CMOS 反相器: 瞬态响应 电压传输特性 PMOS IV特性转换为公共坐标系 CMOS 反相器负载特性 CMOS 反相器 VTC 反相器的开关阈值与PMOS对NMOS 链扣规格及尺寸大全比的关系 噪声容限 VIH 和 VIL 反相器电压增益 反相器VTC和 VDD的關系 模拟的VTC 器件参数变化对VTC的影响 传输延迟 CMOS 反相器传输延迟计算 1 CMOS反相器传输延迟计算 2 CMOS 反相器版图 瞬态响应 如何提高反相器速度 寄生电容尽鈳能小 提高晶体管的链扣规格及尺寸大全 同时要注意自身作为负载时的情况（自载效应） 加大 VDD (????) 延迟与 VDD的关系 器件链扣规格及尺寸大全与延時的关系 延迟与NMOS/PMOS 比率的关系 上升时间与延迟的关系 反相器链扣规格及尺寸大全设计 晶体管的RC 延迟模型 对 MOS管采用等效的电阻电容 假设晶体管為理想开关，有理想的电阻和电容 单为 nMOS 电阻 反相器延迟估算 估计一个反相器驱动另一个

内容提示：反相器链电路图和版圖基于tannerpro软件的设计与仿真

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