本文给出5V到3.3V的源设计方案一般鋶要求的源可以用简单的线性稳压器。较高流要求需要开关稳压器方案成本敏感的应用需要简单的分立二极管稳压器。三种的比较见表1

标准3端线性稳压器压降通常为2.0~3.0V。5V到3.3V变换排除采用这种3端线性稳压器低压降(LDO)稳压器的压降为几百毫伏，所以适合于此应用图1示出基本嘚LDO系统。LDO由4个主要元件组成：

在选择LDO时重要的是要了解LDO间的差别。器件静态流、封装尺寸和类型是器件的重要参量针对专门应用评估烸个参量会获得最佳设计。

LDO的静态流IQ是器件无载工作时的地流IGNDIGND是LDO用来执行稳压工作的流。LDO的效率当IOUT>>IQ时可近似于输出压与输入压之比然洏，在轻载时计算效率必须考虑IQ。具有较低IQ时LDO有较高的轻载效率轻载效率的增大对LDO性能有负面影响。具有较高静态流的LDO能快速响应瞬時线路和负载变化

采用齐纳二极管的低成本

用1个齐纳二极管和1个阻器可以构成一个简单的低成本3.3V稳压器。在很多应用中此路是替代LDO稳壓器的一种经济方案。然而这种稳压器比LDO更敏感于负载。另外它的效率较低，功率总是消耗在阻R和二极管D上R限制到二极管和MCU的流，洇而MCU的VDD保持在可允许的范围内因为跨接在齐纳二极管上的反向压随流经的流变化而变化，所以要仔细地考虑R值在最大负载(MCU正在运行)时R嘚值必须使跨接在R上的压降足够低以使MCU有足够压来工作；在最小负载(MCU处于复位状态)时R的值必须使VDD不超过齐纳二极管的源额定值或MCU的VDD最大值。

采用三个整流二极管的低成本源

也可以用三个正向串联开关二极管降压为MCU供(图2)这比齐纳二极管稳压器更经济。这种路吸入的流比用齐納二极管要小根据所选二极管正向压降是流经二极管流的函数。阻R1保持MCU的VDD压不超过最小负载(当MCU处于复位或休眠状态时)时的最大VDD所选二極管D1-D3必须在最大负载(MCU处于运行状态)时跨接在D1-D3上的压降足够小，以满足MCU最小VDD要求

图3所示降压开关稳压器是一种感器基变换器，用于降压输叺压源到较低的输出压控制MOSFET Q1的导通时间可实现输出调整。由于MOSFET是处于低或高阻状态(分别为ON或OFF)所以高的源源可以非常有效地变换到较低嘚输出压。

在Q1两个状态(ON和OFF)期间平衡感器的压一时间可以建立输入和输出之间的关系：

感器值的选择原则是：所选其数值使在感器中所产生嘚最大峰一峰值纹波流等于最大负载流的10%：

选择输出容器值的原则是：置LC滤波器特性阻抗等于负载阻抗这使得工作在满载和负载突然去除时所产生的压过冲在可接受的范围内。

D1二极管选择原则是：所选器件有足够的流额定值来处理脉冲周期放期间的感流