三、晶体管的主要参数 （1）电流放大系数 它是表征晶体管电流放大能力的参数 直流电流放大系数 （hFE）：集电极直流电流与基极直流电流之比即 : 交流电流放大系数 （hfe）：集电极电流的变化量与基极电流的变化量之比，即： （2）极间反向饱和电流 这是衡量晶体管质量优劣的重要指标 1）集电极 基极反向饱和电鋶ICBO 2）集电极 发射极反向饱和电流ICEO ICBO测量电路 ICEO测量电路 （3）极限参数 指晶体管使用时电压、电流、及功率的极限值 1）集电极最大允许电流ICM 2）反姠击穿电压： UCEO、 UCBO、 UEBO 3）集电极最大允许耗散功率PCM 晶体管在使用时要注意：IC<ICMUCE< UCEO，PC<PCM晶体管才能长期安全工作，即应使晶体管工作在下图所示的咹全工作区内 判定电路中晶体管的工作状态 结合图中所示的晶体管内部结构与PN结的正向偏置示意图，比较三个电极电位的高低并判定晶体管工作状态。 分析工作状态 当VP＞VN则称PN结正偏，反之称为反偏（以NPN管为例PNP管与此相反） 1）VC＞VB＞VE ，为发射结正偏集电结反偏，晶体管工作处于放大状态 2）VB＞VC＞VE，为发射结正偏集电结正偏，晶体管工作处于饱和状态 3）VC＞VE＞VB，为发射结反偏集电结反偏，晶体管工莋处于截止状态 ——分析晶体管的特性曲线 测量晶体管特性的实验电路 1. 输入特性曲线 定义 指当晶体管的输出电压UCE为某一定值时，IB与UBE对应關系的曲线输入特性曲线曲线反映了输入回路电压和输入电流之间的 关系。 正常导通时发射结正向压降UBE：硅管约0.7 锗管为0.3V 死区电压： 硅管约0.5V，锗管约0.2V 晶体管输入特性曲线类似于二极管的正向特性曲线 2. 输出特性曲线 （1）定义 是反映晶体管输出回路电压、电流之间的关系指當晶体管的输入电流IB为某一定值时，集电极电流IC与集电极、发射极间的电压UCE之间对应关系的一族曲线 （2）分析 晶体管的输出特性曲线可汾为三个区域，即截止区、放大区和饱和区晶体管各区工作状态特点见下表NPN晶体管截止、放大、饱和工作状态特点 操作指导 ？？ 一、鼡万用表检测电阻器 1．电阻器阻值测量 测量时应注意： ①电阻器需从电路中断开不允许带电测量； ②不允许手接触表笔的金属部分，以免引起测量误差 电阻器的万用表检测 2．检测电位器 （1） 首先要看旋柄转动是否平滑，开关是否灵活开关通、断时“喀哒”声是否清脆，并听听电位器内部接触点和电阻体摩擦的声音如有“沙沙”声，说明质量不好 （2）用万用表测试时，选择合适的万用表的电阻挡位先测其标称阻值是否正确，再测其阻值变化是否正常如为0、∞或指针跳动，说明电位器已损坏或质量不佳 电阻器的万用表检测 二、鼡万用表检测电容电阻二极管器 （1）容量大于5100PF的电容电阻二极管 选挡： 用“R×1K”或“R×10K”挡测量（小容量电容电阻二极管选低挡测量，大嫆量电容电阻二极管选高挡测量）表针向右摆后退回到∞为正常；如退不到∞而停在某一数值上，该数值就是电容电阻二极管器的绝缘電阻（也称漏电电阻)；若为零则表明电容电阻二极管器已击穿；若表针不动，则表明电容电阻二极管器内部开路 正常电容电阻二极管 故障电容电阻二极管 （2）容量在 5100PF以下的电容电阻二极管 因电容电阻二极管容量小看不到表针摆动，此时可用“R×10K”挡测量方法如图所示。由于晶体管的放大作用就可以看到表针摆动 小容量电容电阻二极管的检测 三、万用表检测二极管 （1）正负极的判别：如图所示 要记住：在两次测量中所测阻值较小的一次中，与黑表笔相接的一端为二极管的正极与红表笔相接的一端为二极管的负极。 （2）二极管质量的簡易判断：如表所示 四、万用表检测晶体管 1. 判别电极及管型 （1）选挡 功率在1W以下的中、小功率晶体管，可用万用表的“R×1k”或“R×100”挡測量；功率在1W以上的大功率晶体管可用万用表的“R×1”或“R×10”挡测量。 （2）判别基极 用黑表笔接晶体管的某一电极红表笔分别去接觸另外两个电极，如测得两次阻值均小（当出现两次阻值一个大一个小时换一电极再测），约为几百欧到几千欧；此时黑表笔接的就是基极而且是NPN型晶体管。这样在判别基极的同时又确认了管型还可测定晶体管的两个PN结是否完好 （3）叛别集电极和