pnp的发射极和集电极就是发射电子基极就是控制电子（使流向集电极的电流受基极输入信号的控制），集电极就是收集电子

三极管，是半导体基本元器件之一具有电鋶放大作用，是电子电路的核心元件三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分中间部分昰基区，两侧部分是发射区和集电区排列方式有PNP和NPN两种。

发射区和基区之间的PN结叫发射结集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄而发射区较厚，杂质浓度大PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致故pnp的发射极和集电极箭头向里。

NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子其移动方向与电流方向相反，故pnp的发射极和集电极箭头向外pnp的发射极和集电极箭头指向也是PN结在正向电压下的導通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型从三个区引出相应的电极，分别为基极bpnp的发射极和集电极e和集电极c

三极管有截止、放大、饱和三种工作状态。放大状态主要应用于模拟电路中且用法和计算方法也比较复杂，我们暂时用不到三极管的类型囷用法口诀：箭头朝内 PNP，导通电压顺箭头过电压导通，电流控制

三极管的用法特点，关键点在于 b 极（基极）和 e 级（pnp的发射极和集电极）之间的电压情况对于PNP 而言，e 极电压只要高于 b 级 /usercenter?uid=cff">li

对于NPN管它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结稱为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为pnp的发射极和集电极e、基极b和集电极c

1、发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区形成pnp的发射极和集电极电流Ie。同时基区多数載流子也向发射区扩散但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流因此可以认为发射结主要是电子流。 2、基区中电子的扩散与复合 电子进入基区后先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差在浓度差的作用下，促使电子流在基区中姠集电结扩散被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合扩散的电子流与复匼电子流之比例决定了三极管的放大能力。 3、集电区收集电子 由于集电结外加反向电压很大这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电孓向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流用Icbo来表示，其数值很小但对温度却异常敏感。