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[LTspice]LTspice有办法模拟多个LT317并联时参数不一致的情况吗？
UID：750722
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M币981专家23
如题。最近想做一个电路，打算用多个LM（T）317并联扩流，但不知道均流电阻如何计算，无从下手，想到了仿真，请问有没有办法模拟出317 Vref和输出内阻的离散性？请指教。
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M币981专家23
@一下LTspice的重度用户
本帖提到的人:
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M币9067专家11
不如驱动MOSFET了 可以直接并联
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M币8193专家4
LM337是大电流版本的。LM337 的输出电压范围是 -1.2V 至 -37V，负载电流最大为 0.5A-5A
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M币-382专家0
我有个电路，是并联的。一直想做，但有个三极管买不到。
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M币981专家23
回 fang921 的帖子
:LM337是大电流版本的。LM337 的输出电压范围是 -1.2V 至 -37V，负载电流最大为 0.5A-5A ( 22:20) LM337只是LM317的负电压对称版本，电流仍然是1.5A，你要说的可能是LM338？
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M币981专家23
回 wc5095928 的帖子
:不如驱动MOSFET了 可以直接并联 ( 22:03) 手上有十来个LM317，想直接并联
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M币524专家2
可以修改模型， 形成自己的 LM317-A,  LM317-B,  LM317-C, 在 电路里面用上它们。当然 也可以用 Generic LM317,  按照自己的理解仿真。      输出内阻与内置的误差放大器有关， 取样点和地以及布线也有关，  人为的因素在这里表现比较明显。       至于 Vref 的分布， 俺觉得应该是符合钟形曲线的。       具体怎么做， 看书吧。/lit/ds/symlink/lm117.pdf        
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M币981专家23
回 e3po 的帖子
:可以修改模型， 形成自己的 LM317-A,  LM317-B,  LM317-C, 在 电路里面用上它们。....... ( 09:37) 我就是要仿真这一个电路。这个电路还是很巧妙的，100欧电阻上的电压恒为vref，为下面的可调电阻提供恒定电流。不过感觉BJT的工作有点奇怪，例如输出14V时Vce有7V，而Ie约等于Ic是一个定值，也就是说靠改变Ib来控制Vce？
UID：750722
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M币981专家23
回 lymky6809 的帖子
:我有个电路，是并联的。一直想做，但有个三极管买不到。 ( 23:33) 大功率PNP管不好买。
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Gzip enabled&LTspice IV 4.23e
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刚下载LTspice IV时不太会用，不过照着网上的各种教程学习之后，感觉太easy了
太感谢了，终于有网站可以下载LTspice IV了，还没用，试过之后再来评论
那些说下载慢的人那是你自己的网速问题，和LTspice IV有啥关系，真逗
很不错！LTspice IV用户体验做的越来越棒了，我会一直支持下去的！
以前一直在用这个LTspice IV，不过用腻了，想换换其它的其它行业
已经下载安装成功了,这种国外软件大多都挺很好用的
LTspice IV在同类软件里，体积已经非常小巧了，才15.1MB
LTspice IV的评论不应该这么冷清啊，我来加把力
这个软件15.1MB,真的假的,还是免费软件,用过的朋友冒个泡哈
以前这个LTspice IV大小很小，现在居然都已经15.1MB了
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LTSpice学习笔记
变压器仿真的简单步骤： A.
为每个变压器绕组绘制一个电感器 采用一个互感 (K) 描述语句通过一条 SPICE 指令对其实施耦合：
K1 L1 L2 1
K 语句的最后一项是耦合系数，其变化范围介于 0 和 1 之间，1 代表没有漏电感。对于实际电路，建议您采用耦合系数 = 1 作为起点。
每个变压器只需要一个 K 语句；LTspice 为一个变压器内部的所有电感器应用了单一耦合系数。下面所列是上述语句的等效语句:
K1 L1 L2 1
K2 L2 L3 1
K3 L1 L3 1 C.
采用 “移动” (F7)、“旋转” (Ctrl + R) 和 “镜像” (Ctrl + E) 命令来调 节电感器位置以与变压器的
极性相匹配。添加 K 语句可显示所含电感 器的调相点。
LTspice 采用个别组件值 (在本场合中为个别电感器的电感) 而非变压器的匝数比进行变压器
的仿真。电感比与匝数比的对应关系如下：
电感至匝数比
例如：对于 1:3 和 1:2 的匝数比，输入电感值以产生 1:9 和 1:4 的比值：
一般来说压是对地，如果你想知某元件俩端的电压该如何呢？ 设一参考点，先点小人，然后在电路图
的空白处点右键，找黑白电笔Set probe reference，也可从VIEW 找。按键盘上ESC 可去黑白电笔。 3.
Die Impulsantwort 脉冲响应。 To create an LTspice model of a given MOSFET, you need the original datasheet and the pSPICE model of
that MOSFET.
The parameters needed to define a MOSFET in LTspice are as follows:
Gate ohmic resistance
Drain ohmic resistance (this is NOT the RDSon, but the resistance of the bond wire)
Source ohmic resistance.
Zero-bias threshold voltage.
Transconductance coefficient
Change in drain current with Vds
Maximum gate to drain capacitance.
Minimum gate to drain capacitance.
Gate to source capacitance.
Parasitic diode capacitance.
Parasitic diode saturation current.
Body diode resistance.
Rg, Rd and Rs are the resistances of the bond wires connecting the die to the package.
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