发光芯片发光原理mesa线外是不是有效区

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发光芯片

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如今LED市场已经饱和，价格战愈演愈烈利润空间不断的被压缩。在这种背景之下OLED应时而生，为广大商家开辟新的市场提供了广阔的前景那么OLED和LED的区别到底在哪，它們的发光原理又是什么下面我们一起来探讨一下

LED用的是金属材料，而用的是有机物材料两者的发光原理是一样的，区别在于oled不需要背咣源自己本身会发光，是采用发光阵列组成亮度要比LED液晶高，厚度更薄是今后LED液晶屏的替代品.LED液晶屏需要背光源，亮度一般在日咣下显示度低。但是目前应用最广泛。

LED应用可分为两大类：一是LED单管应用包括背光源LED，红外线LED等；另外就是LED显示屏目前，中国在LED基礎材料制造方面与国际还存在着一定的差距但就LED显示屏而言，中国的设计和生产技术水平基本与国际同步

LED显示屏是由发光二极管排列組成的一显示器件。它采用低电压扫描驱动具有：耗电少、使用寿命长、成本低、亮度高、故障少、视角大、可视距离远等特点。

Display即囿机发光显示器，在手机LCD上属于新崛起的种类被誉为“梦幻显示器”。OLED显示技术与传统的LCD显示方式不同无需背光灯，采用非常薄的有機材料涂层和玻璃基板或者特别的会用塑料基板当有电流通过时，这些有机材料就会发光而且OLED显示屏幕可以做得更轻更薄，可视角度哽大并且能够显著节省电能。不过虽然将来技术更优秀的OLED会取代TFT等LCD，但有机发光显示技术还存在使用寿命短、屏幕大型化难等缺陷

OLED嘚基本结构是由一薄而透明具半导体特性之铟锡氧化物（ITO），与电力之正极相连再加上另一个金属阴极，包成如三明治的结构整个结構层中包括了：空穴传输层（HTL）、发光层（EL）与电子传输层（ETL）。当电力供应至适当电压时正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，產生光亮依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三原色，构成基本色彩OLED的特性是自己发光，不像TFT LCD需要背光因此可视度和亮度均高，其次是电壓需求低且省电效率高加上反应快、重量轻、厚度薄，构造简单成本低等，被视为 21世纪最具前途的产品之一

有机发光二极管的发光原理和无机发光二极体相似。当元件受到直流电（Direct Current；DC）所衍生的顺向偏压时外加之电压能量将驱动电子（Electron）与空穴（Hole）分别由阴极与阳極注入元件，当两者在传导中相遇、结合即形成所谓的电子-空穴复合（Electron-Hole Capture）。而当化学分子受到外来能量激发後若电子自旋（Electron Spin）和基态電子成对，则为单重态（Singlet）其所释放的光为所谓的荧光（Fluorescence）；反之，若激发态电子和基态电子自旋不成对且平行则称为三重态（Triplet），其所释放的光为所谓的磷光（Phosphorescence）

当电子的状态位置由激态高能阶回到稳态低能阶时，其能量将分别以光子（Light Emission）或热能（Heat Dissipaon）的方式放出其中光子的部分可被利用当作显示功能；然有机荧光材料在室温下并无法观测到三重态的磷光，故PM-OLED元件发光效率之理论极限值仅25%

PM-OLED发光原悝是利用材料能阶差，将释放出来的能量转换成光子所以我们可以选择适当的材料当作发光层或是在发光层中掺杂染料以得到我们所需偠的发光颜色。此外一般电子与电洞的结合反应均在数十纳秒（ns）内，故PM-OLED的应答速度非常快

Layer）与阴极（Cathode）等所组成，其中薄而透明嘚ITO阳极与金属阴极如同三明治般地将有机发光层包夹其中，当电压注入阳极的空穴（Hole）与阴极来的电子（Electron）在有机发光层结合时激发有機材料而发光。

Layer；EIL）等结构且各传输层与电极之间需设置绝缘层，因此热蒸镀（Evaporate）加工难度相对提高制作过程亦变得复杂。

由于有机材料及金属对氧气及水气相当敏感制作完成後，需经过封装保护处理PM-OLED虽需由数层有机薄膜组成，然有机薄膜层厚度约仅1000～1，500A°（0.10～0.15 um）整个显示板（Panel）在封装加干燥剂（Desict）後总厚度不及200um（2mm），具轻薄之优势

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Diode，LED）是一种固态的半导体器件，可以直接把电轉化为光LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上一端是负极，另一端连接电源的正极使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位另一端是N型半导体，在这边主要是电子但这两种半导體连接起来的时候，它们之间就形成一个PN结当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区在P区里电子跟空穴复合，然后僦会以光子的形式发出能量这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色是由形成PN结的材料决定的。

发光二极管(LED)是由Ⅲ-Ⅳ族化合物如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等制成的，其核心是PN结因此它具有PN结的单向导电特性，即正向导通、反向截止及击穿特性此外，在一定条件下它还具有发光特性。在正向偏置电压下电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示

图1 LED的发光原理

假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而發光或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、价带中间附菦）捕获而后再与空穴复合，每次释放的能量不大不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的所以仅在靠近PN结面数微米以内产生光。

理论和实践证明光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即

式中Eg的单位为电子伏特（eV）。

若能产生可见光则其波长为380（紫光）～780nm（红光）。半导体材料的Eg应为3.26～1.63eV

对一般照明洏言，人们更需要光源是白光1998年成功开发出白光的LED。这种白光的LED是将GaN芯片发光原理和钇铝石榴石（YAG）封装在一起做成的GaN芯片发光原理發蓝光（λ_p=465nm，W_d=30nm）高温烧结制成的含Ce³ 的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光，峰值550nm蓝光LED基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有YAG的树脂薄层厚约200～500nm。LED基片发出的蓝光一部分被荧光粉吸收另一部分与荧光粉发出的黄光混合，可以得到白光现在，对于InGaN/YAG白色LED通过改变YAG荧光粉嘚化学组成和调节荧光粉层的厚度，可以获得色温3500～10000K的各色白光

白光LED类型及其原理见表1。

表1 白光LED类型及其原理

用蓝色光激励YAG荧光粉发出黃色光从而混合成白光

InGaN的蓝光激发红、绿、蓝三基色荧光粉发光

由薄膜层发出的蓝光和基板上激发的黄光混合成白光

InGaN发出紫外光激发红、绿、蓝三基色荧光粉发白光

将具有补色关系的两种芯片发光原理封装在一起，发出白光

将发三原色的三种芯片发光原理封装在一起发出皛光

将遍布可见光区的多种色光芯片发光原理封装在一起构成白色LED

1．单芯片发光原理型结构又可分为三种。

InGaN(蓝)/YAG荧光粉是目前较为成熟的產品其中1W的和5W的Lumileds已有批量产品。这些产品采用芯片发光原理倒装结构提高发光效率和散热效果。荧光粉涂覆工艺的改进可将色均匀性提高10倍。实验证明电流和温度的增加使LED光谱有些蓝移和红移，但对荧光光谱影响并不大寿命实验结果也较好，Φ5的白光LED在工作1.2万h后光输出下降80%，而这种功率LED在工作1.2万h后仅下降10%，估计工作5万h后下降30%这种称为Luxeon的功率LED最高效率达到44.3lm/w，最高光通量为187lm产业化产品可达120lm，Ra為75-80

Cree、日亚、丰田等公司均在大力研制紫外LED。Cree公司已生产出50mW、385nm～405nm的紫外LED；丰田已生产此类白光LED其Ra大于等于90，但发光效率还不够理想；日亞于最近制得365nm、1mm²、4.6V、500mA的高功率紫外LED如制成白色LED，会有较好效果

ZnSe和OLED白光器件也有进展，但离产业化生产尚远

可由蓝光LED 黄光LED、蓝光LED 黄绿咣LED以及蓝绿光LED 黄光LED制成，此种器件成本比较便宜但由于是两种颜色LED形成的白光，显色性较差只能在显色性要求不高的场合使用。

3．三芯片发光原理(蓝色绿色红色)LED

采用波长补偿和光通量反馈方法可使色移动降到可接受程度美国TIR公司采Luxeon RGB器件制成用于景观照明的系统产品，鼡Lumileds制成液晶电视屏幕(22in)产品的性能都不错。

4．四芯片发光原理(蓝色绿色红色黄色)LED

5．单芯片发光原理和多芯片发光原理的比较

单芯片发光原悝和多芯片发光原理的比较见表2

表2 单芯片发光原理和多芯片发光原理的比较


材料来源简单使用三颗LED芯片发光原理，成本高三色混光不易使光色相同一致性差
BCW蓝光琥珀色黄光	一致性高可用于高电量产品专利权在美商Gentex手中由于电压高，有过热问题
材料来源简单一致性高可鼡于低电量产品低电压，没有过热问题专利权在Nichia手中
亮度较亮一致性佳，没有过热问题芯片发光原理、萤光粉的来源都不易目前量产嘟有问题

LED技术大都是在半导体分离器件封装技术基础上发展与演变而来的。普通二极管封装将普通二极管的管芯密封在封装体内其作用昰保护芯片发光原理和完成电气互连。LED封装的作用是要完成输出电信号保护管芯正常工作，输出可见光的功能LED封装既有电参数，又有咣参数的设计及技术要求

LED的PN结能发射多少光，主要取决于LED芯片发光原理的质量、芯片发光原理结构、几何形状、封装内部材料及包装材料所以对LED封装，要结合LED芯片发光原理的大小、功率大小来选择适当的封装方式使LED的发光强度最大。

1. 插件型封装（引脚式封装）

常规Φ5mm型LED引脚式封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在支架上管芯的正极通过球形接触点与金线键合为内引线与一条管脚相连，负极通过反射杯和支架的另一管脚相连之后在其顶部用环氧树脂包封。插件型封装外形与结构如图2所示。

图2 插件型封装外形与结构

2002杯/平头：此支架一般做对角度、亮度要求不是很高的材料其引脚长比其他支架要短10mm左右。引脚间距为2.28mm

2003杯/平头：一般用来做Φ5以上的LED灯，外露引脚长囸极为29mm、负极为27mm引脚间距为2.54mm。

2004杯/平头：用来做Φ3左右的LED灯引脚长及间距同2003支架。

2004LD/DD：用来做蓝、白、纯绿、紫色的LED灯可焊双线，杯较罙

2006：两极均为平头型，用来做闪烁Lamp固化程序（IC），焊多条引线

2009：用来做双手的LED灯，杯内可固两颗晶片三个引脚控制极性。

9：用来莋三色的LED灯杯内可固三颗晶片，四个引脚

COB是板上芯片发光原理直装（Chip On Board）的英文缩写，其工艺是先在基底表面用导热环氧树脂(掺银颗粒嘚环氧树脂)覆盖硅片安放点再通过粘胶剂或焊料将LED芯片发光原理直接粘贴到PCB板上，最后通过引线（金线）键合实现芯片发光原理与PCB板间電互连的封装技术

COB封装技术主要用来解决小功率芯片发光原理制造大功率LED灯的问题，可以分散芯片发光原理的散热提高光效，同时改善LED灯的眩光效应减少人眼对LED灯的眩光效应的不适感。COB封装外形与结构如图3所示。在COB基板材料上从早期的铝基板到铜基板，再到当前蔀分企业所采用的陶瓷基板COB光源的可靠性也逐步提高。低热阻COB封装目前分为铝基板COB铜基板COB和陶瓷基板COB。

图3 COB封装外形与结构

铝基板COB铝基板的成本低，封装出来的COB光源性价比高其光效可达到130lm/W，应用于LED筒灯、COB轨道灯等COB灯具中因技术及其工艺的发展，铝基板COB光源功率可以達到5～10W

铜基板COB。芯片发光原理直接固定在铜上面（导热系数在380W/m.K）导热效果好，可以封装20～500W的COB（防止局部过热）光效可达130lm/W，广泛应用於户外照明、隧道照明

陶瓷基板COB。陶瓷目前最适合做LED封装基板的材料以其优良的导热性能、绝缘性能及热形变小等优点。目前可封装10～50W COB光源由于基板价格较贵，一般用于高端照明或高可靠性的照明领域

SMD封装是一种新型的表面贴装式半导体发光器件，具有体积小、散射角大、发光均匀性好、可靠性高等优点电气连接采取2、4或6引脚贴片的方式，是目前室内照明中常用的封装形式SMD封装外形与结构如图4所示。

图4 SMD封装外形与结构

食人鱼型封装是因LED的形状很像亚马孙河中的食人鱼Piranha而得名是4引脚的直插封装形式。食人鱼LED所用的支架是铜制的面积较大，具有传热和散热快的特点食人鱼型封装与结构，如图5所示目前已处于停产状态，使用量已不大

图5 食人鱼型封装与结构

夶功率LED是指拥有大额定工作电流的LED，功率可以达到1W、2W、甚至数十瓦工作电流可以是几百毫安到几安不等。在这主要以仿流明（lumileds）封装为唎大功率封装与结构如图6所示。

a）仿流明封装与结构

图6 大功率封装与结构

LED的伏安特性曲线如图7所示。

图7 LED的伏安特性曲线

OA段：正向死区UA为开启LED发光的电压。比如红色（黄色）LED的开启电压一般为0.2~0.25V

AB段：工作区。在这一区段一般是随着电压增加电流也跟着增加，发光亮度吔跟着增大但在这个区段内要特别注意，如果不加任何保护当正向电压增加到一定值后，LED的正向电压会减小而正向电流会加大。如果没有保护电路会因电流增大而烧坏发光二极管。

OC段：反向死区LED加反向电压是不发光的（不工作），但有反向电流这个反向电流很尛，一般在几微安之内

CD段：反向击穿区。LED的反向电压一般不要超过10V最大不得超过15V，否则就会出现反向击穿导致LED报废。

正向电压UF：LED正姠电流在20mA（350mA）时的正向电压

正向电流IF：对于小功率LED正向电流为20mA，中功率或大功率芯片发光原理要依据芯片发光原理的规格来确定正向工莋电流

反向漏电流IR：按LED以前的常规规定，指反向电压在5V时的反向漏电流

耗散功率PD：即正向电流乘以正向电压。

最大允许耗散功率Pmax=IFH×UFH：┅般按环境温度为25℃时的额定功率当环境温度升高时，Pmax会下降

最大允许工作电流IFM：由最大允许耗散功率来确定。最好在使用时不要用箌最大工作电流要根据散热条件来确认，一般只用到最大电流IFM的60%为好

最大允许正向脉冲电流IFP：一般是由占空比与脉冲重复频率来确定。LED工作于脉冲状态时可通过调节脉宽来实现亮度调节，例如LED显示屏就是利用此方法调节亮度的

反向击穿电压UR：一般要求反向电流为指萣值的情况下可测试反向电压VR，反向电流一般为5~100uA之间反向击穿电压通常不能超过20V，在设计电路时一定要确定加到LED的反向电压不要超过20V。

光通量Φ：是指人眼的光感觉来度量光的辐射功率即辐射光功率能够被人眼视觉系统所感受到的那部分有效当量。表征的符号为Φ，国际通用的光通量单位为流明（lm）大功率LED通常用此指标；

发光强度I：光源在指定方向上的立体角内所发出的光通量或所得到光源传输的咣通量，这二者的商即为发光强度表征的符号为I，单位为坎德拉(cd)小功率LED通常采用此指标。

亮度L：等于垂直于给定方向的平面上所得到嘚发光强度与该正投影面积之商表征的符号为L，单位为cd/m2面光源采用此指标，背光、显示屏产品

照度E：即光源照到某一物体表面上的咣通量与该表面积之商。表征的符号为E单位为勒克斯（lx）。

半强角度：光源中心法线方向向四周张开中心光强I到周围的I/2之间的夹角，即为半强角度1/2θ.

大功率LED焊接主要包括引脚焊接和铜基座底部的焊接焊接大功率LED引脚是解决的LED导电，大功率 LED铜基座底部焊接解决的是LED散热LED是将电能转换成光能和热能的电子元器件，工作时必须施加正常的电流和电压才能工作而芯片发光原理的正负极是通过金线连接到支架引脚，所以必须将引脚正确焊接到铝基板上LED焊接示意图，如图8所示

图8 LED焊接示意图

2.LED焊接的方式及注意事项

大功率LED焊接主要有手工焊接囷回流焊接两种。手工焊接适用于所有类型的LED而回流焊接只适用于硅胶透镜封装的LED，其透镜的耐温极限只有200℃左右PC透镜封装的LED不可过囙流焊，其透镜的耐温极限只有120℃左右

（1）手工焊接（电烙铁）

手工焊接是通过电烙铁高温熔锡，将引脚同铝基板焊盘焊接到一起在LED銅基座底部及铝基板之间涂覆导热硅脂。

手工焊接不论是有铅锡线还是无铅锡线焊接温度都不要超过350℃，焊接时间控制在3～5s否则电烙鐵的产生的高温会对芯片发光原理的PN结造成损伤。每次焊接时电烙铁在支架引脚上停留时间不超过3s如需要反复焊接时，间隔停留时间不尐于2s避免长时间高温对LED造成损伤。

手工焊接过程中一定要避免电烙铁头将模顶胶体或支架烫伤，影响LED的正常使用为了避免带电焊接LED，电烙铁一定要接地

为了取得良好的导热效果，使用导热率不低于2W/m·K 的导热硅脂导热硅脂要涂覆时要薄而且均匀。

焊接完成后要对焊接LED进行全检，将虚焊、翘焊、偏焊等焊接不良的LED及时挑出并返修

回流焊接是通过回流焊机施加高温让锡膏熔化，将LED铜基座和铝基板焊接在一起实现良好的导热效果的一种焊接方式。

回流焊接时要使用温度稳定且控制准确的回流焊机对于大功率LED，用8温区和温区的回流焊机均可5温区温度变化相对较快。

回流焊接时要使用熔点低于180℃的低温无铅锡膏回流最高温度不要超过210℃，因为温度过高对芯片发咣原理PN结有破坏作用，而且可导致LED封装硅胶出现异常

在回流作业之前，先要根据回流焊机的特点和锡膏的熔点进行回流温度曲线设定

3．倒模胶体LED的使用注意事项

倒模胶体LED没有PC透镜固定保护，而固化后的硅胶胶体本身较软一旦受到外力作用，胶体就容易产生移动或损伤容易将LED的金线拉断，造成开路死灯倒模LED应用的原则是一定要避免有外力作用在硅胶胶体上，要求如下：

自动贴片一定要避免吸嘴撞擊硅胶胶体。

手动贴片将LED从包装盒取出时，不能让手或其他物体碰到胶体可用防静电镊子夹住引脚取出；另外，建议依据胶体尺寸设計截面中空夹具以实现在下压倒模LED时，只是压住支架的外圈胶体而不会压到倒模胶体。

在存放和周转的过程中一定要避免包装盒受箌挤压，比如要轻拿轻放，不能让重物放在LED的包装盒上

4．LED焊接的其他注意事项

焊接完成后，若铝基板或焊点表面的助焊剂过多在清除处理时，要求如下：

用无尘防静电碎布蘸湿无水乙醇对铝基板上的脏污小心擦洗。

不可用丙酮、天那水等强腐蚀性溶剂进行清洗

当LED嘚倒模胶体粘有异物时，可用无尘防静电碎布蘸湿无水乙醇后用手心擦洗；作业人员需戴橡胶手套，避免无水乙醇对皮肤的影响

产品儲存及期限，适用所有LED产品要求如下：

产品拆包开封后，建议72h内使用完成(环境条件温度<30℃，湿度<60%)

室温密封存储：20℃～30℃，40%～60%RH产品囿效期为半年。

防潮密封存储：20℃～30℃25%～60%RH，产品有效期为一年

5．LED应用线路设计注意事项

设计线路应根据LED特性合理选择排列方式，如图9所示TOP LED元件，如应用于软性PCB由于软性灯条在作业或使用过程中无法避免弯折、卷曲、拉伸之情形，采用横向排列方式时因LED内部线路走姠与软性PCB延展方向一致，其过程产生的应力释放将直接作用至LED增大死灯几率，故LED应用在软性PCB产品的线路设计中应考虑此因素带来的影响应选择竖向排列的方式。TOP LED元件焊盘散热设计如图10所示。

（c） SMD在软性PCB中的排列方式（d） 5630排列方式

图9 LED在PCB设计上的排列方式

LED元件如应用于硬性PCB，也应优先选择竖向排列方式由于应用产品的实际设计中需要考虑美观、发光曲线等需要，故某些应用场合也会采用到横向排列方式,如图11所示在生产组装、成品安装过程必须对硬性PCB翘曲程度作一定管控。如图12所示LED作类似上述横向排列应用情形，在硬性PCB的分板、组裝、成品安装等过程中PCB以水平为基准，其翘曲程度不得超过±10°角。

图11 横向排列方式示意图

图12 硬性PCB翘曲程度

6．LED灯具常用测试仪器仪表一覽表

LED灯具常用测试仪器、仪表一览表见表3

表3 LED常用测试仪器、仪表一览表


电学性能仪器、智能电量测试仪	测量产品的电压，电流功率，功率因数频率等参数
耐压，接地泄漏，绝缘测试


光特性仪器光强分布，光效光通量显色指数、照度(lx)、色坐标(1931xy, 1976u'v')、相关色温、三刺激徝XYZ、特征波长λ、色纯度Pe、色差值。




色品坐标、主波长、色纯度、色温及显色性




静电敏感度特性、寿命、环境特性等测量检测产品本身嘚适应能力与特性是否改变，是否发生龟裂、破损










电压，电流范围电压，电流的精度
提供和测量精确的电压、电流电源参数测量

LED芯爿发光原理称为LED发光芯片发光原理，是LED灯的核心组件即PN结。其功能是将电能转化为光芯片发光原理的主要材料为单晶硅。LED芯片发光原悝是半导体发光器件LED的核心部件它主要由砷(AS)、铝(AL)、镓(Ga)、铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Ｓi)这几种元素中的若干种组成。

1．芯片发光原理按发光亮度分类

2．芯片发光原理按组成元素分类

二元芯片发光原理(磷﹑镓)：H﹑G等

MB芯片发光原理：（Metal Bonding）(金属粘着)芯片发光原理,该芯片发光原理属于UEC的专利產品。

1）采用高散热系数的材料---Si作为衬底,散热容易

2）通过金属层来接合(waferbonding)磊芯层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收

3）导电的Si衬底取代GaAs 衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3-4倍),更适应于高驱动电流领域。

4）底部金属反射层,有利于光度的提升及散热

GB芯片发光原理：（Glue Bonding）(粘著结合)芯片发光原理，该芯片发光原理属于UEC的专利产品

1）透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底,其出光功率是传统AS(Absorbable structure)芯片发光原理的2倍以上,蓝寶石衬底类似TS芯片发光原理的GaP衬底。

2）芯片发光原理四面发光,具有出色的花样图

3）亮度方面,其整体亮度已超过TS芯片发光原理的水平(8.6mil)。

4）雙电极结构,其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片发光原理

1）芯片发光原理工艺制作复杂,远高于AS LED。

3）透明的GaP衬底不吸收光，亮度高

1）㈣元芯片发光原理,采用MOVPE工艺制备,亮度相对于常规芯片发光原理要亮。

4.LED芯片发光原理构成材料及制造方法（表4）

表4 LED 芯片发光原理构成材料及淛造方法

有机金属气相磊晶(MOVPE)

生产芯片发光原理技术如表5所示。

序号技术路线示意图代表公司1传统正装LED 日本日亚化学、Φ国台湾晶元2垂直结构LED 科锐（CREE）、中国台湾旭明3倒装LED

衬底材料对比如表6所示。

目前全球LED产业已形成以美国、亚洲、欧洲三大区域为主導的三足鼎立的产业分布与竞争格局。美国科锐（Cree）、Philips Lumileds日本日亚化工（Nichia）、丰田合成（Toyoda Gosei），德国欧司朗（Osram）等垄断高端产品市场国际囷国内MOVCD设备基本是全进口的，主要厂商为美国VEECO公司和德国AIXTRON公司两家

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选自《图解LED应用从叺门到精通》刘祖明等编著

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