少子寿命测试仪&硅片少子寿命测试系统美国Sinton&WCT-120少子寿命测试仪
少子寿命测试仪
硅片少子寿命测试系统
硅片少子寿命测试系统
<img STYLE="posiTion: static" HSPACE="0" ALT="少子寿命测试仪 wct-120" src="/blog7style/images/common/sg_trans.gif" real_src ="//sinton/product-photo-WCT-120-main.jpg" WIDTH="238" HEIGHT="379"
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TITLE="少子寿命测试仪&硅片少子寿命测试系统美国Sinton&WCT-120少子寿命测试仪" />
美国Sinton
WCT-120photoconductance
(QSSPC)WCTQSSPC()I-V
少子寿命测试仪
少子寿命测试仪性能参数：
测量原理 QSSPC（准稳态光电导）
测量范围 100
测试模式：QSSPC,瞬态，寿命归一化分析
电阻率测量范围 3&600 (undoped) Ohms/sq.
注入范围：cm-3
感测器范围 直径40-mm
测量样品规格 标准直径: 40&210 mm （或更小尺寸）
硅片厚度范围 10&2000 μm
外界环境温度 20°C&25°C
功率要求 测试仪: 40 W 电脑控制器：200W 光源：60W
通用电源电压 100&240 VAC 50/60 Hz
　　适应低电阻率样片的测试需要，最小样品电阻率可达0.1ohmcm
　　全自动操作及数据处理
　　对太阳能级片，测试前一般不需钝化处理
　　能够测试单晶或多晶硅棒、片或硅锭
　　可以选择测试样品上任意位置
　　能提供专利的表面化学钝化处理方法
　　对各道工序的样品均可进行质量监控：
　　硅棒、切片的出厂、进厂检查
　　扩散后的硅片
　　表面镀膜后的硅片以及成品电池&
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