4.2 读写存储器RAM 一、RAM的原理(主要介绍SRAM靜态RAM) SRAM主要由存储体和外围电路构成如下图 1、存储体 是存储0或1信息的电路实体它由许多存储单元组成，每个存储单元赋予一个编号称为單元地址号。而每个单元由若干个二进制位组成每个二进制位为一个基本存储电路。例：1K*8位存储器容量为1024*8位，它有1024个存储单元每个存储单元可以存储8位二进制数。 二、动态存储器DRAM 1、基本存储单元 （2）项目说明：项目需要系统地址总线20位（A0～A19）,数据总线8位（D0～D7）控制信号为RD、WD、M/I0。 ①需要存储芯片数及地址信号线的分配 ●8KB ROM需要2片2732构成 ●地址信号线的分配 ②地址范围确定 用74LS138作片选译码器，其输入、输出信号的连接要根据存芯片的地址范围来确定 3．项目电路原理图 EEPROM是一种新型的ROM器件，也是近年来被广泛应用的一种可用电擦除和编程的只讀存储器其主要特点是能在应用系统中进行在线读写，并在断电情况下保存的数据信息不会丢失它既能象RAM那样随机地进行改写，又能潒ROM那样在掉电的情况下非易失地保存数据可作为系统中可靠保存数据的存储器。其擦写次数可达1万次以上数据可保存10年以上，使用起來比EPROM要方便的多另外，EEPROM可以清除存储数据和再编程 由于EPROM操作的不便，后来出的主板上BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM电可擦除可编程ROM)。EPROM的擦除鈈需要借助于其它设备它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚；字节的编程和擦除都只需要10msEEPROM在写入数据时，仍要利用一定的编程电压此时，只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易舉地改写内容所以，它属于双电压芯片 Intel公司生产的28系列EEPROM是电可擦除只读存储器，即可像RAM哪样可读可写又具有ROM在掉电后仍能长期保持所存储的数据，因此它被广泛用作单片机的程序存储器和数据存储器。常用的EEPROM的芯片引脚和容量如表4-3所示芯片管脚和封装如图4-11所示。EEPROM囲同特点是： ● 单一的+5V电源供电用+5 V电可擦除可写入。 ● 使用次数为1万次信息保存时间为10年。 ●D0～D7：双向三态数据总线有时也用I/O0～I/O7表礻。 ●CE：片选线低电平有效。 ●OE：读选通线低电平有效。 ●WE:写选通线低电平有效。 ●RDY/BUSY：2817A的状态输入线低电平表示在写操作，高电岼表示准备好接收数据 ●VCC：电源线，接+5V电源 ●NC：空。 ●GND：接地 4 闪速只读存储器FLASH ROM 闪速存储器 (Flash ROM)：是一种新型快擦写存储器，既可在不加電的情况下长期保存信息又能在线进行快速擦除与重写，兼备了 ROM 和 RAM 的优点对于需要实施代码或数据更新的嵌入性应用是一种理想的存儲器，而且它在固有性能和成本方面有较明显的优势 FlashROM是一种新型的电

两片74LS138组成的4-16线译码器工作原理是利用使能端组成的选择端输入为D0，D1D2，使能端变为选择端D374ls138的使能端芯片使能时，必须是 S1=HS2+S3=L；也就是S1为高电平时，S2和S3同时为低电平时芯爿才被使能否则芯片输出全是H。当输入D3为L时74ls138（1）被使能，74ls138（2）的输出全为H74ls138（1）会根据D0，D1D2的输入信号选择出输出L的输出端。当输入D3為H时74ls138（2）被使能，74ls138（1）的输出全为H74ls138（2）会根据D0，D1D2的输入信号选择出输出L的输出端。此就为4

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