漏-源电压对漏极电流的影响 uGS＞UGS（off）且不变VDD增大，iD增大 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻iD几乎不变，进入恒流区iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作茬恒流区的条件是什么 uGD>UGS（off） uGD<UGS（off） 　　利用半导体内的电场效应，通过栅源电压 VGS的变化改变阻挡层的宽窄，从而改变导电沟道的宽窄控制漏极电流 ID。 JFET 工作原理： 　　综上所述JFET 与 MOSFET 工作原理相似，它们都是利用电场效应控制电流不同之处仅在于导电沟道形成的原理不同。 NJFET 输出特性 非饱和区(可变电阻区) 特点： ID 同时受 VGS 与 VDS 的控制 条件： VGS > VGS(off) V DS < 极性相反。 增强型：VGS 与VDS 极性相同 耗尽型：VGS 取值任意。 MOSFET 管 2、场效应管与晶體管的比较 （1）场效应管是电压控制元件而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下应选用场效应管；而在信號电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下应选用晶体管。 （2）场效应管是利用多数载流子导电所以称之为单极型器件，而晶體管是即有多数载流子也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件 （3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负灵活性比晶体管好。 （4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块矽片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。 ３、 场效应管与三极管比较 项目 ? 器件 电极名称 工作区 导电 类型 输入电阻 跨导 三 极 管 e极 b极 c极 放大区 饱 和 区 双极型 小 大 场效应管 s极 g极 d极 饱和区 非饱和区 单极型 大 小 ４．场效应管使用注意事项： （1）场效应管在使用Φ要注意电压极性工作电压和电流的数值不能超过最大允许值。 （2）为了防止栅极击穿要求一切测试仪电烙铁都必须有外接地线，焊接时用小功率烙铁迅速焊接或切断电流后利用余热焊接，焊接时应先焊源极或焊接栅极。 （3）绝缘栅极效应管的电压阻抗极高故不能在开路状态下保存，即使不使用也应将三个极短路以防止将栅极击