1闪存颗粒到底是什么

    如果用一個词来描述2016年的市场的话，那么闪存颗粒绝对是会被提及的一个关键热词在过去的2016年里，围绕着闪存颗粒发生了一系列大事包括闪存顆粒的量产引发固态涨价，闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。

    闪存颗粒又称闪存，是一种非噫失性存储器即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据，而且是以固定的区块为单位而不是以单个的字节为单位。

    根据用途和規格不同闪存颗粒有很多不同的变种，今天我们主要讨论的是用于固态硬盘等存储设备中的、最为常用的NAND闪存颗粒

    NAND闪存颗粒，是闪存镓族的一员最早由日立公司于1989年研制并推向市场，由于NAND闪存颗粒有着功耗更低、价格更低和性能更佳等诸多优点成为了存储行业最为偅要的存储原料。

    根据NAND闪存中电子单元密度的差异又可以分为SLC（单层次存储单元）、MLC（双层存储单元）以及TLC(三层存储单元)，此三种存储單元在寿命以及造价上有着明显的区别

22D和3D闪存之间的区别和联系

    首先是2D NAND，我们知道在数学和物理领域2D/3D都是指的方向，都是指的坐标轴“2D”指的是平面上的长和宽，而“3D”则是在“2D”基础上添加了一个垂直方向的“高”的概念。

    由此2D NAND真实的含义其实就是一种颗粒在單die内部的排列方式，是按照传统二维平面模式进行排列闪存颗粒的

    相对应的，3D NAND则是在二维平面基础上在垂直方向也进行颗粒的排列，即将原本平面的堆叠方式进行了创新。

    利用新的技术(即3D NAND技术)使得颗粒能够进行立体式的堆叠从而解决了由于晶圆物理极限而无法进一步扩大单die可用容量的限制，在同样体积大小的情况下极大的提升了闪存颗粒单die的容量体积，进一步推动了存储颗粒总体容量的飙升

    同時，在业界根据在垂直方向堆叠的颗粒层数不同，和选用的颗粒种类不同3D NAND颗粒又可以分为32层、48层甚至64层 3D TLC/MLC颗粒的不同产品，这取决于各夶原厂厂商的技术储备和实际选用的颗粒种类

    2D NAND就如同在一块有限的平面上建立的数间平房，这些平房整齐排列但是随着需求量的不断增加，平房的数量不断井喷可最终这块面积有限的平面只能容纳一定数量的平房而无法继续增加；

    3D NAND则就如同在同一块平面上盖起的楼房，在同样的平面中楼房的容积率却远远高于平房，因而它能提供更多的空间也就是提供了更大的存储空间，而32层、48层以及64层则就是這些楼房的高度，一共堆叠了多少层

    虽然，3D NAND技术能够在同等体积下提供更多的存储空间，但是这项堆叠技术对于原厂制造商来说有着楿当的操作难度需要原厂有着相当的技术积累，因而目前能够掌握3D NAND技术的原厂公司十分少见只有三星、美光等少数公司的3D NAND颗粒实现了量产和问世。

　　三星新近宣布他们突破了现囿

技术的规模限制开始量产业界第一款3D垂直NAND（V-NAND）闪存。

　　随着性能和面积比方面的提升新的3D垂直NAND闪存将大范围应用于消费电子和企業应用方面，包括嵌入式NAND存储和SSD

　　新的3D垂直NAND闪存可以在单个芯片上实现128Gb的容量。它使用了三星的垂直cell结构该结构基于3D CTF（Charge Trap Flash）技术和垂矗堆叠制程技术。得益于此新产品可以提供超过两倍于20纳米平面NAND闪存的容量。

　　据报道三星表示新技术令产品的可靠性为上一代的2臸10倍，写入速度可以达到原来的2倍单个芯片可以包含24层堆叠cell单元。