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图腾柱驱动电路你了解多少
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初级Geek, 积分 754, 距离下一级还需 47 积分
图腾大多和生殖器有关，图腾柱驱动的原理是由阴阳2管做推挽（或者叫灌拉)运动，类似于床上运动故以得名....图腾柱驱动电路，实际上是一个电流放大电路，一般用于驱动MOS管或IGBT管，提供足够的灌电流和拉电流。
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---------- 来源：百度文库好吧，别太水了今天对手上两对对管进行了仿真测试，只是仿真而已，因为没有示波器嘛。
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首先是2n2222 和2n2907 这对管跟差不多，话说我买不到
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信号源输出60KHz，占空比0.45的信号通过限流电阻送到图腾的b极，那个10R电阻是抑制振铃的，仿真中可以去掉，但是实际中不行，因为走线电感会和结电容谐振。那个快恢复二极管是用了结电容放电时短路10R电阻的，加速放电。
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上升沿397ns 下降沿338ns看起来不错，但是这对管电流不够。。。那我们试试大功率的TIP41 TIP42，这对管子能过6A，非常变态的驱动。仍然是图腾接法。
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上升沿到了656ns，非常缓慢，下降沿399ns。为什么会这样呢？这就涉及到hFE（DC Current Gain 直流电流增益）的问题了，TIP4142的hFE只有40-70,而2n2222却是75-300，差距出来了吧。那怎么解决呢？我决定使用2级图腾，2n负责放大 ，TIP4142负责推动。
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哈哈，上升395ns，下降308ns，完美解决了！下降沿还是有点慢，想办法调调应该能降到100ns。
本帖被以下淘专辑推荐:
& |主题: 40, 订阅: 11
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预测此贴必定无人问津
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大白兔奶糖 发表于
预测此贴必定无人问津
大家都不注重理论啊。。。出来问题就使劲问还是解决不了，不过也有几个好学的，我是写给好学的人看的
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话说我买得到，买不到
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感觉很深奥
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b772和b882是不是可以做图腾
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好吧，美佬太开放了
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楼主想表达什么？
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我理解图腾，不了解图腾驱动电路
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不懂的路过。。。。
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不了解的路过。
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图腾柱就是上下各一个三极管，上管为NPN，c极(集电极)接正电源，下管为PNP，c极(集电极)接地。两个b极(基极)接一起，接输入，上管和下管的e极(发射极)接到一起，接输出，像一个“图腾柱”。用同一信号驱动两个b极。驱动信号为高时，NPN导通；信号为低时，PNP导通。利用两个晶体管构成推挽输出。 用来匹配电压，或者提高IO口的驱动能力。& && & 有点吗，明白了
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我嘞个去，太高能了，咱这种纯洁的好孩子实在受不了
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丝带姬﹌走你 发表于
我嘞个去，太高能了，咱这种纯洁的好孩子实在受不了
开篇图·······
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无语·兄 发表于
开篇图·······
太丧失了，看到这我瞬间脸红
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小关 发表于
b772和b882是不是可以做图腾
可以，这对管子非常好
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只要结果不要过程
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感觉很深奥
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哦！！差不多明白了，是不是推动管子的时候，上面的三极管导通，放大电流；关闭的时候，下面的管子导通，给结电容放电，加速关断！是不是这样？？
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是不是配对管就行？（不考虑参数的前提下）例如c1815和H945
All Rights Reserved图腾柱驱动电路参数设置的一些想法
一直比较纠结驱动电路中参数设置的问题，在网上也看到不少，感觉没有看到自己想要的那个点，结合了部分论坛的资料，自己推导了一种图腾柱驱动电路参数的具体计算方法，从中午搬砖到现在~~~~
就驱动电路而言，主要是驱动功率晶体管和功率MOS管，以达到放大信号或者是增大功率的目的。
驱动电路包含很多种，而作为图腾柱式的驱动电路常常出现在IC芯片结构中，其主要应用于驱动功率MOS管，亦或是由MOS管与BJT管共同构成的IGBT管。
一种简单的图腾柱电路：
图中的VCC是指驱动电压，其大小只要满足大于等于被驱动MOS管的VGS即可；
而关于驱动电流Ic，则关系到很多。
首先，Ic的大小影响MOS管导通与关断的速度，即影响工作的频率，因为导通的过程实际就是给Cgs充电的过程，关断亦然，Ic越大，导通越快，但充电过快，di/dt很大，可能导致误导通。Ic越小，关断越慢，产生的功耗也越大。Ic=VCC/Rg，可见主要由Rg决定
其次，设计工作中的Ic大小，直接影响构成图腾柱电路中NPN与PNP管的选型，要求它们管子中的重复导通电流的峰值必须大于Ic=VCC/Rg。
最后，Ic电流大小，驱动电流代表着驱动能力的大小，实际计算公式，与被驱的MOS参数直接对应。计算方法如下：
&&&&&&&&&&
实际上表述的是一个上升时间tr或下降时间tdown内充满或释放Cg中的电荷Qg所满足的特性。
&&&&&&&&&&
Ic=CgdU/dT=Qg/tr，以下是考察IRF3205的情况，可见同样是在VGS=10V下，
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&
Ic=146nC/115ns=1.26A(注意是在VGS=10V下)
&&&&&&&&&&&&
可见先设置好了Ic，根据它的条件VGS值，可以确定VCC，接着可以确定Rg，最后可以确定NPN和PNP管的选型。
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加湿器工作原理与电路介绍（共19页pdf下载）附电路原理图
此文档为加湿器方案介绍，附电路图
雾化片工作原理
实孔雾化片本身是一个陶瓷片，表面采用玻璃釉面精制成，利用高频振动超声原理把水瞬间分解成细小的水珠状，再由本身雾化器产品喷出来。一般用于功率较大产品，例如家庭盆栽、加湿器、香薰机等产品。微孔雾化片是由压电功能的陶瓷片以及金属膜来组合而成，金属膜有微孔区域，一般是用激光穿孔而成，所以成本会比实孔的贵。工作时由海绵吸棒把水吸上来，再由雾化片中间细孔喷出，因细孔被堵住则无法再喷出雾气，所以对水质要求较高。其功率较小，一般用于医疗雾化器、车载喷雾器、手持美容喷雾器等产品。
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雾化器传统方案
工作原理：传统分离式元件方案的振荡电路基本都是如上图所示，方案一中干簧管用于检测水位（有些方案用探针检测），两个LED灯分别指示工作状态和缺水状态，风扇用于将雾吹出，R4电位器用于调节功率。振荡电路由功率三极管和外围电容电感组成三点式振荡电路，因换能器本身可以看作是一个固有频率的晶振，它通过耦合电容加跨接在振荡管基极和电源之间。换能器受振荡电路激励后产生振荡，这个振荡信号又通过耦合电容反馈到振荡管基极，使振荡电路谐振在雾化片的固有频率，振荡幅度峰峰值约50V-80V，电压越高雾化量越大（在雾化片本身耐压内）。通过调节电位器改变三极管基级电流（电压）来改变雾化片两端的电压，从而改变功率及雾化量。
优缺点：功率三极管工作于放大态，发热严重，需要加一个比较大的散热片，干簧管和探针成本高（人工及本身成本），如果需要其他功能则需要再加对应IO型或者触摸型单片机。
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实孔雾化器新方案
12V-2.4M香薰机方案控制及相关检测部分说明：
（1）、MOS管驱动采用图腾柱电路驱动，在MOS管的D端增加了一个RCD吸收电路，升压后的电压通过一个电容耦合到雾化片一端。
（2）雾化片一端接MOS管S端，S端串接采样电阻采样电流Icur，另一端通过滤波电路检测电压FB来追频，以1.7M雾化片为例，将扫频范围限制在1.85M-1.55M，频率从高往低变化，可以得出FB的电压变化以及Icur的电流变化（雾化片不同波形会有所不同），其中FB检测是在PFG关闭时检测，误差较小，而Icur检测是在PFG开启时检测，误差较大。
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Powered by哪位高手能具体讲一下图腾柱驱动电路的工作原理？
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kolan离线LV3助理工程师积分：268|主题：3|帖子：5积分:268LV3助理工程师 11:13:12
网上的答案五花八门，请教了
|greendot离线LV10总工程师积分：20055|主题：0|帖子：5970积分:20055LV10总工程师 12:46:39&不就是OUT高位时，上三极管导通，下三极管关断，Rgate接上Vdrv，MOS开通，
OUT低位时，反过来，Rgate接地，MOS关断。 ||浪鑫离线LV2本网技师积分：139|主题：7|帖子：14积分:139LV2本网技师 11:23:50倒数10&请问下，如果不加基极和集电极的两个电阻，电路能工作不？ ||
jimmy离线LV7版主积分：5487|主题：37|帖子：2235积分:5487版主 12:00:38倒数9&RG可以不要，RB必须加上。如果没有RB，相当于IC输出高电平的时候，被三级管钳压在0.7V左右，IC的功耗很大，会烧掉的。 ||
浪鑫离线LV2本网技师积分：139|主题：7|帖子：14积分:139LV2本网技师 13:09:00倒数8&谢谢了。还想请教您一个问题，我在做一个移相全桥的驱动，用的IXDN604输出两路互补的PWM波，然后直接接驱动变压器原边，变压器的两个副边输出分别作为一个桥臂上下两管的驱动，不知道是不是MOSFET的输入电容太大，工作了一会之后芯片就会发烫，甚至会烧毁。后来没有办法我就在芯片输出端加了图腾柱的结构，但是三极管又变得很烫，请问到底是什么原因呢。
xcyseh离线LV6高级工程师积分：807|主题：27|帖子：165积分:807LV6高级工程师 19:27:44倒数7&请问这个IC是什么？没看太懂诶。。。我的驱动电路好像就没有RB，才发现的，不过没烧掉，这个该怎么分析啊。。。下面是我的驱动电路：
tomt离线LV1本网技工积分：16|主题：0|帖子：2积分:16LV1本网技工 09:34:25倒数4&意思是Vout-0.7V的电压全都加在IC身上了，这部分电压产生的电流没有RB限流，会很大，是吧？
aihaozhe离线LV6高级工程师积分：1394|主题：132|帖子：344积分:1394LV6高级工程师 15:22:42倒数2&版主你好！请问为什么说没有RB这个电阻的时候，输出高电平时候会被三极管钳制电压在0.7V？谢谢！
asimilar离线LV6高级工程师积分：1823|主题：5|帖子：121积分:1823LV6高级工程师最新回复 10:23:01倒数1&三极管的饱和导通压降是0.7V，由于没有接基极电阻RB，如果输出是12V，是不是因为三极管的导通，就会把信号源拉跨呀！
lm3447离线LV6高级工程师积分：481|主题：15|帖子：175积分:481LV6高级工程师 23:27:46倒数6&言简意赅，简单明了 ||kolan离线LV3助理工程师积分：268|主题：3|帖子：5积分:268LV3助理工程师 13:19:15&按照你的说法那mosfet的驱动信号就是：低电平0，高电平Vdrv？可实际是低电平0，高电平Vout。 ||
greendot离线LV10总工程师积分：20055|主题：0|帖子：5970积分:20055LV10总工程师 14:20:50&我讲的不严谨，只是个大概意思。实际应该是Vout±Vbe，(忽略Rb上压降)，不过Vbe在过程中，不是个定值。 ||
kolan离线LV3助理工程师积分：268|主题：3|帖子：5积分:268LV3助理工程师 14:50:40&比如说要设计这样一个驱动电路，那这两个管子的参数怎么计算？请加我qq ||
greendot离线LV10总工程师积分：20055|主题：0|帖子：5970积分:20055LV10总工程师 18:55:25&Rgate推动的可以看作是一个电容C，反复将它充放电。
上管：最大充电电流(=Vout-Vbe)/Rgate，这也是三极管的最大电流，它的Vceo需要大於Vdrv，功耗最小等於(Vdrv-Vout-Vbe)*充电电流平均值
下管：放电，计算类似。 ||
vip-power离线LV6高级工程师积分：457|主题：4|帖子：91积分:457LV6高级工程师 15:33:40&哈哈，学习中。 ||伟林电源离线LV7版主积分：21198|主题：203|帖子：8084积分:21198版主 16:03:13&输出极采用一个上电阻接一个NPN型晶体管的集电极,这个管子的发射极接下面管子的集电极同时输出;下管的发射极接地.两管的基极分别接前级的控制.就是上下两个输出管,从直流角度看是串联,两管联接处为输出端.上管导通下管截止输出高电平,下管导通上管截止输出低电平,如果电路逻辑可以上下两管均截止则输出为高阻态.
其实也是用NPN和PNP管子的搭配使用，当上升沿的时候NPN工作打开，当下降沿的时候PNP工作关闭，依次循环。
shenhaiyumin离线LV6高级工程师积分：1211|主题：7|帖子：132积分:1211LV6高级工程师 16:56:26&学习了 ||
vip-power离线LV6高级工程师积分：457|主题：4|帖子：91积分:457LV6高级工程师 13:36:32&差不多就这意思，自己慢慢体会吧~~~~~~ ||
zhjjer离线LV6高级工程师积分：615|主题：32|帖子：225积分:615LV6高级工程师 15:47:09&好东西谢谢版主 ||jiaosheng1981离线LV6高级工程师积分：574|主题：14|帖子：135积分:574LV6高级工程师 19:57:08&就是推挽，模拟课本上解释的很清楚，可以看看。 ||
zhucel离线LV4初级工程师积分：338|主题：5|帖子：42积分:338LV4初级工程师 13:55:49&哪里有 ||jimmy离线LV7版主积分：5487|主题：37|帖子：2235积分:5487版主 15:28:57&图腾柱式的驱动方式，一方面增加了驱动能力，另一方面，当PWM的输出端为低的时候，下管为MOS的结电容提供放电回路。如此而已，所以此种驱动方式在MOS管的驱动上面应用比较广，对了晶体管的驱动而已，没有任何优势 ||
帝国离线LV3助理工程师积分：278|主题：1|帖子：40积分:278LV3助理工程师 14:35:45&顶一个 这是最实用的吧 ||
whttp离线LV6高级工程师积分：477|主题：6|帖子：108积分:477LV6高级工程师 10:05:19&慢慢体会下！ ||胡庄主离线LV7版主积分：2125|主题：32|帖子：553积分:2125版主 07:48:27&这个电路看似简单，其实用起来要考虑的还比较多，简单谈谈个人的看法，先声明一下，只是随手总结，可能有不对或不足之处，
1）首先要确定的是你需要多少的驱动能力？要驱动的负载（一般可认为是功率管）有多少？以MOSFET为例，驱动其实就是对MOS的门级电容的充放电，这就要考虑你有几个MOS并联，门级电容有多大？MOS的Rg 有多大，加上驱动回路寄生电感等，其实就是一个LRC串联回路。
2）驱动能力用个简化的公式来算就是I=C*Du/Dt，MOS的门级电容先确定，再来考虑你准备要几V的门级电压，然后就是这个电压建立和消除的时间，也就牵涉到MOS的开通关断速度，这会直接影响到功率管的损耗及其它问题，如应力等。这几个想好了，所要的驱动电流也就出来了。
3)得到这个所要的驱动电流，再考虑上驱动回路的一堆寄生参数等，也就可以推出你图腾柱电路需提供多少驱动电流（注意这是个脉冲电流）。
4）这个时候再考虑的就是你PCB板layout的空间，位置，准备为这个电路花多少钱选器件，用MOS还是BJT，综合考虑，然后就想办法选器件吧，当然还要考虑IC的输出信号和你选的图腾柱器件（MOS或BJT）之间也是个回路，这会不会有问题？
5) 另外要考虑的是，这个图腾柱能不能彻底关掉，这就又要考虑N在上还是P在上，正开还是负开,比如选用PMOS做关断，关断时图腾柱输出会仍有一个等于Vgs电压的电压加在你的负载MOS上，如果这个电压高于你的负载MOS门槛的话，----这就意味着你没关掉，虽然你前面关掉了。更痛苦的是，前面和后面的MOS门槛电压tolerance都会非常大，再考虑到温度系数，......这要坐下来算算了
6）还要重点考虑的是图腾柱的器件也是要损耗功率的，所以要考虑它的温度及功耗会不会有问题。
总之，具体用时要考虑的问题还真不少，单挑一个出来都非常简单，但加到一块，还真要花点时间研究计算一下。因为是做产品，所有的规格参数，寄生参数，tolerance，温度，cost, PCB空间等等等等，前前后后的一堆问题都得面对，不象写paper或仿真,抓住一点，其它都可考虑为理想状态，这样当然很快可以推出理想的结果。 ||
生命之歌离线LV6高级工程师积分：564|主题：39|帖子：176积分:564LV6高级工程师 21:55:02&顶胡庄主！！学习不少！！ ||
jimmy离线LV7版主积分：5487|主题：37|帖子：2235积分:5487版主 17:27:25&顶庄主的观点，又长不少见识，呵呵！ ||
伟林电源离线LV7版主积分：21198|主题：203|帖子：8084积分:21198版主 17:52:07&好贴，难得一见， ||
james002离线LV6高级工程师积分：694|主题：28|帖子：161积分:694LV6高级工程师 11:02:53&赞一个 ||
lm3447离线LV6高级工程师积分：481|主题：15|帖子：175积分:481LV6高级工程师 23:29:18倒数5&学习不少，喝彩 ||
niemo离线LV6高级工程师积分：746|主题：9|帖子：155积分:746LV6高级工程师 09:57:17倒数3&关于图腾柱电路，我有一些疑问：
电路图及相应的波形图如图所示：
（1）粗略估算MOS管所需的驱动电流：I=Q/（ton+tr），大概是1.5A；
（2）选择构成图腾柱的晶体管，确定为，二者集电极持续电流可达到1.5A，然后进行电路仿真；
但在仿真波形中，可明显看出两个问题：
& && & a)图腾柱输出波形较差，边沿陡峭性不够好；
& && & b)电流问题，可以看出MOS管栅极电流很小，充电时为200mA,放电时为600mA，离预期值差很大；
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||168ping离线LV8副总工程师积分：2446|主题：257|帖子：533积分:2446LV8副总工程师 15:49:59&顶庄主分析的很经典 ||
shanghaiweiji离线LV4初级工程师积分：303|主题：3|帖子：42积分:303LV4初级工程师 13:40:17&我见到了大不份用8050 和8550
有没有比这个更适合的对管 ||
wheat320离线LV3助理工程师积分：281|主题：7|帖子：15积分:281LV3助理工程师 18:45:45&我看到有些文章里算MOSFET大的驱动电流，是分3个阶段的，用各段的电荷量除以各段的时间，可以算出3个阶段所需要的驱动电流。不知这样算可以吗？ ||
yuyan离线LV8副总工程师积分：3031|主题：203|帖子：815积分:3031LV8副总工程师 19:31:17& ||
gttccw离线LV3助理工程师积分：251|主题：1|帖子：3积分:251LV3助理工程师 20:33:03&三极管的开关速度比较慢，会不会影响mos的开关速度？ ||
feng36xj离线LV6高级工程师积分：981|主题：18|帖子：177积分:981LV6高级工程师 12:45:50&胡庄主分析的好,学会了不少东西 ||
蒋江黔离线LV7版主积分：10354|主题：106|帖子：4166积分:10354版主 13:02:12&大学的数字电路, 基本逻辑门的输出,已经讲的很详细 ||20088离线LV6高级工程师积分：1449|主题：94|帖子：431积分:1449LV6高级工程师 17:50:56&可以在本论坛里找这个资料 ||
情人看刀离线LV6高级工程师积分：689|主题：38|帖子：212积分:689LV6高级工程师 16:57:32&能不能给个链接啊 兄弟 ||gdlkas离线LV2本网技师积分：110|主题：0|帖子：5积分:110LV2本网技师 23:49:35&图腾柱式驱动比较难理解的是上桥臂的驱动，下桥臂的很好理解的吧！比如IR2110，搞懂上管的驱动比较重要！ ||
newrookies离线LV2本网技师积分：106|主题：1|帖子：7积分:106LV2本网技师 17:22:56&请问一下上面的那两个电压Ubias 还有Udrv有什么作用。如何设定它们的值 ||
东方离线LV8副总工程师积分：3979|主题：4|帖子：1295积分:3979LV8副总工程师 00:01:35&newrookies：请问一下上面的那两个电压Ubias 还有Udrv有什么作用。如何设定它们的值
东方：这个问题提得好！Udrv是驱动电压；Ubias 是偏置电压。
如何设定它们的值？
东方：Udrv是驱动电压，要保证足够的电压驱动后级的MOS的管等负载。当然也不能太高。
Ubias 是偏置电压，它必须高于Udrv是驱动电压。否则驱动电压就会电压不足。
greendot说：不就是OUT高位时，上三极管导通，下三极管关断，Rgate接上Vdrv，MOS开通。
kolan不乐意了：按照你的说法那mosfet的驱动信号就是：高电平Vdrv？可实际是高电平Vout。
greendot说：我讲的不严谨，只是个大概意思。实际应该是Vout±Vbe
他们讲的谁对？
东方：原先是greendot说的对，后来想“严谨”一点，搞错了。
那kolan为什么错呢？
东方：就是因为没有考虑newrookies的问题：Udrv有什么作用？
newrookies：怪我这个问题提得太晚了。他们那档子事还是2008年的旧案。想不到几年后有本网技工为他们翻案。 ||
Bodoni离线LV10总工程师积分：10963|主题：229|帖子：4964积分:10963LV10总工程师 17:13:00&实际应用上，很多人让Udrv是驱动电压 = Ubias 是偏置电压，请问大师这样有问题么？ ||
franky离线LV6高级工程师积分：1771|主题：4|帖子：313积分:1771LV6高级工程师 09:04:23&發個 PSPICE 分析
hsw113离线LV8副总工程师积分：4575|主题：74|帖子：2140积分:4575LV8副总工程师 15:18:34&MS图腾输出失真了？ ||
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中国电源学会
地 址：天津市南开区黄河道大通大厦5层
电 话：(022)
传 真：(022)
E-mail：cpss#cpss.org.cn(#换成@)图腾柱式的电路结构是怎么一回事？_百度知道
图腾柱式的电路结构是怎么一回事？
就是uc3842芯片引脚6的一个结构
我有更好的答案
图腾柱就是上下各一个三极管，上管为NPN，c极(集电极)接正电源，下管为PNP，c极(集电极)接地。两个b极(基极)接一起，接输入，上管和下管的e极(发射极)接到一起，接输出，像一个“图腾柱”。用同一信号驱动两个b极。驱动信号为高时，NPN导通；信号为低时，PNP导通。利用两个晶体管构成推挽输出。 用来匹配电压，或者提高IO口的驱动能力。 　　上下两个输出管，从直流角度看是串联，两管联接处为输出端。上管导通下管截止输出高电平，下管导通上管截止输出低电平，如果电路逻辑可以上下两管均截止则输出为高阻态。 　　在开关电源中，类似的电路常称为半桥。 图腾柱电路的变种　　一种是两管全用NPN，但是下管通过一个反相器接到输入，也起到同样作用； 　　还有一种是下管的e接到地，两管之间靠一个稳压管代替负电源。 　　门电路的输出极采用一个上电阻接一个NPN型晶体管的集电极，这个管子的发射极接下面管子的发射极同时输出；下管的集电极接地。两管的基极分别接前级的控制。由于此结构画出的电路图有点儿象印第安人的图腾柱，所以叫图腾柱式输出（也叫图腾式输出）。
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1、结构介绍：图腾柱就是上下各一个三极管，上管为NPN，c极(集电极)接正电源，下管为PNP，c极(集电极)接地。两个b极(基极)接一起，接输入，上管和下管的e极(发射极)接到一起，接输出，像一个“图腾柱”。用同一信号驱动两个b极。驱动信号为高时，NPN导通；信号为低时，PNP导通。利用两个晶体管构成推挽输出。 用来匹配电压，或者提高IO口的驱动能力。上下两个输出管，从直流角度看是串联，两管联接处为输出端。上管导通下管截止输出高电平，下管导通上管截止输出低电平，如果电路逻辑可以上下两管均截止则输出为高阻态。在开关电源中，类似的电路常称为半桥。2、图腾柱电路的变种：一种是两管全用NPN，但是下管通过一个反相器接到输入，也起到同样作用；还有一种是下管的e接到地，两管之间靠一个稳压管代替负电源。门电路的输出极采用一个上电阻接一个NPN型晶体管的集电极，这个管子的发射极接下面管子的发射极同时输出；下管的集电极接地。两管的基极分别接前级的控制。由于此结构画出的电路图有点儿象印第安人的图腾柱，所以叫图腾柱式输出（也叫图腾式输出）。3、作用：一方面增加了驱动能力，另一方面，当PWM的输出端为低电平的时候，下管为MOS的结电容提供放电回路。
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