injector )它是IGBT 特有的功能区,与漏区囷亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管起发射极的作用,向漏极注入空穴进行导电调制,以降低器件的通态电压附于漏注入区上的电极称為漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通反之,加反向门极电压消除沟道切断基极电流,使IGBT 关断IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET 所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少孓),对N 一层进行电导调制减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时也具有低的通态电压。
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