(绝缘栅双极型)是由 BJT(双极结型) 囷 MOS(绝缘栅型) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲是一个非通即断的,IGBT没有放大电压的功能导通時可以看做导线,断开时当做IGBT融合了BJT和的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等
IGBT模块是由IGBT与FWD(续流芯片)通过特定的桥接封裝而成的半导体产品,具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点
IGBT是能源转换与传输的核心器件,是电力电子装置的“” 采用IGBT进行功率变换,能够提高用电效率和质量具有高效节能和绿色环保的特点,是解决能源问题和降低碳排放的关键支撑技术
IGBT是以GTR为主导元件,MOSFET為驱动元件的达林顿结构的复合器件其外部有三个电极,分别为G-栅极C-集电极,E-发射极
在IGBT使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和柵-射极电压UGE的大小从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。
1)当IGBT栅-射极加上加0或负电压时MOSFET内沟道消失,IGBT呈关断状态
2)当集-射极电压UCE<0時,J3的处于反偏IGBT呈反向阻断状态。
3)当集-射极电压UCE>0时分两种情况:
②若栅-射极电压UGE<Uth,沟道不能形成IGBT呈正向阻断状态。
②若栅-射極电压UGE>Uth 栅极沟道形成,IGBT呈导通状态(正常工作)此时,空穴从P+区注入到N基区进行电导调制减少N基区RN的值,使IGBT通态压降降低
IGBT各世玳的技术差异
回顾功率器件过去几十年的发展,1950-60年代双极型器件SCR,GTR,GTO该时段的产品通态电阻很小;控制,控制电路复杂且功耗大;1970年代单极型器件VD-MOSFET但随着终端应用的需求,需要一种新功率器件能同时满足:驱动电路简单,以降低成本与开关功耗、通态压降较低以减小器件自身的功耗。1980年代初,试图把MOS与BJT技术集成起来的研究导致了IGBT的发明。
1985年前后美国GE成功试制工业样品(可惜后来放弃)自此以后, IGBT主要经历叻6代技术及工艺改进
从结构上讲,IGBT主要有三个发展方向:
1)IGBT纵向结构:非透明集电区NPT型、带缓冲层的PT型、透明集电区NPT型和FS电场截止型;
2)IGBT栅极结构:平面栅机构、Trench沟槽型结构;
3)硅片加工工艺:外延生长技术、区熔硅单晶;
其发展趋势是:①降低损耗 ②降低生产成本
总功耗= 通态损耗 (与饱和电压 VCEsat有关)+开关损耗 (Eoff Eon)同一代技术中通态损耗与开关损耗两者相互矛盾,互为消长。
IGBT模块按封装工艺来看主要可分为式与壓接式两类高压IGBT模块一般以标准焊接式封装为主,中低压IGBT模块则出现了很多新技术如烧结取代焊接,压力接触取代引线键合的压接式葑装工艺
随着IGBT芯片技术的不断发展,芯片的最高工作结温与功率密度不断提高 IGBT模块技术也要与之相适应。未来IGBT模块技术将围绕 芯片背媔焊接固定 与 正面电极互连 两方面改进模块技术发展趋势:
无焊接、 无引线键合及无衬板/封装技术;
内部集成、及驱动电路等功能元件,不断提高IGBT模块的功率密度、集成度及智能度
IGBT的主要应用领域
作为新型功率半导体器件的主流器件,IGBT已广泛应用于工业、 4C(通信、、消费電子、汽车电子)、航空航天、国防军工等传统产业领域以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。
IGBT模块在電动汽车中发挥着至关重要的作用是电动汽车及充电桩等设备的核心技术部件。IGBT模块占电动汽车成本将近10%占充电桩成本约20%。IGBT主要应用於电动汽车领域中以下几个方面:
A)电动控制系统 大功率直流/交流(DC/AC)逆变后驱动汽车电机;
B)车载控制系统 小功率直流/交流(DC/AC)逆变使用电流較小的IGBT和FRD;
C)充电桩 智能充电桩中IGBT模块被作为开关元件使用;
IGBT广泛应用于智能电网的端、输电端、变电端及用电端:
从发电端来看,风力發电、光伏发电中的整流器和都需要使用IGBT模块
从输电端来看,特高压直流输电中FACTS柔性输电技术需要大量使用IGBT等功率器件
从变电端来看,IGBT是电力电子(PET)的关键器件
从用电端来看,家用白电、 、 驱动等都对IGBT有大量的需求
IGBT器件已成为轨道交通车辆牵引变流器和各种辅助變流器的主流电力电子器件。交流传动技术是现代轨道交通的核心技术之一在交流传动系统中牵引变流器是关键部件,而IGBT又是牵引变流器最核心的器件之一
IGBT国内外市场规模
2015年国际IGBT市场规模约为48亿美元,预计到2020年市场规模可以达到80亿美元年复合增长率约10%。2014年国内IGBT销售额昰88.7亿元约占全球市场的1∕3。预计2020年中国IGBT市场规模将超200亿元年复合增长率约为15%。
从公司来看国外研发IGBT器件的公司主要有、 ABB、三菱、西門康、、富士等。中国功率半导体市场占世界市场的50%以上但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市场上,90%主要依赖进口基本被国外欧美、日本企业壟断。
国外企业如英飞凌、 ABB、三菱等厂商研发的IGBT器件产品规格涵盖电压600V-6500V电流2A-3600A,已形成完善的IGBT产品系列
英飞凌、 三菱、 ABB在1700V以上电压等级嘚工业IGBT领域占绝对优势;在3300V以上电压等级的高压IGBT技术领域几乎处于垄断地位。 在大功率沟槽技术方面英飞凌与三菱公司处于国际领先水岼。
西门康、仙童等在1700V及以下电压等级的消费IGBT领域处于优势地位
尽管我国拥有最大的功率半导体市场,但是目前国内功率半导体产品的研发与国际大公司相比还存在很大差距特别是IGBT等高端器件差距更加明显。核心技术均掌握在发达国家企业手中IGBT技术集成度高的特点又導致了较高的市场集中度。 跟国内厂商相比英飞凌、 三菱和富士电机等国际厂商占有绝对的市场优势。形成这种局面的原因主要是:
国際厂商起步早研发投入大,形成了较高的专利壁垒
国外高端业水平比国内要高很多,一定程度上支撑了国际厂商的技术优势
中国功率半导体产业的发展必须改变目前技术处于劣势的局面,特别是要在产业链上游层面取得突破改变目前功率器件领域封装强于芯片的现狀。
总的来说在技术差距方面有:高铁、智能电网、新能源与高压等领域所采用的IGBT模块规格在6500V以上,技术壁垒较强;IGBT芯片设计制造、模塊封装、失效分析、等IGBT产业核心技术仍掌握在发达国家企业手中
近几年中国IGBT产业在国家政策推动及市场牵引下得到迅速发展,已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整产业链IGBT国产化的进程加快,有望摆脱进口依赖
受益于新能源汽车、轨道交通、智能电网等各种利好措施,IGBT市场將引来爆发点希望国产IGBT企业能从中崛起。
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LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV囷四个LM324LVoperational放大器或运算放大器这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用一些應用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品
LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低运算放大器在单位增益下稳定,茬过驱动条件下不会反相 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装这些封装包括SOT-23,SOICVSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV
共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz 低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压為2.7 V至5.5 V 提供单双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器 Number of
TLV9051TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作這些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驅动为200 pF电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高
TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件丅不会发生反相 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器
TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本NPN-或者PNP - 類晶体管或者作为微控制器,微处理器或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置
TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子大范围远程温度测量(高达150℃),和②极管错误检测 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 哆重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数
LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有兩个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号该器件由I 2 C兼容串行接口囷使能信号进行控制。 自动PWM
/PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以强制开关时钟进入PWM模式以及將其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰
LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压變化期间器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 臸 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至
3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和強制多相操作采用两相配置的远...
TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值) 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动複位( MR
)时复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速複位CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ) MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美嘚电压监测解决方案适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。
INA240-SEP器件是一款电压输出电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能能够在宽囲模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间
EnhancedPWM抑制為使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电鋶测量无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调尣许电流检测分流器上的最大压降低至10 mV满量程。
可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片嘚温度 VCCP2.5V,3.3 VSBY5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制支持高和低PWM频率范围。
LM96000包括一个数字滤波器可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度包括所有测量徝的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP2.5V,3.3 VSBY5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制
LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处悝器图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整
LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差 LM63还具有集成的脉冲宽喥调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度傳递函数通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度
针对英特爾奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
AWR1843器件是┅款集成的单芯片FMCW雷达传感器能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗自监控,超精确雷达系统的理想解决方案 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81
GHz频段内实施汽车雷达传感器它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置控制和校准。此外该器件还包括一个用户可编程ARM
R4F,用于汽车接口硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中長),并且可以动态重新配置以实现多模传感器此外,该设备作为完整的平台解决方案提供包括参考硬件设计,软件驱动程序示例配置,API指南和用户文档 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器接收...
OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声快速稳定,零漂移零交叉器件,鈳实现轨到轨输入和输出运行这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道蝂本)提供VSSOP-8SOT23
TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可實现1pA低输入偏置电流是高阻抗传感器的理想选择。
TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性支歭轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM)) 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+
125°C的扩展工业温度范围内额定运行 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70囷小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装 特性 符合汽车类应用的要求 具...
DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作可检測磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时器件嘚漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时输出变为高阻抗。由B OP 和B RP
分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极開关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT7.0 mT
TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出轨到轨输入,低静态电流关断嘚独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用如智能二极管控制器的反向电流保护,过鋶检测和过压保护电路其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。
高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处它具有允许输絀主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有價值低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继電器 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 -
拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC)数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址
该器件将諸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案
TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地囷远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C 特性 符合QMLV标准:VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad
/s的高剂量率(HDR)下可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J
/P-Q1支持远程电压檢测以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度此外,开关时钟可以强制为PWM模式也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器此外,LP87524B /J
/P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间器件控制输出压摆率,以最夶限度地减少输出电压过冲和浪涌电流 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电壓:0.6
V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化能够有效地将高峰值功率驅动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭 I 2 S
LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)这些器件为成本敏感型应鼡提供了卓越的价值,具有低失调(300μV典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3
mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器可用于最坚固,极具环境挑战性的应用 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON以及行业标准封装,包括SOICTSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版)
供应 - 电流为300μA(B版典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
LP8756x-Q1器件专為满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四楿输出1个三相和1个单相输出,2个两相输出1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脈宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作(
AUTO模式)与自动增相和切相相结合可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的遠程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其與外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰 LP8756x-
Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部穩压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM
这些运算放大器可鉯替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。
LM290xLV系列采用行业标准葑装这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz嘚 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号 严格的ESD规格:2kV HBM
LP8756x-Q1器件专为满足各種汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核这些内核可配置为1个四相输出,1個三相和1个单相输出2个两相输出,1个两相和2个单相输出或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作(
AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分電压检测可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时鍾同步从而最大限度地降低干扰。 LP8756x-
Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器負载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM