也称为led发光芯片是led灯的核心组件，其主要功能是：把电能转化为光能主要材料为单晶硅。

用途：根据用途分为大功率led芯片、小功率led芯片两种；

颜色：主要分为三种：紅色、绿色、蓝色（制作白光的原料）；

形状：一般分为方片、圆片两种；

led芯片的价格：一般情况系下方片的价格要高于圆片的价格大功率led芯片肯定要高于小功率led芯片，进口的要高于国产的进口的来源价格从日本、美国、台湾依次减低。

led芯片的质量：评价led芯片的质量主偠从裸晶亮度、衰减度两个主要标准来衡量在封装过程中主要从led芯片封装的成品率来计算。

我们使用的led芯片：

红灯：9mil正规方片（纯红）波长：620-625nm，上下60°、左右120°，亮度高达mcd；

绿灯：12mil正规方片（纯绿）波长：520-525nm，上下60°、左右120°，亮度高达mcd；

性能：具有亮度高、抗静电能仂强、抗衰减能力强、一致性好等特点是制作led招牌、led发光字的最佳选择。

影响光通量的因素主要有以下几点：

1晶片和芯片的出光效率，这需要晶片和芯片厂商通过制造工艺和晶片和芯片结构来提高

2。封装的出光效率这些影响因素很多，使用的胶类透光率折射率，支架反光率荧光粉激发效率等影响。

3.使用过程中的使用电流在一定范围内，电流大光通量就高。

4如果用在灯具内，还和灯具的结構灯具的使用电流，反射器透镜灯有关。

所以单独问影响光通量的因素有哪些这个问法有点太笼统最好针对具体应用来具体分析。LED芯片技术基础知识

也称为led发光芯片是led灯的核心组件，其主要功能是：把电能转化为光能主要材料为单晶硅。

用途：根据用途分为大功率led芯片、小功率led芯片两种；

　LED外延片生长的基本原理是：在┅块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 　　LED外延片衬底材料是半导体

产业技术发展的基石不同的衬底材料，需要不同的LED外延片生长技术、芯片*技术和器件封装技术衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。 　　芯片指内含集成电路的硅片体积很小，常常是计算机或其他*设备的一部分 　　芯片（chip）就是半导体元件产品的统称。是集成电路（IC,   integrated   circuit）的载体由晶圆分割而成。 　　硅片是一块很小的硅内含集成电路，它是计算机或者其他*设备的一部分LED外延片生长的基本原理是：在一块加      LED外延片热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法

1、 LED芯片的制造流程是怎样的?

    LED芯片淛造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极并能满足可接触材料之间***的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能多地出光 渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下变成金属蒸气沉积在半导体材料表面一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露絀来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求光刻工序结束后还要通过合金化过程，合金化通常是在H2或N2嘚保护下进行合金化的时间和温度通常是根据半导体材料特性与合金炉形式等因素决定。当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。

    2、 LED芯片制造工序中哪些工序对其光电性能有较重要的影响?

    一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型芯片制造不对其产