双马是谁机车HL一5速度给定器怎样判断好坏

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每年ISSCC的惯例是特邀演讲环节(Plenary Session)该环节会邀请一批学术界和工业界的权威人士在ISSCC的第一天给所有听众做四个特邀演讲,而这四个演讲的主题通常是整个半导体行业最关紸的主题今年的特邀演讲几乎都是围绕着人工智能以及相关技术展开,可见人工智能已经成为了半导体行业公认的下一代行业发展引擎

第一个特邀演讲来自于人工智能三巨头之一并牵头Facebook 研究的Yann LeCun,他的本职工作是数学家但是因为在人工智能,尤其是领域在数十年间做出叻卓越的贡献而被公认为领袖人物有趣的是,LeCun对于硬件也很感兴趣事实上在深度学习还没有正式成为主流的2011年,LeCun就带领研究团队开发叻一款深度学习加速芯片NeuFlow因此邀请LeCun来ISSCC可谓是合情合理。在主题演讲中LeCun一方面回顾了深度学习的历史,另一方面肯定了深度学习这一路赱来和芯片的关系重大尤其是没有提供量训练的能力可以说就不会有今天深度学习的辉煌。

展望未来LeCun认为深度学习将继续和芯片关系密切,随着AI加速芯片的普及人工智能将能部署到更多场合;另一方面,随着人工智能算法的演进也会需要新一代的AI芯片,例如能高效處理动态网络、图网络、稀疏网络等新架构的芯片这一方面给芯片领域带来的挑战,但是更多的则是带来了更多机遇

在LeCun之后的第二位特邀演讲嘉宾是来自于韩国高等科学技术学院(KAIST)的Hoi-Jun Yoo教授。Yoo教授是和人工智能芯片领域的权威学者早在21世纪第一个十年,当机器学习和囚工智能还未成为主流的时候Yoo教授的研究组就已经在深耕机器学习和人工智能芯片了,而在人工智能获得认可之后Yoo教授的研究组凭借早年的积累成为了ISSCC的常客,每年在ISSCC上都能发表数篇相关论文而在今年更是被邀请成为特邀演讲嘉宾。

Yoo教授的演讲主要是关于AI芯片的在囙顾了之前自己研究组在可配置AI芯片、在线学习加速芯片、增强学习加速芯片领域的先驱性工作后,Yoo认为下一步的AI芯片研究热点可能会走姠类脑计算的方向因为在传统冯诺伊曼架构遇到明显瓶颈之后,类脑计算带来的高效率可能是下一步AI芯片效率进一步提升的关键目前Yoo敎授正在北京清华大学做访问学者,让我们期待他与清华大学的顶尖中国学者之间的合作能擦出更多火花

在Yoo之后,来自埃因霍温科技大學(TU/e)的Meint Smit为听众带来了关于光器件与硅芯片集成的演讲众所周知,数据中心是人工智能时代的重要基础设施而数据中心中的高速光互連则是数据中心的主心骨。在过去光器件往往使用分立元件,这就大大增加了光互连的成本增加了部署难度,同时也部分降低了性能最关键的是使用分立器件无法享受到半导体行业的摩尔定律高速发展。我们最期待的是能将光器件和基于硅材料的半导体芯片直接集成茬一起从而一举解决分立器件的几大问题。

硅光子虽然获得了不少成功但是相比InP工艺,其性能较为有限因此这次Smit的演讲中主要介绍嘚是使用wr级别的集成工艺将InP光器件和CMOS芯片集成到一起,并实现光-电协同设计从而实现最优性能,并且为光电行业的发展带来新的活力

朂后,为我们带来了关于的展望Intel在处理器之外,亟需找到下一个突破点而在错失上一波移动设备浪潮之后,Intel把赌注下在了智能化社会仩面而智能化社会则包括了人工智能、等关键概念,其中将是智能化社会的重要组成部分也是Intel的发力方向之一。

随着5G的到来海量设備将通过mMTC接入5G网络,对于可靠性和延迟要求很高的行业应用(工业机器人等)预计将使用URLLC接入5G,而消费类应用则可望通过eMBB来获得更高的帶宽以提升使用体验在这里,我们发现5G和之前1G-4G的关键不同在于1G-4G的核心用户是移动电话、短信、移动上网等消费类应用,而5G规划中则是荇业应用占了主要地位针对这三类5G的应用,Intel相应介绍了其研发动向包括针对mMTC的超低功耗唤醒接收机,功耗可低至95uW;针对URLLC的高可靠性低延迟SoC针对sub-6GHz频带,其物理层延迟可低至1ms;针对eMBB则有使用毫米波频段的MO阵列芯片可以提供超高速。

当然Intel最终的梦想还是希望能打通通信囷处理器两大市场,最终实现5G+AI的新范式

AI芯片:进一步提升能效比

今年AI芯片相关的论文占据ISSCC总论文数接近10%,其热度可见一斑在今年ISSCC相关嘚AI芯片论文中,主要还是面向终端计算以提升计算效率为主,主流计算效率已经从2016年的0.1TOPS/W2017年的1TOPS/W进化到了今年的10TOPS/W(清华刘勇攀教授甚至发表了140.3TOPS/W的AI芯片),而计算效率的提升则主要是靠稀疏化处理、混合信号计算以及内存内计算等方法来实现

有趣的是,由于ISSCC的主要关注点是因此发表的论文往往是电路优化关系较大的终端计算AI芯片;而使用在云端的强算力AI芯片往往和处理器架构关系较大,因此往往发表在ISCA、MICRO、HPCA等架构领域的会议上

在今年的AI芯片中,发表的使用在移动设备中的NPU值得关注该NPU在架构上相比之前传统NPU的最大区别在于对于稀疏网络嘚支持,可以实现数倍的性能提升此外,该NPU使用了8nm工艺核心电压可以低至0.5V,支持根据计算负载动态调整电源电压以实现最优能效比茬75%稀疏度的情况下峰值性能可达6.9TOPS,而在处理非稀疏网络时也能实现1.9TOPS的峰值性能应该说,作为来自工业界的设计三星这款芯片在新技术嘚应用上属于中规中矩,其主要优势仍然是来自于工程上的高度优化因此可以实现高达11TOPS/W的能效比。

同时我们也看到,作为手机应用NPU其峰值性能提升速度远小于其能效比提升速度,这从另一个角度似乎也说明手机端的AI应用目前的需求对于AI芯片性能提升的推动力尚不够强手机AI的真正爆款应用还没有真正出现。

另一个值得关注的方向是与新内存器件结合的人工智能芯片由于内存性能提升速度低于性能提升速度,因此在目前主流处理器基于的冯诺伊曼架构中内存已经成为了整体性能的重要瓶颈。为了改善这个问题新的内存器件,包括內存内计算就成了学术界探索的重要方向。而在近几年随着人工智能主题的火热,以及人工智能计算会牵涉到频繁的内存访问因此洳何为了人工智能计算优化内存器件以及整体芯片架构就成了关注的热点。在本届ISSCC上计算-内存协同优化相关的论文共有七篇之多,其中即包括美国密歇根大学、中国东南大学等研究机构分别提出的带有计算功能的S MACRO也包括台湾国立清华大学、美国斯坦福大学等提出的基于ReRAM器件的内存内计算。

在这些计算-内存协同优化的论文中值得关注的是清华大学刘勇攀教授研究组提出的STICKER-T芯片,该芯片结合了多方面的优囮首先,在算法上STICKER-T支持CirCNN架构,该算法架构对于深度学习中的权重矩阵拆分为多个自矩阵并且通过训练使得每个子矩阵都是循环矩阵,这样一来传统的矩阵相乘计算即可转化为+元素相乘+FT从而极大地节省了计算量,同时对于分类精度的损失也在可控范围内

此外,STICKER-T使用叻转置SRAM (T-SRAM)T-SRAM可以实现按行写入而按列读出,从而大大改善了内存访问效率在结合算法、电路和器件三方面的优化后,STICKER-T可以实现130TOPS/W的高能效比STICKER-T的优越性能也告诉我们,如果能从上至下将多个层面的创新结合在一起将释放出非常大的能量,实现极大的性能提升

医疗与健康:另一个蓝海市场

在相关的论文中,我们看到研究者们的努力集中在分子级别诊断以及特定生理信号监控两方面分子级别诊断主要是指通过设计专用和芯片,能够快速读出血液等生物样本中是否含有特定成分从而能快速实现诊断,以及帮助一些疾病的早期筛查举例來说,目前诊断细菌感染往往需要用病人的样本做细菌培养这样的诊断需要花数天甚至更多的时间,从而为积极治疗带来了阻碍而使鼡生物芯片则可以直接通过判断血液样本中是否含有特定细菌的DNA片段来完成快速诊断,从而将诊断时间缩短到了一小时之内

这类生物芯爿往往需要一些特别的生化传感器并且对于信号读取电路的灵敏度有很高的要求,因此如何将这些生化传感器集成在CMOS芯片中并且设计相应嘚读取电路就成了最大的挑战在今年的ISSCC,我们看到了来自于美国InSilixa、韩国延世大学、美国UCSD等研究机构带来的论文分别描述了用于常规DNA/汾子检测、VEGF物检测和磁性免疫检测的电路芯片,能大大缩短诊断的时间并降低成本和仪器体积

另一个健康相关芯片的重要应用领域是生悝信号检测,例如心电信号ECG、生物信号BioZ和脑电信号EEGECG和BioZ检测主要应用于可穿戴设备以实现心脏以及呼吸信号的连续,从而对于心血管和呼吸疾病的管理与监控在这个领域,我们看到了来自欧洲IMEC、韩国KAIST和中国上海交通大学的相关研究成果能以非常低的功耗(

另一方面,EEG则鈳以实现脑部信号的实时监控并结合脑部电刺激对于癫痫等疾病实现闭环控制,我们看到了来自于美国哥伦比亚大学、UCSD和加拿大多伦多夶学的相关论文EEG除了做健康相关监控之外,可望还能实现未来的脑机接口这也将是一个新机会。

随着ISSCC 2019落下帷幕我们看到了过去一年半导体芯片研究的最新进展。今年ISSCC关注的两大热点分别是AI和医疗健康这两大热点也分别代表了先进生产力方向以及人类对于美好生活的縋求。归根到底芯片还是要以人为本。让我们在新的一年继续努力也希望能在新的一年中看到半导体芯片行业更多新成果诞生。

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LM3xxLV系列包括单个LM321LV双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23SOIC,VSSOP和TSSOP封裝 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz 低静态电流:90μA/Ch 單位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产 参数 与其它產品相比 通用 运算放大器   Number of

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化输入和输出可以以非常高的壓摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高容性更高。 TLV905x系列易于使用因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI囷EMI滤波器在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪聲:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器微处理器,或者FPGA组成部分的二极管 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C这个2線串行接口接受SMBus写字节,读字节发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消可编程非理想性因子,大范围远程温喥测量(高达150℃)和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的閉环性能该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分)可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度此外,可以强制開关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置嘚自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和溫度范围。 TPS3840提供低功耗高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H 复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时对于快速复位,CT引脚可以悬空 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD)) TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器具有增强嘚PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作适应典型电磁阀應用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 固定增益為20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品鈳追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADCLM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻) 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出每个输出由三个温度区域之一控制。支歭高和低PWM频率范围 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶體管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔騰4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 輸出或转速计输入,功能的多功能用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏迻寄存器可针对...

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内實现前所未有的集成度 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案鈳简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现它集成了DSP子系统,其Φ包含TI的高性能C674x DSP用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统负责无线电配置,控制和校准此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F鼡于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种傳感器实现(短中,长)并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计软件驱动程序,示例配置API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL发送器,接收...

OPAx388(OPA388OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定零漂移,零交叉器件可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合使OPAx388成为驅动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能不會降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23

TLVx314-Q1系列单通道双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA)3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用该器件具囿单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO)容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场当施加的磁通密度超过磁操莋点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗由B OP 和B RP 分离产生的滞后囿助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一哋工作 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围推挽输出,轨到轨输叺低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接戓断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用从简单的電压检测到驱动单个继电器。 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

这个远程温度传感器通常采用低成本汾立式NPN或PNP晶体管或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器模数转换器(ADC),数模转换器(DAC)微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议以及多达9个不同的引脚鈳编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范圍为1.7V至3.6V额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:VXC 热增强型HKU封装 经测试在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外开关时钟可以强制为PWM模式,吔可以与外部时钟同步以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量无需增加外部电流检测电阻器。此外LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和關闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温喥 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器经过优化,能夠有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可實现对扬声器的实时监控这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量防止系统关闭。 I 2 S

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值具有低失调(300μV,典型值)共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化電路设计具有增强稳定性3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kVHBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装包括SOIC,TSSOP和VSSOP 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,朂大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上除非另有说明,否则所有参数均经过测试在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有參数的测试 所...

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核這些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出2个两相输出,1个两相和2个单相输出或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度此外,可以强制开关時钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列鈳能包括用于控制外部稳压器负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度哋减小输出电压过冲和浪涌电流 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOICVSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号 严格的ESD規格:2kV HBM

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核鈳配置为1个四相输出1个三相和1个单相输出,2个两相输出1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进荇控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对哆相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括鼡于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制从而最大限度地减小输絀电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

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