京瓷可提供采用多层氮化硅基板莋AMB陶瓷覆铜基板技术的功率器件模块的封装管壳
氮化硅基板做AMB基板具有更高的强度，韧性及比氧化铝陶瓷更好的散热性作为绝缘材料使用。
采用活性金属键合Active metal bonding （AMB）方式将铜板键合到氮化硅基板做AMB基板上
其也作成气密性封装功率器件模块。

· 高可靠性：温度循环试验（-65℃～+150℃1000Cycle）确保气密性（试验样品数量：5pcs，京瓷试验结果）
· 多层结构：铜片和氮化硅基板做AMB基板是通过活性金属键合方式焊接起来的（见图2）
· 3维多层咘线结构：上下曾布线回路通过埋铜导通孔来实现连接。（见图1）
  多层结构可以实现降低电感
· 可做成螺丝固定构造