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第1讲 OrCAD概述及电路图的绘制.ppt95页
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Design Properties
修改配置，方法如前述。 *
Design Properties
选择日期格式，用于图纸标题栏。 显示数字电路中的电源线。 * 页面配置的修改（Schemayic Page Properties） 激活页面显示窗口中要修改的页面，执行Option/Schematic Page Properties 命令，修改选中页面的配置参数。 修改结果只作用于当前页。 修改选定页面的配置 * （Schemayic Page Properties） * （Schemayic Page Properties） * （Schemayic Page Properties） 建立时间 修改时间 页号 * 9. Windows 已打开的窗口，点击将其显示在最前面。
* 10. 基本工具栏 Save New Cut Paste Redo Zoom to Region Annotate DRC Open Print Copy Undo Most Recntly Use Zoom Out Back Annotate Create Netlist Zoom In Cross Referene Zoom to All Bill of Materials Snap to Grid Project Manage Help Topies * 11.专用绘图工具栏 * 五.绘制电路图的基本知识和技巧 元器件编号 * 符号 比例因子 名称 F 10-15 飞，femto P 10-12 皮，pico N 10-9 纳，nano U 10-6 微，micro MIL 25.4×10-6 密尔，mil M 10-3 毫，milli K 103 千，kilo MEG 106 兆，mega G 109 吉，giga T 1012 太，tera 时间：S，秒 电流：A，安培 电压：V,伏 频率：Hz,赫兹 电阻：?
，欧姆 电容：F,法拉 电感：H,亨利 功率：W,瓦特 绘制电路图―数值及单位
电路原理图的编辑修改 一、电路元素的选中 单个元素的选中
多个元素的选中
Ctrl+单击 …… * 二、电路元素的移动 保持连接关系的移动
选中并拖动 2.
单独的移动
Alt+拖动 * 三、电路元素的删除（Delete）和复制 Copy
删除（Delete） 选中后按Delete键 2.
复制（Copy） 选中后按Ctrl键―拖动到需要的地方 * 四、Undo
Redo 和Repeat
Undo:“操作”的撤消 Redo:“操作”的恢复 Redo:“操作”的重复执行 * 1.4
电路元素属性参数的编辑修改 1、用鼠标双击元
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数字VLSI芯片设计―使用Cadence和Synopsys 工具 文字版 自己转的
本帖最后由 立青 于
13:10 编辑
只为交流，如有不妥之处请作者及各位指出与谅解。。。
贴出以下只为证明确实为文字版，其中可能有许多错误，请谅解。
可用adobe reader打开&&。
鉴于有人说无法解压，重新发了一遍，在一楼，，请您用好压解压，。。
数字VLSI芯片设计
------------------------------使用C a d e n c e 和S y n o p s y s C A D 工具
Digital VLSI Chip Design with Cadence and Synopsys CAD Tools
[美] Erik Brunvand 著
[ S I 孑工出, 跃
PUBLISHING HOUSE OF ELECTRONICS INDUSTRY h t t p : / / w W W . p h e i . C O m . C
北京市顺义兴华印刷厂
三河市双峰印刷V订有限公司
电子工业出版社
北京市海淀区万寿路173信箱邮编：100036
印张：24 字数：675 千字
2009年11月第1次印刷
4000册 定价：59.00元
凡所购买电子工业出版社的图丨5有缺损问题，请闷购买书店调换；若书店售缺，请与本社发行部联系。联系
及邮购电话: (010) 。
质最投诉请发邮件至,盗版侵权举报请发邮件至。
服务热线：(010) 。
本书介绍如何使用Cadence和Synopsys公司的CADA具来实际设计数字VLSI芯片。读者通过本书可以循
序渐进地学这些CAD工具，并使用这些软件设计出可制造的数字集成电路芯片。本书内容按集成电路的设
计流程编排，包括CAD设计平台、电路图输入、Verilog仿真、版图编辑、标准单元设计、模拟和数模混合信
号仿真、单元表征和建库、Verilog综合、抽象形式生成、布局布线及芯片组装等工具；每一工具的使用都以实
例说明，后给出了一个设计简化MIPS微处理器的完整例子。本书可与有关集成电路设计理论的教科书配套
使用，可作为{等院校有关集成电路设计理论类课程的配套教材和集成电路设计实践类课程的教科书，也可作
为集成电路设计人员的培训教材和使用手册。
Authorized translation from the English language edition，entitled Digital VLSI Chip Design with Cadence and Synopsys
CAD Tools, 6 by Krik Brunvand, published by Pearson Education, Inc, publishing as Addison Wesley, G&pyright
& 2009 Pearson Education, Inc.
All rights reserved. No part of this book may be reproduced or transmitted in any form or by any means，electronic or
mechanical, including photocopying, recording or by any information storage retrieval system，without permission from
Pearson Education，Inc.
CHINESE SIMPLIFIED language edition published by PEARSON EDUCATION ASIA LTD” and PUBLISHING HOUSE
OF ELECTRONICS INDUSTRY, Copyright & 2009.
本书中文简体字版专有出版权由Pearson Education (培生教育出版集团）授予电子工业出版社。未经出版者预
先书面许可，不得以任何方式复制或抄袭本书的任何部分。
本书贴有Pearson Education (培生教育出版集团）激光防伪标签，无标签者不得销售。
版权贸易合同登记号图字：01-
图书在版编目（CIP)数据
数字VLSI芯片设计：使用Cadence和Synopsys CAD工具/ ( 美）布鲁范德（Brunvand，E.) 著；周润德译.
北京：电子工业出版社，2009.11
书名原文：Digital VLSI Chip Design with Cadence and Synopsys CAD Tools
( 国外电子与通信教材系列）
ISBN 978-7-121-09607-5
I . 数… II.①布… ②周… III.超大规模集成电路-芯片-计算机辅助设计-教材IV.TN470.2
中国版本图书馆C1P数据核字（2009)第174394号
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无法解压缩，请楼主重发。
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本帖最后由 yesyesyesyes 于
18:51 编辑
用好嚎梢越嚎s了,xx~
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本帖最后由 vividsoft 于
16:56 编辑
LZ不地道，分明是超星图书，你只是用了OCR而已。
另外，不用好牙只要用winrar也可以解压的，按提示，你懂得。
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& & 我已经说明了啊，标题上。。。。
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谢谢啊！！！！！！！！！！！！！！！！
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是本学VLSI工具的好书啊
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　　由于RF电路的工作频率不断提升,片式电感在应用方面的性能特点发生了明显变化,已经开始显现出低端微波频段的工作特性。因此，为有效提升片式电感的电性参数，改善RF电路性能，必须进一步分析其低频特性与的不同规律。
　　另一方面，不断推陈出新的通信系统(GSM、CDMA、PCS、3G&)使得片式电感的工作频率逐步达到了2GHz甚至更高。因此，以传统的集中参数电路理论对片式电感器件进行阻抗分析，则显现出越来越明显的局限性。探索适合高频条件下的工程分析手段也已成为片式电感研发、生产、分析和应用的重要课题。
　　阻抗分析
　　电感的物理意义是利用导电线圈储存交变磁场能量,而在实际电路应用中,电感器件的主要作用则是向电路提供所需的感性阻抗,在与其他相关元件配合下完成相应的电路功能(匹配、滤波、振荡等)。常见的片式电感器件包括叠层片式、绕线片式、光刻薄膜等形式，其生产工艺和内电极结构均有所不同。但在中低频率条件下,由于信号波长远大于器件尺寸,器件的电路响应受内电极结构的影响较小,通常都可以采用集中参数等效模型(见图一)对片式电感的阻抗特性予以近似分析。据此可推导出常用电性能参数的函数式。
　　导纳函数
　　Y(j )=({1}over{R_{O}}+{r}over{r^{2}+ ^{2}L^{2}_{O}})+j( C_{O}-{ L_{O}}over{r^{2}+ ^{2}L^{2}_{o}})
　　则阻抗函数
　　Z(j )={1}over{Y(j )}=R( )+j ( )
　　可近似导出阻抗
　　Z( )=sqrt{R^{2}( )+ ^{2}( )}
　　={ L_{O}}oversqrt{({ L_{O}}over{R_{O}}+{r}over{ L_{O}})^{2}+(1-{ ^{2}}over{SRF^{2}})^{2}}
　　电感量
　　L( )={ ( )}over{ }={L_{O}(1-{ ^{2}}over{SRF^{2}})}over{({{ L_{O}}over{R_{O}}+{r}over{ L_{O}})^{2}+(1-{ ^{2}}over{SRF^{2}})^{2}}
　　品质因素
　　Q( )={ ( )}over{R( )}={(1-{ ^{2}}over{SRF^{2}})}over{({ L_{O}}over{R_{O}}+{r}over{ L_{o}})}
　　SRF={1}over{2 sqrt{L_{O}C_{O}}}
　　由这些函数表达式不难归纳出:
　　(1)在工作频率低于自谐频率SRF时，片式电感的阻抗特性非常接近理想电感而呈现较好的线性特性，品质因素Q也较高，因此通常以此确定电感的额定工作频段;
　　(2)在电感量L0为额定值时，提高自谐频率SRF的唯一方法是减小寄生电容C0;
　　(3)在低频工作区,降低内电极电阻r将有效提升品质因素Q值，而在高频工作区，减小电磁漏损(增大R0)对Q值的提高则更为显著;
　　(4)当工作频率 高于自谐频率SRF时,片式电感呈现出容性阻抗特性。
　　通常应用中，利用阻抗分析仪检测片式电感端电极间的Z( )、L( )、Q( )等参数，即可准确反映出工作频率下实际电路的响应特性，据此可进行准确的电路设计与器件选择。作为比较，图2中列出相同规格的高频电感(SGHIN)与铁氧体电感(SGMIN)的L(f)、Q(f)参数曲线，显然高频电感有更高的自谐频率和线性工作频段，而铁氧体电感则有较高的Q值。
非常好我支持^.^
不好我反对
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( 发表人：小兰 )
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