平板辐射金属探测器辐射的制作工艺

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DR平板探测器常识
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你可能喜欢微型电光探测器的制作工艺研究--《吉林大学》2009年硕士论文
微型电光探测器的制作工艺研究
【摘要】:
本论文介绍了集成电路芯片特性的检测分析和故障诊断的几种测量技术,针对这几种技术在实际应用中存在的问题,本论文首次设计并成功制作一种具有独特结构的微型的电光探测器,该探头结构中引入了透明导电电极,借助该参考电极可校准微带传输线上的电场分布,通过该电场分布可以对电路的工作状态进行判断分析。
本论文阐述了作为探头材料的极化聚合物的基础理论和制备过程,如何利用外加电场使有机电光材料获得宏观非线性取向的原理;并给出了其电光效应的原理;结合正面入射式电光探测系统阐述并推导了其实现标定电压测量的工作原理。
作为探头的应用测试,本论文还设计了几种不同结构的共面波导电路以及对简单的放大电路进行开封,并对其进行测试,得到了比较理想的结果,证明了探头的应用价值。
【关键词】:
【学位授予单位】:吉林大学【学位级别】:硕士【学位授予年份】:2009【分类号】:TN407【目录】:
内容提要4-7
第一章 综述7-14
1.1 课题背景7
1.2 集成电路检测技术介绍7-10
1.3 电光测量方法发展现状10-12
1.4 本论文的研究意义12-14
第二章 电光测量基本理论14-25
2.1 非线性光学14-16
2.2 电极化率和电极化张量16-21
2.3 晶体的电光效应21-23
2.4 利用电光效应测量电场的原理23-25
第三章 极化聚合物电光探测器理论基础25-42
3.1 有机电光材料简介25-32
3.2 电光聚合物的极化32-35
3.3 极化聚合物电光系数测量和校准35-42
第四章 有机/无机杂化电光材料的制备42-58
4.1 溶胶-凝胶技术42-48
4.2 有机/无机杂化型材料的制备48-53
4.3 提高有机\无机复合材料电光系数的可行性53-56
4.4 杂化材料电光系数的测量56-57
4.5 本章小结57-58
第五章 探头的制作工艺研究58-67
5.1 以重掺杂GaP为载体的电光探头的制作工艺58-61
5.2 电光微探测器的探测原理61-66
5.3 本章小结66-67
参考文献67-74
Abstract77-79
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【引证文献】
中国硕士学位论文全文数据库
王希斌;[D];吉林大学;2010年
【参考文献】
中国期刊全文数据库
徐建东,鲍信先,李淳飞;[J];高技术通讯;1997年10期
杨南如,余桂郁;[J];硅酸盐通报;1993年02期
刘旭俐,马峻峰,欧阳胜林,张宗华;[J];现代技术陶瓷;1999年04期
【共引文献】
中国期刊全文数据库
李大成,周大利,刘恒,陈朝珍,张萍;[J];四川有色金属;2000年02期
陈鹤平;岳古明;;[J];安徽大学学报(自然科学版);1993年01期
陈加娜;叶红齐;谢辉玲;;[J];安徽化工;2006年02期
刘晓波;铁梅;苏会东;宋琳琳;;[J];安徽农业科学;2011年11期
费逸伟,余从煊,王凡;[J];兵器材料科学与工程;1989年06期
郝鹏;李伟;韩莉坤;蒋亚东;李晨;;[J];半导体光电;2008年01期
李霞;[J];玻璃与搪瓷;2003年01期
陈宝振,黄祖洽;[J];北京师范大学学报(自然科学版);2003年06期
杨怀江,沈柯,翁兆恒,周立伟;[J];长春光学精密机械学院学报;1995年01期
杨魁胜,梁海莲,董相廷,张希艳;[J];长春理工大学学报;2004年04期
中国重要会议论文全文数据库
邓亚红;罗斌;柳红英;;[A];2006中国西部青年通信学术会议论文集[C];2006年
赵强;吴清彬;王伟;;[A];2006年全国光电技术学术交流会会议文集(C 激光技术与应用专题)[C];2006年
丁天;宋远明;李宝玲;李学亭;王静静;;[A];“第四届全国特种混凝土技术”学术交流会暨中国土木工程学会混凝土质量专业委员会2013年年会论文集[C];2013年
中国博士学位论文全文数据库
康慧珍;[D];南开大学;2010年
任相魁;[D];南开大学;2010年
李永海;[D];东华大学;2010年
殷毅;[D];国防科学技术大学;2010年
高俊阔;[D];浙江大学;2010年
丁保宏;[D];华东师范大学;2011年
刘洋;[D];江苏大学;2011年
王伟;[D];山东大学;2011年
李明;[D];南京理工大学;2011年
赵金伟;[D];南京理工大学;2011年
中国硕士学位论文全文数据库
朱丽静;[D];浙江理工大学;2010年
黄静红;[D];江南大学;2010年
刘亚南;[D];淮北师范大学;2010年
杨阳;[D];华东理工大学;2011年
卢可成;[D];福建师范大学;2010年
卿彦;[D];中南林业科技大学;2010年
陆浩然;[D];沈阳大学;2011年
张小艳;[D];东华大学;2011年
刘金云;[D];东华大学;2011年
史振彦;[D];沈阳师范大学;2011年
【同被引文献】
中国期刊全文数据库
刘航;韩成浩;;[J];长春理工大学学报;2005年04期
张旭苹;史赞;鲁学军;;[J];Journal of Southeast University(English Edition);2005年04期
尚有魁,沈启舜,史坚,曹庄琪,杨艳芳;[J];光电工程;2005年04期
洪建勋,陈建平,王义平,李新碗;[J];光电子技术;2005年02期
黄智华,杨春才,汤心颐,王化滨,景遐斌;[J];高等学校化学学报;1994年01期
杨建义,江晓清,王明华;[J];光电子·激光;2002年09期
马常宝,任诠;[J];光电子·激光;1999年02期
黄旭东,谢洪泉;[J];高分子材料科学与工程;1995年05期
罗敬东,詹才茂,秦金贵;[J];高分子通报;2000年01期
黄成功;陈福深;;[J];高分子通报;2007年08期
中国博士学位论文全文数据库
孙杰;[D];吉林大学;2009年
中国硕士学位论文全文数据库
刘海林;[D];西北工业大学;2005年
顾哲明;[D];北京化工大学;2006年
李梅;[D];吉林大学;2008年
单志博;[D];吉林大学;2009年
【二级引证文献】
中国硕士学位论文全文数据库
姚佳;[D];吉林大学;2012年
孟甜甜;[D];西北大学;2012年
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库
陈全庆,王和明,朱永花;[J];硅酸盐学报;1992年05期
丁子上,翁文剑;[J];硅酸盐学报;1993年05期
陈志雄,周方桥,潘祥生,刘梅冬;[J];无机材料学报;1992年02期
唐福龙,袁润章,袁启华;[J];无机材料学报;1994年02期
高濂,陈锦元,黄军华,严东生;[J];无机材料学报;1995年04期
章天金,彭芳明,唐超群,王世敏,吴新明,张端明;[J];无机材料学报;1996年03期
【相似文献】
中国期刊全文数据库
;[J];中国光学与应用光学文摘;1999年03期
徐玉峰;黄永清;黄辉;倪海桥;牛智川;任晓敏;;[J];光电子.激光;2009年01期
陈天玉;;[J];激光技术;1984年03期
李淑芳;[J];固体电子学研究与进展;1992年04期
刘凯,郭威,黄永清,任晓敏,李建新,马骁宇;[J];光电子.激光;1999年03期
;[J];电子科技文摘;2006年01期
苗昂;黄永清;李轶群;吴强;黄辉;任晓敏;;[J];半导体学报;2007年03期
吕正;姚和军;吕亮;;[J];红外;2007年11期
常玉春,罗海林,王玉琦;[J];功能材料与器件学报;2000年03期
丁国庆,刘兴瑶,张学军;[J];光通信技术;2004年11期
中国重要会议论文全文数据库
王伟;黄永清;段晓峰;蔡世伟;郭经纬;黄辉;任晓敏;;[A];中国光学学会2010年光学大会论文集[C];2010年
陈娣;刘彬;;[A];中国化学会第28届学术年会第11分会场摘要集[C];2012年
黄永清;段晓峰;王伟;颜强;邸菁;任晓敏;黄辉;王琦;;[A];中国光学学会2010年光学大会论文集[C];2010年
张燕;P.WJ.F.ML.L;[A];中国光学学会2010年光学大会论文集[C];2010年
张新亮;;[A];大珩先生九十华诞文集暨中国光学学会2004年学术大会论文集[C];2004年
胡以华;;[A];第六届成像光谱技术与应用研讨会文集[C];2006年
侯立飞;李芳;杨国洪;刘慎业;;[A];第十五届全国原子与分子物理学术会议论文摘要集[C];2009年
易荣清;孙可煦;杨国洪;刘慎业;;[A];中国工程物理研究院科技年报(2002)[C];2002年
孙筱虹;陆敏捷;;[A];中国通信学会2002年光缆电缆学术年会论文集[C];2002年
吕正;;[A];海峡两岸第十三届照明科技与营销研讨会专题报告暨论文集[C];2006年
中国重要报纸全文数据库
本报驻华盛顿记者  徐启生 吴建友;[N];光明日报;2007年
本报通讯员
谭国伦;[N];廊坊日报;2006年
刘洪宇;[N];中国计算机报;2009年
徐建华;[N];中国质量报;2005年
董德山;[N];甘肃经济日报;2000年
记者 曾 星;[N];中国国门时报;2005年
郅诗厄;[N];北京科技报;2002年
佳莹;[N];中国有色金属报;2003年
 ;[N];经济日报;2004年
彭会安;[N];中华建筑报;2004年
中国博士学位论文全文数据库
胡服全;[D];北京邮电大学;2013年
王俊博;[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2011年
张爽;[D];吉林大学;2004年
段晓峰;[D];北京邮电大学;2010年
刘鸿飞;[D];吉林大学;2006年
吴双红;[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2011年
陈丽莉;[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2006年
王伟;[D];北京邮电大学;2012年
尚玉峰;[D];北京邮电大学;2012年
李轶群;[D];北京邮电大学;2008年
中国硕士学位论文全文数据库
王莉;[D];北京邮电大学;2011年
霍焕潇;[D];北京邮电大学;2012年
颜强;[D];北京邮电大学;2012年
贺达敏;[D];北京邮电大学;2013年
许文彪;[D];电子科技大学;2011年
谢三先;[D];北京邮电大学;2011年
赵宝新;[D];北京邮电大学;2012年
田佳;[D];北京邮电大学;2013年
张学强;[D];北京邮电大学;2013年
杨一粟;[D];北京邮电大学;2010年
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DR五大优点以及平板探测器原理介绍
在X线摄影中,数字化X线影像同普通X线影像相比具有图像分辨率高、灰阶度广、图像信息量大,有助于提高诊断准确率。数字化摄片(Digital Radiography,DR)中,X线转换成电信号是通过(Flat Plane Detector,FPD)来实现的,所以的特性会对DR图像质量产生比较大的影响。本文引用地址:一、 数字化X线影像(DR)的特点及优点1、 数字影像(DR)具有图像清晰细腻、高分辨率、广灰阶度、信息量大、动态范围大。2、 密度分辨率高、获取更多影像细节是数字化X线影像(DR)优于普通放射影像最重要的特点。3、 DR投照速度快,运动伪影的影响很小。尤其对于哭闹易动的儿童和不耐屏气的老年患者。4、 DR成像具有辐射小。由于数字化X线影像(DR)的的灵敏度远高于普通X线片,所以它只需要比较小的能量就可获得满意的图像。拍摄数字化X线影像(DR)要比普通影像辐射量减少30%&70%。5、数字化影像对骨结构、关节软骨及软组织的显示优于传统的X线影像,数字化影像易于显示纵膈结构如血管和气管,对结节性病变的检出率高于传统的X线影像。二、 平板探测器的及性能分析平板探测器是DR的核心部件,平板探测器从能量转换方式可以分为两种:间接转换平板探测器(indirect FPD)和直接转换平板探测器(direct FPD)。1、间接转换平板探测器间接FPD的结构主要是由闪烁体或荧光体层加具有光电二极管作用的非晶硅层(amorphous Silicon,a-Si)再加TFT阵列构成。其为闪烁体或荧光体层经X射线曝光后,将X射线光子转换为可见光,而后由具有光电二极管作用的非晶硅层变为图像电信号,最后获得数字图像。在间接FPD的图像采集中,由于有转换为可见光的过程,因此会有光的散射问题,从而导致图像的空间分辨率及对比度解析能力的降低。闪烁体目前主要有碘化铯(CsI,也用于影像增强器),荧光体则有硫氧化钆(GdSO,也用于增感屏)。间接转换平板探测器通常有以下几种结构:①碘化铯 ( CsI ) + a-Si(非晶硅)+ TFT:当有 X 射线入射到 CsI 闪烁发光晶体层时,X 射线光子能量转化为可见光光子发射,可见光激发光电二极管产生电流, 这电流就在光电二极管自身的电容上积分形成储存电荷. 每个象素的储存电荷量和与之对应范围内的入射 X 射线光子能量与数量成正比。②硫氧化( Gd2O2S ) + a-Si(非晶硅) + TFT :利用??感屏材料硫氧化钆 ( Gd2O2S ) 来完成 X 射线光子至可见光的转换过程。③碘化铯 ( CsI ) / 硫氧化钆  ( Gd2O2S ) + 透镜 / 光导纤维 + CCD / CMOS :X射线先通过闪烁体或荧光体构成的可见光转换屏,将X射线光子变为可见光图像,而后通过透镜或光导纤维将可见光图像送至光学系统,由CCD采集转换为图像电信号。④ CsI ( Gd2O2S ) + CMOS :此类技术受制于间接能量转换空间分辨率较差的缺点,虽利用大量低解像度 CMOS 探头组成大面积矩阵,尚无法有效与 TFT 平板优势竞争。2、直接转换平板探测器直接转换平板探测器主要是由非晶硒层(amorphous Selemium,a-Se)加薄膜半导体阵列(Thin Film Transistor array,TFT)构成的平板检测器。由于非晶硒是一种光电导材料,因此经X射线曝光后直接形成电子-空穴对,产生电信号,通过TFT检测阵列,再经 A/D转换获得数字化图像。由于非晶硒不产生可见光,没有散射光的影响,因此可以获得比较高的空间分辨率。3、不同平板探测器性能分析评价平板探测器成像质量的性能指标主要有两个:量子探测效率(Detective Quantum Efficiency,DQE)和空间分辨率。DQE决定了平板探测器对不同组织密度差异的分辨能力;而空间分辨率决定了对组织细微结构的分辨能力。考察 DQE和空间分辨率可以评估平板探测器的成像能力。⑴影响平板探测器DQE的因素在间接转换平板探测器中,影响DQE的因素主要有两个方面:闪烁体或荧光体层和将可见光转换成电信号的介质。①闪烁体或荧光体层的材料和工艺影响X线转换成可见光的能力,因此对DQE会产生影响。②将可见光转换成电信号也会对DQE产生影响。直接转换平板探测器中,X线转换成电信号决定于非晶硒层产生的电子-空穴对,DQE的高低取决于非晶硒层产生电荷的能力。总的来说,碘化铯 ( CsI ) + a-Si(非晶硅)+ TFT结构的间接转换平板探测器的极限DQE高于a-Se (非晶硒) 直接转换平板探测器的极限DQE。⑵影响平板探测器空间分辨率的因素在直接转换平板探测器中,空间分辨率决定于单位面积内薄膜晶体管矩阵大小。矩阵越大薄膜晶体管个数越多,空间分辨率越高,可以达到很高的空间分辨率。在间接转换平板探测器中,由于存在散射现象,空间分辨率不仅决定于单位面积内薄膜晶体管矩阵大小,还决定于散射光的控制技术。所以间接转换平板探测器的空间分辨率低于直接转换平板探测器的空间分辨率。⑶量子探测效率于空间分辨率的关系对于同一种平板探测器,在不同的空间分辨率时,其DQE是变化的;极限的DQE高,不等于在任何空间分辨率时DQE都高。DQE的计算公式如下:DQE=S2&MFT2/NSP&X&CS:信号平均强度;MFT:调制传递函数;X:X线曝光强度;NPS:系统噪声功率谱;C:X线量子系数从计算公式中可以知道,不同的MFT值中对应不同的DQE,这说明在不同的空间分辨率时有不同的DQE。间接转换平板探测器的极限DQE比较高,但是随着空间分辨率的提高,其DQE下降得较多;而直接转换平板探测器的极限DQE不如间接转换平板探测器的极限DQE高,但在高空间分辨率时,直接转换平板探测器的DQE高。4、两种类型的平板探测器在设备上应用空间分辨率影响图像对细节的分辨能力,DQE影响图像的对比度。在对图像密度分辨率要求比较高的设备上,宜使用间接转换平板探测器,比如胸部投照;在图像空间分辨率要求比较高的设备上,宜使用直接转换平板探测器,比如四肢、关节、乳腺投照。由于乳腺影像对空间分辨率要求非常高,所以乳腺DR机只能用直接转换平板探测器,才能达到要求。三、小结总而言之,随着科学技术的发展,平板探测器的性能将得到进一步提高,这将进一步提高数字化影像的质量,为医生提供更好更强的诊断依据。[参考文献][1]聂聪.不同平板探测器DR的比较研究[J].医疗设备信息,2007[4]:87-88.更多医疗电子信息请关注:21ic医疗电子频道
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