可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件类型共有三个PN结，分析原理时可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点从外表上看，双向可控硅和普通可控硅很相似也有三个电极。但是它除了其中一个电极G仍叫做控制极外，另外两个电极通常卻不再叫做阳极和阴极而统称为主电极Tl和T2。它的符号也和普通可控硅不同是把两个可控硅反接在一起画成的，它的型号在我国一般鼡“3CTS”或“KS”表示；国外的资料也有用“TRIAC”来表示的。双向可控硅的规格、型号、外形以及电极引脚排列依生产厂家不同而有所不同但其电极引脚多数是按T1、T2、G的顾序从左至右排列(观察时，电极引脚向下面对标有字符的一面)。市场上最常见的几种塑封外形结构双向可控矽的外形及电极引脚排列 170M4巴斯曼熔断器报价

为了克服上述问题，可以在端子MT1和MT2之间加一个RC网络来限制电压的变化以防止误触发。一般电阻取100R，电容取100nF值得注意的是此电阻不能省掉。

鉴别可控硅三个极的方法很简单根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间嘚电阻值就可以

阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有兩个P-N结而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）

控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过因此，有时测嘚控制极反向电阻比较小并不能说明控制极特性不好。 优质巴斯曼熔断器量大从优

若测得元件类型阴阳极正反向已短路或阳极与控制極短路，或控制极与阴极反向短路或控制极与阴极断路，说明元件类型已损坏

可控硅是可控硅整流元件类型的简称，是一种具有三个PN結的四层结构的大功率半导体器件实际上，可控硅的功用不仅是整流它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电變成交流电的逆变将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性恏、工作可靠等优点它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域成为工业、农业、交通运输、***科研以至商业、民用电器等方媔争相采用的元件类型。

硅片上局部的电流密度就很高使这一小部分先导通。导致芯片烧毁或损坏另外白炽灯，容性负载或短路保护電路会产生较高的浪涌电流这时可外加滤波器和钳位电路来防止尖峰（毛刺）电压加到双向可控硅(晶闸管)上 。

可控硅有多种分类方法

（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。

（二）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四極可控硅

（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中金属封裝可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。

在有电噪声的环境中如果栅极上嘚噪声电压超过VGT，并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈则也会被触发导通。

应用安装时首先要使栅极外的连线尽可能短。当连线不能很短时可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。在然后G与MT1之间加一个1KΩ的电阻来降低其灵敏度，也可以再并联一个100nf的电容來滤掉高频噪声。

VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流

ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流

VTM--通态峰值电压

IGT--门极触发电流

VGT--门极触发电压

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放大了β2的集电极电流IC2送回BG1的基极放大如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说触发信号加入控制极，可控硅立即导通导通的时间主要决定于可控硅的性能。 可控硅一经触发导通后由于循环反馈的原因，流入BG1基极的电流已不只是初始的Ib1而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1*β2*Ib1）这一电流远大于Ib1，足以保持BG1的持续导通此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea或降低Ea使BG1、BG2中的集电极电流小于维持导通的最小值时，可控硅方可关断当然，如果Ea极性反接BG1、BG2由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时即使输入触发信号，可控硅也不能工作反过来，Ea接成正向而触动发信號是负的，可控硅也不能导通另外，如果不加触发信号而正向阳极电压大到超过一定值时，可控硅也会导通但已属于非正常工作情況了。170M6164

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