手机开机总是停留在powrr bv

功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET

MOSFET(金属氧化物)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大徝)

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