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12伏资料下载
技术指标的要求，该单元需要一个幅值从0.01伏到10伏可调，且给定幅值稳定、波形失真小、频率为120Hz的交流信号源，幅值给定以0.01伏为一个间隔。如果我们利用砖码称重的原理，能很快地完成这一功能。显然，信号激励中只需要小数点后两位，即正弦信号峰值变化范围从10mV到10V，它有一位整数位、两位小数位。如果我们集中实现一个120Hz的高精度正弦波振荡器，然后从中取5伏、4伏、2伏、和l伏的“砖码...
年中国光伏逆变器行业市场调查与投资预测报告 目录：
第一章 光伏逆变器产业概述 3
1.1 定义 3
1.2 光伏逆变器的特点 4
1.3 光伏逆变器的分类——隔离方式 5
1.4 光伏逆变器的分类——工作模式 10
1.5 光伏逆变器的结构 12
1.6 太阳光发电站逆变器中的电磁元件 12
1.7 光伏逆变器产业链结构 15
1.8 光伏逆变器行业前景...
一、 (连载01)开关电源的基本工作原理 1
二、 (连载02)串联式开关电源输出电压滤波电路 4
三、 (连载03)串联式开关电源储能滤波电感的计算 10
四、 (连载04)串联式开关电源储能滤波电容的计算 12
五、 (连载05)反转式串联开关电源 16
六、 (连载06)反转式串联开关电源储能电感的计算 21
七、 (连载07)反转式串联开关电源储能滤波...
1．太阳能概况2．光伏效应3．太阳能电池4．多晶硅及其他光电转换材料5．晶体硅太阳电池及材料6．非晶硅太阳电池7．非晶硅 (ａ-硅)太阳能技术8．多晶薄膜与薄膜太阳电池9．多晶硅薄膜太阳电池10．世界太阳能开发利用现状11．21世纪我国太阳能利用发展趋势12．国内外太阳电池和光伏发电的进展与前景13．20世纪太阳能科技发展的回顾与展望14．光伏板 ：与太阳一同升起的希望15．光伏水泵系统16．...
电流 I 安培（安） A I=U/R
电压 U 伏特（伏） V U=IR
电阻 R 欧姆（欧） R=U/I
电功 W 焦耳（焦） J W=UIt
电功率 P 瓦特（瓦） w P=W/t=UI
热量 Q 焦耳（焦） J Q=cm(t-t°)
比热 c 焦／（千克°C） J/(kg°C)
真空中光速 3×108米／秒
g 9.8牛顿／千克
&&&&&&&&纵观12月上半月国内光伏产业运行，四大事件值得关注。首当其冲的自然是“财政部、科技部、住房和城乡建设部以及国家能源局四部门12月2日在北京联合宣布，将通过进一步实施金太阳和太阳能光电建筑应用示范工程等多项举措，强力推动太阳能光伏发电在国内的大规模应用。”...
、AC-DC高压降压电路，轻松实现：220V转12V，220V转5V，120V转5V，330V转12V ，220V转12V，120V转12V等。
典型应用：
主要用于超宽电压输入范围的工业控制所用的辅助电源（如仪器仪表、动力车系统、光伏系统、UPS不间断电源、EPS应急电源、光伏逆变器、风光互补控制器、低压电器，白色家电，电池组供电系统，动力电池保护板、BMS电池管理系统等的DC-DC转换...
变压器双12伏双5伏电源板DXP资料及其相关资料...
双12伏5伏变压器直流电源...
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12伏相关帖子
加上1伏特的电压时，如果在这个电阻器中有1安培的电流通过，则这个电阻器的阻值为1欧姆。出了欧姆外，电阻的单位还有千欧(KΩ，兆欧(MΩ)等。电阻器的电气性能指标通常有标称阻值,误差与额定功率等。它与其它元件一起构成一些功能电路，如RC电路等。电阻是一个线性元件。说它是线性元件，是因为通过实验发现，在一定条件下，流经一个电阻的电流与电阻两端的电压成正比——即它是符合欧姆定律：I=U/R常见的碳膜电阻...
& && & 互感器作为计量工具，就是把大电流高电压转换分配给低额定电流，电压的装置使用，假设用户进线之端是电流/电压是800A/6千伏但设备是5A/380V，就须要互感器来转换。电网因产电和用电有地域距离，需要一定的电压和电流才可产电，输送。用电装置是统一的额定量。这里需要转换统一标准量。假如1万伏电压在三百公里半径的面积上有效输送，那么在离产电最远...
，并具有13m Ω&&2-4kw和25m Ω&&4-7kW两种版本。将主板与IMS评估模块搭配使用时可支持10种不同配置，如果再增加一个主板，则可以支持12种配置。设计人员还可以将IMS评估模块作为高功率氮化镓 (GaN) 智能功率模块(IPM) 与其现有电路板搭配使用，进行系统内原型开发。
& & 此系列评估模块阻抗低，并具有优化的驱动板...
两种版本。将主板与IMS评估模块搭配使用时可支持10种不同配置，如果再增加一个主板，则可以支持12种配置。设计人员还可以将IMS评估模块作为高功率氮化镓 (GaN) 智能功率模块(IPM) 与其现有电路板搭配使用，进行系统内原型开发。
& & 此系列评估模块阻抗低，并具有优化的驱动板，能够同时降低功耗和栅极驱动回路数。典型应用包括板载充电器、用于电动汽车与混合动力汽车的DC...
功率GaN系统，其工作电压为650 V ，能配置为半桥模式，并具有13m Ω&&2-4kw和25m Ω&&4-7kW两种版本。将主板与IMS评估模块搭配使用时可支持10种不同配置，如果再增加一个主板，则可以支持12种配置。设计人员还可以将IMS评估模块作为高功率氮化镓 (GaN) 智能功率模块(IPM) 与其现有电路板搭配使用，进行系统内原型开发...
2017-12-17 21:30[/color][/url][/size]
恩 确实像春阳哥说的 现在这些产品耗电已经非常低了
如果光伏的转换率和接收板尺寸（对应光能转化）得 ...[/quote]
你现在用的3D打印机耗电多少瓦？ [quote][size=2][url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=2296267&ptid...
2017-12-12 09:32[/color][/url][/size]
您好 如果用天线接收的AM波与多大的交流电差不多[/quote]
如果用天线接收的AM波与多大的交流电差不多
天线接收到的信号是很微弱的。即使是距离发射机很近处，也难以达到1V量级，通常是毫伏甚至微伏量级。
所以解调(对调幅波来说就是检波)之前必先放大。对真空管来说，放大到数伏特到十伏特，对晶体二极管来说，至少放大到数百...
述应用中，电流互感器的原边被限流 ” ----- 这是哪个国家的语言？ [quote][size=2][url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=2289237&ptid=598736][color=#999999]maychang 发表于 2017-12-10 10:21[/color][/url][/size]
首帖电路不全吧？
变压器副...
]maychang 发表于 2017-12-9 16:09[/color][/url][/size]
光电二极管近似是个恒流源，其内阻很高，计算此电路的电压放大倍数意义不大。[/quote]
pd一定要加-5V电压吗？老师说不加电压速度上不去是什么意思？有点不能理解详细内容 黏三皮黏三皮 发表于 2017-12-9 16:49
pd一定要加-5V电压吗？老师说不加电压速度上不去是什么意思？有点...
开始的数字如是6就代表十M（100K~999K之间）例：106为10M.6为56M9．对于四个数字的标法就是前三位为实数,第四位为倍数.1001为1K、1002为10K、1005为10M电子元件知识——电容器电容：是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量，叫做电容器的电容。电容的符号是C。电容是电子设备中大 量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路...
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光电转换是通过把直接转换成的过程。这一过程的原理是光子将给电子使其运动从而形成电流。这一过程有两种解决途径，最常见的一种是使用以硅为主要材料的固体装置，另一种则是使用光敏染料分子来捕获光子的能量。染料分子吸收后将使半导体中的带负电的电子和带正电的分离。
光电转换简介
在众多太阳光电池中较普遍且较实用的有太阳光电池、太阳光电池及太阳光电池等三种太阳光电池主要功能在将光能转换成电能，这个现象称之为(photovoltaiceffect)。光伏效应在19世纪即被发现，早期用来制造，直到晶体管发明后半导体特性及相关技术才逐渐成熟，使太阳光电池的制造变为可能。
光电转换因素
太阳光电池之所以能将转换成主要有两个因素：
1、(photoconductive effect)；
2、内部电场；
因此在选取太阳能电池的材料时，必须要考虑到材料的光导效应及如何产生内部电场。
光电转换原理
光电转换概述
被摄景物通过摄像机的光学系统在光电靶上成像，由于光像各点亮度不同，因而使靶面各单元受光照的强度不同，导致靶面各单元的电阻值不同。与较亮像素对应的靶单元阻值较小，与较暗像素对应的靶单元阻值较大，这样一幅图像上各像素的不同亮度就表现为靶面上各单元的不同电阻值，原来按照明暗分布的“光像”就变成了相应的“电像”。
从电子枪阴极发出的电子，在电子枪电场作用下高速射向靶面，并在偏转磁场作用下按照扫描规律扫过靶面上的各个单元。当电子束接触到靶面某个单元时，使阴极、光电靶、负载电阻RL及电源E构成一个回路。在负载RL中有电流流过，其电流大小取决于光电靶在该单元的电阻值大小。光照强处对应阻值较小，流过负载RL的电流就较大，因而RL两端产生的压降也就较大。负载电阻RL上形成电压就是摄像管输出的图像信号。
光电转换过程（图像的摄取过程）：被摄景物通过摄像机的光学镜头在光电靶上成像，被电子束将这幅图像分解为像素，同时把各个像素的亮度转变为在负载电阻RL上大小不同的电压降，从而形成摄像管输出信号。
光电转换光电效应
当电子从外界获得能量时将会跳到较高的，获得的能量越多跳的能阶也越高，电子处在较高的能阶时并不稳定，很快就会把获得的能量释放回到原来的能阶。如果电子获得的能量够高就摆脱的束缚成为，电子空出来的位置则称为。自由电子可能会因为摩擦或碰撞等因素损失能量，最后受到空穴的吸引而复合。例如，硅的最外层电子要成为自由电子需要吸收1.1ev的能量，当硅最外层电子吸收到的超过1.1ev时将会产生自由电子及空穴，称之为光生电子空穴对(light-generatedelectron-holepairs)。电子空穴对的数目越多导电的效果也越好，因为光使得导电效果变好的现象称之为(photoconductiveeffect)。
与的多寡对电气特性有很大的影响，越多的自由电子与空穴可以使增加，同时也可以使输出电流增加，因此可以推测阳光越强时生成的自由电子与空穴越多，则输出电流也越大。然而如果只是单纯的产生自由电子与空穴，将会因为摩擦及碰撞等因素失去能量，最后自由电子会与空穴复合而无法利用。为更有效的利用由电子与空穴来产生电流，因此必须加入电场使自由电子与空穴分离进而产生电流。产生电场的方式很多如、金属半导体接面等，其中最常用的方式为PN接面。
提高自由电子浓度常用的方法是在硅中加入少量的五价原子，五价原子的四个与硅键结后剩下一个价电子，使剩下的价电子游离只需要0.05ev，比原来的1.1ev小很多，在室温超过200度k时即可使所有杂质产生，同样在硅中加入少量的三价原子可以提高浓度。在硅中加入五价原子后称之为N型半导体，加入三价原子后称之为。N型半导体及P型半导体虽然带有自由电子或空穴但本身仍然保持，如果及P型半导体内杂质浓度则内部没有电场存在。若将N型半导体及P型半导体接和在一起，会因为两边自由电子与空穴的浓度不同产生扩散。N型半导体中自由电子浓度较高，因此自由电子由N型半体向P型半导体扩散，同样的空穴会由P型半导体向N型半导体扩散。扩散的结果使得接面附近的N型半导体失去电子得到而带正电，失去空穴得到电子而带负电。因为不均因此在接面附近产生，如果有或空穴在电场内产生，则会因为受到电场的作用而移动，自由电子向N型半导体移动，而向P型半导体移动，因此这个区域缺乏自由电子或空穴而称之为空乏区。当光照射在空乏区内将硅原子的电子激发产生光生电子与空穴对，电子与空穴对会因为电场作用而使电池内的电荷往两端集中，此时只要外加电路将两端连接即可利用电池内的电力，这即是所谓的，也是太阳光电池的转换原理。
光电转换光电转换材料
是通过将太阳能转换为电能的材料。主要用于制作太阳能电池。太阳是一个巨大的能源库，地球上一年中接收到的太阳能高达1.8×10 (18次方) 千瓦时。研究和发展的目的是为了利用太阳能。光电转换材料的工作原理是：将相同的材料或两种不同的半导体材料做成电池结构，当太阳光照射到PN结电池结构材料表面时，通过PN结将太阳能转换为电能。太阳能电池对光电转换材料的要求是高、能制成大面积的器件，以便更好地吸收太阳光。已使用的光电转换材料以、和为主。用单晶硅制作的太阳能电池，转换效率高达20%，但其成本高，主要用于空间技术。多晶硅薄片制成的太阳能电池，虽然光电转换效率不高（约10%），但价格低廉，已获得大量应用。此外，化合物半导体材料、非晶硅薄膜作为，也得到研究和应用。[2]
半导体光电器件是把光和电这两种物理量联系起来，使光和电互相转化的新型半导体器件。光电器件主要有：利用半导体光敏特性工作的光电导器件、利用半导体光伏打效应工作的光电池和半导体发光器件等。
一、 光电导器件
半导体材料的光敏特性，即当半导体材料受到一定波长光线的照射时,其电阻率明显减小,或说电导率增大的特性。这个现象也叫半导体的光电导特性。利用这个特性制作的半导体器件叫光电导器件。半导体材料的电导率是由载流子浓度决定的。载流子就是由半导体原子 逸出来的电子及其留下的空位----- 空穴。电从原子中逃逸出来,必须吉凶服原子的束缚而做功，而光照正是向电子提供能量,使它有能力逃逸出来的一种形式。因此，光照可以改变载流子的浓度,从而必变半导体的电导率。光电导器件主要有光敏电阻、光电二极管光电三极管等。
1、光敏电阻
这是一种半导体电阻。在没有光照时,电阻很大;在一定波长范围的光照下,电阻值明显变小。制作光敏电阻的材料主要有硅、锗、硫化镉、锑化铟、硫化铅、硒化镉、硒化铅等。硫化镉光敏电阻对可见光敏感,用硫化镉单晶制造的光敏电阻对X射线、γ射线也敏感；硫化铅和锑化铟对红线外线光敏感。利用这些光敏电阻可以制成各种光探测器。感光面积大的光敏电阻,可以获得较大的明暗电阻差。如国产625-A型硫化镉光敏电阻,其光照电阻小于50千欧,暗电阻大于50兆欧。
2、光电二极管
光电二极管的管芯也是一个PN结,只是结面积比普通二极管大,便于接收光线。但和普通二极管不同,光电二极管是在反向电压下工作的。它的暗电流很小，只有0-1微安左右。在光线照射下产生的电子----空穴对叫光生载流子，它们参加导电会增大反向饱和电流。光生载流子的数量与光强度有关，因此，反向饱和电流会随着光强的变化而变化，从而可以把光信号的变化转为电流及电压的变化。光电二极管主要用于近红外探测器及光电转换的自动控制仪器中，还可以作为光导纤维通信的接收器件。
3、光电三极度管
光电三极管的结构与普通三极度管相同,但基区面积较大,便函于接收更多的入射光线。入射光在基区激发出电子----空穴时，形成基极电流，而集电极电流是基极电流β倍，因此光照便能有效地控制集电极电流。光电三极管比光电二极管有更高的灵敏度。
二、光伏打器件----硅光电池
半导体PN结在受到光照射时能产生电动势的效应，叫光伏打效应。硅光电池就是利用光伏打效应将光能直接换成电能的半导体器件。
硅光电池就是一个大面积PN结。光照可以使薄薄的P型区产生大量的光生载流子。这些光生电子和空穴，会向PN结方向扩散。扩散过程中，一部分电子和空穴复合消失,大部分扩散到PN结边缘。在结电场的作用下，大部分光生空穴被电场推回P型区而不能穿越PN结；大部分光生电阻却受到结电场的加速作用穿越PN结，到达N型区。随着光生电子在N型区的积累及光生空穴在P型号区的积累，会在在PN对的两侧产生一个稳定的电位差，这就是光生电动势。当光电池两端接有负载时，将有电流流过负载,起着电池的作用。
硅光电池的用途极度为广泛。主要用于下述几个方面：
能源----硅光电池串联或并联组成电池组与镍镉电池配合、可作为人造成卫星、宇宙飞船、航标灯、无人气象站等设备的电源；也可做电子手表、电子计算器、小型号汽车、游艇等的电源。
光电检测器件----用作近红外探测器、光电读出、光电耦合、激光准直、电影还音等设备的光感受器。
光电控制器件----用作光电开关等光电控制设备的转换器件。
三、半导体发光器件
半导体发光器件是一种将电能转换成光能的器件。它包括发光二极管、红外光源、半导体发光数字管等。
1、发光二极管
发光二极管的管芯也是一个PN结,并具有单向导电性。PN结加上正向电压时,电子由N区渡越(扩散)到空间电荷区与空穴复合而释放出能量。这些能量大部分以发光的形式出现，因此，可以直接将电能转换成光能。发光二极管的发光颜色(波长)，困半导体材料及掺杂成分不同而不同。常用的有黄、绿、红等颜色的发光二极管。
发光二极管工作电压很低(1 5-3伏),工作电流很小(10-30毫安),耗电极省。可作灯光信号显示、快速光源,也呆同时起整流和发光两种作用。
2、发光数字管
把磷化镓发光管或磷化镓发光管的管芯制成条状,用七条发光管组成七段式数字显示管，可以显示从0到9的十个数字。这种半导体数字显示管的优点是体积小、耗电省、寿命长、响应速度快。它可以作为各种小型计算器及数字显示仪表的数字显示用。
3、光电耦合器
把半导体发光器件和光敏器件组合封闭装在一起就组成了具有电---光---电转换功能的光电耦合器。显然,给耦合器输入一个电信号，发光器件就发光,光被光接收器件接收后，又转成换成电信号输出。因为输入主输出之间用光进行耦合。所以输出端对输入端没有反馈，具有优良的隔离性能和抗干扰性能。光电耦合器又是光电开关，这种光电开关不存在继电器中机械点易疲劳的问题，可靠性很高。[3]
光电转换光电转换器件原理
传感器技术中很重要的一类称为光传感器。光传感器通常是指紫外到红外波长范围的传感器，其类型可分为量子探测器和热探测器两类。本实验将介绍常用的量子探测器或称光子探测器，它是利用材料的光电效应制作成的探测器，故也称为光电转换器。其主要参数有响应度(灵敏度)、光谱响应范围、响应时间和可探测的最小辐射功率等。　　光电转换器件主要是利用光电效应将光信号转换成电信号。自光电效应发现至今，光电转换器件获得了突飞猛进的发展，目前各种光电转换器件已广泛地应用在各行各业。常用的光电效应转换器件有光敏电阻、光电倍增器、光电池、PIN管、CCD等。
光电倍增器是把微弱的输入转换为电子，并使电子获得倍增的电真空器件。当光信号强度发生变化时，阴极发射的光电子数目相应变化，由于各倍增极的倍增因子基本上保持常数，所以阳极电流亦随光信号的变化而变化，此即光电倍增管的简单工作过程。由此可见，光电倍增管的性能主要由光阴极、倍增极及极间电压决定。光电阴极受强光照射后，由于发射电子的速率很高，光电阴极内部来不及重新补充电子，因此使光电倍增管的灵敏度下降。如果入射光强度太高，导致器件内电流太大，以至于电阴极和倍增极因发射二分解，就会造成光电倍增管的永久性波坏。因此，使用光电倍增管时，应避免强光直接入射。光电倍增管一般用来测弱光信号。　　光电池是把光能直接变成电能的器件，可作为能源器件使用，如卫星上使用的太阳能电池。它也可作为光电子探测器件。　　光电二极管有耗尽层光电二极管和雪崩光电二极管两种。半导体pn结区附近成为耗尽层，该层的两侧是相对高的空间电荷区，而耗尽层内通常情况下并不存在电子和空穴。只有当光照射pn结时才能使耗尽层内产生载流子(电子-空穴对)，载流子被结内电场加速形成光电流。利用该原理制成的光电二极管称为耗尽层光电二极管。耗尽层光电二极管有pin层、pn层、金属-半导体型、异质型等　　CCD(Charge Coupled Device)即电荷耦合器件，通过输入面上光电信号逐点的转换、储存和传输，在其输出端产生一时序信号。随着科技的进步，CCD技术日臻完善，已广泛用于安全防范、电视、工业、通信、远程教育、可视网络电话等领域。[4]
光电转换太阳能电池
光电转换材料选取
光照射在物质上时，部份的光会被物质吸收，部份的光则经由反射或穿透等方式离开物质，选取太阳光电池材料的第一考量就是吸光效果要很好，如此才能使输出功率增加。选取太阳光电池材料的第二考量是光导效果，欲选取光导效果佳的材料首先必须了解太阳光的成分及其能量分布状况，进而找出适当的物质作为太阳光电池的材料。
光电转换应用
随着传统燃料能源的减少以及对环境造成的危害也越来越严重 ,能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈，越来越多的国家制定了大力发展太阳能的计划。例如，美国的“ 光伏建筑计划”、欧洲的“百万屋顶光伏计划” ，日本的“朝日计划 ” ，以及我国发展的“光明工程 ”等都极大地促进了太阳能的发展。当前太阳能电池产品类型主要有单晶硅、多晶硅、非晶硅、化合物半导体和叠层太阳能电池等，主要应用在以下领域。
1、用户太阳能电源：用于边远无电地区，如高原、海岛、牧区、边防哨所等军民生活用电，如照明、电视、收录机等；3-5kw家庭屋顶并网发电系统；光伏水泵，解决无电地区的深水井饮用、灌溉；
2、交通领域：如航标灯、交通、铁路信号灯、交通站、光缆维护站、广播、通讯、寻呼电源系统、农村微波电话光伏系统、小型通信机、士兵供电等；
3、石油、海洋、气象领域：石油管道和水库闸门阴极保护太阳能 电源系统、石油钻井平台生活及应急电源、海洋检测设备、气 象/水文观测设备等；
4、太阳能制氢加燃料电池的再生发电系统；海水淡化设备供电；卫星、航天器、空间太阳能电站等。[5]
光电转换发展前景
未来超高效率太阳能电池的发展方向主要有以下几个方面：
1、多接面、多能隙、多能带结构，使用不同能隙的材料来吸收不同波长的光子。减少载子能带内的能量释放，大幅度提高太阳能电池的效率；
2、一个光子产生多个电子一空穴对，增加输出的光 电流，从而提高太阳能 电池的效率；
3、热载子太阳能电池，提高载子温度能够大幅度提高太阳能电池的效率；
4、黑体辐射的频谱转换，将太阳光改变成理想的光源，减少载子能带内的能量释放，提高太阳能电池的效率；
5、新材料如染料感光太阳能电池、聚合物和有机物材料的太阳能电池等；
6、热光伏特效应，将不能进行光伏效应的太阳能通过晶格振动的多声子吸收转化为可以进行光伏效应的光能 ，从而提高太阳能电池的效率。[5]
．电子发烧友．[引用日期]
．电子发烧友．[引用日期]
．电子发烧友．[引用日期]
．中国百科网．[引用日期]
．中国知网．[引用日期]& &&& 一幅电视图像从左至右扫描一行，摄像机输出的这一行电视信号在行扫描正程52微秒时间内每一点均有值，例如该电压在0至1伏之间的变化，这就是模拟电视信号。而信号是由模拟电视信号数字化而来的。在数字化时，一行52微秒时间内不是每一点均传送，而只传送有限个点的值，如传送720个点的值，这称为时间上的离散化，称为取样。横坐标上示出了取样点的编号，这里只取了256个样。而对于每一个点的值，从0至1伏，有无限多个值，数字化后将原来的连续值四舍五入到有限的层次上，如0至1伏分成256个层次，输出即为256个值，可用8位数表示，这是幅度上的离散化，称为量化。量化后的值要用二进制数码进行表示，称为。可使用自然二进码、格雷码及折叠二进码等方法进行编码。对模拟电视信号进行取样、量化及编码后变换成二进码输出，即为数字电视信号或称数字电视（）信号。
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怎么办能把220伏电磁炉改为12伏真流电磁炉
怎么办能把220伏电磁炉改为12伏真流电磁炉
09-10-23 &匿名提问 发布
故障分析： 此故障一般带有其它的元件损坏一起出现，如IGBT、整流桥堆也一起击穿等，换上新的保险管后，不要马上上电试机，否则可能会再次引起烧保险管。 如美的MC-PSD/A/B机芯，检查步骤：
  ①用万能表检查IGBT，整流桥堆是否击穿，把损坏元件拆下来，换上同型号的元器件。再用万能表去检查电阻R310、R311，测量这两个元器件时必须拆下来才能进行准确性的测量，把已损坏的元器件更换。（以下的步骤中不能接上线圈盘）      ②在这一步中，需要准备下以下的物料：细线径导线一条，5.1K电阻一个。将主IC的24脚与IC3—LM339的9脚接通，用5.1K电阻把IC3—LM339的8脚与负极接通，把R9拆下来。完成以上步骤后，在不接线圈盘的情况下上电开机，用万用表测量IC5—TA8316AS的7脚电压，如果测量到的电压为1.07V，就表示同步，振荡，驱动电路已能正常工作。断开电源把5.1K电阻，细线径导线拆下来，把R9装上去，再参考——电流检测电路进行检查。完成以上的步骤后，接上线圈盘上电试机正常，故障排除。
   ③如果测量到IC5第7脚的电压不正常，那我们再测量IC5的1脚电压是否为0.73V，如果电压正常，就表示IC5—TA8316AS已经损坏，更换后故障可排除。如果IC5的1脚电压不正常，请对同步电路进行检查，具体请参考——同步电路故障检修流程。如果同步电路没有问题，那我们就要到振荡电路进行检查，先检查R11、R12、R5、R15、R13、R14、D4、D1、D3、D2、C6是否有损坏，把损坏的元器件更换。（在这里要说明一点：在电磁炉能正常工作时，绝不能万用表对振荡电路进行电压测量。因为万用表本身具有一定的干扰性，很容易对振荡电路产生干扰，从而会使IGBT在不同步的情况下工作而烧毁）。在完成以上的工作后，再测量IC3的5脚电压是否为12V，如果电压仍不正常，请检查IGBT高压保护电路，具体的检查请参考——IGBT高压保护故障检修流程。完成以上步骤后，再按照第上述的方法去检查IC5的7脚电压，如果电压正常，表示故障已排除。
电磁炉烧坏的原因多数是散热不良引起的，清洗散热孔和风扇，加高脚架
这么高难度的问题，答不上来。   我对电磁炉也感兴趣，前面买了二本电磁炉维修书。  下面是根据书中内容整理的一些东西，参考一下吧。呵呵，，86.怎样确定电磁炉真的存在故障？    电磁炉的主要功能就是加热，但在许多情况下电磁炉不能加热时，不一定就是电磁炉出现异常或故障引起的，因为在电磁炉电路中设计有大量的保护电路，一般会有七八种甚至更多，而这些保护电路就是防止电网、温度等各种外部自然因素变化以及机器内部各种突发异常现象导致电磁炉出现故障而设置的。在检修电磁炉前，应仔细分析电磁炉是真故障还是假故障。 一、外部自然因素条件保护：1、电网电压保护：电压高或电压低于电磁炉的工作电压范围时，出现保护。保护性质是强制待机。并显示故障代码（如有显示功能时）。2、电磁炉内部过热保护：保护触发温度多在90到95度，解除温度在60到70度。保护性质为暂停性停机，并显示故障代码。如果监测到温度达到110度时，保护电路强制关机。（过热保护时，容易被误认为是“间断加热”故障。）3、浪涌保护：浪涌是电网中电压在瞬时升高或降低时产生的一种危害比较大的尖峰脉冲，过大的浪涌一般都会被压敏电阻泄放掉，只有一些较小的浪涌会触发浪涌保护电路动作。保护性质为短时暂停。如果电网陈旧，并且有接触不良的情况时，可能会出现不定时的暂停现象。（这类保护一般不易察觉，或误认为电磁炉出现功率变小。）4、锅具超温保护：又称“防干烧保护”，触发温度为280到300度，解除温度为70到80度，保护性质为强制关机。二、电磁炉内部因素条件保护。1、温度传感器开路、短路保护：这类保护会强制关闭工作中的电磁炉，并使电磁炉在没有排除故障前都处于关闭状态，任何键不起作用，并显示故障代码。2、IGBT管超压保护：当某种原因导致IGBT集电极电压升高并达到保护触发条件时，超压保护动作，迫使电磁炉降低输出功率，IGBT集电极电压随即降低。 此类保护电路动作时会出现“间断加热”、“输出功率降低”等现象。3、IGBT过流保护：过流保护强制减小输出功率或直接暂停工作，延时一段时间后再次启动进入工作状态。 此类保护动作时会出现“有规律地间断加热”现象。96.怎样正确分析电磁炉的故障原因？电磁炉的故障现象大致可以归纳为以下几种：一、电磁炉上电无反应（不通电）。    引起这类故障的原因通常存在于以下几个电路单元：高压主回路、低压供电回路以及单片机电路。二、电磁炉无法开机。    出现这类故障时，首先应排除使用环境造成的不利因素，例如电网电压，环境温度等。  当确定电磁炉存在故障时，重点检查保护电路。锅具温度检测电路、IGBT温度检测电路、电网电压检测电路，按键电路。三、电磁炉可以开机，有报警信号，但不加热。    在试机时，不管锅具放置与否，整机电流都为“零”。出现这类故障时，说明电磁炉的振荡控制部分已经国为某种原因停止工作，故障点一般都存在于同步振荡电路、IGBT驱动电路、浪涌保护电路、IGBT使能控制电路、单片机电路。四、电磁炉可以开机，但是出现间断加热。    在试机时，可以观察到整机电流由小增大到一定数值后，突然又变回“零”值，随后整机电流再次增大，如此反复。  出现这类故障时，可以判断电磁炉的大部分电路都可正常工作，只是工作过程中有某种条件因素不符合要求而被迫停止。所以应对以下电路重点检查：同步振荡电路、IGBT驱动、IGBT C极高压保护电路、电流检测电路、PWM调制电路、单片机电路。电磁炉烧IGBT的原因：一、IGBT驱动电路。 驱动电路三极管导通不良时，激励不足，引发IGBT过耗损坏； G极泄放电阻开路时，会引起上电即烧IGBT和关机后IGBT自行击穿的现象。 限幅稳压二极管漏电后对驱动信号有影响，引发IGBT过耗损坏。二、305V供电回答。 若整流桥或滤波电容异常导致305V电压低时，可以引起IGBT导通角增大，LC频率升高等异常现象，会引起IGBT过流过压损坏。三、18V供电回答。  当18V电压偏低时，会导致激励不足的过耗损坏。 18V电压偏高时一般不会危及IGBT安全。四、LC谐振回路。   谐振电容变小后，谐振频率上升，IGBT截止时间缩短内耗增回而损坏。  谐振电容开路后，IGBT因没有LC振荡的阻尼作用导致过流损坏。五、IGBT高压保护。  锅具材质不同，LC产生的谐振电压峰值也不同，有些会高于IGBT耐压值，这种情况下需要对IGBT进行保护。 当保护电路失效时，LC谐振电压过高时损坏IGBT.六、代换IGBT不匹配。  电磁炉设计时，不仅要考虑元件参数指标，最重要的还要考虑到电磁炉的热效率。 参数值高的IGBT也不一定能代换。（整机振荡控制电路是非常精密的。）电磁炉检修注意事项：1.电磁炉无论有什么故障,在更换元件后,一定不要急于接上线盘试机,否则会引起烧坏IGBT和保险管,甚至整流桥。应该在不接线盘的情况下，通 电测试各点电压,比如5V、12V、20V(有的18V、22V)，和驱动电路输出的波型(正常是方波)，也可以用数字万用表20V档测试(正常电压不断 波动)。因为一般电磁炉都有锅具检测，大概30秒左右,要测驱动输出要在开机的30秒内，看不清楚可关机再开，检测正常后再接上线盘即可。 2.电磁炉坏之后，检测电路不要一开始就怀疑芯片有问题(95%以上芯片不会的故障),就算芯片有问题都要到生产该电磁炉的厂家才有,市场买不到,市场上的型号相同都不能代换。 3.通电后报警关机，这类问题比较多。有的厂家设有故障代码,参照使用说明可逐一解决。如果没故障代码显示,应检查锅底温度、锅具、IGBT温度检测电路。
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