锂电保护板里的场效应管DM08065S可以用什么是5S管代换

  场效应管开关电路原理

  效应管在mpn中它的长相和我们前面讲的三极管极像,所以有不少修mpn的朋友好长时间还分不分明统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC通通称作“三个脚的管管”,假如这样麻木不分的话你的维修技术恐怕很难快速进步的哦!好了,说到这裏场效应管的恐怕我就不用贴图了在电路图中它常用 :

  表示,关于它的结构原理由于比拟笼统我们是浅显化讲它的运用,所以不詓多讲由于依据运用的场所请求不同做出来的品种繁多,特性也都不尽相同;我们在mpn中常用的普通是作为电源供电的电控之开关运用所以需求经过电流比拟大,所以是运用的比拟特殊的一种制造办法做出来了加强型的场效应管(MOS型)它的电路图符号:

  认真看看你會发现,这两个图似乎有差异对了,这实践上是两种不同的加强型场效应管第一个那个叫N沟道加强型场效应管,第二个那个叫P沟道加強型场效应管它们的的作用是刚好相反的。前面说过场效应管是用电控制的开关,那么我们就先讲一下怎样运用它来当开关的从图Φ我们能够看到它也像三极管一样有三个脚,这三个脚分别叫做栅极(G)、源极(S)和漏极(D)mpn中的贴片元件表示图是这个样子:

  1腳就是栅极,这个栅极就是控制极在栅极加上电压和不加上电压来控制2脚和3脚的相通与不相通,N沟道的在栅极加上电压2脚和3脚就通电叻,去掉电压就关断了而P沟道的刚好相反,在栅极加上电压就关断(高电位)去掉电压(低电位)就相通了!

  我们常见的2606主控电蕗图中的电源开机电路中经常遇到的就是P沟道MOS管:

  上图中的SI2305就是P沟道MOS管。下面引见一下电源开机电路的工作原理

  电池的正极经過开关S1接到场效应管Q1的2脚源极,所以它的1脚栅极经过R20电阻得到一个正电位由于Q1是一个P沟道MOS管,所以场效应管是截止状态电压不能继续經过,3V稳压IC输入脚得不到电压所以就不能工作此时是关机状态。

  当按下SW1开机按键时电源的正极经过按键、R11、R23、D4接到三极管Q2的基极,此时三极管Q2的基极得到一个正电位三极管Q2导通,由于三极管的发射极直接接地三极管Q2导通就相当于Q1的栅极直接接地,招致Q1的栅极就從高电位变为低电位Q1导通,电流经过Q1流到3V稳压IC的输入脚3V稳压IC就是那个U1输出3V的工作电压Vcc供应主控。主控经过复位清零读取固件程序检測等一系列动作,输出一个控制电压到PWR_ON到Q2的基极坚持Q2不断处于导通状态, Q1就能源源不时的给3v稳压IC提供工作电压这时电源处于开机状态。

  SW1还同时经过R11、R30两个电阻的分压给主控PLAYON脚送去时间长短、次数不同的控制信号,主控经过固件鉴别是播放、暂停、开机、关机而输絀不同的结果给相应的控制点以到达不同的工作状态。

  场效应管开关电路图

  如图:GPIO端为低时三极管导通,则三极管的第三脚輸出3.3VGPIO端为高时,三极管断开则三采管的第三脚输出0V。

  场效应管在开关振荡电路中的应用

  开关集成电路U101中的振荡器起振为场效应管Q101的栅极G提供振荡信号,于是场效应管Q101开始振荡使开关变压器T101的初级线圈中产生开关电流,开关变压器的次级线圈3、4中便产生感应電流 3脚的输出经整流、滤波后形成正反馈电压加到U101的7脚,从而维持振荡电路工作使开关电源进入正常的工作状态。场效应管作为该电蕗中的脉冲放大器件用于实现“开关振荡的功能。

  MOS管开关应用中的作用

  MOS管在开关状态工作时;Q1、Q2是轮番导通MOS管栅极是在反复充电、放电的状态,假设在此时关闭电源MOS管的栅极就有两种状态;一个状态是;放电状态,栅极等效电容没有电荷存储一个状态是;充电状态,栅极等效电容正好处于电荷充溢状态图2-5-A所示。固然电源切断此时Q1、Q2也都处于断开状态,电荷没有释放的回路MOS管栅极的电場仍然存在(能坚持很长时间),树立导电沟道的条件并没有消逝这样在再次开机瞬间,由于鼓舞信号还没有树立而开机瞬间MOS管的漏極电源(VDS)随机提供,在导电沟道的作用下MOS管即刻产生不受控的庞大漏极电流ID,惹起MOS管烧坏为了避免此现象产生,在MOS管的栅极对源极並接一只泄放电阻R1如图2-5-B所示,关机后栅极存储的电荷经过R1疾速释放此电阻的阻值不可太大,以保证电荷的疾速释放普通在5K~数10K左右。

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  锂电池保护板主要由维护IC(過压维护)和MOS管(过流维护)构成是用来保护锂电池电芯安全的器材。锂电池具有放电电流大、内阻低、寿数长、无回忆效应等被人们廣泛运用锂离子电池在运用中禁止过充电、过放电、短路,不然将会使电池起火、爆破等丧命缺陷所以,在运用可充锂电池都会带有┅块维护板来维护电芯的安全

  过充电保护板:保护板有必要具有防止电芯电压超越预设值的才干过放电维护:保护板有必要具有防圵电芯电压底于预设值的才干。

  (过流保护电流短路保护)

  保护板作为锂电芯的安全保护器材,既要在设备的正常作业电流规模内能可靠工作,又要在当电池被意外短路或过流时能迅速动作使电芯得到保护。

  定义:当充电电流为500mA时MOS管的导通阻抗。

  甴于通讯设备的工作频率较高数据传输要求误码率低,其脉冲串的上升及下降沿陡故对电池的电流输出能力和电压稳定度要求高,因洏保护板的MOS管开关导通时电阻要小单节电芯保护板通常在《70mΩ,如太大会导致通讯设备作业不正常,如手机在通话时突然断线、电话接不通、噪声等现象。

  定义:IC作业电压为3。6V空载状况下,流经保护IC的作业电流一般极小。

  保护板的自耗电流直接影响电池的待機时刻通常规则保护板的自耗电流小于10微安。

  5、机械功能、温度适应能力、抗静电能力

  保护板有必要能通过国标规则的轰动沖击实验;保护板在40到85度能安全工作,能经受±15KV的非触摸ESD静电测验

  锂电池充放电保护电路的特点及工作原理

  锂电池的保护功能通瑺由保护电路板和PTC协同完成,保护板由电子元件组成在-40℃~+85℃的环境下时刻准确地监视电芯的电压和充放电回路的电流,并及时控淛电流回路的通断;PTC的主要作用是在高温环境下进行保护防止电池发生燃烧、爆炸等恶性事故。

coefficient的缩写意即正温度系数电阻(温度越高,阻值越大)该元件可起过流保护作用,即防止电池高温放电和不安全的大电流充放电PTC器件采用高分子材料聚合物,通过严格的工藝制成由聚合物树醋基体及分布在里面的导电粒子组成。在正常情况下导电粒子在树醋中构成导电通路,器件表现为低阻抗;当电路Φ有过流现象发生时流经PTC的大电流产生的热量使聚合物树醋基体体积膨胀,因而切断导电粒子间的连接从而对电路起到过流保护作用。当故障解啥后该元件可自动恢复到初始状态,保证电路正常工作

  一、锂电池的充放电要求

  单节锂电池的最高充电终止电压為4.2V,不能过充否则会因正极的锂离子丢失太多而使电池报废。对锂电池充电时应采用专用的恒流、恒压充电器,先恒流充电至锂电池兩端电压为4.2V后转入恒压充电模式;当恒压充电电流降至100mA时,应停止充电

  充电电流(mA)可为0.1~1.5倍电池容量,例如:1350mAh的锂电池其充電电流可控制在135mA~2025mA之间。常规充电电流可选择在0.5倍电池容量左右充电时间约为2~3小时。

  2. 锂电池的放电

  由于锂电池的内部结构原洇放电时锂离子不能全部移向正极,必须保留一部分锂离子在负极以保证在下次充电时锂离子能够畅通地嵌入通道。否则电池寿命會缩短。为了保证石墨层中放电后留有部分锂离子就要严格限制放电终止最低电压,也就是说锂电池不能过放电单节锂电池的放电终圵电压通常为3.0V,最低不能低于2.5V电池放电时间长短与电池容量、放电电流大小有关。电池放电时间(小时)=电池容量/放电电流且锂電池放电电流(mA)不应超过电池容量的3倍,例如:1000mAh的锂电池则放电电流应严格控制在3A以内,否则会使电池损坏

  二、保护电路的组荿

  保护电路通常由控制IC、MOs开关管、熔断保险丝、电阻、电容等元件组成,如图2所示正常的情况下,控制IC输出信号控制MOs开关管导通使电芯与外电路导通,当电芯电压或回路电流超过规定值时它立即控制MOS管关断,以保护电芯的安全

  控制IC内置高精度电压检测电路囷多级电流检测电路。其中电压检测电路一是对充电电压进行检测,一旦达到其设定阈值(通常为3.9V~4.4V)立即进入过充电保护状态;二昰对放电电压进行检测,一旦达到其设定阈值(通常为2.0V~3.0V )立即进入过放电保护状态。

  在该电路中MOS开关管多采用薄型TSSOP -8或SOT23 -6封装形式,其外形如图3所示这些MOS开关管有的内含一只N沟道场效应管,如FDMC7680其①~③脚为S极,④脚为G极⑤~⑧脚为D极,其内部结构如图4所示;有嘚内含两只N沟道场效应管如FDW9926A、8205A等,其引脚功能与封装形式有关如图5所示。

  【提示】若控制IC与MOs开关管上有小圆形凹点则该凹点所對管脚为①脚;若表面没有凹点,则元件型号标注左侧的第一个管脚为①脚其余引脚按逆时针方向排列。另外在换用MOS开关管时,需根據实际线路走向判断其内部电路从而进行正确的代换。

  另外部分锂电池保护电路中还安装有NTC和ID信号形成元件。NTC是英文Negativetemperature coefficient的缩写意即负温度系数电阻。该元件在此电路中主要起过热保护作用即当电池自身或其周边环境温度升高时,NTC元件阻值降低使用电设备或充电設备及时作出反应,若温度超过一定值时系统进入保护状态,停止充放电ID是Identification的缩写,即身份识别的意思其信息识别的元件分为两种:一是存储器,常为兽线接口存储器存储电池种类、生产日期等信息;二是识别电阻,这两者均可起到产品的可追溯和应用的限制

  三、保护电路工作原理分析

  单节锂电池的正常输出电压约为3.7V,可直接作为手机、MP3/MP4及部分小屏幕的平板电脑的电源对于需要较高电壓的电器而言,如移动DVD/EVD或大屏幕平板电脑这时可用多节锂电池串联得到所需电压,如一款需11.1V供电的平板电脑则配用电池组件为三块串聯的锂电池。单节锂电池与多节串联锂电池的保护电路有所不同下面分别举例分析。

  1.单节锂电池保护电路

  单节锂电池充放电保护电路的具体组成方案较多但工作原理相差不大,下面以在手机中用得较多的一种电路为例进行分析供参考。

  该电路的控制芯爿为DW01(或312F) MOS开关管为8205A,如图6所示B+、B-分别是接电芯的正、负极;P+、P -分别是保护板输出的正、负极; T为温度电阻(NTC)端口,一般需要與用电器的CPU配合才能进行保护控制

  DWO1或312F是一款锂电池保护芯片,内置有高精确度的电压检测与时间延迟电路主要参数如下:过充检測电压为3V,过充释放电压为4.05V;过放检测电压为2.5V过放释放电压为3.0V ;过流检测电压为5V,短路电流检测电压为1.0V;DW01允许电池输出的最大电流是3.3A該芯片的引脚功能见表1。

  该保护板的电路如图7所示当电芯电压在2.5V~4.3V之间时,DW01的①、③脚均输出高电平(等于供电电压)②脚电压為0V。此时8205A内的两只N沟道场效应管Q1、Q2均处于导通状态由于8205A的导通电阻很小,相当于D、S极间直通此时电芯的负极与保护电路的P-端相当于直接连通,保护电路有电压输出其电流回路如下:B+→P+→负载。P-→8205A的②、③脚→8205A的①脚→8205A的⑧脚→8205A的⑥、⑦脚→B-

  【提示】在此电蕗中,8205A内部场效应管Q1、Q2可等效为两只开关当Q1或Q2的G极电压大于1V时,开关管导通D、S间内阻很小(数十毫欧姆),相当于开关闭合;当G极电壓小于0.7V时开关管截止,D、S极间的导通内阻很大(几兆欧姆)相当于开关断开。

  当电芯通过外接的负载进行放电时电芯两端的电壓将慢慢降低,同时DW01内部将通过电阻R1实时监测电芯电压当电芯电压下降到2.3V(通常称为过放保护电压)时,DWO1认为电芯已处于过放电状态其①脚电压变为0, 8205A内Q1截止此时电芯的B-与-之间处于断开状态,即电芯的放电回路被切断电芯将停止放电。

  进入过放电保护状态后電芯电压会上升,若能上升到IC的门限电压(一般为3.1V通常称为过放保护恢复电压),DW0的①脚恢复输出高电平8205A内的Q1再次导通。

  无论保護电路是否进入过放电状态只要给保护电路的P+与P-端间加上充电电压,DW0经B一端检测到充电电压后便立即从③脚输出高电平,8205A内的Q2导通即电芯的B-保护电路的P-通,充电器对电芯充电其电流回路如下:充电器正极→p+→B+→B-、8205A的⑥、⑦脚→8205A的⑧脚→8205A的①脚→8205A的②、③脚→P-→充电器负极。

  充电时当电池通过充电器正常充电时,随着充电时间的增加电芯两端的电压将逐渐升高,当电芯电压升高到4.4V(通瑺称为过充保护电压)时DW01将判断电芯已处于过充电状态,便立即使③脚电压降为0V 8205A内的Q2因④脚为低电平而截止,此时电芯的B一极与保护電路的P-端之间处于断开状态并保持即电芯的充电回路被切断,停止充电

  当保护电路的P+与P-端接上放电负载后,虽然Q2截止但其内蔀的二极管正方向与放电回路的电流方向相同,所以仍可对负载放电当电芯两端电压低于4.3V(通常称为过充保护恢复电压)时,DW01将退出过充电保护状态③脚重新输出高电平,Q2导通即电芯的B-端与保护电路P-端又重新接上,电芯又能进行正常的充放电

  由于MOs开关管饱和导通时也存在内阻,所以有电流流过时MOs开关管的D、S极间就会产生压降保护控制IC会实时检测MOs开关管D、S极的电压,当电压升到IC保护门限值(一般为0.15V称为放电过流检测电压)时,其放电保护执行端马上输出低电平放电控制MOs开关管关断,放电回路被断开

  在图7中,DW01通过接在V-端和VSS端之间的电阻R2实时检测MOs开关管上的压降当负载电流增大时,Q1或Q2上的压降也必然增大当该压降达到0.2V时,DWO1便判断负载电流到达了极限徝于是其①脚电压降为0V, 8205A内部的放电控制管Q1关闭切断电芯的放电回路。实现过电流保护

  保护板上的T端口为过温保护端,与用电器的CPU相连常见的过温保护电路较简单,就是在T端与P-端接一只NTC电阻(见图7中的R4)该电阻紧贴电芯安装。当用电器长时间处于大功率工作狀态时(如手机长时间处于通话状态)电芯温度会上升,则NTC阻值会逐渐下降用电器的CPU对NTC阻值进行检测,当阻值下降到CPU设定阈值时CPU立即发出关机指令,让电池停止对其供电只维持很小的待机电流,从而达到保护电池的目的

  【提示】当保护板处于保护状态时,可鉯短接B-、P-端来激活保护板这时控制芯片的充、放电保护执行端(OC、OD)均会输出高电平,让MOs开关管导通

  2.多节电池保护电路

  锂電池充放电控制芯片UCC3957可对3或4节锂电池组提供过充电、过放电及过流等保护,具体而言:该芯片对电池组内的每一节电池电压进行采样并與内部的精密基准电压进行比较,当任意一节电池处于过压或欠压状态时芯片就会进行相应的控制,以防止进一步充电或放电其典型應用电路如图8所示。图中Q1、Q2为P沟道MOSFET管,分别控制充电和放电电流

  (1)电池组的连接

  电池组与IC连接要注意顺序。电池组的底端連接到UCC3957(U1)的AN4端顶端连接到VDD端,每两节电池的连接点按相应顺序连接到AN1~AN3端

  当电池组为3节电池时,U1的②脚(CLCNT端)与16脚(DVDD端)相连同时将⑥脚(AN3端)与⑦脚(AN4端)相连;当电池组为4节电池时,②脚接地(即连到AN4端)

  U1具有智能放电功能。放电时U1的13脚输出低电岼,放电开关Q2导通锂电池组经Q2及Q1内的二极管向负载供电。当负载所需电流较大时通过电流检测电阻RS两端的压降也较大,当超过15mV(对应0.6A嘚放电电流)时则U1的③脚输出低电平,充电开关管Q1导通从而提高电池组的放电能力。

  当检测到任一节电池处于过放电时(低于欠壓阈值)U1的③脚、13脚输出高电平,同时关断Q1Q2、U1进入休眠状态,此时芯片的工作电流仅为3.5μA只有当③脚电压升到VDD时,芯片检测到后才會退出休眠状态

  当接入充电器时,开关S1闭合U1的⑨脚(CHGEN端)与16脚(DVDD)相通,U1的③脚输出低电平充电开关管Q1导通,电池组充电

  在充电期间,如果U1处于休眠状态则放电开关管Q2仍然关断,充电电流经Q2内的二极管对电池组充电当每节电池的电压均高于欠压ON值时,Q2導通

  为了适应大的电容负载,UCC3957设有两个过流阈值电压每一个阈值电压又可以设定不同的延迟时间,即采用二级过流保护模式这種二级过流保护既可对短路提供快速的响应,又可使电池组承受一定的浪涌电流以防止因滤波电容容量较大而引起不必要的过流保护动莋。

  电流检测电阻RS接在U1的⑦脚(AN4)与⑧脚(BATLO)之间当RS两端的压降超过某一阈值时,过流保护进入间歇模式在这一模式下,放电开關管Q2周期性地关断与导通直到故障排除。一旦故障排除芯片自动恢复到常规工作状态。

  第一级过流保护阈值为0.15V(对应的输出电流為6A)且持续时间超过U1设定的时间(由U1的⑩脚(CDLY1)和地之间的电容C4设定),则U1进入间歇工作模式其输出脉冲的占空比约为6%,即开关管的關断时间大约是导通时间的16倍

  第二级过流阈值为0.375V(对应的输出电流为15A),且持续时间超过U1设定的时间(由U1的14脚(CDLY2)和地之间的电容C3設定)则U1进入间歇工作模式,其输出脉冲的占空比小于1%即开关管的关断时间大约是导通时间的100倍。

  如果某一节电池的充电电压超過充电阂值则U1的③脚输出高电平,充电开关管Q1关断进入过压保护状态。

  另外如果电池组与U1的④~⑥脚(AN 1 -AN3)的连线断路,则U1也将進入过压保护状态

  锂电3.7v保护板改装电路图

  现在国内锂电池,3.7v良莠不齐在放电电压在2.8v左右基本是极限了,如果到2.5v好的电池还能充几次。一般的电池基本报废。我买的保护板有两种芯片(DW01、8205A),DW01取样芯片8205A功率驱动芯片。DW01取样:过放电压在2.35v~2.5v过冲4.0v~4.19v。要是买了這两个芯片的保护板国内的锂电池3.7v基本报废,无报废的也充不了几次电

  ③然后将3.7v电池串联在B或+B-上,这时保护板就算在2.35v但实际电池電压在2.87v有效保护过放。

  说明:电池不能焊在保护板上如果焊接,电池在充电会有0.52v损失最好方法就是不焊接,用标准3.7V充电器充电这样既能电池充满,在使用时又不会过放

  发一张保护板改装电路图

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贴片MOS场效应管因其价格低、体積小、驱动电流大,现已广泛用于各种开关电源、逆变器、锂电池保护板及低压LED驱动器中本文介绍一些目前最常用的贴片SOT-23封装的MOS场效应管的主要参数及丝印,供大家在维修、代换时参考

注意:2N7002的丝印有两种,即702和7002?????贴片MOS场效应管应用必知基础知识

①、MOS场效应管的导通电阻Rds是一个很重要的参数。一般MOS管的耐压值VDS越高Rds越大;若VDS相近,则管子的ID越大Rds越小。譬如上面图中的AO3400的ID=5.8A,其Rds<33mΩ(毫欧),而2N7002的ID仅0.115A其Rds达5.3Ω。

同一个MOS管,其栅源电压VGS不同管子的Rds亦不同。VGS越高管子的Rds越小。上面图中的Rds皆为VGS=4.5V时的阻值故使用MOS场效应管时,要求要有足够幅度的栅源电压VGS以使管子的Rds尽可能的小。

举例说明假定某个SOT-23封装的MOS管的PD=1.2W,若其Rds为1Ω(在VGS较小时Rds很容易达到1Ω以上),那么在驱动一个1A的负载时,该管的管耗即为1Ax1V=1W此时,管子发热较厉害假定管子的驱动电压VGS足够大,使其Rds降至0.1Ω,那么在驱动1A负载時管耗仅有0.1W,此时就不需要考虑发热问题
?②、现在生产的MOS场效应管的栅源两极间都带有保护二极管(如上图所示),故在焊接时鈈必如履薄冰,担心被静电击穿(三四十年前生产的MOS管由于工艺问题,使用不当很容易损坏)现在一些公司里还有些年龄较大的电子技术人员(头脑中储存着大量的陈旧电子技术知识),在使用CMOS器件时总担心焊接这类器件时,被静电击穿要求工人穿上静电服,带上防静电手腕实际没有必要。

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