线性电子线路第六:为什么PN结中掺杂浓度Na、Nd越大,内建电位差VB越大,阻挡层宽度越小?

由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型鍺半导体组成一个pn结计算在室温(300K)时,内建电位差VD和阻挡层宽度已知在上述电阻率下,p区的空穴迁移率μp=1650cm2/(V·s)n区电子的迁移率μn=3000cm2/(V·s),锗嘚本征载流子浓度ni=2.5×1013cm-3

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应该是很宽吧只有越宽,自建電场越强才能平衡掺杂浓度大引起的多子浓度变大引发的扩散电流吧?

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