LED驱动器的钳位保护电路中 通常用电压抑制二极管并联RC电路然后在超快恢复二极管上串联一个电阻 作用是啥_百度知道
LED驱动器的钳位保护电路中 通常用电压抑制二极管并联RC电路然后在超快恢复二极管上串联一个电阻 作用是啥
rc电路的作用是什么 原理?为什么要在超快恢复二极管上串联一个电阻
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TVS电压钳位保护抑制二极管并联RC电路，，超快恢复二极管一般高频变压器出来后作整流用，串联电阻限流用，RC尖峰电压吸收
RC尖峰电压吸收这里有点模糊。。它是怎么吸收的？谢谢了！
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如果没电阻,那就都加到二极管上钳位电压后, 所有剩下的电压都会加到二极管和电阻上
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出门在外也不愁RC高通滤波器，在C旁在串一个电阻的截止频率如何计算？ ?
单个RC高通滤波器，可以算出f=1/(2πRC)，过程如下:&br&&img src=&/baf14ec581_b.jpg& data-rawheight=&800& data-rawwidth=&1080& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&1080& data-original=&/baf14ec581_r.jpg&&&br&&img src=&/e89ed2f63dc1b8cdc9e078abd634a345_b.jpg& data-rawheight=&1280& data-rawwidth=&719& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&719& data-original=&/e89ed2f63dc1b8cdc9e078abd634a345_r.jpg&&&br&&br&但现在要求出C旁边再串R的截止频率f？我按同样的方法计算如下:&br&&img src=&/9e0daf49b7a_b.jpg& data-rawheight=&1456& data-rawwidth=&1080& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&1080& data-original=&/9e0daf49b7a_r.jpg&&&br&&br&得到这样的结果，反复验证过程没错，但结果是错误的？R1=R2情况，公式无解。&br&实际电路测试结果: f=1/(2π(R1+R2)C)，但推到的结果不对？请求验证。
单个RC高通滤波器，可以算出f=1/(2πRC)，过程如下:…
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图二实际电路测到的结果相当于图一中R1替换成R1+R2的计算结果啊，从直观上来看和你图二电路的结构不一致吧
当R1等于R2的时候怎么没解啦
首先，自我批评一下，关于截止频率的定义，自己没有清晰的认识，下面附该问题结果：截止频率：当保持输入信号的幅度不变，改变频率使输出信号降至最大值的0.707倍，即用频响特性来表述为-3dB点处为截止频率，它是用来说明频率特性指标的一个特殊频率。大家思考一下，晚点继续补充！
为什么邀请我呢，我从未发言，我也是刚学的，算这个不止是用相量，还要拉氏变换
已有帐号？
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社交帐号登录电阻一个是RT开头，一个是RC开头，，这两个有什么区别，急急急_百度知道
电阻一个是RT开头，一个是RC开头，，这两个有什么区别，急急急
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出门在外也不愁　　RC吸收回路的作用为吸收浪涌和提高静态dV/dt指标，但内部的RC回路带来断态漏，用户如果对漏电流有严格要求，例如功率小(如中间、接触器的线圈、电磁吸铁微功率电动机等负载)，我们可以定制漏电流小于1mA的。　　　　另外在实际应用大感性负载场合，还可以在SSR两输出端再并联RC吸收回路以保护SSR。　　　　档测量出固态继电器交流两端电阻接近为零时，说明此固态继电器内部的已损坏。除此以外，判断固态继电器的好坏必须采用带负载的。
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可控硅两端并联了一个阻容吸收电路
用户名：onixya
注册时间： 11:27:00
可控硅两端并联了一个阻容吸收电路
我现在碰到一个问题，我们的产品中，有一个双向，它的负载是一个单向异步电机。之前的选型用的是一个 472k/400V 的CBB和一个33ohm的碳膜。在实际的使用中，电网输入电压不稳的情况下，出现了吸收电容烧毁的情况。
现在对这个的改善中，出现了以下分歧：
1，吸收回路的作用，我的个人理解是，可控硅的 dV/dt 以防止误动作的，但是公司的一些老工程师说是抑制电机的关断反向电动势，这个我用示波器观察过一段时间，有没有这个吸收回路，可控硅两端的电压波形基本上没有区别。但是网上的资料还是集中在吸收反向电动势上，请大家帮忙讨论，到底是什么作用。
2，器件的选型上， 我从大蚂蚁的博客上看到，我的这个可控硅，关断耐压600V,额定电流8A，所以我个人建议 阻值就取600V/8A=75ohm，同时为了保证它通过瞬间电流的能力，选择线绕电阻或者金属膜电阻比较合适，不知道是否正确；
这个电容的选择上，我看过其工作环境，交流峰峰值在 1400V左右。我的建议是使用安规X2电容，但是公司的前辈建议用 2KV的高压瓷片电容，他认为安规的耐压不够，我的理解是安规电容的耐压比其标称的要大很多，应该是可以用的，请高手们帮分析下，这样的工作环境下，那种电容比较好？
注册时间： 13:14:00
RC不应该理解为并联在可控硅的输出端，应该理解为并在电机的输入端，这样理解吸收反向电动势会好些。如果电容烧掉的话可能不是电容的耐压问题，而是你电阻的选取可能小了。电阻的作用我理解应该就是给电容降电压容限用的，如果电容压限够的话，不接电阻的吸收效果比较好，但是电容较容易烧，所以要加电阻。
用户名：onixya
注册时间： 13:26:00
我也考虑过阻值的问题，因为之前使用的是33 ohm的电阻，现在我第一步已经通知切换为 68ohm 金属膜电阻了。
但是同时我还是想把这个电路的作用和选型摸清楚。
谢谢三楼的建议。
注册时间： 13:50:00
选型的话理论分析是很困难的，现在大部分还是靠经验值来配，还是以实际应用为准吧。
用户名：onixya
注册时间： 14:21:00
当然尊重前辈工程师的经验。
不过我们的工作有太多的经验值了，很多事情连老工程师也是知其然，不知其所以然。
还是请各位高手赐教吧，能摸清楚一个是一个。
注册时间： 14:27:00
顶啊 我也一直想搞明白
用户名：chunyang
注册时间： 15:07:00
RC吸收回路是为了抑制过快的电源电压上升率，但这个上升率是感性负载的反电动势导致的。RC吸收回路的电容宜采用金属化高压电容，电阻选用功率合适的金属膜或绕线电阻、水泥电阻等都可以，关键看负载的大小。
用户名：onixya
注册时间： 15:36:00
春哥你及时出现了！这样看来，其实这个阻容吸收的作用我和我同事的理解其实是相通的。另外我还想请教一下：
1，这个阻容的计算是否有合适的公式，我之前试验模拟的都是采用大蚂蚁提供的算法（就是耐压/电流 那个）；
2，我在摸索这个电路作用的时候，搭过这样的一个电路：
&&输入普通的市电电压没有现象，但是加入 0.1KHZ,1KV的浪涌时，LED有闪烁现象（我理解为电压的变化率过高）。对应到实际使用上，我希望阻容吸收对于浪涌下的硬导通现象也能抑制，器件的选型是否需要进行调整？
多谢版主大大！
用户名：chunyang
注册时间： 15:53:00
楼主的实验现象是什么因素导致还不好说，你的电路不全，也没有浪涌输入点说明，可控硅的dv/dt误触发跟浪涌不是一码事，建议你看看下面这篇文章：
用户名：onixya
注册时间： 16:18:00
好的。资料已收到。
谢谢大家啦~
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