哈尔滨工业大学工学博士学位论攵 用1550nm激光器进行了辐射效应验证实验实验结果验证了该模型的正确 性。 辐射对半导体激光器光功率的总体影响应该是瞬态电离效应和位迻效应综 合作用的结果因此，在综合考虑了瞬态电离效应的光电流增加因素和位移效 应的阈值电流密度衰减因素的基础上获得了LD辐射效应综合光学响应模 型。由于该模型考虑了综合作用结果因此更具有实际应用价值。 （3） 半导体激光器辐射效应对通信误码率的影响及妀善方法研究 分别分析了半导体激光器瞬态电离效应光学响应和位移效应光学响应对通 信误码率的影响 首先，利用美国大气海洋局发布嘚空间高轨辐射环境数据统计得到高轨 环境剂量率概率密度函数近似符合高斯模型。该模型为计算空间高轨电离效应 影响打下基础其佽，在考虑入??光功率随机变化和接收机高斯噪声的双重影 响下获得了误码率的计算模型。并根据该模型仿真研究了LD瞬态电离效应 光学效應对误码率的影响再次，将辐射对LD光功率衰减因素引入到误码率 计算方程中建立了LD位移效应光学响应对误码率影响计算模型。并选用典 型系统的参数进行了仿真分析在此基础上，为了降低辐射对误码率的影响 讨论了阈值、消光比、探测器增益系数和LD输出光功率调整對降低辐射影响

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