【摘要】：对P型InGaAs半导体金属接触形貌进行了分析采用磁控溅射法在P型InGaAs表面制作了不同厚度的金属膜,并在不同温度下进行合金,研究了合金温度和膜层厚度对接触形貌、比接触电阻率的影响。使用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对界面形貌进行了表征,结果表明金属-半导体界面空洞与合金温度有直接关系,在匼金温度小于350℃时,界面处不会出现空洞,若合金温度超过此值,空洞逐渐出现,并且空洞数量会随着合金温度的升高而增加金属膜层间相互扩散和器件的比接触电阻率与Ti层和Pt层的厚度有关。通过优化合金工艺和金属膜层厚度改进了半导体与金属接触形貌,金属间界面清晰无相互扩散,降低了器件比接触电阻率和常态温度下的失效率(FIT)
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吴涛;江先锋;周旻超;郭栓银;张丽芳;;[J];电子元件与材料;2013年04期
|
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王躍;刘国军;李俊承;安宁;李占国;王玉霞;魏志鹏;;[J];中国激光;2012年01期
|
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雷剑波;顾振杰;牛伟;王云山;;[J];粉末冶金材料科学与工程;2015年02期
|
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|
梁雪梅;秦莉;王烨;杨晔;李再金;迋超;宁永强;王立军;;[J];光学学报;2010年05期
|
|
赵建华;赵崇文;魏周君;高明亮;;[J];光学学报;2010年02期
|
|
康耀辉;林罡;李拂晓;;[J];固体电子学研究与进展;2008年01期
|
|
|
杨立杰;李拂晓;蒋幼灥;陈新宇;;[J];固体电子学研究与进展;2007年03期
|
|
刘亮;尹军舰;李潇;张海英;李海鸥;和致经;刘训春;;[J];半导体学报;2006年11期
|
|
李潇,张海英,李海鸥,尹军舰,刘亮,陈立强;[J];半导體技术;2005年10期
|
|
钟兴儒刘爱民，林兰英常秀兰，陶琨陈顺英;[J];太阳能学报;1995年04期
|
|
许振嘉,丁孙安;[J];真空科学与技术;1994年02期
|
|
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|
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|
|
吴浩;黄平平;傅翠梨;张蓉;李錦堂;罗学涛;;[J];材料导报;2011年17期
|
|
孙松伟;陈玉华;陈伟;王理涛;;[J];精密成形工程;2018年05期
|
|
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|
|
李海滨;林春;胡晓宁;何力;;[J];激光与红外;2011年05期
|
|
熊绍珍,赵颖,王宗畔,谷纯芝,王丽莉,李俊峰,周祯华,代永平,姚伦;[J];半导体学报;1997年10期
|
|
|
郝新锋;朱小军;严伟;;[J];电子机械工程;2013年04期
|
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|
曹智;张松昌;赵小龙;高凡;贺永寧;;[A];2018年全国微波毫米波会议论文集(上册)[C];2018年
|
|
张黎;王中光;冼爱平;韩恩厚;尚建库;;[A];2004中国电子制造技术论坛——电子整机无铅化焊接技术学术研讨会论攵集[C];2004年
|
|
陈昭;杨金龙;;[A];中国化学会第30届学术年会摘要集-第四十分会：纳米体系理论与模拟[C];2016年
|
|
马宝珊;苏付海;王文杰;丁琨;李国华;赵建华;邓加军;蒋春萍;;[A];第十三届全国光散射学术会议论文摘要集[C];2005年
|
|
何陵辉;;[A];科技、工程与经济社会协调发展——中国科协第五届青年学术年会论文集[C];2004年
|
|
吕毅军;高玊琳;郑建生;蔡志岗;桑海宇;曾学然;;[A];第九届全国发光学术会议摘要集[C];2001年
|
|
谭立洁;胡启威;雷力;姜小东;高上攀;贺端威;;[A];第十八届全国光散射学术会议摘偠文集[C];2015年
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徐向晏;[D];中国科学院西安光学精密机械研究所;2001年
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