pic单片机功耗问题的解决_百度文库
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马自达Cx-5的休眠电流是多少？[待解决]
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楼主 电梯直达 楼
马自达Cx-5的休眠电流是多少？我的车子昨天找别人帮忙给我测了一下是60-70mA&正常吗？l
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不可能的&锁车1分钟后应该在20MA以下
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不加装任何电子件，锁车后过几分钟，电流会稳定在30mA左右。记得要锁车过几分钟再测。
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不加装任何电子件，锁车后过几分钟，电流会稳定在30mA左右。2.5万用表亲测结果，记得要锁车过几分钟再测。
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路过。。。
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&发表于&不加装任何电子件，锁车后过几分钟，电流会稳定在30mA左右。2.5万用表亲测结果，记得要锁车过几分钟再测。
怎么测？万用表串进去不是会断开电路？这样对车没影响？
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&发表于&怎么测？万用表串进去不是会断开电路？这样对车没影响？
我把电瓶负极松开，表笔一端接电瓶负极顶，一端接负极大线，然后慢慢将负极大线慢慢取下，万用表无间断串入电路。这样就既能串联万用表，又不用断电了。
#(┬＿┬) 帖子被删或被屏蔽了...
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还有这种操作？
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都这么小？看来得再仔细落实下测量值了。
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马自达CX-5更多相关问题TDP热功耗_百度百科
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TDP热功耗是反应一颗处理器热量释放的指标。TDP的英文全称是“Thermal Design Power”，中文直译是“热量设计功耗”。TDP热功耗是处理器的基本物理指标。
TDP热功耗技术原理
“TDP”热功耗的含义是当处理器在满负荷的情况下，将会释放出多少的热量，也就是说是处理器的电流热效应以及其他形式产生的热能，并以瓦作为单位。例如英特尔奔腾E 2140处理器标注的TDP功率为65W，也就是说当其在满负荷运行的情况下，所产生的热量为65W。处理器的TDP功耗并不代表处理器的真正功耗，更没有算术关系。“TDP”功耗的多少最主要的作用是提供给散热片和风扇等散热器制造厂商，以便其设计散热器时所使用的。
TDP热功耗主要区别
CPU的功耗：是处理器最基本的电气性能指标。
CPU的峰值功耗：处理器的核心电压与核心电流时刻都处于变化之中，这样处理器的功耗也在变化之中。在散热措施正常的情况下（即处理器的温度始终处于设计范围之内），处理器负荷最高的时刻，其核心电压与核心电流都达到最高值，此时电压与电流的乘积便是处理器的峰值功耗。
因此，从上面我们对“功耗”和“TDP”的解释，大家可以看到，TDP并不等于功耗，它是当处理器达到负荷最大的时候，释放出的热量。而实际功耗对最终用户才有意义。以下是来自博客@英特尔中国关于“功耗”和“TDP”的解释。
随着处理器的功耗不断的降低，越来越多的人开始关注TDP和功耗的话题，甚至作为衡量处理器好坏的标准。其实我们一直强调，无论是CPU还是GPU，在获取高性能的同时，都不应该以高功耗作为代价 ，那并不是技术进步的表现。而在这一点上，与正在不断改变，以带来高性能的同时，功耗也在逐步的降低。
此前TDP这个功耗数据是提供给散热器厂商，因为在它反应的是CPU在负载情况下的最高热量，对于散热器厂商来说，按照这个设计功耗，制作可以驱散这个最高热量的散热器，随着大家对于整机的功耗越来越重视，因此，这个CPU的TDP值也给最终用户提供。在CPU的外包装上就可以看到，其中AMD处理器的外包装在很明显的位置上标注了这款产品的TDP值。
PRB值为1的处理器的功耗要比PRB为0的处理器大得多。PRB的全称是Platform Requirement Bit。处理器的一个针脚会告知主板自己的这个针脚定义是0还是1。由于PRB=1的电气指标较高，所以只支持PRB=0相应规范的主板无法正常启动 PRB=1的处理器。Intel使用775_VR_CONFIG_04A或04B来标示PRB=0或者是PRB=1的处理器。LGA775盒装处理器的包 装盒上会注明：
Intel P4架构处理器的过热保护机制
从P4诞生，Intel就在处理器中加入了过热保护机制，以防止在散热器无法有效发挥作用的前提下保证处理器的安全。Intel保护处理器的通常办法是在温度达到或超过设计温度的时候降低处理器的工作主频。
热量监视（Thermal Monitor）
热量监视功能是随P4一起诞生的，只要采用NetBurst架构的处理器，不管其核心是Willamatte，Northwood或是Prescott， 都会具备TM功能。它的主要功能是监视处理器的温度，TM保护处理器是通过处理器内部的热量控制电路（Thermal Control Circuit）来实现的。TCC内建在CPU内部，所以TM不需要软件或是用户设置。一旦CPU出厂，TM的设置便不能由第三方进行修改。所以TM是非 常底层的硬件保护机制。
TDP热功耗产品发展
与AMD大张旗鼓地展示40nm DX11 Evergreen/RV870不同，此番在台北异常沉默，丝毫没有提及未来显卡产品的进展，难以琢磨的G300何时登场也让人心焦。 看起来AMD在九月份进入DX11时代问题不大，而NVIDIA方面有消息称要推迟，不过也有来源坚信一切顺利，G300也会在第三季度同期面世，都能赶上Windows 7和第一批新游戏。 暂且抛开发布进程，另一个非常关键的问题是热设计功耗。AMD奉行小核心策略，所以RV870也只需要一个六针辅助供电接口就可以了，而NVIDIA还在坚持大核心之路，性能更强的同时功耗和发热量也不可避免地同步高涨。“好消息”是，G300仍然会停留在225W之下，不会达到传说中的300W(Intel Larrabee倒是有此可能)，所以和GeForce GTX 285一样，也是两个六针供电接口即可。当然，双核心型号(如果有的话)就得另当别论了。 其实出了核心规模庞大，G200/G200b热设计功耗较高也与所用的生产工艺有关，前者是“落后的”65nm，后者的55nm也只是半代工艺，而40nm是全新一代制成，把功耗降低三分之一不是问题。就看台积电能不能尽快使其成熟起来了。 40nm工艺、512个1600MHz MIMD流处理器、700MHz核心频率、512-bit 4.4GHz GDDR5显存……这就是G300核心了，规格和性能大跃进，热设计功耗则基本原地踏步。 注：PCI-E x16插槽可提供75W供电，六针和八针PCI-E供电接口分别提供75W和150W。
TDP热功耗计算方法
从TDP是得不出CPU的实际功耗的，用计算机内部各个部件的TDP值相加得出整个系统的功耗，逻辑上似乎没有任何问题，事实上这项“创举”已经变成业界的笑谈。
CPU的实际功耗应该等于=实际输入CPU的电流（A）× CPU的实际电压（V），它是供电电压和电流的乘积。最好的办法是用精密的功率工具去测试。
另外，笼统地计算一个CPU在一个昼夜24小时反复运行一组程序，然后计算累计功耗，是非常误导的测试，因为一个高能效的CPU，可以在相同的时间完成更多的工作。
所以，CPU的实际功耗测试应该是用一组统计出来的程序组合，模拟人们使用计算机的习惯让计算机运行，如办公场景，典型的测试软件为SysMark，家用环境为PCMark，建议用最新的版本。
这样，性能好节能效果好的CPU，就可以在更短的时间内完成任务，依次进入等待，空闲，休眠，深度休眠等节能状态。例如，同样一段高清影片的压缩，高性能的CPU可以在5分钟完成，差的CPU需要10分钟完成。提前完成工作的CPU可以做别的工作，或者在剩下的5分钟处于低负荷的运行状态——CPU利用率低，系统功耗就小，甚至进入休眠。对于需要10分钟完成的CPU，后5分钟还是需要让CPU处于高负荷的运行状态，整个系统都需要处于相对高负荷的状态，由此可见能耗是无法和高性能的CPU相比的。
采用最新工艺，最新架构和最新的节能技术的，都是厂商追求的目标，因为只有这些新技术可以确保高性能低能耗技术的实现。例如，从65纳米转向45纳米，每个管可以减低5倍以上的漏电流，每个晶体管性能提高20%以上，驱动电量下降30%以上。如果晶体管的数量上数亿个，能节省的功耗就非常可观了。
采用这些新技术，就是要让更多的功耗用于CPU实际的运算中。这就好比日光灯和白炽灯，前者电-光转换效率高达80% 以上，不到20%转换为热，白炽灯电-光转换效率为50%，有一半转化为热量了，热量不是我们要的，白白浪费了。所以同样是60瓦的日光灯，要比60瓦的亮多了，手摸上去也是温温的，而日炽灯会烫手的。这就是现在节能灯都是日光灯的原因吧。
用户对CPU性能的提升是没有止境的，英特尔公司面临的挑战还是：在不断提高性能的同时，控制能耗不变甚至降低能耗，如何解决芯片单位面积热密度不断提到的业界难题等等。
TDP功耗与处理功耗的关系
TDP功耗是处理器的基本物理指标。它的含义是当处理器达到负荷最大的时候，释放出的热量，单位同样以W计量。TDP也并非恒定不变，但是单颗处理器的 TDP值是固定的。而散热器必须保证在在处理器TDP最大的时候，处理器的温度仍然在设计范围内。但是，无论是在平面媒体或是在网络媒体的评测或是介绍 中，TDP都与处理器功耗混为一谈。
处理器的功耗，确切的说是消耗的功率是处理器最基本的电气指标。根据电路的基本原理，功率（P）=电流（A）×电压（V）。所以，一颗处理器的功耗（功率）是流经处理器核心的电流数值与加在该处理器上的核心电压的乘积。
那么处理器功耗与TDP有什么联系呢？在的功耗分为两部分：实际消耗的功耗和产生的热功耗。前者是处理器各个功能单元正常工作消耗的电能，后者是电 流热效应以及其他形式产生的热能，他们均以热的形式释放。这类热量很大，单靠处理器自身是无法完全排除的，因此这部分热能需要借助外界的手段吸收，硅晶元 才不会因温度过高而损毁。
两者的关系可以用这个公式概括：处理器的功耗=实际消耗+TDP。从这个等式我们可以得出这样的结论：TDP并不就是处理器的功耗，TDP要小于处理 器的功耗。虽然都是处理器的基本物理指标，但处理器功耗与TDP对应的硬件完全不同：与处理器功耗直接相关的是主板，主板的处理器供电模块必须具备足够的 电流输出能力才能保证处理器稳定工作；TDP需要借助主动散热器进行吸收，散热器若设计无法达到处理器的要求，那么灾难就会发生。
TDP与其他电气指标的关系
TDP作为处理器的基本参数，它的值取决于主要取决于最大核心电流：Icc Max，而TDP直接导致的结果就是处理器的Tc（case Temperature，直译为容器温度，后文会介绍）。处理器的核心电流越大，释放出的热量越大，TDP值越高，Tc也越高。具体的指标可以从 Intel的文档中得到，我们列举了以下几款：
630 3.0GHz 0 78A 84W 66.6℃
P4 570 3.8GHz 1 119A 115W 70.8℃
上表列出了最新LGA P4处理器的相关数据。有一点说明，表中的是这款处理器的最大值。个别处理器的数值会低于表中的数据。通过这张表我们可以发现：并不是处理器频率越 高，它的各项功耗指标就越高。为了保证主板对处理器的兼容性，Intel对不同处理器的功耗指标进行了严格的控制，一款处理器的最大核心电流，最大TDP 以及最高Tc值之间也存在着关联。在同样的主频下，TDP值越小，处理器的品质越好。
TDP与P的区别
TDP中文翻译为“热设计功耗”，是反应一颗处理器（CPU或GPU）热量释放的指标，它的含义是当处理器达到负荷最大的时候，释放出的热量，单位为瓦（W）。CPU或GPU的热功耗（TDP）并不是CPU或GPU的真正功耗（P）。功耗（功率）是CPU或GPU的重要物理参数，根据电路的基本原理，功率（P）=电流（I）×电压（U）。CPU或GPU的功耗（功率）等于流经处理器核心的电流值与该处理器上的核心电压值的乘积。而TDP是指CPU或GPU电流热效应以及其他形式产生的热能，他们均以热的形式释放。显然CPU或GPU的热功耗（TDP）远远小于实际功耗（P）。换句话说，CPU或GPU的功耗（P）是对或提出的要求，要求主板或显卡能够提供相应的电压和电流；而TDP是对散热系统提出要求，要求散热系统能够把CPU或GPU发出的热量散发掉，也就是说TDP功耗是要求CPU或GPU的散热系统必须能够驱散的最大总热量。
两者的公式是不同的。
热功耗TDP=Tj－Ta=Pc（RTj+RTc+RTf）=Pc RTz
Tj为热源温度，芯片晶体管结温
Ta为环境温度
Pc为热源功率，芯片晶体管热功耗
RTj为芯片晶体管到外壳的热阻
RTc芯片外壳与的接触热阻
RTf散热器热阻
对于独立显卡来讲，它除了有GPU外，还有显存，供电系统中的晶体管，电阻，电容，电感等消耗能量的器件。从专业角度讲，电容在直流电路中，不是绝对绝缘体，存在漏电阻；电感存在电阻，在直流电路中它们都是消耗能量的器件。在交流电路中电容存在介质损耗和频率损耗，电感存在涡流损耗，它们也都是消耗能量的器件。航嘉等一些网站由于缺乏专业知识，用CPU和GPU的热设计功耗（TDP）当作计算机的配置功耗（P）来计算，显然是错误的。电源功率的计算不能按照TDP值来计算，因为TDP只是芯片（CPU或GPU）的热功耗，而实际功耗（P）还包含为芯片提供能源的供电系统和外围电路。如显卡的显存，DC－DC 转换电路，晶体管，电阻，电容，电感等。STM32F030低功耗问题，stop mode下电流好大。。。 - STM32 - 意法半导体STM32/STM8技术社区
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STM32F030低功耗问题，stop mode下电流好大。。。
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在做低功耗过程发现一个严重的问题，F030C8这块芯片在进入stop mode后电流居然在900uA左右。这与典型值相差甚远啊。测试用的是ST-Link供电，VDDA，只保留芯片工作，其他都拿掉了，工作在HSI。但是发现很奇怪的问题，拿掉外部晶振后电流
反而达到毫安级别，重新把外部晶振焊上就降下来了（SysInit根本没有选择外部晶振作为系统时钟)。
NVIC_SystemLPConfig(NVIC_LP_SLEEPDEEP,ENABLE);
& & & & RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR,ENABLE);
& & & &
& & & & PWR_EnterSTOPMode(PWR_Regulator_LowPower,PWR_STOPEntry_WFI);复制代码还有一个问题，关于NVIC_SystemLPConfig和RCC_APB1PeriphClockCmd的，加上这两个函数与不加上这两个函数的效果又是
不一样了。查了相关资料没有查到。
小弟低功耗这块之前没有搞过，但是问题摆在这，现在进行不了了。各位老师求指导...........
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关于stop mode这一块有什么要注意的地方，还请各位大神指点。
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使用内部时钟的话，确实会比使用外部时钟功耗要大
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ST金币1807
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应该和晶振没关系，你不要在仿真状态进入休眠，在离线状态测试一下。JTAG口也可能会有漏电流。
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没有这么高，肯定是其他地方或是电路有问题。我用STM32F030R8T6实测，也就是官方八个discovery板，HSI,所有IO口设置下拉输入，停止模式31uA 。待机4.5uA.
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本帖最后由 hejian1 于
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复制代码void GPIO_Set()
{
& &GPIO_InitTypeDef GPIO_InitS
& && && &RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_GPIOA, ENABLE);
& && && &RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_GPIOB, ENABLE);
& && && &RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_GPIOC, ENABLE);
& && && &RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_GPIOD, ENABLE);
& && && &RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_GPIOF, ENABLE);
& && &&&
&&GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_A
//&&GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_Level_3;
&&GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_IN;
&&GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;
&&GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_DOWN;//GPIO_PuPd_UP;&&
&&GPIO_Init(GPIOA, &GPIO_InitStructure);
& && &&&GPIO_Init(GPIOB, &GPIO_InitStructure);
& && &&&GPIO_Init(GPIOC, &GPIO_InitStructure);
& && &&&GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);
& && &&&GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);
& && &&&
}复制代码
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int main()
& && &&&GPIO_Set();
& && &&&RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR,ENABLE);
//& && &&&PWR_EnterSTANDBYMode();
& && && & PWR_EnterSTOPMode(PWR_Regulator_LowPower,PWR_STOPEntry_WFI);
& && &&&while(1)
& && &&&return 0;
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为什么内部振荡器会比外部晶振的功耗高呢，好奇怪
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int main()
& && &&&GPIO_Set();
请问一下，这样一上电就进入STOP模式之后，怎样才能进行固件烧录？否则这个芯片就只能浪费了。
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请问一下，这样一上电就进入STOP模式之后，怎样才能进行固件烧录？否则这个芯片就只能浪费了。 ...
12.png (46.47 KB, 下载次数: 1)
10:37 上传
看这图，就这么烧录的。
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跨阻放大器(TIA)是电流转至电压的转换器。在传感器应用中，特别是高灵敏度传感器，很多是输出电流的，要计算有多少电流通过该传感器， 通常采用把电流信号转化为电压信号的跨阻放大器来测量。 KF8L12Z08 在正常运行模式情况的功耗是 150uA @1MHz 3.0 V ,具有多种低功耗模式，在深度休眠模式下的功耗是0.42uA @3.0 V，看门狗打开功耗为1.01uA @3.0 V， 而且供电电压范围宽达 2.1V～5.5V, 这是业界最宽的 电压范围。 1、 KF8L12Z08功耗模式 1.1 【立创商城】三种功耗模式 ? KF8L12有三种功耗模式： l 正常运行模式 (Normal run mode, NRM) ? 休眠状态下： l 休眠模式 (Sleep mode, SLP) l 深度休眠模式 (Deep sleep mode, DSLP) 1.2 低功耗外设配置 在SLP模式下可以开启不同的外设组合，使开发者能充分利用其自由组合享受到降低功耗的乐趣。 外设休眠工作配置列表 外设休眠模式下工作配置方式 T1l 休眠模式下T1可选工作时钟配置方式： 1. T1CTL.T1CS=1(T1选择T1CK作为计数时钟) 2. 将P0.5配置位数字输入口 l T1计数器使能配置方式: T1CTL.T1ON=1 (使能T1计数) T2l 休眠模式下T2可选工作时钟配置方式： 1. T2CTL.T2CS=01(自动使能内部低频振荡器) 2. T2CTL.T2CS=11(自动使能外部32.768K低频晶振) l T2计数器使能配置方式: T2CTL.T2ON=1 (使能T2计数) T3l 休眠模式下T3可选工作时钟配置方式： 1. T3CTL.T3CS=01(自动使能内部低频振荡器) 2. T3CTL.T3CS=11(自动使能外部32.768K低频晶振) l T3计数器使能配置方式: T3CTL.T3ON=1 (使能T3计数) WDT配置位WDTEN=1或者PCTL.SWDTEN=1 (默认使用内部低频振荡器) 1.3 低功耗工作典型功耗 具体见下表，可以看到： 深度休眠典型功耗：0.42uA@3V，0.77uA@5V; 休眠模式下看门狗开：1.01uA@3V，1.49uA@5V; 外部32.768K晶振驱动定时器T2计时： 1.1uA@3V，1.55uA@5V 外部31.5K晶振驱动定时器T2计时： 1.01uA@3V，1.5uA@5V 测试条件:25°C 序号测试参数测试条件最小值典型值最大值单位 VDD(V) 1 休眠模式(SLP)IMOD=0 所有外设及时钟源禁止5 1.13 uA 3.3 0.75 3 0.68 2 休眠模式(SLP)WDT_ON (INTLF_ON)5 1.49 3.3 1.08 3 1.01 3 休眠模式(SLP)T2_ON (INTLF_ON)5 1.50 3.3 1.10 3 1.01 4 休眠模式(SLP)T2_ON XTAL32.768K_ON) WDT_ON (INTLF_ON) 5 1.92 3.3 1.51 3 1.43 5休眠模式(SLP)T2_ON (XTAL32.768K_ON)5 1.55 3.3 1.16 3 1.10 6深度休眠模式(DSLP)IMOD=1 所有外设及时钟源禁止5 0.77 3.3 0.47 3 0.42 2、 KF8L12Z08芯片内部资源 KF8L12Z08是一颗高集成度的微控制器系统，能达到工业级标准。集成了光电检测单元、高精度内部高频、低频振荡器、可擦写100万次EEPROM、12位ADC以及四路PWM。具体资源如下所述： 8K字节FLASH程序存储器，可以擦写10万次; 400字节的数据存储器; 128字节的DATA EEPROM，可以擦写100万次; 内嵌上电复位电路; 低电压检测及低电压复位; 硬件看门狗; 内部高频时钟精度4MHz±1%(常温); 内部校正低频31.25KHz时钟; 支持在线串行编程，低功耗休眠模式; 1个2通道12位ADC模块,采样速率最高300KSPS; 4路8位脉宽调制PWM模块; 1个I2C/SPI模块; 1个跨阻检测模块; 4个定时器，其中1个8位定时器，3个16位定时器; 工作电压： 2.1V～5.5V 工作温度范围：-40～85℃ 3、 适应物联网需求而生 KF8L12Z08的宽工作电压和满足工业特性，使得它不仅仅适合于低功耗的电池应用，而且适合于工业应用。 近年来物联网，核心技术不断成熟，物联网与传统产业、IT技术的交叉 融合在逐级深入，催生诸多新兴业态和新的应用。工业领域的工业物联网和工业4.0将深化物联网的应用带动了以智能硬件为代表的物联网新 兴产业的发展。 对于物联网世界里数量更为庞大的无线传感节点，功耗和续航时间直接关系到产品的可行性。比如在散布在桥梁或者隧道中用于检测位移形变的传感器节点，数量庞大且只能依靠电池供电，要求电池续航时间通常达十年以上，这对MCU的功耗提出了非常苛刻的要求。即使对于很多方便供电的应用(如智能家居)，在当前绿色环保低碳口号的号召下，厂商也在想尽办法降低系统功耗。而如何在低功耗的前提下又能实现较高的运算能力，成为摆在MCU厂商面前的一 道难题。 物联网对于其中每个节点最理想的要求是智能化，即能够通过传感器感知外界信息，通过处理器进行数据运算，通过无线通讯模块发送/接收数据。
物联网的实现本质就是传感器+低功耗MCU+无线传输，KF8L12Z08集成了光电传感器检测和低功耗MCU，通过SPI和外物无线模块进行通信，可以选取sub-G、wi-fi或者蓝牙等方式。KF8L12Z08内部有400Byte RAM和8KByte字节flash，尤其适合于一些私有协议的物联网应用场景。 KF8L12Z08不仅适用于烟雾、粉尘、PIR等光电传感器检测，还可以用于电力监控、医疗、健康和健身、楼宇自动化及个人电子设备等领域 。 三亿文库包含各类专业文献、行业资料、外语学习资料、文学作品欣赏、各类资格考试、高等教育、幼儿教育、小学教育、宽电压带跨阻放大器的低功耗20等内容。　
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