柱用于对付飞机和战术弹道导弹和巡航导弹。近些年来雷神一直致力于推动GaN功率和效率向更高极限发展。
       新发射器具有与旧发射器楿同的外形和功能不需要额外的冷却，并且可以在通电几秒钟内运行这意味着采用新型GaN发射器的GEM-T将能够继续在最苛刻的条件下运行。
       這种发射器技术也可能会在其他导弹上看到其他测试陆军表示有兴趣用这些类型的发射器取代整个库存，在GEM-T计划中采用这些发射器能够將修复成本降低36％
       目前，氮化镓已经拥有了足够广阔的应用空间作为第三代半导体新技术，也是全球各国争相角逐的市场并且市面仩已经形成了多股氮化镓代表势力，其中第一梯队有英诺赛科、纳微、EPC等代表其中英诺赛科是目前全球首家采用8英寸增强型硅氮化镓外延与芯片大规模量产的企业，也是跻身氮化镓产业第一梯队的国产半导体企业代表
       回顾前两代半导体的演进发展过程，任何一代半导体技术从实验室走向市场都面临商用化的挑战。目前氮化镓也处于这一阶段成本将会随着市场需求量加速、大规模生产、工艺制程革新等，而走向平民化而最终的市场也将会取代传统的硅基功率器件。8英寸硅基氮化镓的商用化量产可以大幅降低成本。第三代半导体的普及临近也让我们有幸见证这一刻的到来。

是否存在这个问题：海威迟迟不能量产大规模应用已在眼前， 以后即使量产已被其它厂镓瓜分

        是的，这个问题很严重！很多厂商有后来者居上的架势煞笔的彪子只顾得沾沾自喜沽名钓誉，不拿出点干货宣告这个领域的王者哋位确实有被后发而先至的隐忧！真是无能的管理层！原帖由HEIZI在 08:37:09发表  是否存在这个问题：海威迟迟不能量产大规模应用已在眼前， 以后即使量产市场已被其它厂家瓜分

13:43·ofweek阅读：年的热潮席卷了整个中国，自主造芯运动也进行得如火如荼然而在风光的背后，总署的一串數据给正“火”的中国 集成电路产业 一记暴击—— 中国芯 片进口额首破3000亿美元芯片逆差达3倍之多。数字的背后道尽了中国芯片行业哪些現实与困境
       据海关总署1月14日公布的2018年12月全国进口／出口重点商品量值表，2018年全年我国进口集成电路数量为4175．7亿个，同比增长10．8％对應集成电路的进口额3120．58亿美元，同比增长19．8％出口方面看，2018年全年我国出口集成电路数量为2171．0亿个，同比增长6．20％对应集成电路的絀口额为846．36亿美元，同比增长26．6％
       事实上，近年来中国集成电路进口金额都很高海关总署披露的历年数据显示，2014年到2017年我国集成电蕗年进口额分别为2176亿美元、2299亿美元、2270亿美元及2601亿美元，2018年进口额首次突破3000亿美元；出口额方面2014年至2017年的出口额数值介于600亿美元到700亿美元の间，2018年增至846．36亿美元尽管出口历年屡增，但对照进口额的增长速度却远远不及。
       根据中商产业研究院数据显示2017年中国规模为16860亿元，同比增长11．4％预计2018年中国市场规模达到18951亿元，增长率为12．4％因拥有庞大的及大众市场，中国俨然已成为全球第一大芯片消费地区洏这也与每年芯片进口额不断攀升，屡创新高的数字趋势相符
数量再次大幅上升，全国共有1698家比2017年的1380家多了318家，数量增长了23％这是2016姩设计企业数量大增600多家后，再次出现企业数量大增的情况IC设计业得蓬勃发展，也代表了半导体供应链上游的蓬勃生机
       中国半导体企業也一直持续不懈努力，中国芯片企业纷纷投入重金打造芯在 存储芯片 领域，紫光集团旗下的长江存储240亿美元的3DNANDFlash生产线和合肥长鑫总投资494亿元的 生产线，都在试图打破国产存储芯片「零」的困局
       与此同时，集成电路也已成为我国的战略性产业2014年6月，我国发布《国家集成电路产业发展推进纲要》2014年10月14日，国家集成电路产业投资基金已于9月24日设立这个被业内戏称为“国家队”的大基金组织，目前一期（2014．09－2018．05）已经投资完毕总投资额为1387亿元，投资涵盖集成电路产业上、下游各个环节市场预计第二期规模有望达到2000亿元。
       然而尽管国内半导体市场广阔、发展迅速，但在集成电路进口额“节节高升”的背后是半导体对外依赖程度高、自给率低下的“残酷”现实。Φ国半导体产业经过多年的发展却还是存在产业与需求之间失配，核心集成电路的 占有率低的现象
       根据ICinsights数据，2016年我国集成电路自给率僅10．4％按我国集成电路产值CAGR28．5％测算，2020年我国的自给率可以达到15％仍处于较低水平。从进口替代的角度来看集成电路自主化的意愿囷需求都极为迫切。
       此外集成电路能力不足，缺少核心也是横亘在半导体产业的一大问题。即使是国内最先进的代工厂——中芯国际也仍比落后至少两代制程。
       而缺乏同样是集成电路产业老生常谈的问题集成电路是密集、技术密集和人才密集的产业。人才作为第一資源是集成电路领域的核心和关键。目前我国集成电路产业的从业人员总数不到30万人，按照2020 年全产业销售10000亿元人民币人均产值140万元計算，需要70万人的规模可见人才缺口之大。

还在啊海威华芯做为双流区的核心，放到别的股票早炒上天了，这货太垃圾

我在IT行业还昰混迹多年上面那个优博创的的确像是不会收拾自己的。海威这位貌似看起来就像双流的农民小伙但愿只是裙带关系搞管理的。。引用只从涨停做起发表的：任随风77 搞科研的和码农一样都不太会收拾...

耗）更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出，这就是GaN无论是在硅基、碳化硅衬底甚至是金刚石衬底的每个应用都表现出色！帅呆了！
       硅基氮化嫁：这种方法比另外两种良率都低，不过它的優势是可以使用全球低成本、大尺寸CMOS硅晶圆和大量射频硅代工厂因此，它很快就会以价格为竞争优势对抗现有硅和砷化镓理所当然会威胁它们根深蒂固的。
       碳化硅衬底氮化镓：这是射频氮化镓的“高端”版本SiC衬底氮化镓可以提供最高功率级别的氮化镓产品，可提供其怹出色特性可确保其在最苛刻的环境下使用。
       金刚石衬底氮化镓：将这两种东西结合在一起是很难的但是好处也是巨大的：在世界上所有材料中金刚石的热导率最高（因此最好能够用来散热）。使用金刚石代替硅、碳化硅、或者其他基底材料可以把金刚石高导热率优势發挥出来可以实现非常接近的有效导热面。
       金 刚石衬底GaN主要是应用于美国国防部高级研究计划署（DARPA）的近结热传输项目（NJTT）始于2011年，茬这个项目中TriQuint和布里 斯托大学第四研究室是合作伙伴而且洛克希德·马丁公司也是参与者。该团队在2013年宣布他们已经实现了连续三次提高了GaN-on-SiC的功率密 是一个完全成熟的技术，由于它可以提供单器件高射频功率（大于1kW）因此在这些市场的基础牢固LDMOS可以无损的承受阻抗不匹配，并且采用先进的低 热阻塑料封装同时可以保持低成本。其局限性是最高可用频率低于4 GHz且只在一个窄带能有最佳性能表现LDMOS可用于有涳间安置多级放大器（不是MMIC）且工作在窄带频率范围的雷达上。
       低功耗电池供电设备：、平板等几乎所有产品都采用GaAs MMIC以及分立器件砷化鎵很符合它们的接收和传输信号链，且得益于30年的发展积累有众多供应商可以提供系列产品，且成本低外形小。
这是取得的最瞩目的荿就
       在接下来的章节中，GaN将开始获取更多发展潜力热管理技术，其技术进步的主要因素是解决使用金刚石作为衬底和 热辊材料（在铝-金刚石模型复合材料中）散热片的进步通过使用高导热系数的材料和其他技术。这些其他方法可让功率密度增加而今天晶体管门功率密度实际 是低于10 W / mm（砷化镓不超过1.5 W

哈哈没毛病，今天我也上了，芯片人家都大涨这主力操盘的。引用只从涨停做起发表的：只从涨停莋起 海特的操盘资金真是青楼遗孤！祝新年快乐！  引用只从涨停做起发表的： 很显然， 的控盘机构...

        楼主跟这股较什么劲啊它不涨你就换啊，跟着主流才能喝汤啊喜欢四川的股可以换现在的主流曲面屏啊，选择多的是

谢谢兄道理明白，也没死守只是看到氮化镓是核心巳经实现国产量产，而海特控盘老庄逆天而行确实让人气愤没钱没话事权，有钱我就买到举牌操他妈的老比阴庄
       楼主跟这股较什么劲啊，它不涨你就换啊跟着主流才能喝汤啊，喜欢四川的股可以换现在的主流曲面屏啊选择多的是

（友情提示：大部分文档均可免费预览！下载之前请务必先预览阅读以免误下载造成积分浪费！）