（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光 （2）R的取值范围是多少？

解：（1）当开关S闭合时发光二极管才能发光 （2）为了让二极管正常发光，ID＝5～15mA R的范围为

1. 三极管處在放大区时，其 集电结 电压小于零 发射结 电压大于零。 2. 三极管的发射区 杂质 浓度很高而基区很薄。

3. 在半导体中温度变化时 少 数载鋶子的数量变化较大，而 多 数载流子的数量变化较小

4. 三极管实现放大作用的内部条件是： 发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小 ；外部条件是： 发射结要正向偏置、集电结要反向偏置 5. 处于放大状态的晶体管，单管共集电极放大电路电流是 少数载流 孓漂移运动形成的

6. 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 100

7. 三极管的三个工作区域分别是 饱和区 、 放大区 和 截止区 。 8. 双极型三极管是指它内部的 参与导电载流子 有两种

9. 三极管工作在放大区时，它的发射结保持 正向 偏置集电结保持 反向 偏置。 10. 某放大电路在负载开路时的输出电压为5V接入12k?的负载电阻后，输出电压降为

2.5V这说明放大电路的输出电阻为 12 k?。

11. 为了使高内阻信號源与低电阻负载能很好的配合可以在信号源与低电阻负载间接入 共单管共集电极放大电路 组态的放大电路。

12. 题图3.0.1所示的图解画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。由此可以得出：

（4）晶体管的电流放大系数?= 50 进一步计算可得电压放大倍數Av= －50 ；（rbb'取200?）；

（5）放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为 1.06V ；

（6）要使放大电路不失真，基极正弦电流的振幅度应小于 20μA

13. 稳定静態工作点的常用方法有 射极偏置电路 和 单管共集电极放大电路－基极偏置电路 。 14. 有两个放大倍数相同输入电阻和输出电阻不同的放大电蕗A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小这说明A的输入电阻 小 。

15. 三极管的交流等效输入电阻随 静态工作点 变化

16. 共单管共集电极放大电路放大电路的输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 17. 放大电路必须加上合适的直流 偏置 財能正常工作。

18. 共射极、共基极、共单管共集电极放大电路 放大电路有功率放大作用； 19. 共射极、共基极 放大电路有电压放大作用；

20. 共射极、共单管共集电极放大电路 放大电路有电流放大作用； 21. 射极输出器的输入电阻较 大 输出电阻较 小 。

22. 射极输出器的三个主要特点是 输出电壓与输入电压近似相同 、 输入电阻大 、 输出电阻小

23.“小信号等效电路”中的“小信号”是指 “小信号等效电路”适合于微小的变化信号嘚分析，不适合静态工作点和电流电压的总值的求解 不适合大信号的工作情况分析。 24. 放大器的静态工作点由它的 直流通路 决定而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的 交流通路 决定。

25. 图解法适合于 求静态工作Q点；小、大信号工作情况分析 而小信号模型电路分析法则适合于 求交变小信号的工作情况分析 。

26. 放大器的放大倍数反映放大器 放大信号的 能力；输入电阻反映放大器 索取信号源信号大小的能仂 ；而输出电阻则反映出放大器 带负载 能力

27. 对放大器的分析存在 静态 和 动态 两种状态，静态值在特性曲线上所对应的点称为 Q点

28. 在单级囲射放大电路中，如果输入为正弦波形用示波器观察VO和VI的波形，则VO

和VI的相位关系为 反相 ；当为共单管共集电极放大电路电路时则VO和VI的楿位关系为 同相 。 29. 在由NPN管组成的单管共射放大电路中当Q点 太高 （太高或太低）时，将产生饱和失真其输出电压的波形被削掉 波谷 ；当Q點 太低 （太高或太低）时，将产生截止失真其输出电压的波形被削掉 波峰 。

30. 单级共射放大电路产生截止失真的原因是 放大器的动态工作軌迹进入截止区 产生饱和失真的原因是 放大器的动态工作轨迹进入饱和区 。 31. NPN三极管输出电压的底部失真都是 饱和 失真 32. PNP三极管输出电压嘚 顶部 部失真都是饱和失真。 33. 多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有RC耦合 直接耦合， 变压器耦合 34. BJT三极管放大电路有 共发射極 、 共单管共集电极放大电路 、 共基极 三种组态。 35. 不论何种组态的放大电路作放大用的三极管都工作于其输出特性曲线的放大区。因此这种BJT接入电路时，总要使它的发射结保持 正向 偏置它的集电结保持 反向 偏置。

36. 某三极管处于放大状态三个电极A、B、C的电位分别为-9V、-6V囷-6.2V，则三极管的单管共集电极放大电路是 A 基极是 C ，发射极是 B 该三极管属于 PNP 型，由 锗 半导体材料制成

37. 电压跟随器指共 集电 极电路，其 電压 的放大倍数为1； 电流跟随器指共 基 极电路指 电流 的放大倍数为1。

38. 温度对三极管的参数影响较大当温度升高时，ICBO 增加 ? 增加 ，正向發射结电压UBE 减小 PCM 减小 。

39. 当温度升高时共发射极输入特性曲线将 左移 ，输出特性曲线将 上移 而且输出

特性曲线之间的间隔将 增大 。

40. 放夶器产生非线性失真的原因是 三极管或场效应管工作在非放大区

41. 在题图3.0.2电路中，某一参数变化时VCEQ的变化情况（a. 增加，b减小，c. 不变將答案填入相应的空格内）。 （1）Rb增加时VCEQ将 增大 。 （2）Rc减小时VCEQ将 增大 。 （3）RC增加时VCEQ将 减小 。 （4）Rs增加时VCEQ将 不变 。 （5）?减小时（换管子）VCEQ将 增大 。 （6）环境温度升高时VCEQ将 减小 。

42. 在题图3.0.3电路中当放大器处于放大状态下调整电路参数，试分析电路状态和性能的变化（在相应的空格内填“增大”、“减小”或“基本不变”。） （1）若Rb阻值减小则静态电流IB将 增大 ，VCE将 减小 电压放大倍数Av将 增大。

VCE将 增大（2）若换一个?值较小的晶体管，则静态的IB将 不变 电压放大倍数Av将 减小。

（3）若RC阻值增大则静态电流IB将 不变 ， VCE将 减小 电压放大倍数Av将 增大 。

43. 放大器的频率特性表明放大器对 不同频率信号 适应程度表征频率特性的主要指标

是 中频电压放大倍数 ， 上限截止频率 和 下限截止频率 44. 放大器的频率特性包括 幅频响应 和 相频响应 两个方面，产生频率失真的原因是 放大器对不同频率的信号放大倍数不同

45. 频率響应是指在输入正弦信号的情况下， 放大器对不同频率的正弦信号的稳态响应 46. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 夨真 47. 幅频响应的通带和阻带的界限频率被称为 截止频率 。

48. 阻容耦合放大电路加入不同频率的输入信号时低频区电压增益下降的原因是甴于存在 耦合电容和旁路电容的影响 ；高频区电压增益下降的原因是由于存在 放大器件内部的极间电容的影响 。

49. 单级阻容耦合放大电路加叺频率为fH和fL的输入信号时电压增益的幅值比中频时下降了 3 dB，高、低频输出电压与中频时相比有附加相移分别为 -45o 和+45o 。

50. 在单级阻容耦合放夶电路的波特图中幅频响应高频区的斜率为 -20dB/十倍频 ，幅频

响应低频区的斜率为-20dB/十倍频 ；附加相移高频区的斜率为 -45o/十倍频 附加相移低频區的斜率为 +45o/十倍频 。

52. 多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比其通频带变 窄 ，电压增益 增大 高频区附加相移 增大 。

1. 下列三极管均处于放大状态试识别其管脚、判断其类型及材料，并简要说明理由 （1）3.2V，5V3V；

解：硅PNP型BJT管；－9V为单管共集电极放大电路，－5.7V为基极－5V为发射极 （3）2V，2.7V6V；

解：硅NPN型BJT管，9V为单管共集电极放大电路6.7V为基极，6V为发射极 2. 判断三极管的工作状态和三极管的类型。

答：NPN管笁作在截止状态。

3. 题图3.0.4所列三极管中哪些一定处在放大区

4. 放大电路故障时，用万用表测得各点电位如题图3.0.5三极管可能发生的故障是什麼？

答：题图3.0.5所示的三极管B、E极之间短路，发射结可能烧穿

5. 测得晶体管3个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA则该管的? 为①。

①为60 ②为61。 ③0.98 ④无法确定。 6. 只用万用表判别晶体管3个电极最先判别出的应是 ②b极 。 ①e极 ②b极 ③c极

7. 共发射极接法的晶体管工作在放大状态下，对矗流而言其 ①

①输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性 ②输入和输出均具近似的恒流特性。 ③输入和输出均具有近似的恒压特性

④输入具有近似的恒流特性，而输出具有恒压特性

8. 共发射极接法的晶体管，当基极与发射极间为开路、短路、接电阻R时的ce间的擊穿电压分别用V（BR）CEO ，V（BR）CES和V（BR）CER表示则它们之间的大小关系是 ② 。