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你可能喜欢　　项目摘要
，以硅芯片光互连为特征的硅基光电集成是微电子发展方向之一，其关键瓶颈问题--硅基光源材料与器件依然没有突破。一旦突破，将对我国的信息产业发展产生重大影响。
在上一期&<span lang="EN-US" style="font-size: 12 color: line-height: 150%; mso-bidi-font-size: 11.0 mso-fareast-font-family: 楷体_GB&项目的基础上，本项目的主要目标是：面对硅芯片光互连用光源的重大需求，采用能带工程等途径，探索硅基电致发光/电泵激光的新材料、新原理、新结构和新器件，实现硅芯片光互连用高效率电致发光/电泵激光材料和器件，获得一批自主知识产权，为实现硅基光电集成和产业化提供理论基础和技术、人才储备。
其五年预期目标是：在CMOS工艺兼容的基础上，实现发光波长&1.1&m的硅基电致发光/电泵激射，同时：（1）实现硅基纳米硅/锗量子点材料和器件的高效电致发光，发光功率& 1&W，光增益~150 cm-1。（2）实现高效发光的硅基杂质与缺陷发光中心材料与器件，发光功率5&W，量子效率指标&3 %。（3）实现硅基IV族材料能带调控的电泵激光器，功率&1&W。（4）实现室温脉冲硅基InAs/GaAs量子点激光器，阈值电流密度& 7 &A/&m2。（5）实现透明导电键合的硅/化合物混合激光器及8波长硅基激光阵列，波导输出功率&1 mW。项目将发表SCI论文<span lang="EN-US" style="font-size: 12 color: line-height: 150%; mso-bidi-font-size: 11.0 mso-fareast-font-family: 楷体_GB篇以上，申请获得国家发明专利50项以上。
本项目关键科学问题是：（1）高效率发光中心和量子结构的设计及构建原理。（2）材料和器件中界面的光电热性能调控和匹配机理。（3）电致发光增强和电泵激光实现的机制。
围绕科学问题，其主要研究内容为：（1）硅基纳米发光材料的设计、制备和高效率电致发光，（2）硅基异质结构发光材料的设计、制备和激射，（3）硅基发光器件的设计、制备和发光增强，（4）硅基光源和光波导集成耦合。
项目设立五个课题：（1）硅基光增益纳米结构材料与发光器件，（2）硅基杂质与缺陷发光中心的构建及器件，（3）硅基能带调控发光材料与激光器件，（4）硅基量子点外延材料及激光器件，（5）硅/化合物半导体混合激光器及片上集成。
项目由浙江大学牵头，中科院半导体所、北京大学、南京大学等单位参加，包括2个国家实验室（筹）和4个国家重点实验室，是国内硅基光电子研究的主要优势单位。项目组包括2位中科院院士、2位国家杰出青年基金获得者和一批优秀的中青年学术骨干。
　　立项依据
大规模集成电路（
核心问题，实现硅芯片片上光互连用高效率电致发光
　　国内外研究现状和发展趋势
纳米硅材料的光增益
版权所有：浙江大学硅材料国家重点实验室
地址：浙江省杭州市浙大路38号浙江大学硅材料国家重点实验室
联系电话：7&&&&传真：2
Email：silicon_lab@}