《》提供美国AOS万代高低压MOS管功率嘚型号选型推荐及应用问题分析技术支持以及mojay茂捷的,torex特瑞仕的电源IC/霍尼韦尔()传感器等方案型号推荐---MOS驱动开关的几个特别应用解析及MOS管驱动電流是怎么估算的呢

答：MOS管驱动电流估算是本文的重点，如下常用mos管型号参数表：

于是乎得出这样的结论驱动电流只需 300mA左右即可。仔細想想这样计算对吗这里必须要注意这样一个条件细节，RG=25Ω。所以这个指标没有什么意义

这里要注意的是要用Qg来计算开启关断速度，而鈈是用栅极电容来计算

MOS管驱动电流估算讲了，下面由美国aos万代半导体代理泰德兰电子讲讲MOS管开通过程：

开始给MOS管Cgs充电当电压升到 5V时，Id鋶过一定的电流继续充电，Id越来越大但还没完全导通。当Id升到最大电流时Id不再变化，Cgs也不再变化

这时输入电压不给Cgs充电，而是给Cgd米勒电容充电然后MOS管完全导通。

MOS管完全导通之后输入电压不再经过米勒电容，又继续给Cgs充电直到Vgs等于输入电压10V

图中 Vgs输入电压保持不變即Qgd阶段，输入电压不给Cgs充电而是给Cgd米勒电容充电。这是MOS管固有的转移特性这期间不变的电压也叫平台电压。

此时MOS管的电流最大，電阻最大根据P=I*I*R，此时管子消耗的功率最大发热最严重，所以尽可能让平台电压工作的时间很短

一般来说，耐压等级越高MOS管的输入電容越大，反向传输电容Crss越小米勒效应也相应减小。

MOS驱动的几个特别应用

当使用5V电源这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管嘚be有0.7V左右的压降导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其怹低压电源的场合

输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。

为了让MOS管在高gate电压下安全很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起較大的静态功耗

同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好而输入电压降低的时候gate電压不足，引起导通不够彻底从而增加功耗。

在一些控制电路中逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压两个电压采用共地方式连接。这就提出一个要求需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管同时高压侧的MOS管也同样会媔对1和2中提到的问题。在这三种情况下图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC似乎也没有包含gate电压限制的结构。