有谁知道这是什么云吗器件？

点击联系发帖人 时间：2019-04-14 11:32

器件

 IGBTIGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双極型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性
 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小开关速度快，但导通压降大载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开關电源、照明电路、牵引传动等领域
 IGBT结构IGBT结构是一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区附于其上的电极称为源极。P+区称為漏区器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P一区）（沟道在该区域形成）称为亚沟道区（Subchannelregion）。
 而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Draininjector）它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管起發射极的作用，向漏极注入空穴进行导电调制，以降低器件的通态电压附于漏注入区上的电极称为漏极。IGBT的开关作用是通过加正向栅極电压形成沟道给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通
 反之，加反向门极电压消除沟道切断基极电流，使IGBT关断IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，呮需控制输入极N一沟道MOSFET所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制减小N一層的电阻，使IGBT在高电压时也具有低的通态电压。

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