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存储原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理需刷新（早期：三管基本单元；之后：单管基本单元）。

刷新（再生）：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失必须定时给栅极电容补充电荷的操作。

刷新时间：定期进行刷新操作的时间该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）。

優点： 集成度远高于SRAM、功耗低价格也低。

缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较SRAM慢所以在计算机中，DRAM常用于作主存儲器

尽管如此，由于DRAM存储单元的结构简单所用元件少，集成度高功耗低，所以已成为大容量RAM的主流产品

DRAM利用电容存储电荷的原理保存信息，电路简单集成度高。由于任何电容都存在漏电因此，当电容存储有电荷时过一段时间由于电容放电会导致电荷流失，使保存信息丢失

解决的办法是每隔一定时间（一般为2ms）须对DRAM进行读出和再写入，使原处于逻辑电平“l”的电容上所泄放的电荷又得到补充原处于电平“0”的电容仍保持“0”，这个过程叫DRAM的刷新

DRAM的刷新操作不同于存储器读/写操作，主要表现在以下几点：

（1）刷新地址由刷噺地址计数器产生不是由地址总线提供。

（2）DRAM基本存储电路可按行同时刷新所以刷新只需要行地址，不需要列地址

（3）刷新操作时存储器芯片的数据线呈高阻状态，即片内数据线与外部数据线完全隔离