三星固态硬盘sv843、sm843at具体型号?

配置状况 — 无或未知
三星固态硬盘(64GB)
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在美国圣何塞举办的三星技术日活动上三星公开分享了固态硬盘技术路线图,除了96层堆叠3D TLC闪存之外QLC闪存也被提上了日程。此外一大批新型号固态硬盘名称得到确认。 TLC闪存更新96层堆叠 同其他几家闪存原厂一样三星正在推动96层堆叠技术在3D闪存当中的应用。被称为第五代V-NAND的三星96层堆叠TLC闪存的容量相比现茬的64层技术没有增长但是芯片体积缩小,工作电压降低带来成本与功耗方面的进步。
单芯片BGA封装、无外置缓存的NVMe固态硬盘PM971a将被PM991取代順序和随机写入性能提升1倍、顺序读取速度提高50%(约2200MB/s,相比PM981要慢) 高端企业级产品方面,闪存之外的主控芯片也将得到升级三星PM1733在PCIe 4.0下順序读取速度最高可达8GB/s。目前PCIe 4.0在家用PC领域还没有眉目所以大家也只能靠想象了。

QLC闪存引入新系列 三星企业与OEM固态硬盘使用MLC闪存的型号以SM開头使用TLC闪存的型号以PM开头,未来QLC闪存固态硬盘当中将以“BM”开头首批宣布的QLC闪存固态硬盘包含四个型号:BM1733、BM9A3、BM1653(SAS)和BM991(OEM NVMe)。

零售消費级产品方面三星公开了860QVO(SATA)和980QVO(NVMe)两个QLC闪存型号,对应现在TLC闪存的860EVO和970EVO三星尚未公开具体的性能指标,PCEVA认为EVO和QVO系列应该会在一段时间內共存形成高低搭配的形态。 至于MLC闪存的970Pro它可能不会有继任者了:三星企业级Z-NAND闪存已经准备推出MLC类型。大家有没有感觉到TLC已经高端化叻好消息是QLC闪存应该能在明年推动512GB固态硬盘的普及。
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