月经不调吃什么wen.baiducom/view/7c59a503o2020740bele吃了、哪种东西好_百度宝宝知道Reducing critical dimension variations caused by scattered light in functional structures formed by photolithographic imaging comprises using two masks, one with a reduced bright-field content
German Patent DE
Reducing critical dimension (CD) variations caused by scattered light in functional structures formed in a photoresist by photolithographic imaging through a mask comprises separating a target layout into two partial layouts, providing two masks (M1, M2) according to the partial layouts, where M1 has a reduced bright- imaging the structures of M1 and imaging the structures of M2 in the photoresist. Reducing critical dimension (CD) variations caused by scattered light in functional structures formed in a photoresist by photolithographic imaging through a mask, where the structures are arranged according to a target layout in sections of the mask adjacent to bright-field sections, comprises separating the target layout into two partial layouts, providing two masks (M1, M2) according to the partial layouts, where M1 has a reduced bright-field content and M2 has an arrangement of structures that will result in the target layout at th imaging the structures of M1 in the photoresist, whereby CD variations in the structures are reduced because of the reduced bright- and imaging the structures of M2 in the photoresist. Independent claims are also included for: (1) mask M1 for carrying out the above process, where the bright-field sections (21) adjacent to the sections (2) with the functional structures (3) are provided with opaque or semitransparent auxiliary sections (31); (2) mask M2 for carrying out the above process, where the structures in M2 are formed by opaque sections in or on a transparent support.
Inventors:
N?lscher, Christoph (Nürnberg, 90419, DE)
Pforr, Rainer (Dresden, 01108, DE)
Kamm, Frank-Michael (Dresden, 01326, DE)
Ziebold, Ralf (Radebeul, 01445, DE)
Hennig, Mario (Dresden, 01109, DE)
Application Number:
Publication Date:
06/08/2006
Filing Date:
11/30/2004
Export Citation:
Infineon Technologies AG (München, 81669, DE)
International Classes:
Foreign References:
1. Verfahren zur Reduzierung von Streulicht bedingten
CD-Schwankungen
bei von einer Fotomaske (1) mittels einer fotolitographischen
Abbildungseinrichtung in einen Fotoresist (5) abgebildeten
und im Fotoresist (5) ausgebildeten Nutzstrukturen (3),
wobei die Nutzstrukturen (3) gem?ss einem Ziellayout (4) in
Abschnitten (2) der Fotomaske (1) angeordnet sind und
an die Abschnitte (2) Hellfeldabschnitte (21)
der Fotomaske (1) angrenzen, umfassend die Schritte: a)
Zerlegen des der Fotomaske (1) zugrunde liegenden Ziellayouts
(4) in ein erstes und ein zweites Teillayout (41, 42)
und zur Verfügung
stellen von einer ersten und einer zweiten Fotomaske (11, 12)
gem?ss dem ersten
und dem zweiten Teillayout (41, 42), wobei die
erste Fotomaske (11) die Abschnitte (2) mit den
Nutzstrukturen (3) und die an die Abschnitte (2) angrenzenden
Hellfeldabschnitte (21) mit einem im Vergleich zu den Hellfeldabschnitten
(21) der Fotomaske (1) reduzierten Hellfeldanteil
aufweist und die zweite Fotomaske (12) eine Anordnung von
Strukturen (34) aufweist, die in der Weise vorgesehen wird, dass
nach Ausführung
der Schritte b und c die Nutzstrukturen (3) gem?ss dem Ziellayout
(4) im Fotoresist (5) abgebildet sind, b)
Abbilden der Nutzstrukturen (3) von der ersten Fotomaske
(11) in den Fotoresist (5), wobei Streulicht bedingte
CD-Schwankungen bei den im Fotoresist (5) ausgebildeten
Nutzstrukturen (3) aufgrund des reduzierten Hellfeldanteils
in den Hellfeldabschnitten (21) reduziert werden und c)
Abbilden der Strukturen (34) von der zweiten Fotomaske
(12) in den Fotoresist (5).
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass zur Reduzierung des Hellfeldanteils opake oder semitransparente
Hilfsabschnitte (31) in den Hellfeldabschnitten (21)
der ersten Fotomaske (11) vorgesehen werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
dass die Hilfsabschnitte (31) als eine den Hellfeldabschnitt
(21) teilweise abdeckende Blockstruktur (33) vorgesehen
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
dass die Blockstruktur (33) den Hellfeldabschnitt (21)
bis auf einen minimalen Resthellfeldabschnitt (22) überdeckend
vorgesehen wird.
5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
dass die Hilfsabschnitte (31) als den Nutzstrukturen (3)
gleichende Hilfsstrukturen (32) vorgesehen werden, wobei
die Hilfsstrukturen (32) mindestens in Teilbereichen der
Hellfeldabschnitte (21) ein Muster, das durch eine Anordnung
der Nutzstrukturen (3) in den Abschnitten (2)
gebildet wird, fortsetzt.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
dass die Hilfsstrukturen (32) das Muster in den gesamten
Hellfeldabschnitten (21) fortsetzen.
7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass
der Teilbereich den Hellfeldabschnitt (21) ausser einem
Resthellfeldabschnitt (22) umfassend vorgesehen wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet,
dass die Strukturen (34) der zweiten Fotomaske (12)
mittels opaker Abschnitte (35) auf oder in einem transparenten
ausgebildet werden.
9. Verfahren nach den Ansprüchen 4 und 8, oder den Ansprüchen 7 und
8, dadurch gekennzeichnet, dass die Strukturen (34) blockartig
ausgebildet werden, wobei die Abschnitte (2), sowie im
wesentlichen die Resthellfeldabschnitte (22) der ersten
Fotomaske (11) als opake Abschnitte (35) in der
zweiten Fotomaske (12) ausgebildet werden.
10. Verfahren nach den Ansprüchen 6 und 8, dadurch gekennzeichnet,
dass die Strukturen (24) der zweiten Fotomaske (12)
komplement?r
zu den Hilfsstrukturen (32) der ersten Fotomaske (11)
vorgesehen werden.
11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
dass – das
Abbilden der Nutzstrukturen (3) von der ersten Fotomaske
(11) in den Fotoresist (5) mittels einer ersten
Abbilden der Nutzstrukturen (3) geeigneten Abbildungseinrichtung
durchgeführt
wird und – das
Abbilden der Strukturen (34) von der zweiten Fotomaske
(12) in den Fotoresist (5) mittels einer zweiten
Abbildungseinrichtung durchgeführt
12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
dass das Abbilden der Nutzstrukturen (3) und Strukturen
(34) von der ersten und der zweiten Fotomaske (11, 12)
mit der für
das Abbilden der Nutzstrukturen (3) geeigneten Abbildungseinrichtung durchgeführt wird.
13. Erste Fotomaske zur Durchführung des Verfahrens nach einem
der Ansprüche
1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Fotomaske (11)
Abschnitte (2) mit Nutzstrukturen (3), sowie an
die Abschnitte (2) angrenzende Hellfeldabschnitte (21)
aufweist, wobei in den Hellfeldabschnitten (21) opake oder
semitransparente Hilfsabschnitte (31) vorgesehen sind.
14. Erste Fotomaske nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,
dass die Hilfsabschnitte (31) als eine den Hellfeldabschnitt
(21) mindestens teilweise abdeckende Blockstruktur (33)
vorgesehen sind.
15. Erste Fotomaske nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,
dass die Blockstruktur (33) den Hellfeldabschnitt (21)
bis auf einen Resthellfeldabschnitt (22) abdeckt.
16. Erste Fotomaske nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet,
dass die angrenzenden Hellfeldabschnitte (21) in der Weise
vorgesehen sind, dass sie einen Rahmen um die Abschnitte (2)
bilden und die Blockstruktur (33) den Rahmen bis auf den einen
Restrahmen (221) ausbildenden Resthellfeldabschnitt (22)
17. Erste Fotomaske nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,
dass die Hilfsabschnitte (31) als den Nutzstrukturen (3)
gleichende Hilfsstrukturen (32) vorgesehen sind, wobei
die Hilfsstrukturen (32) mindestens in Teilbereichen der
Hellfeldabschnitte (21) ein Muster, das durch die Anordnung
der Nutzstrukturen (3) in den Abschnitten (2)
ausgebildet ist, fortsetzt.
18. Erste Fotomaske nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet,
dass der Teilbereich den Hellfeldabschnitt (21) ausser dem
Resthellfeldabschnitt (22) umfasst.
19. Erste Fotomaske nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet,
dass die Hellfeldabschnitte (21) in der Weise vorgesehen
sind, dass sie einen Rahmen um die Abschnitte (2) bilden
und der Teilbereich den Rahmen bis auf den einen Restrahmen (221)
ausbildenden Resthellfeldabschnitt (22) umfasst.
20. Erste Fotomaske nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet,
dass die Hilfsstrukturen (32) das Muster in den gesamten
Hellfeldabschnitten (21) fortsetzen.
21. Zweite Fotomaske zur Durchführung des Verfahrens nach einem
der Ansprüche
1 bis 12 bei Verwendung der ersten Fotomaske (11) nach
einem der Ansprüche
13 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Strukturen (34)
in der zweiten Fotomaske (12) mittels opaker Abschnitte
(35), die in oder auf einem transparenten Tr?ger angeordnet
sind, ausgepr?gt sind.
22. Zweite Fotomaske nach Anspruch 21, bei Verwendung
der ersten Fotomaske (11) nach einem der Ansprüche 15,
16, 17, 18, 19 dadurch gekennzeichnet, dass die Strukturen (34)
blockartig vorgesehen sind, wobei die Abschnitte (2), sowie
im wesentlichen die Resthellfeldabschnitte in der ersten Fotomaske
als, opake Abschnitte (35) in der zweiten Fotomaske (12)
ausgebildet sind.
23. Zweite Fotomaske nach Anspruch 22, bei Verwendung
der ersten Fotomaske (11) nach Anspruch 20 dadurch gekennzeichnet,
dass die Strukturen (34) als komplement?r zu den Hilfsstrukturen (32) in
der ersten Fotomaske (11) vorgesehen sind.
Description:
Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reduzierung von Streulicht
bedingten CD-Schwankungen bei von einer Fotomaske mittels einer
fotolithographischen Abbildungseinrichtung in einen Fotoresist abgebildeten
und im Fotoresist ausgebildeten Nutzstrukturen, wobei die Nutzstrukturen
gem?ss einem Ziellayout
in Abschnitten der Fotomaske angeordnet sind und an die Abschnitte
Hellfeldabschnitte der Fotomaske angrenzen. Von der Erfindung werden
Fotomasken zur Durchführung
des Verfahrens umfasst.Mikroelektronische
Schaltkreise, wie beispielsweise DRAM (Dynamic Random Access Memory)-Speicherzellen
weisen strukturierte auf einem Halbleiterwafer angeordnete Schichten
auf, die aus unterschiedlichen Materialien, wie Metalle, Dielektrika
oder Halbleitermaterial bestehen. Zur Strukturierung der Schichten
wird h?ufig
ein fotolithographisches Verfahren angewendet. Dabei wird eine auf
die zu strukturierende Schicht aufgebrachte, auch als Fotoresist
bezeichnete, lichtempfindliche Schicht mittels einer Fotomaske,
die die in die Schicht zu übertragenden
Strukturen aufweist, und einer lithographischen Abbildungseinrichtung
abschnittsweise einer Lichtstrahlung ausgesetzt. Bei einem Positivresist werden
die belichteten Abschnitte l?slich
bezüglich einer
Entwicklerl?sung.
Bei einem Negativresist verh?lt
es sich umgekehrt, die belichteten Abschnitte werden unl?slich bezüglich der
Entwicklerl?sung, w?hrend die
unbelichteten Abschnitte l?slich
einem Entwicklungsschritt sind die Strukturen im Fotoresist als ?ffnungen,
in denen die zu strukturierende Schicht freiliegt, enthalten. Anschliessend k?nnen die
Strukturen beispielsweise mittels eines Trocken?tzprozesses in die darunter
liegende Schicht übertragen
werden.Bei
der Erzeugung kleiner steg- oder inselartiger Strukturen im Fotoresist
mit Fotomasken, die einen hohen Anteil lichtdurchl?ssiger Abschnitte
aufweisen, kann aufgrund der Streuung des Lichtes an Grenzfl?chen von
Linsen des Projektionssystems der Abbildungseinrichtung, sowie durch
multiple Reflexion an den Linsengrenzfl?chen der Fotomaske und dem
Halbleiterwafer, ein Bildkontrast der abgebildeten Strukturen im
Fotoresist erheblich beeintr?chtigt werden.
Ausserdem treten bei der Herstellung von Maskenstrukturen umgebungsabh?ngige Effekte
auf, die zu Strukturgr?ssenschwankungen
bei ungleichm?ssiger Umgebung
führen.Sind
die von der Fotomaske in den Fotoresist abzubildenden Strukturen
in der Umgebung gr?sserer lichtdurchl?ssiger Abschnitte
in der Fotomaske angeordnet, so k?nnen aufgrund des Streulichtes,
das durch die lichtdurchl?ssigen
Abschnitte generiert wird, sehr grosse CD(Critical Dimension)-Schwankungen
bei den im Fotoresist auszubildenden Strukturen auftreten, die zu
extrem kleinem oder sogar verschwindendem Prozessfenster für Punkte
im Bildfeld führen
Mit CD-Schwankung ist eine Schwankung in der kritischen Dimension,
also der kleinsten auszubildenden Strukturweite gemeint. Die Ausbeute
pro Halbleiterwafer an integrierten elektronischen Bausteinen kann
durch zu kleine Prozessfenster erheblich beeintr?chtigt werden.Das
Problem tritt bei einer weiteren Verkürzung der Wellenl?nge auf
193 nm, 157 nm und 13,4 nm verst?rkt
auf. Bei abnehmenden Belichtungswellenl?ngen wird diffuses Hintergrundstreulicht
als Kontrast reduzierender Effekt immer bedeutsamer, da die Streulichtintensit?t umgekehrt
proportional zum Quadrat der Belichtungswellenl?nge skaliert. Bei gleicher Oberfl?chenrauheit
der verwendeten Linsen bzw. Spiegel wird der Effekt für die EUV-Technologie
mit 13,5 nm Belichtungswellenl?ngen
zirka 100 mal st?rker
sein, als für
die 157nm Technologie.Anhand
der 1 soll der Einfluss des Streulichtes
auf die Strukturausbildung im Fotoresist noch einmal veranschaulicht
werden.Die 1a zeigt einen Ausschnitt
aus einer Fotomaske 1. Zu sehen ist ein Abschnitt 2 der
Fotomaske 1, der in den Fotoresist 5 abzubildende
Nutzstrukturen 3 aufweist. Die dargestellten Nutzstrukturen 3 werden
als kleine inselartige Gebiete im Fotoresist 5 ausgebildet.
Der Abschnitt 2 ist von einem Hellfeldabschnitt 21 umgeben.
Der hier gezeigte Hellfeldabschnitt 21 weist einen Hellfeldanteil
von n?herungsweise
100 % auf. Schwarze Abschnitte in der 1 entsprechen
lichtabsorbierenden Abschnitten in der Fotomaske 1 und
Abschnitte in der 1 transparenten
Abschnitten in der Fotomaske 1.In
der 1b sind die im Fotoresist 5 ausgebildeten
Nutzstrukturen 3 dargestellt, die man bei einem Positivresist
wenn die Fotomaske 1 gem?ss der 1a in den Resist 5 abgebildet
und der Resist 5 entwickelt wird. Zu sehen ist der Abschnitt 2 mit
den als inselartigen Fotoresiststegen ausgebildeten Nutzstrukturen 3.
Schwarze Abschnitte in der 1b entsprechen
erhalten gebliebenem Fotoresist 5 und weisse Abschnitte
entferntem Fotoresist 5. Der die Nutzstrukturen 3 aufweisende
Abschnitt 2 im Fotoresist 5 ist von dem Hellfeldabschnitt 21,
der im Fotoresist 5 als ?ffnung realisiert ist, umgeben.
Wie der 1b zu entnehmen,
sind die Nutzstrukturen 3 nicht homogen im Abschnitt 2 ausgebildet.
Zum Rand des Abschnittes 2 hin werden die Nutzstrukturen 3 immer
Dies ist auf ein langreichweitiges Streulicht, das durch den Hellfeldabschnitt 21 der
Fotomaske 1 generiert wird, zurückzuführen. Das Streulicht reicht
bis in den Abschnitt 2 hinein und führt dort zu einer Kontrastreduzierung
und damit zu schw?cher
ausgepr?gten
Nutzstrukturen 3 zum Rand des Abschnittes 2 hin.Um
die in der 1 gezeigten, durch langreichweitiges
Streulicht verursachten CD-Schwankungen zu korrigieren wurden bisher
mit grossem
Aufwand verschiedene Fotomaskenvorhalte ermittelt und im Layout
Fotomaske realisiert. Mit den Fotomaskenvorhalten sollten die Streulichteffekte kompensiert
werden.Weiterhin
wurden Abschattungen der Hellfeldabschnitte, zum Beispiel durch
nicht abbildende Hilfsstrukturen oder durch semitransparente bzw.
semireflektierende Schichten auf der Fotomaske, wie in der 103 61
875.9 beschrieben, vorgeschlagen.Die
genannten Verfahren sind in ihrer Wirkungsweise begrenzt und erfordern
zum Teil einen hohen Entwicklungsaufwand. Die Kompensation der Streulichteffekte
muss ausserdem
bei den genannten Verfahren für
jedes Belichtungsger?t
einzeln und zeitabh?ngig
durchgeführt
werden, da das Streulicht durch Materialver?nderung in der Regel ansteigt, bzw.
nach einer Reinigung oder Materialaustausch wieder sinkt und die
Streulichteffekte dann überkompensiert
sind.Aufgabe
der vorliegenden Erfindung ist es, ein einfaches und kostengünstiges
Verfahren zur Reduzierung von Streulicht bedingten CD-Schwankungen
bei in einem Fotoresist ausgebildeten Strukturen zur Verfügung zu
stellen, das unabh?ngig
von einer Abbildungseinrichtung und unabh?ngig vom Zustand der Abbildungseinrichtung
wirksam ist. Von der Aufgabe wird ein Fotomaskensatz zur Durchführung des Verfahrens
umfasst.Diese
Aufgabe wird gel?st
mit einem Verfahren gem?ss Patentanspruch
1, mit einer ersten Fotomaske gem?ss Patentanspruch 13 und mit
einer zweiten Fotomaske gem?ss Patentanspruch
21. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus
den jeweiligen Unteransprüchen.Es
wird ein Verfahren zur Reduzierung von Streulicht bedingten CD-Schwankungen
bei in einem Fotoresist ausgebildeten Nutzstrukturen, die von einer
Fotomaske mittels einer fotolithographischen Abbildungseinrichtung
in den Fotoresist abgebildet wurden, zur Verfügung gestellt. Die Nutzstrukturen
sind gem?ss einem
Layout in Abschnitten der Fotomaske angeordnet und an die Abschnitte
grenzen Streulicht verursachende Hellfeldabschnitte der Fotomaske
an. Die Hellfeldabschnitte der Fotomaske weisen im Vergleich zu
den Abschnitten in denen die Nutzstrukturen angeordnet sind, eine
gr?ssere Lichtdurchl?ssigkeit
auf.Erfindungsgem?ss wird das
der Fotomaske zugrunde liegende Layout, das die Anordnung der Strukturen
im Fotoresist beschreibt, in ein erstes und ein zweites Teillayout
zerlegt. Es wird eine erste und eine zweite Fotomaske gem?ss dem ersten
und dem zweiten Teillayout zur Verfügung gestellt. Die erste Fotomaske
weist die Abschnitte mit den Nutzstrukturen und die an die Abschnitte
angrenzenden Hellfeldabschnitte auf. Erfindungsgem?ss wird der
Hellfeldanteil der Hellfeldabschnitte der ersten Fotomaske geringer
vorgesehen, als der Hellfeldanteil der Hellfeldabschnitte der Fotomaske.
Mit dem Hellfeldanteil werden Teilabschnitte mit einer Lichtdurchl?ssigkeit von
100 in den Hellfeldabschnitten quantifiziert. Die Nutzstrukturen
werden von der ersten Fotomaske in den Fotoresist abgebildet, wobei
streulichtbedingte CD-Schwankungen bei den abgebildeten Nutzstrukturen
aufgrund des reduzierten Hellfeldanteils in den Hellfeldabschnitten
reduziert werden. Da die Hellfeldabschnitte weniger lichtdurchl?ssig vorgesehen werden,
wird weniger Streulicht generiert. Die Nutzstrukturen k?nnen auch
zum Rand des Abschnittes hin mit fast derselben CD, wie im Zentrum
des Abschnittes, ausgebildet werden. Ebenso wird die Herstellung
von Strukturen in der Fotomaske gleichm?ssiger. Nach dem Abbilden mit
der ersten Fotomaske erfolgt das Abbilden der Strukturen von der
zweiten Fotomaske in den Fotoresist. Die Strukturen in der zweiten
Fotomaske werden in der Weise vorgesehen, dass nach ihrer Abbildung
in den Fotoresist, die Nutzstrukturen gem?ss dem Ziellayout im Fotoresist abgebildet
dem erfindungsgem?ssen Verfahren
wird ein vorgegebenes Ziellayout in zwei Teillayouts für jeweils
die erste und die zweite Fotomaske zerlegt. Die erste Fotomaske
erzeugt aufgrund des reduzierten Hellfeldanteils in den Hellfeldabschnitten
weniger Streulicht. Eine Anordnung der von der ersten Fotomaske
abgebildeten Strukturen und Nutzstrukturen im Fotoresist weicht
aber noch von dem Ziellayout ab, Zur Realisierung des Ziellayouts
werden Strukturen in der zweiten Fotomaske so vorgesehen, dass die
mit der ersten Fotomaske erzeugte Abweichung vom Ziellayout im Fotoresist
kompensiert wird. Die Strukturen der zweiten Fotomaske werden also
in den selben Fotoresist abgebildet. Nach einer Entwicklung des
Fotoresists sind die Strukturen im Fotoresist dann gem?ss dem Ziellayout
ausgebildet.Mit
dem erfindungsgem?ssen Verfahren
l?sst sich
der Hellfeldanteil in den Hellfeldabschnitten auf ein Minimum reduzieren
und damit langreichweitige streulichtbedingte CD-Schwankungen weitgehend vermeiden.
Die Nutzstrukturen werden bezüglich
der CD homogen im Fotoresist ausgebildet. Das erfindungsgem?sse Verfahren
ist einfach und unabh?ngig von
einer jeweiligen Abbildungseinrichtung anzuwenden. Durch das erfindungsgem?sse Verfahren
wird das Prozessfenster erweitert und die produktive Ausbeute erh?ht.Vorzugsweise
werden zur Reduzierung des Hellfeldanteils opake oder semitransparente
Hilfsabschnitte in den Hellfeldabschnitten der ersten Fotomaske
vorgesehen. Durch die Hilfsabschnitte wird der transparente Bereich
des Hellfeldabschnittes verkleinert und damit die Lichtdurchl?ssigkeit
des Hellfeldabschnittes reduziert.In
vorteilhafter Weise werden die Hilfsabschnitte als eine den Hellfeldabschnitt
teilweise abdeckende Blockstruktur vorgesehen. Die Blockstruktur,
die beispielsweise aus einem nicht transparenten Material, wie Chrom
bestehen kann, deckt einen zusammenh?ngenden, kompakten, transparenten
Bereich im Hellfeldabschnitt ab.Vorzugsweise
wird die Blockstruktur den Hellfeldabschnitt bis auf einen minimalen
Resthellfeldabschnitt überdeckend
vorgesehen. Der Hellfeldabschnitt wird bis auf den minimalen Resthellfeldabschnitt,
der zur Abbildung der Nutzstrukturen notwendig ist, reduziert. Sind
die Nutzstrukturen in Abschnitten angeordnet, die jeweils von einem
Hellfeldabschnitt der als ein heller Rahmen ausgebildet ist umgeben
sind, so genügt
es, einen schmalen als Restrahmen ausgebildeten Resthellfeldabschnitt übrig zu
lassen. Dadurch werden langreichweitige Streulichtflüsse aus
dem Hellfeldabschnitt auf die Nutzstrukturen in den Abschnitten
vollst?ndig
eliminiert. Eine Nutzstrukturausbildung im Fotoresist wird jetzt
nur noch durch das Streulicht, das innerhalb der Abschnitte generiert
wird, beeinflusst.In
vorteilhafter Weise werden die Hilfsabschnitte als den Nutzstrukturen
gleichende Hilfsstrukturen vorgesehen, wobei die Hilfsstrukturen
mindestens in Teilbereichen der Hellfeldabschnitte ein Muster, das
durch eine Anordnung der Nutzstrukturen in den Abschnitten gebildet
wird, fortsetzt. Durch das Fortsetzen des Musters der Nutzstrukturen
in den Abschnitten werden für
die Nutzstrukturen im Inneren des Abschnittes und für die Nutzstrukturen
am Rand des Abschnittes die gleichen Streulichtbedingungen geschaffen.
Dies führt
zu einer noch weitergehenden Homogenisierung in der Nutzstrukturausbildung.Vorzugsweise
setzen die Hilfsstrukturen das Muster im gesamten Hellfeldabschnitt
vorteilhafter Weise wird der Teilbereich den Hellfeldabschnitt ausser einem
minimalen Resthellfeldabschnitt umfassend vorgesehen. Durch das
Fortsetzen des Musters im Teilbereich werden weitgehend gleiche
Bedingungen für
das Abbilden der Nutzstrukturen im Zentrum der Abschnitte und am
Rand der Abschnitte hergestellt. Dadurch, dass der minimale Resthellfeldabschnitt
ausgenommen ist, l?sst
sich die zweite Fotomaske mit einer einfachen Blockstruktur vorsehen.In
vorteilhafter Weise werden die Strukturen der zweiten Fotomaske
mittels opaker Abschnitte auf oder in einem transparenten Tr?ger ausgebildet.
Die zweite Fotomaske kann also eine einfache Chrom-auf-Glas-Fotomaske
sein.Vorzugsweise
werden die Strukturen in der zweiten Fotomaske als Blockstrukturen
ausgebildet, wobei die Abschnitte, sowie im Wesentlichen die Resthellfeldabschnitte
der ersten Fotomaske als opake Abschnitte in der zweiten Fotomaske
ausgebildet werden. Mit der zweiten Fotomaske werden also die Abschnitte
und die Resthellfeldabschnitte abgedeckt, so dass bei einer Abbildung
der zweiten Fotomaske nur die Bereiche des Hellfeldabschnittes im
Fotoresist belichtet werden, die durch die erste Fotomaske nicht
belichtet wurden. Die Entfernung einer Kante der Blockstruktur von
der ersten Nutzstruktur ist so gross zu w?hlen, dass beugungsbedingte Belichtung
durch die zweite Fotomaske auch bei einer Fehljustierung innerhalb
der Spezifikation zu vernachl?ssigen
vorteilhafter Weise werden die Strukturen der zweiten Fotomaske
komplement?r
zu den Hilfsstrukturen der ersten Fotomaske vorgesehen. Werden in
der ersten Fotomaske Hilfsstrukturen so angeordnet, dass sie das
durch die Nutzstrukturen ausgebildete Muster im gesamten Hellfeldabschnitt
fortsetzen, so ist die zweite Fotomaske genau so vorzusehen, dass
die Hilfsstrukturen im Fotoresist wegbelichtet und andere Bereiche
im Fotoresist nicht mehr belichtet werden.In
vorteilhafter Weise wird das Abbilden der Nutzstrukturen von der
ersten Fotomaske in den Fotoresist mittels einer ersten für das Abbilden
der Nutzstrukturen geeigneten Abbildungseinrichtung durchgeführt und
das Abbilden der Strukturen von der zweiten Fotomaske in den Fotoresist
mittels einer zweiten weniger Streulicht, als die erste Abbildungseinrichtung
generierenden Abbildungseinrichtung durchgeführt. Das Abbilden der Nutzstrukturen
kann beispielsweise mit einer hochaufl?senden, Streulicht generierenden
Abbildungseinrichtung vorgenommen werden, da der langreichweitige
Streulichtanteil in der ersten Fotomaske eliminiert wurde. Werden
die Strukturen in der zweiten Fotomaske durch Blockstrukturen ausgebildet,
die die Abschnitte und den Resthellfeldabschnitt abdecken, so kann
die Abbildung der zweiten Fotomaske bevorzugt mit einer Abbildungseinrichtung,
die eine geringeres Aufl?sungsverm?gen hat
und weniger Streulicht generiert, durchgeführt werden. Die erste Abbildungseinrichtung
kann eine Belichtungswellenl?nge
von 13nm aufweisen. Die erste Fotomaske w?re in dem Fall als eine Reflexionsmaske
vorzusehen. Die zweite Abbildungseinrichtung kann eine gr?ssere Belichtungswellenl?nge aufweisen,
wie beispielsweise 193nm, oder 248nm, oder 365nm. Die zweite Fotomaske
l?sst sich bei
den Belichtungswellenl?ngen
als eine Transmissionsmaske vorsehen. Die erste Abbildungseinrichtung
kann aber auch eine Belichtungswellenl?nge von 193nm und die zweite
Abbildungseinrichtung eine Belichtungswellenl?nge von 248nm, oder 365nm aufweisen.Vorzugsweise
wird das Abbilden der Nutzstrukturen und Strukturen von der ersten
und der zweiten Fotomaske mit der für das Abbilden der Nutzstrukturen
geeigneten Abbildungseinrichtung durchgeführt. Diese Vorgehensweise ist
dann vorteilhaft, wenn in den Hellfeldabschnitten der ersten Fotomaske
das Muster der Nutzstrukturen fortgesetzt wird und in der zweiten
Fotomaske genau das Komplement dieses Musters ausgebildet ist.Die
erste erfindungsgem?sse Fotomaske
zur Durchführung
des beschriebenen Verfahrens weist die Abschnitte mit den Nutzstrukturen,
sowie die an die Abschnitte angrenzenden Hellfeldabschnitte auf, wobei
in den Hellfeldabschnitten opake oder semitransparente Hilfsabschnitte
vorgesehen sind. Die erste Fotomaske kann eine Chrom-auf-Glas-Fotomaske
oder eine phasenschiebende Fotomaske oder eine Fotomaske eines anderer.
Typs sein.Vorzugsweise
sind die Hilfsabschnitte als eine den Hellfeldabschnitt teilweise
abdeckende Blockstruktur vorgesehen. Vorzugsweise deckt die Blockstruktur
den Hellfeldabschnitt bis auf den minimalen Resthellfeldabschnitt
vorteilhafter Weise sind die angrenzenden Hellfeldabschnitte in
der Weise vorgesehen, dass sie einen Rahmen um die Abschnitte bilden
und die Blockstruktur den Rahmen bis auf den einen Restrahmen ausbildenden
Resthellfeldabschnitt abdeckt. Der Restrahmen wird dabei mit einer
Abbildung der Nutzstrukturen notwendigen minimalen Breite vorgesehen.
Die minimale Breite ist durch die Justiergenauigkeit der ersten
und der zweiten Fotomaske zueinander und einer Reichweite des bei
der zweiten Belichtung generierten Beugungslichtes in den Abschnitt
der Nutzstrukturen, die bei der ersten Belichtung in den Fotoresist
abgebildet wurden, gegeben. Typischerweise weist die minimale Breite eine
1 bis 5 Perioden der Nutzstrukturen auf. Die minimale Breite kann
beispielsweise gr?sser oder
gleich zwei mal dem Quotienten aus Belichtungswellenl?nge (Z?hler und
Numerischer Apertur (Nenner) gew?hlt
werden. Das Beugungsstreulicht liefert den entscheidenden Beitrag.
Andere Beitr?ge, wie
Ol- und Registration-Beitr?ge
in erster N?herung
vernachl?ssigt
vorteilhafter Weise sind die Hilfsabschnitte als den Nutzstrukturen
gleichende Hilfsstrukturen vorgesehen. Die Hilfsstrukturen setzen
dabei mindestens in Teilbereichen der Hellfeldabschnitte das Muster,
das durch die Anordnung der Nutzstrukturen in den Abschnitten gebildet
ist, fort. Mit dieser ersten Fotomaske werden auch innere Streulichteinflüsse auf
die Strukturausbildung weitgehend homogenisiert.Vorzugsweise
umfasst der Teilbereich den Hellfeldabschnitt ausser dem minimalen Resthellfeldabschnitt.
Der Vorteil dieser ersten Fotomaske besteht darin, dass die zweite
Fotomaske mit einer Blockstruktur vorgesehen werden kann und dadurch bei
der Abbildung der zweiten Fotomaske eine weniger Streulicht generierende
Abbildungseinrichtung, als bei der Abbildung der ersten Fotomaske,
verwendet werden kann.Vorzugsweise
sind die angrenzenden Hellfeldabschnitte in der Weise vorgesehen,
dass sie einen Rahmen um die Abschnitte bilden und der Teilbereich
den Rahmen bis auf den einen Restrahmen ausbildenden Resthellfeldabschnitt
umfasst. Um die langreichweitigen Streulichteffekte von den Abschnitten
mit den Nutzstrukturen fernzuhalten, wird der Restrahmen mit der
minimalen Breite vorgesehen.Vorzugsweise
setzen die Hilfsstrukturen das Muster in den gesamten Hellfeldabschnitten
fort.Erfindungsgem?ss wird eine
zweite Fotomaske zur Durchführung
des beschriebenen Verfahrens zur Verfügung gestellt. Die zweite Fotomaske
zeichnet sich dadurch aus, dass die Strukturen in der zweiten Fotomaske
mittels opaker Abschnitte, die in oder auf einem transparenten Tr?ger angeordnet
sind, ausgepr?gt
sind. Für
die zweite Fotomaske kann beispielsweise eine einfache Chrom-auf-Glas-Fotomaske
verwendet werden.Vorzugsweise
sind die Strukturen in der zweiten Fotomaske als Blockstrukturen
vorgesehen. Dabei sind die Abschnitte, sowie im Wesentlichen die Resthellfeldabschnitte
der ersten Fotomaske als blockartige, opake Abschnitte in der zweiten
Fotomaske ausgebildet. Im Wesentlichen hat hier die Bedeutung, dass
der opake Abschnitt noch über
den Resthellfeldabschnitt hinausreichen kann. Der ?berlappungsbereich
mit dem abgedunkelten Bereich in der ersten Fotomaske ist dabei
so zu w?hlen,
dass bei einer Fehljustierung im Rahmen der Spezifikation der Resthellfeldabschnitt
noch sicher von der Blockstruktur abgedeckt ist. Die Fotomaske mit
den Blockstrukturen hat den Vorteil, dass sie mittels einer weniger Streulicht
generierenden Abbildungseinrichtung abgebildet werden kann.In
vorteilhafter Weise sind die Strukturen der zweiten Fotomaske als
komplement?r
zu den Hilfsstrukturen der ersten Fotomaske vorgesehen. Weist die
erste Fotomaske Hilfsstrukturen auf, die das durch die Nutzstrukturen
in dem Abschnitt ausgebildete Muster im gesamten Hellfeldabschnitt
fortsetzen, so sollten diese Hilfsstrukturen durch die zweite Fotomaske
wegbelichtet werden. Das bedeutet, dass an den Stellen, an denen
der Fotoresist im Hellfeldbereich bei der Abbildung der ersten Fotomaske
nicht belichtet wurde, die zweite Fotomaske transparente Gebiete
aufweisen sollte, so dass die Hilfsstrukturen wegbelichtet werden
k?nnen.Nachfolgend
wird die Erfindung anhand der Figuren n?her erl?utert. Es zeigen:1 Ausschnitt aus einer herk?mmlichen Fotomaske
und ein mit der Fotomaske erzeugtes Muster im Fotoresist,2 Ausschnitte aus einer erfindungsgem?ssen ersten
und zweiten Fotomaske zur Durchführung
des erfindungsgem?ssen Verfahrens
und ein resultierendes Muster im Fotoresist,3 Ausschnitte aus einer erfindungsgem?ssen ersten
und zweiten Fotomaske zur Durchführung
einer ersten Variante des erfindungsgem?ssen Verfahrens und ein resultierendes
Muster im Fotoresist,4 schematische Darstellung eines Ziellayouts,
sowie erfindungsgem?sse erste
und zweite Teillayouts,5 schematische Darstellung einer Variante
der in der 4 dargestellten Teillayouts,6 und 7 Beispiele
für Ziellayouts
und deren Zerlegung in erstes und zweites Teillayout.Die 1 ist in der Beschreibungseinleitung bereits
n?her erl?utert worden.Um
eine erste und eine zweite Fotomaske 11, 12 gem?ss der 2 herzustellen, ist ein in einem Fotoresist 5 auszubildendes
Ziellayout 4 in ein erstes und ein zweites Teillayout 41, 42 zerlegt
worden. Das der 2 zugrunde liegende
Ziellayout 4 ist identisch mit dem Ziellayout 4,
das der Fotomaske 1 gem?ss der 1 zugrunde liegt.Die 2a zeigt
einen Ausschnitt aus einer ersten Fotomaske 11 gem?ss dem ersten
Teillayout 41. Es ist der Abschnitt 2 mit den
Nutzstrukturen 3 dargestellt. Der Abschnitt 2 ist
von einem Hellfeldabschnitt 21 umgeben. Im Unterschied
zu der Fotomaske 1 gem?ss der 1 weist der Hellfeldabschnitt 21 wegen
eines opaken Hilfsabschnittes 31, der durch eine Blockstruktur 33 realisiert
ist, einen geringeren Hellfeldanteil auf. Die Blockstruktur 33 deckt
den Hellfeldabschnitt 21 bis auf einen minimalen Resthellfeldabschnitt 22,
der als ein Restrahmen 221 den Abschnitt 2 umgibt,
ab. Der 2a ist der gepunktet dargestellte
Hilfsabschnitt 31, sowie der hell dargestellte Resthellfeldabschnitt 22 entnehmbar.
Hier und im Weiteren entsprechen helle Abschnitte transparenten
und schwarze oder gepunktete Abschnitte weniger transparenten, oder opaken
Bereichen in der jeweiligen Fotomaske 11, 12.In
der 2b ist ein Ausschnitt aus einer zweiten Fotomaske 12 dargestellt.
Die Struktur 34 in der zweiten Fotomaske 12 ist
durch einen blockartigen opaken Abschnitt 35 in der zweiten
Fotomaske 12 realisiert. Wie man bei gleichzeitiger Betrachtung der 2a und 2b sehen
kann, ist der opake Abschnitt 35 so dimensioniert, dass
er den Abschnitt 2 und den Resthellfeldabschnitt 22 der
ersten Fotomaske abdeckt. Der Resthellfeldabschnitt 22 weist eine
Breite a auf. Der opake Abschnitt 35 geht um eine im Vergleich
zur Breite a kleine Gr?sse ε über den Resthellfeldabschnitt 22 hinaus.
Dies ist notwendig, um auch bei einer Fehljustierung innerhalb der
Spezifikation den Resthellfeldabschnitt 22 noch sicher von
der Blockstruktur 33 abzudecken. Der Bereich der ersten
Fotomaske 11 in dem die Blockstruktur 33 vorgesehen
ist, ist in der zweiten Fotomaske 12 als lichtdurchl?ssiger Bereich
vorgesehen.Nach
einer fotolithographischen Abbildung von Strukturen in der ersten
Fotomaske 11 in den Fotoresist 5 und einer darauf
folgenden fotolithographischen Abbildung von Strukturen in der zweiten
Fotomaske 12 in den selben Fotoresist 5 sind im
Fotoresist 5 nach einer Entwicklung des Fotoresists 5,
die in der 2c dargestellten Nutzstrukturen 3 gem?ss dem Ziellayout
ausgebildet.Die 2c zeigt
die im Abschnitt 2 angeordneten Nutzstrukturen 3 in
dem Fotoresist 5, die von dem Hellfeldabschnitt 21 umgeben
sind. Dunkle Bereiche in der 2c entsprechen
den als Fotoresiststege oder -inseln ausgebildeten Nutzstrukturen 3. Helle
Bereiche entsprechen belichtetem Fotoresist und nach der Entwicklung
entferntem Fotoresist 5.Wie
man der 2c entnehmen kann, sind die
Nutzstrukturen 3 am Rande des Abschnittes 2 breiter
und gr?sser als
im Zentrum des Abschnittes 2. Dieses Ph?nomen ist zurückzuführen auf
eine ungleichm?ssige Fl?chenbelegung
in der ersten Fotomaske 11. Im Zentrum des Abschnittes 2 erhalten
die Nutzstrukturen 3 Streulicht aus ihrer inneren Umgebung,
am Rand des Abschnittes 2 aufgrund der Blockstruktur 33 kaum
Streulicht mehr von aussen in
den Abschnitt 2 gelangt.Um
diesen Effekt auszugleichen, k?nnen
anstelle der opaken Blockstruktur 33 gem?ss der 3 auch den Nutzstrukturen 3 gleichende
Hilfsstrukturen 32 eingesetzt werden, um den Hellfeldanteil
im Hellfeldabschnitt 21 zu reduzieren.In
der 3a ist ein Ausschnitt aus einer ersten Fotomaske 11 mit
dem die Nutzstrukturen 3 aufweisenden Abschnitt 2 und
dem Hellfeldabschnitt 21 dargestellt. Die Blockstruktur 33 gem?ss der 2a im
Hellfeldabschnitt 21 ist hier durch Hilfsstrukturen 32 ersetzt.
Die Hilfsstrukturen 32 haben die gleiche Form und Gr?sse wie die
Nutzstrukturen 3. Bis auf den schmalen Resthellfeldabschnitt 22 mit
der Breite a wird mittels der Hilfsstrukturen 32 eine homogene Fl?chenbelegung
in der Fotomaske 11 erreicht.Die 3b zeigt
die zu der ersten Fotomaske 11 geh?rige zweite Fotomaske 12,
die sich in diesem Beispiel nicht von der Fotomaske gem?ss der 2b unterscheidet.Das
nach einer Abbildung der beiden Fotomasken ausgebildete Muster im
Fotoresist 5 ist der 3c entnehmbar.
Im Unterschied zur 2c weisen hier die als kleine
Lackstege ausgebildeten Strukturen 3 keine Gr?ssenunterschiede
vom Zentrum zum Rand des Abschnittes 2 hin mehr auf. Durch
das Fortsetzen des Musters der Nutzstrukturen 3 lassen
sich die Nutzstrukturen 3 im gesamten Abschnitt 2 homogen
ausbilden, da auf alle Nutzstrukturen 3 in etwa die gleiche
Streulichtmenge einwirkt.Die 4 zeigt ein Ziellayout 4, das
in zwei Teillayouts 41, 42 gem?ss einer dritten Variante des erfindungsgem?ssen Verfahrens
zerlegt wurde.Die 4a zeigt
das Ziellayout 4. Zu sehen sind die die Nutzstrukturen 3 aufweisenden
Abschnitte 2, die voneinander durch den Hellfeldabschnitt 21 getrennt
sind. Der eingezeichnete elliptische Ausschnitt im Ziellayout 4 ist
rechts im Bild noch einmal vergr?ssert dargestellt.
Wie man sieht sollen die Nutzstrukturen 3 als kleine Stege
im Fotoresist 5 ausgebildet werden.In
der 4b ist das erste Teillayout 41 für die erste
Fotomaske 11 dargestellt. Zu sehen ist der in der 4a gezeigte
elliptische Ausschnitt. Der 4b sind
die Nutzstrukturen 3 und die im Hellfeldabschnitt 21 ausgebildeten
Hilfsstrukturen 32 entnehmbar. Wie man anhand der 4b erkennen kann,
setzen die Hilfsstrukturen 32 das durch die Nutzstrukturen 3 ausgebildete
Muster ohne eine Unterbrechung fort. Dadurch werden für alle Nutzstrukturen 3 auch
am Rande des Abschnittes 2 gleiche Abbildungsbedingungen
geschaffen. Dies führt bei
der Ausbildung der Nutzstrukturen 3 im Fotoresist 5 zu
keinerlei CD-Schwankungen aufgrund von Streulicht mehr.In
der 4c ist der der 4b entsprechende
Ausschnitt aus dem zweiten Teillayout 42 dargestellt. Zu
sehen sind die opaken Abschnitte 35 mit denen die Nutzstrukturen 3 abgedeckt
werden und die als transparente Abschnitte ausgebildeten Strukturen 34.
Mit den Strukturen 34 in der zweiten Fotomaske 12 gem?ss dem zweiten
Teillayout 42 werden die Hilfsstrukturen 32, die
mit der ersten Fotomaske 11 gem?ss dem ersten Teillayout 41 in
den Fotoresist 5 abgebildet wurden, wegbelichtet. Die Strukturen 34 in
dem zweiten Teillayout 42 stellen also das Komplement zu
den Hilfsstrukturen 32 in dem ersten Teillayout 41 dar.
Dort wo die erste Fotomaske 11 im Hellfeldabschnitt 21 dunkle
Abschnitte aufweist, weist die zweite Fotomaske 12 im Hellfeldabschnitt 21 helle
Abschnitte auf.In
der 4d ist eine Variante des zweiten Teillayouts 42 dargestellt.
Im Unterschied zum zweiten Teillayout 42 gem?ss der 4c weist
das zweite Teillayout 42 in der 4d die
Strukturen 34 mit einer geringeren Breite auf. Da bei der
ersten und der zweiten Fotomaske 11, 12 gem?ss den Teillayouts
der 4 für die Abbildung der zweiten
Fotomaske 12 die gleiche hoch aufl?sende Streulicht generierende Abbildungseinrichtung
eingesetzt werden sollte, wie zur Abbildung der ersten Fotomaske 11,
kann die Verwendung der zweiten Fotomaske 12 gem?ss dem zweiten
Teillayout 42 in der 4d zu
einem besseren Resultat bei der Strukturausbildung im Fotoresist 5 führen, da
eine Gr?sse der Strukturen 34 in
der zweiten Fotomaske 12 das Streulichtverhalten der Abbildungseinrichtung
mit berücksichtigt.Die 5 zeigt eine weitere Variante der in der 4b bis 4d gezeigten
Teillayouts 41, 42. Das in der 5a dargestellte
erste Teillayout 41 unterscheidet sich von dem in der 4b durch
die nicht abbildenden Hilfsstrukturen 321. Zwischen den Nutzstrukturen 3 und
den Hilfsstrukturen 32 befindet sich jeweils eine Reihe
von nicht abbildenden Hilfsstrukturen 321.Die 5b zeigt
das korrespondierende zweite Teillayout 42 für die zweite
Fotomaske 12 mit der dann ausschliesslich die Hilfsstrukturen 32 wegbelichtet
werden k?nnen.In
der 6a ist ein weiteres Beispiel für das Ziellayout 4 dargestellt.
Die Nutzstrukturen 3 bestehen hier aus in Gruppen angeordneten
Linien, wobei jeweils zwei Gruppen durch einen Hellfeldabschnitt 21 voneinander
getrennt sind. Die 6b zeigt ein m?gliches
erste Teillayout 41. Die linienartigen Nutzstrukturen 3 werden
im Hellfeldabschnitt 21 mit linienartigen Hilfsstrukturen 32 fortgesetzt.Der 4c ist
das zweite Teillayout 42 mit linienartigen Strukturen 34 und
opaken Abschnitten 35 entnehmbar.Ein
weiteres Beispiel für
das Ziellayout 4 ist in der 7a dargestellt.
Die Nutzstrukturen 3 sind als horizontale und vertikale
Strukturgruppen im Ziellayout 4 vorgesehen. Die Strukturgruppen
werden durch die dargestellten Hellfeldabschnitte 21 voneinander
getrennt. Die 7b und c zeigen die Zerlegung des Ziellayout gem?ss der 7a in
die beiden Teillayouts 41, 42. Der 7b ist
das erste Teillayout 41 entnehmbar. Um den Hellfeldanteil
in den Hellfeldabschnitten 4 zu reduzieren, sind die Nutzstrukturen 3 wie
in der 7b dargestellt, durch die Hilfsstrukturen 32 erg?nzt. Die
Hilfsstrukturen 32 setzen das durch die Nutzstrukturen 3 ausgebildete
Muster fort. Im linken Teil des Bildes in dem die Nutzstrukturen 3 horizontal
angeordnet sind, gruppieren sich um die Nutzstrukturen 3 horizontale
Hilfsstrukturen 32. Entsprechend gruppieren sich um die
vertikal angeordneten Nutzstrukturen 3 vertikal angeordnete
Hilfsstrukturen 32.In
der 7c ist das zweite Teillayout 42 dargestellt.
Zu sehen sind die opaken Abschnitte 35 mit den Strukturen 34.
Die Strukturen 34 sind ebenfalls gem?ss den Hilfsstrukturen 32 als
horizontale und vertikale Strukturen 34 ausgebildet.1Fotomaske11erste
Fotomaske12zweite
Fotomaske2Abschnitt21Hellfeldabschnitt22Resthellfeldabschnitt221Restrahmen3Nutzstrukturen31Hilfsabschnitt32Hilfsstrukturen321nicht
abbildende Hilfsstrukturen33Blockstruktur34Struktur35opaker
Abschnitt4Ziellayout41erstes
Teillayout42zweites
Teillayout5Fotoresist
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