由于其便捷性和灵活性电子束曝光技术在MEMS、光电、光通讯、微波/功率器件、微纳加工、新材料研究等领域具有广泛应用。本系统是在SEM基础上加装EBL图形发生器改造而成鈳以实现高分辨电子束曝光功能,并且具有良好的高分辨成像能力可在毫米级小样品至2.5cm不规则样品上,实现大于100nm结构的加工设备配备嘚热稳定性控制系统可保证在稍差环境也能得到所需曝光结果。本曝光系统主要用于:纳米级光刻;高分辨成像及低电压电子束光刻
EBL设計制作的各种器件结构(SEM照片)
电子束电压:最高至30kV;
最小曝光线宽:100 nm
典型曝光线宽:1 um
推荐电子束胶:PMMA
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