这两層在制造上的先后顺序是怎样的DIFF层扩散的是什么东西呢？

这样理解对不对：DIFF只是定义了有源区的范围而NIMP定义了n+离子注入的范围，这
个范围肯定是要比DIFF定义的大而DIFF并没有说要扩散什么东西。

附件中第一页给出了butting contact的一个例子第二页中的layout我认为是错误的。

我把DIFF层连在一起之后这个错误消失，也就是这时才真正形成butting contact因此

但是我不是很明白你说的“DIFF连在一起”是什么意思，我画layout是没有DIFF這一层的只有N+和P+，DIFF是这两层运算得来的还是不太明白你的问题是什么。

S接到地的源的contact（打在n+上）和接衬底的contact（打在p+上）紧挨在一起這样
横向寄生NPN管的基极和发射极间的电阻变得很小。

我指的DIFF层在附件中是指红色的那一层工艺是TSMC.18um。

可能你的工艺套件层定义的不一样N+矗接就表示了n+ implant 加上diffusion了。而

but just仅；只得唯此而已

but few只有几个，鈈多几个

but good[美国口语]彻底地完全；狠狠地；有力地；毫无疑问

but and[古苏格兰英语]另外，而且也