山灵 数字滤波器器里面为什么要用胶Coating保护？
点击联系发帖人
时间：2018-08-07 06:54
&p&谢邀。&/p&&p&&br&&/p&&p&美国商务部宣布立即重启对中兴通讯的制裁禁令（ORDER ACTIVATING SUSPENDED DENIAL ORDER），中兴通讯将被禁止以任何形式从美国进口商品。&/p&&p&&br&&/p&&p&这意味着中兴通讯在2017年3月认罪并签署的和解协议宣告失败，已缴纳的8.92亿美元罚款仍不足以息事宁人，甚至可能还要进一步补缴缓期执行的3亿美元罚款。而更可怕的是，被美全面封杀后，对于严重依赖从美国进口芯片等元器件的中兴通讯来说，无疑是一场灾难。&/p&&p&&br&&/p&&p&而中兴通讯在这样一个时点上遭受了这样严厉的制裁，很难让人不联想到，这是否意味着中美贸易战将进一步升级？&/p&&p&&br&&/p&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/v2-3c28fe35cfbc_b.jpg& data-caption=&& data-size=&normal& data-rawwidth=&640& data-rawheight=&884& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&640& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/v2-3c28fe35cfbc_r.jpg&&&/figure&&p&&br&&/p&&p&&b&| 一、中兴为何被制裁？&/b&&/p&&p&&br&&/p&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/v2-3cab57be1_b.jpg& data-caption=&& data-size=&normal& class=&content_image&&&/figure&&p&&br&&/p&&p&网上关于中兴通讯被制裁的报道已经很多，但大多的焦点在于中美贸易战爆发，而对于中兴通讯被制裁的背景以及理由却鲜有提及。因此，本文更多引用和翻译自美国官方报告和国内公开信息，至于真相究竟如何，留待各位仁者见仁智者见智。&/p&&p&&br&&/p&&p&而事实上，中兴通讯制裁案发生的时间远远早于中美贸易战，从2012年开始被美国调查至今已经将近6年时间。此前在2017年3月，中兴通讯终于认罪并签署了和解协议，中兴通讯因违法美国出口管制制度被美国监管处罚近8.92亿美元，外加3亿美元“缓期执行”，这也是有史以来OFAC（美国财政部海外资产控制办公室，The Office of Foreign Assets Control of the US Department of the Treasury）对非金融机构开出的最大罚单。&/p&&p&&br&&/p&&p&&b&以下为中兴通讯被制裁案件的始末：&/b&&/p&&p&&br&&/p&&p&&b&2012&/b&&/p&&p&&br&&/p&&p&据路透社报道，2012年，中兴通讯通过签订合同的方式，将一批搭载了美国科技公司软硬件的产品出售给伊朗最大的电信运营商伊朗电信（TCI）。&/p&&p&&br&&/p&&p&根据美国的出口限制法规，美国政府禁止美国制造的科技产品出口到伊朗。中兴通讯的这笔生意涉嫌违反美国对伊朗的出口禁令。此次中兴通讯制裁事件由美国商务部主导，调查重点是中兴通讯是否通过幌子公司采购美国产品，然后将其提供给伊朗，从而违反美国的出口禁令。&/p&&p&&br&&/p&&p&&b&2016&/b&&/p&&p&&br&&/p&&p&四年之后，日，美国商务部官方网站披露了其调查员获取的中兴通讯内部文件。该文件显示，中兴通讯当时在伊朗、苏丹、朝鲜、叙利亚、古巴五大禁运国都有在执行的项目，这些项目都在一定程度上依赖美国供应链。美国商务部以中兴通讯“违反美国出口限制法规”为由，对中兴采取限制出口措施。中兴通讯公告称，“获知美国商务部拟对中兴通讯实施出口限制措施，公司正在全面评估此事件对公司可能产生的影响，并与各方面积极沟通。”&/p&&p&&br&&/p&&p&日凌晨，中国商务部一如既往地表达了“强烈不满和坚决反对”，“中兴通讯一直在积极从事国际化经营，与数百家美国企业开展了广泛的贸易投资合作，为美国贡献了数以万计的就业岗位。美方此举将严重影响中国企业的正常经营活动。中方将继续与美方就此问题进行交涉”。 驻纽约总领馆也表示“中兴通讯在美遭贸易限制，美国科技供应商尝苦果。”言下之意，美国此举是伤敌一千，自损八百。&/p&&p&&br&&/p&&p&日，美国商务部声明称，将向中兴通讯及其子公司发放临时许可，暂时解除对两家公司的出口限制措施。临时许可的有效期从3月24日起至6月30日。据《华尔街日报》报道，暂缓制裁的原因，是因为美国商务部与中兴通讯达成了一份临时协议，而该协议中的一项内容便是，凡参与违规行为的中兴通讯高管必须辞去管理层的职务。&/p&&p&&br&&/p&&p&日，中兴通讯高层大换血，原CEO等三位高管卸任，而赵先明则“临危受命”被委任为公司董事长兼CEO。《环球时报》报道称，中兴通讯几位高管放弃自身利益，以离职换取美国商务部对中兴解除出口限制。&/p&&p&&br&&/p&&p&赵先明上任后就从团队以及管理机制做出了改革，包括任命美国律师为首席出口合规官、完善《出口管制合规手册》、全球出口管制培训等。&/p&&p&&br&&/p&&p&&b&2017&/b&&/p&&p&&br&&/p&&p&日，仅仅用了1年的时间，赵先明就摧枯拉朽般带领中兴通讯度过了此次危机。和解后，赵先明也第一时间做出了表态，不过与之前中国商务部不卑不亢的态度截然不同，他表示，“中兴通讯承认违反美国出口管制相关法律法规，愿意承担相应的责任……”赵先明也认为与美国政府的和解是一个双赢的局面。&/p&&p&&br&&/p&&p&本次事件的处理结果是，中兴通讯认罪，被美国三个机构共处以8.92亿美元的罚款，另有3亿美元缓期执行。&/p&&p&&br&&/p&&p&中兴通讯公告称，“本公司已就美国商务部工业与安全局（以下简称“BIS”）、美国司法部（以下简称“DOJ”）及美国财政部海外资产管理办公室（以下简称“OFAC”）对本公司遵循美国出口管制条例及美国制裁法律情况的调查达成协议（以下合称“该等协议”）。&/p&&p&&br&&/p&&p&鉴于本公司违反了美国出口管制法律，并在调查过程中因提供信息及其他行为违反了相关美国法律法规，本公司已同意认罪并支付合计892,360,064美元罚款。此外，BIS还对本公司处以暂缓执行的3亿美元罚款，在本公司于七年暂缓期内履行与BIS达成的协议要求的事项后将被豁免支付。&/p&&p&&br&&/p&&p&本公司与OFAC达成的协议签署即生效，本公司与DOJ达成的协议在获得德克萨斯州北区美国地方法院（以下简称“法院”）的批准后生效，法院批准本公司与DOJ达成的协议是BIS发布和解令的先决条件。同时，在本公司与DOJ达成的协议获得法院批准、本公司认罪及BIS助理部长签发和解令后，BIS会建议将本公司从实体名单移除。”&/p&&p&&br&&/p&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/v2-9c3ea7b3e83b11be72fc_b.jpg& data-caption=&& data-size=&normal& data-rawwidth=&640& data-rawheight=&298& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&640& data-original=&https://pic1.zhimg.com/50/v2-9c3ea7b3e83b11be72fc_r.jpg&&&/figure&&p&&br&&/p&&p&当时，对于罚款事件已经尘埃落定，国内的券商也纷纷表示这是利空出尽，“建仓良机已至”，于是，在被罚9亿美元，直接导致中兴通讯2016年年报由净赚38亿元人民币转变为巨亏23亿元人民币。&/p&&p&&br&&/p&&p&当时国内零星的报道和公告似乎将本次处罚事件描绘成一个成功的危机公关，甚至鲜有提及处罚原因和金额。&/p&&p&&br&&/p&&p&2017年10月，BIS公布了一份对于中兴通讯调查分析，从中可见整个案件的来龙去脉。处罚原因就是关键证据被美国政府掌握。&/p&&p&&br&&/p&&p&经过了多年的调查，中兴通讯在2011年的一份内部机密文件被扒了出来，《关于全面整顿和规范公司出口管制相关业务的报告》，《进出口管制风险规避方案——以YL为例》。&/p&&p&&br&&/p&&p&在这些报告中有如下表述，成为了关键的证据所在。&/p&&p&&br&&/p&&p&“目前，公司最大的风险是正在进行中的伊朗业务……在2010年末的时候，我们公司和伊朗的客户签署了四方协议，采用了半隔断的操作模式，例如，我们公司本身只向伊朗客户提供自行生产的设备，而从美国采购的敏感产品则由我们公司的合作伙伴向客户提供。”&/p&&p&&br&&/p&&p&“我们公司已与伊朗公司YL签署了许多合同，这些合同目前正在执行中。原先这些合同是由四方共同签署，然而现在在执行过程中，并未严格按照合同约定的模式操作，而是由中兴通讯承担了合同项下的权力与义务，直接将管控的商品出口给了伊朗公司。”&/p&&p&&br&&/p&&p&“我们公司与该国中兴通讯集团开展业务时，要避免使用我们公司自己的名字，也要避免直接向这些客户出口产品和提供服务。这种操作方法我们称之为隔断模式。”&/p&&p&&br&&/p&&p&“在隔断模式中，由7S公司向美国购买产品，并转卖给8S公司，8S公司将产品出口给迪拜的10S公司，最终由10S公司转口给YL公司和他的客户……还有一种操作是由中国之外设立的9S公司购买美国产品，并出口至迪拜由10S转卖给YL……”&/p&&p&&br&&/p&&p&“我公司的转口业务，尤其是其中在伊朗开展的业务，有可能会使得公司被美国列入黑名单。一旦被列入黑名单之后，我公司可能会失去美国产品的供应链。”&/p&&p&&br&&/p&&p&“我们公司的很多技术和零部件都由美国的供应商提供……一旦我们公司违法了美国相关的出口管制法，美国政府可能会禁止国内供应商向我公司提供产品。”&/p&&p&&br&&/p&&p&上面的话简单来讲就是中兴通讯利用了很多通道公司，通过层层转运的方式将美国的产品出口给了伊朗企业。&/p&&p&&br&&/p&&p&从BIS公布的细节中可以看到，美国对于中兴通讯的巨额处罚，一方面是因为ZTE恶意违反美国出口管制法案，采取了种种反侦察措施规避监管；另一方面，更重要的是因为中兴通讯采用了造假和欺骗手段，在调查期间，故意隐瞒真相妨碍调查。&/p&&p&&br&&/p&&p&&b&2018&/b&&/p&&p&&br&&/p&&p&4月16日，美国商务部宣布立即重启对中兴通讯的制裁禁令，在该禁令中提及的主要理由是：欺骗、虚假陈述和一再违法美国法律（Deception, False Statements, and Repeated Violations of U.S. Law）在该报告中，甚至提及虚假陈述（False Statements）高达二十次。&/p&&p&&br&&/p&&p&主要原因是中兴通讯在日和日的报告中作了虚假陈述。&/p&&p&&br&&/p&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/v2-4bab68c7ee69bf04cb33aa_b.jpg& data-caption=&& data-size=&normal& data-rawwidth=&628& data-rawheight=&973& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&628& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/v2-4bab68c7ee69bf04cb33aa_r.jpg&&&/figure&&p&&br&&/p&&p&此外值得注意的是，在该报告中指出，日，BIS已经通知中兴通讯，可能将会重启制裁，并于号让中兴通讯作了答辩。但我们查阅了中兴通讯的A股和港股官方公告，3月16日直至美国制裁报告发布前，中兴通讯都没有就本次事件予以披露和公告，这是否涉嫌违反上市公司信息披露义务？还是说如此重大影响的事件都不属于披露的范围之内？&/p&&p&&br&&/p&&p&在答辩中，中兴通讯承认了未能有效执行当时报告中的方案，例如未执行对涉案员工的纪律处分等内容：在中国法律允许的范围内扣减2016年度的奖金（30%-50%），该部分奖金会在2017年的年终奖中扣除。&/p&&p&&br&&/p&&p&根据中兴通讯的回复，BIS重新查阅了案件资料，并且往事重提，发现中兴通讯承认的规避监管行为高达96起，违法美国出口管制法案380起。&/p&&p&&br&&/p&&p&总而言之，本次美国商务部重启对中兴通讯的理由主要就是不诚信。一方面是整改措施不到位，与当时报告的要求不符，另一方面是往事重提，将之前ZTE的违规行为重新描述了一遍，违规内容基本与2017年10月发布的调查报告内容一致。那么，本来还在缓期执行观察期的中兴通讯，是否是因为中美贸易战的关系被当成了靶子呢？笔者认为，应当有很大关系，毕竟2017年已接受了近9亿美元的高额处罚并签署了和解协议。但是，对于美国列举的违规事实，作为上市公司的中兴通讯，是否能够给出更合理的解释呢？&/p&&p&&br&&/p&&p&&b&| 二、制裁包括哪些内容？&/b&&/p&&p&&br&&/p&&p&根据制裁禁令的要求，本次对于中兴通许的制裁，总体来说，就是五个要点：&/p&&p&&br&&/p&&p&不只是中兴通讯、中兴康讯被禁止从美国进口，与他们有关的所有代理公司、关联公司都受到管制。这个范围包括了所有的相关企业和人员，甚至是中兴的雇员也不例外。&/p&&p&&br&&/p&&p&&b&制裁包括哪些呢？&/b&&/p&&p&&br&&/p&&p&1、中兴不能直接从美国进口&/p&&p&&br&&/p&&p&2、任何人不能协助中兴间接从美国进口&/p&&p&&br&&/p&&p&3、任何人不能从美国进口后转卖给中兴&/p&&p&&br&&/p&&p&4、就算中兴成功从美国进口了，任何人都不能买，也不能提供安装、维修等后续服务&/p&&p&&br&&/p&&p&时间将近7年，至日。&/p&&p&&br&&/p&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/v2-2ddbea84fd87b_b.jpg& data-caption=&& data-size=&normal& data-rawwidth=&615& data-rawheight=&959& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&615& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/v2-2ddbea84fd87b_r.jpg&&&/figure&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/v2-861dd24a767_b.jpg& data-caption=&& data-size=&normal& data-rawwidth=&611& data-rawheight=&868& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&611& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/v2-861dd24a767_r.jpg&&&/figure&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/v2-795770bee80c1cfa266b7a_b.jpg& data-caption=&& data-size=&normal& data-rawwidth=&640& data-rawheight=&927& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&640& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/v2-795770bee80c1cfa266b7a_r.jpg&&&/figure&&p&&br&&/p&&p&&b&| 三、对中兴影响甚大&/b&&/p&&p&&br&&/p&&p&一名通信设备供应链公司员工王青（化名）对表示，（中兴事件）是否对行业有影响需要再观察最终落地情况。如果静态分析，就是最坏结果，7年禁运的话，对中兴影响巨大。&/p&&p&&br&&/p&&p&王青称，庞大的国内市场推动了中国通信产业的巨大发展，但我们基础层和物理层技术的积累还是太薄弱了，最核心的就是芯片和终端滤波器。一些国产芯片产品出货量大了，但不代表技术先进，中国手机制造能力强和国产品牌的崛起导致的，但基础层的积累太少。&/p&&p&&br&&/p&&p&他对第一财经记者称，目前基站三大块：基带处理、射频拉远和天线，中国企业都很强，但前两块的最顶端部分都是美国和日本企业的天线，而且目前国内通信企业的技术领先都还在6.0GHz以下的中低频，高频部分的核心器件能力也并不强。&/p&&p&&br&&/p&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/v2-1fecda248a8afca1539a7_b.jpg& data-caption=&& data-size=&normal& data-rawwidth=&550& data-rawheight=&482& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&550& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/v2-1fecda248a8afca1539a7_r.jpg&&&/figure&&p&&br&&/p&&p&而对于国内的影响，他表示将会传导至中兴的供应商。“中兴都没办法持续经营了，供应商肯定会受影响，而且影响很大。中兴是做系统集成的，现在系统中核心部件不供应，整套设备就没法卖，长期来说，对5G进程会有影响。”王青表示，国内5G进程中，政府推动作用明显。但这么大的投入，对于国外运营商和设备商来说，根本撑不起，所以它们一方面在想办法加快5G研发；一方面用基础层和物理层的原始积累，特别是专利积累来限制中国企业。从长远来看，诺西和爱立信也并不会从事件中得益，他判断，（中兴）这事缓冲余地还很大。&/p&&p&&br&&/p&&p&招商电子分析师方竞则对第一财经记者表示，这次事件真的勒住了中兴的咽喉，在基站侧，芯片想要实现自主，除了华为把主处理器搞定了，其他公司根本没有自主研发的可能性。&/p&&p&&br&&/p&&p&“本次中兴禁运事件对通信产业冲击较大，也敲响了半导体产业的警钟，自主可控不仅仅是口号，而是涉及到国家安全、国计民生的要务。目前，中兴的三大应用领域里，芯片门槛最高的板块是RRU基站，这一领域要想实现国产替代，需要较长时间。光通信和手机产业链门槛相对较低，一些细分领域的国产芯片方案甚至成为了国际龙头，但整体来看，还是偏低端应用。”方竞说。&/p&&p&&br&&/p&&p&他在一份分析报告中指出，基站芯片的成熟度、高可靠性和消费级芯片不可同日而语，从开始试用到批量使用起码需要两年以上。目前在中频领域，主要玩家有TI、ADI、IDT等厂商；而射频领域，主要是Qorvo等。单芯片Transceiver方案进一步提升了基站芯片的门槛，使得国产厂商更加难以切入。基站芯片的自给率几乎为零，成为了中兴本次禁运事件里最为棘手的问题。&/p&&p&&br&&/p&&p&&b&| 四、深扒现状：国产芯片自给率不足&/b&&/p&&p&&br&&/p&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/v2-e9281ceeee67e941b8fc0d2f_b.jpg& data-caption=&& data-size=&normal& data-rawwidth=&550& data-rawheight=&342& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&550& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/v2-e9281ceeee67e941b8fc0d2f_r.jpg&&&/figure&&p&&br&&/p&&p&据悉，中兴通信的主营业务有基站，光通信及手机。其中，基站中部分射频器件如腔体滤波器(武汉凡谷、大富科技)，光模块厂商(光迅科技，旭创科技)，手机内的结构件模组等均可基本满足自给需求。唯有芯片，在三大应用领域均一定程度的自给率不足。&/p&&p&&br&&/p&&p&招商电子从技术层面详细分析了中兴通讯涉及的产业链上下游和国外企业的差距，主要涉及三个层面：&/p&&p&&br&&/p&&p&&b&1、RRU基站领域，芯片自给率最低&/b&&/p&&p&&br&&/p&&p&RRU基站这一产品，分为发射端和接收端两种情况。&/p&&p&&br&&/p&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/v2-35ccb16c2e8_b.jpg& data-caption=&& data-size=&normal& data-rawwidth=&600& data-rawheight=&296& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&600& data-original=&https://pic1.zhimg.com/50/v2-35ccb16c2e8_r.jpg&&&/figure&&p&图：RRU接收端框图&/p&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/v2-08facb237a66b472afa6_b.jpg& data-caption=&& data-size=&normal& data-rawwidth=&600& data-rawheight=&284& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&600& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/v2-08facb237a66b472afa6_r.jpg&&&/figure&&p&图：RRU发射端框图&/p&&p&&br&&/p&&p&发射端主要作用是将基带信号(BB)，转化为中频(IF)，再进一步调制到高频(RF)并发射出去。目前能够实现国产替代并大规模商用的，只有主处理器，即FPGA，DSP。主要是海思自研的ASIC。&/p&&p&&br&&/p&&p&除此之外，国产芯片厂商中，南京美辰微电子在正交调制器，DPD接收机，ADC等芯片产品上已有可量产方案。并参与了国家重大专项《基于SiP RF技术的TD-LTE TD-LTE-Advanced TD-SCDMA基站射频单元的研发》，目前在ZTE处于小批量验证中。&/p&&p&&br&&/p&&p&和发射端类似，目前只有海思的主处理器可以实现大规模商用替代。而南京美辰微电子的混频器，VGA，锁相环，ADC 处于小批量验证中。&/p&&p&&br&&/p&&p&招商电子认为，“基站芯片的成熟度和高可靠性和消费级芯片不可同日而语，从开始试用到批量使用起码需要两年以上的时间”。目前在中频领域，主要玩家有TI，ADI，IDT等厂商；而射频领域，主要是Qorvo等。&/p&&p&&br&&/p&&p&同时，TI，ADI还在推动单芯片解决方案，以实现微基站对于RRU体积大小的要求。如下图中的TI AFE75XX系列，及ADI的AD936X等。单芯片Transceiver方案进一步提升了基站芯片的门槛，使得国产厂商更加难以切入。基站芯片的自给率几乎为0，成为了中兴通讯本次禁运事件里最为棘手的问题。&/p&&p&&br&&/p&&p&&b&2、光通信领域，高端芯片仍需突破&/b&&/p&&p&&br&&/p&&p&光模块从应用领域要分为接入网(PON)和数传网(DT)两大类，二者芯片方案不同，封装也大相径庭。以下以接入网光模块为例，讨论芯片方案。光模块内主要采用的芯片有MCU，TIA(跨阻放大器)，APD(雪崩光二极管)，LA (Limiting Amplifier)，LD(Laser Driver)，激光器芯片(Vcsel，DFB，EML)，DWDM等。&/p&&p&&br&&/p&&p&目前光迅科技的光通信芯片产品主要有DFB、Vcsel、APD等；博创科技则是PLC 光分路器和 DWDM 器件龙头；而南京美辰微电子及厦门优讯则在TIA，LA，LD领域有产品已实现大规模量产。本次禁运事件对于上述已具备成熟芯片方案的厂商是一大利好。该领域的国际竞争对手主要有Semtech，Micrel(被Microchip收购)，Mindspeed(被Marcom收购)等。&/p&&p&&br&&/p&&p&虽然光通信芯片自给率尚可，但在一些高端产品，如数传网100G及以上光模块中，国产芯片方案仍待突破，建议关注非上市公司芯耘光电，公司预计在2019年完成100G芯片方案研发。除此之外，光模块还会用到256m和128m的大容量Nor Flash，兆易创新在2017年年底推出的相关产品在各大光模块厂商处已经形成销售。&/p&&p&&br&&/p&&p&&b&3、智能机产业链，芯片自给率较高&/b&&/p&&p&&br&&/p&&p&智能手机内芯片方案极为复杂。除了主处理器之外，有数十颗模拟/数模混合芯片。&/p&&p&&br&&/p&&p&主处理器芯片，目前国内主要有华为海思以及展讯科技。小米亦在2017年成功推出松果系列手机处理器。&/p&&p&&br&&/p&&p&电源管理芯片，圣邦股份和韦尔股份具有较强的竞争力，其中圣邦股份的背光驱动芯片在业内领先，而韦尔股份的DCDC，LDO等芯片优势明显。除此之外，还有台股上市公司矽力杰在该领域亦颇有造诣。&/p&&p&&br&&/p&&p&无线芯片方面，国内有三大射频PA公司，分别是中科汉天下，唯捷创新，国民飞骧。而射频开关则主要有正在IPO的卓胜微。射频芯片是增速最快的细分领域之一，2016年-2022年复合增长率高达14%。但国内要想实现进军高端手机，还需要一定时间。&/p&&p&&br&&/p&&p&音频芯片领域，国内的主要玩家是一家三板上市公司，艾为电子。&/p&&p&&br&&/p&&p&显示屏相关芯片里，台湾厂商奕力，矽创，奇景，联咏等在显示屏驱动IC方面是行业龙头，且目前也有不少国内厂商在布局这一领域。&/p&&p&&br&&/p&&p&传感器方面：士兰微的加速度计目前已经进入了展讯的参考设计，18年加快向手机其他传感器的拓展。&/p&&p&&br&&/p&&p&摄像头CMOS芯片：豪威科技在2015年全球CMOS芯片市场中，占有约12%的市场份额，排名全球第三。预计2017年营收在8-10亿美元之间。&/p&&p&&br&&/p&&p&指纹芯片：主要是汇顶科技和思立微(兆易创新子公司)，汇顶的指纹识别芯片在2017年底一举超越FPC，成为全球市场份额第一。而思立微也在2017年实现了市占率的翻倍。&/p&&p&&br&&/p&&p&中金也发布报告称，美国商务部对中兴通讯施加出口权限禁止令，若不能在1-2月内达成和解，会影响通信设备和手机等业务的正常生产与销售，同时对当前全球和中国的运营商网络建设带来一定影响，并有可能影响未来5G网络的推进。&/p&&p&&br&&/p&&p&目前中兴占全球电信设备市场约10%的市场份额，占中国电信设备市场约30%市场份额。中兴有1-2月的零部件的存货，若不能尽快达成和解，会影响相关业务。&/p&&p&&br&&/p&&p&&b&| 五、礼尚往来，下一个会是高通吗？&/b&&/p&&p&&br&&/p&&p&此前曾有传言认为，中兴通讯被美国处罚或许是因为被美国报复，因为高通公司在2015年2月份，刚因为涉嫌违反《反垄断法》被发改委处罚了近60.88亿人民币（按当时汇率约9.75亿美元）。&/p&&p&&br&&/p&&p&而在高通认罚后仅过了一年，日，美国商务部就公布了调查结果，以中兴通讯“违反美国出口限制法规”为由，对中兴采取限制出口措施，并且最终的处罚金额也是近9亿美元（8.92亿）。&/p&&p&&br&&/p&&p&由于中国开了先例，欧洲和韩国也纷纷仿效，2017年韩国政府也给高通开出了近9亿美元的罚单，如果高通认罚，这将创下韩国反垄断史的最高罚金记录。&/p&&p&&br&&/p&&p&由于中兴通讯也是高通的大客户，中兴被制裁后，将对整个行业产生重大影响。中金报告称，美国商务部对中兴通讯施加出口权限禁止令，若不能在1-2月内达成和解，会影响通信设备和手机等业务的正常生产与销售，同时对当前全球和中国的运营商网络建设带来一定影响，并有可能影响未来5G网络的推进。目前中兴占全球电信设备市场约10%的市场份额，占中国电信设备市场约30%市场份额。中兴有1-2月的零部件的存货，若不能尽快达成和解，会影响相关业务。&/p&&p&&br&&/p&&p&此外，根据外媒消息，”高通现在正准备向中国监管机构重新申请收购恩智浦，目前，中国是唯一未签署高通收购恩智浦计划的国家，该申请可能会有六个月的批准交易时间。“&/p&&p&&br&&/p&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/v2-d05dd67b5bf4cad6cc067_b.jpg& data-caption=&& data-size=&normal& data-rawwidth=&512& data-rawheight=&715& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&512& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/v2-d05dd67b5bf4cad6cc067_r.jpg&&&/figure&&p&&br&&/p&&p&&b&| 六、中美经贸博弈虚实之间&/b& &/p&&p&&br&&/p&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/v2-9f5e0f3bbbee3a090e0a164_b.jpg& data-caption=&& data-size=&normal& data-rawwidth=&640& data-rawheight=&437& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&640& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/v2-9f5e0f3bbbee3a090e0a164_r.jpg&&&/figure&&p&&br&&/p&&p&如何从微观和宏观两个层面来看待中兴被罚事件，是考验各方应对的首要大事。在前述多位接近中美谈判的人士看来，对待中兴的举措，这是虚实兼备，“点射之前的乱射”，年轻的特朗普团队的真正意图，“还需观察”。&/p&&p&&br&&/p&&p&在多位业内人士看来，从个案角度，大公司一定要关注政治风险，不可掉以轻心。&/p&&p&&br&&/p&&p&联合国贸发组织官员梁国勇对第一财经记者分析说，在国际投资和运营中，法务合规极其重要，一旦出问题后果很严重。大公司、敏感行业和市场尤须谨慎。&/p&&p&&br&&/p&&p&从此次案件来看，禁运算是一个近几年来的新问题，容易忽视，但后果严重。美国仍有很多禁运、禁售规定，但一直没有抓到实际案例。&/p&&p&&br&&/p&&p&从中美经贸博弈的宏观层面来看，中方政府也将此事纳入虚实博弈的考量。北京时间3月23日凌晨，特朗普签署备忘录，宣布将对中国进口商品大规模加征关税，限制中企对美投资并购。随后，中美双方开始多轮隔空博弈。&/p&&p&&br&&/p&&p&前述中美谈判资深观察人士对第一财经记者称，恐怕应当看作美国要阻止“中国制造2025”实施的重要信号。美国加严高新技术出口管制和限制中国企业在美投资并购都是重要组成部分。&/p&&p&&br&&/p&&p&目前，美国半导体生产已多年占全球市场48%的份额，仅英特尔一家的研发开支就已经达到整个中国芯片业的4倍之多。&/p&&p&&br&&/p&&p&根据美国半导体行业协会（SIA）的统计，整个中国市场每年半导体销售额约1000亿美元（中国自给率不到10%），其中美国公司市占率接近60%，美国公司出口到中国的金额在500亿美元以上。&/p&&p&&br&&/p&&p&但美国在半导体领域对中国的“封锁战”从没放松过。一位在美国半导体公司工作的技术人员对记者表示，美国企业对中国半导体的发展有着强烈的“抵触”情绪，有部分公司已经下了相关通知，核心科研人员回国需要经过复杂的审批手续。&/p&&p&&br&&/p&&p&而自特朗普上台以来，对于外来投资的审查已呈现趋严的态势，具体表现为被美国外资投资委员会（CFIUS）叫停的外来投资日益增多，触发审查的敏感领域也由最关键的基础设施和出口限制技术扩展到广泛涉及个人、商业数据的领域。据彭博社统计，自特朗普政府上台以来，被CFIUS阻拦或因相关原因遭到终止的外资并购交易有10宗，中国占了8宗，其中2宗为半导体行业标的。&/p&&p&&br&&/p&&p&《纽约时报》曾如此称，贸易战会让全球最先进的行业加速进入新冷战时代，中国在争夺人工智能、量子计算和下一代无线互联网等前沿领域时，拥有强大的科技实力和资金。&/p&&p&&br&&/p&&p&随着贸易战的升级，中美科技企业之间的关系变得极为微妙。&/p&&p&&br&&/p&&p&&b&| 七、发展国产芯片，中国不能三心二意了&/b&&/p&&p&&br&&/p&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/v2-b9fc6afbd8c3978468adeafe1b5f4a79_b.jpg& data-caption=&& data-size=&normal& data-rawwidth=&500& data-rawheight=&300& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&500& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/v2-b9fc6afbd8c3978468adeafe1b5f4a79_r.jpg&&&/figure&&p&&br&&/p&&p&环球时报发表社评称，美国商务部星期一下令禁止美国公司向中国中兴通讯出售产品，中兴将因此蒙受巨大损失。中兴产品有大量进口自美国的元器件，尤其是芯片。消息传出后，中兴A股、H股双双停牌，其美国供应商的股票大幅下跌，最严重的跌了30%以上。&/p&&p&&br&&/p&&p&美方对中兴的调查由来已久，中兴被指控涉嫌向伊朗和朝鲜运送了受制裁的电信设备。2016年美方已对中兴有过制裁，2017年实现和解，但这一次美方称中兴在承诺处罚该公司员工问题上提供了虚假陈述。然而分析人士大多认为，这些不过是美方的借口。&/p&&p&&br&&/p&&p&由于此案持续时间很长，美方现在这样做是否意在配合其向中方施加贸易压力，不好下断言。但是这件事肯定会触动中国社会，带动中国上下关于我们必须加快发展芯片等半导体核心技术的思考。&/p&&p&&br&&/p&&p&中国的整体技术力量低于美国，但是经过几十年的改革开放，我们也打下了相当的基础，积累了实力。今天的中国如果下决心攻克一个难题，通常是能够做到的。&/p&&p&&br&&/p&&p&问题在于我们处在全球化当中，全球化提供了解决问题更廉价的方案，这是一种方便，但也滋生了惰性。当购买芯片比自产芯片更加容易也更便宜时，就会形成一种市场取向，并使得对外部技术的依赖不断固化。&/p&&p&&br&&/p&&p&中国已经能够生产中低端的芯片，生产更精密的芯片需要更大投入，也需要市场的响应。中国每年进口2000多亿美元的芯片，如果这一巨大市场有相当一部分用来支持国产芯片的发展，那么这一发展就将不可阻挡。而一旦失去了中国的这部分市场，美国的高科技公司继续升级换代产品的后劲将丢掉一大块。&/p&&p&&br&&/p&&p&过去中国市场不怀疑美国供应商的信誉，没怎么去想美方如果断供会怎么样。但是中兴的遭遇证明了，美方的供应并不可靠。世界供应链在政治面前是脆弱的，美国人已经开始认真考虑如何遏制中国崛起，对华高科技出口限制是它的一直在使用的王牌，它今后很可能会扩大这张王牌的适用范围。&/p&&p&&br&&/p&&p&中国必须要做好应对更坏情况的准备，形成把本国市场组织起来支持核心技术发展的强大预案。我们不能被美方对华出口松一松、紧一紧而打乱自己开发本国核心技术的节奏，现在到了我们真正下决心的时候。&/p&&p&&br&&/p&&p&中国是全球最大电信市场，而市场就是力量，我们一直希望以市场换技术，这是有道理的。美方很拒绝我们的做法，那我们就应该用这个市场直接扶持本国高技术公司的研发。或许在一段时间里，我们将比较困难，但这个困难期肯定能够度过去，结局将是中国本土公司的技术能力焕然一新。&/p&&p&&br&&/p&&p&我们肯定不能允许美方将芯片当做大棒对中国挥舞。如果说以往的采购方便让中国发展本国芯片三心二意的话，那么从现在起，我们可以靠美国芯片活得很好的幻想应该破灭了。中国有组织科技攻关的能力，也有推动国产芯片逐渐替代外来芯片所需要的动员力，最重要的就是决心。&/p&&p&&br&&/p&&p&特朗普政府在帮助我们下这个决心。如果中国真的转换了思路，也许过多少年之后，我们会感谢美国今天做出的限制决定，庆幸它促使中国早一点恢复了清醒。&br&&/p&&p&&br&&/p&&p&一旦中国加速研发使用国产芯片的工作全面上路，美国方面的态度也将随之软下来。美国半导体产品还可以进入中国，但到那时主动权将牢牢掌握在我们自己的手里。为了那一格局的转换，我们必须行动。&/p&&p&&br&&/p&&p&国内AI芯片创业公司地平线机器人技术CEO余凯对网易智能表示，互联网模式创新并不能真正让国家强大。只有硬科技才是国之重器，必须勇往直前，没有捷径可走。&/p&&p&&/p&&p&&/p&
谢邀。 美国商务部宣布立即重启对中兴通讯的制裁禁令（ORDER ACTIVATING SUSPENDED DENIAL ORDER），中兴通讯将被禁止以任何形式从美国进口商品。 这意味着中兴通讯在2017年3月认罪并签署的和解协议宣告失败，已缴纳的8.92亿美元罚款仍不足以息事宁人，甚至…
前方大量图片预警，请非Wifi党留步。。。。。。。&br&&br&简单地说，处理器的制造过程可以大致分为&strong&沙子原料(石英)、硅锭、晶圆、光刻(平版印刷)、蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包装上市&/strong&等诸多步骤，而且每一步里边又包含更多细致的过程。&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/aabdfcb5e78eb_b.jpg& data-rawwidth=&483& data-rawheight=&106& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&483& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/aabdfcb5e78eb_r.jpg&&&/figure&下边就图文结合，一步一步看看：&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/06e3adcc78a239c9a845e091a60ff1d7_b.jpg& data-rawwidth=&461& data-rawheight=&331& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&461& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/06e3adcc78a239c9a845e091a60ff1d7_r.jpg&&&/figure&&strong&沙子&/strong&：硅是地壳内第二丰富的元素，而&strong&脱氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25％的硅元素&/strong&，以&strong&二氧化硅(SiO2)&/strong&的形式存在，这也是半导体制造产业的基础。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/ce9f6da51c2_b.jpg& data-rawwidth=&539& data-rawheight=&389& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&539& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/ce9f6da51c2_r.jpg&&&/figure&&strong&硅熔炼&/strong&：12英寸/300毫米晶圆级，下同。通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅，学名&strong&电子级硅(EGS)&/strong&，&strong&平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子&/strong&。此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的，最后得到的就是硅锭(Ingot)。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/b36fe8ebd_b.jpg& data-rawwidth=&541& data-rawheight=&324& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&541& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/b36fe8ebd_r.jpg&&&/figure&&strong&单晶硅锭&/strong&：整体基本呈圆柱形，&strong&重约100千克&/strong&，&strong&硅纯度99.9999％&/strong&。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/9ef15ad1bdbdb_b.jpg& data-rawwidth=&525& data-rawheight=&212& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&525& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/9ef15ad1bdbdb_r.jpg&&&/figure&第一阶段的合影。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/71a160d37a733d4deca5d3b7cf66a175_b.jpg& data-rawwidth=&514& data-rawheight=&321& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&514& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/71a160d37a733d4deca5d3b7cf66a175_r.jpg&&&/figure&&strong&硅锭切割&/strong&：横向切割成圆形的单个硅片，也就是我们常说的晶圆(Wafer)。顺便说，这下知道为什么晶圆都是圆形的了吧？&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/3a4c8ccc5f_b.jpg& data-rawwidth=&534& data-rawheight=&325& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&534& data-original=&https://pic1.zhimg.com/50/3a4c8ccc5f_r.jpg&&&/figure&&strong&晶圆&/strong&：切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面甚至可以当镜子。&strong&事实上，Intel自己并不生产这种晶圆，而是从第三方半导体企业那里直接购买成品，然后利用自己的生产线进一步加工&/strong&，比如现在主流的45nm HKMG(高K金属栅极)。值得一提的是，Intel公司创立之初使用的晶圆尺寸只有2英寸/50毫米。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/ba2c88ba3e_b.jpg& data-rawwidth=&520& data-rawheight=&200& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&520& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/ba2c88ba3e_r.jpg&&&/figure&第二阶段合影。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/52c75ef0ca3b_b.jpg& data-rawwidth=&534& data-rawheight=&330& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&534& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/52c75ef0ca3b_r.jpg&&&/figure&&strong&光刻胶(Photo Resist)&/strong&：图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体，类似制作传统胶片的那种。晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/b51c006c3fe2ee9bb9290_b.jpg& data-rawwidth=&544& data-rawheight=&379& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&544& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/b51c006c3fe2ee9bb9290_r.jpg&&&/figure&&strong&光刻&/strong&：&strong&光刻胶层随后透过掩模(Mask)被曝光在紫外线(UV)之下&/strong&，变得可溶，期间发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，就会形成微处理器的每一层电路图案。一般来说，在晶圆上得到的电路图案是掩模上图案的四分之一。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/37ca8ef950a8b_b.jpg& data-rawwidth=&545& data-rawheight=&446& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&545& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/37ca8ef950a8b_r.jpg&&&/figure&&strong&光刻&/strong&：由此进入50-200纳米尺寸的晶体管级别。一块晶圆上可以切割出数百个处理器，不过从这里开始把视野缩小到其中一个上，展示如何制作晶体管等部件。晶体管相当于开关，控制着电流的方向。现在的晶体管已经如此之小，一个针头上就能放下大约3000万个。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/b280afbdadbe8ee720c4af79_b.jpg& data-rawwidth=&530& data-rawheight=&190& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&530& data-original=&https://pic1.zhimg.com/50/b280afbdadbe8ee720c4af79_r.jpg&&&/figure&第三阶段合影。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/fe0f7fa11b638dee5b2a1ed2a16fe22c_b.jpg& data-rawwidth=&531& data-rawheight=&358& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&531& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/fe0f7fa11b638dee5b2a1ed2a16fe22c_r.jpg&&&/figure&&strong&溶解光刻胶&/strong&：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/cee8f694dec119d_b.jpg& data-rawwidth=&517& data-rawheight=&303& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&517& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/cee8f694dec119d_r.jpg&&&/figure&&strong&蚀刻&/strong&：使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/89adeb31a6bc000cc603db_b.jpg& data-rawwidth=&524& data-rawheight=&318& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&524& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/89adeb31a6bc000cc603db_r.jpg&&&/figure&&strong&清除光刻胶&/strong&：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/34b4ca8f88caa7be0bb7b71_b.jpg& data-rawwidth=&526& data-rawheight=&187& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&526& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/34b4ca8f88caa7be0bb7b71_r.jpg&&&/figure&第四阶段合影。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/742f775e8dcc42ea8587_b.jpg& data-rawwidth=&499& data-rawheight=&351& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&499& data-original=&https://pic1.zhimg.com/50/742f775e8dcc42ea8587_r.jpg&&&/figure&&strong&光刻胶&/strong&：再次浇上光刻胶(蓝色部分)，然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/6e28ca4d2d8c904a686862_b.jpg& data-rawwidth=&544& data-rawheight=&365& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&544& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/6e28ca4d2d8c904a686862_r.jpg&&&/figure&&strong&离子注入(Ion Implantation)&/strong&：在真空系统中，用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射(注入)固体材料，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的导电性。经过电场加速后，注入的离子流的速度可以&strong&超过30万千米每小时&/strong&。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/9e62e39b6a52c8ecc9ce5_b.jpg& data-rawwidth=&531& data-rawheight=&388& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&531& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/9e62e39b6a52c8ecc9ce5_r.jpg&&&/figure&&strong&清除光刻胶&/strong&：离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入区域(绿色部分)也已掺杂，注入了不同的原子。注意这时候的绿色和之前已经有所不同。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/5aabc415dcd2f14e761e7_b.jpg& data-rawwidth=&531& data-rawheight=&225& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&531& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/5aabc415dcd2f14e761e7_r.jpg&&&/figure&第五阶段合影。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/087ee2e0e15fcb_b.jpg& data-rawwidth=&543& data-rawheight=&395& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&543& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/087ee2e0e15fcb_r.jpg&&&/figure&&strong&晶体管就绪&/strong&：至此，晶体管已经基本完成。在绝缘材(品红色)上蚀刻出&strong&三个孔洞&/strong&，并填充铜，以便和其它晶体管互连。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/dd8cf316dc7a3185bbcfc8d_b.jpg& data-rawwidth=&539& data-rawheight=&332& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&539& data-original=&https://pic1.zhimg.com/50/dd8cf316dc7a3185bbcfc8d_r.jpg&&&/figure&&strong&电镀&/strong&：在晶圆上电镀一层硫酸铜，将铜离子沉淀到晶体管上。铜离子会从正极(阳极)走向负极(阴极)。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/0bb1efaf60d13_b.jpg& data-rawwidth=&540& data-rawheight=&369& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&540& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/0bb1efaf60d13_r.jpg&&&/figure&&strong&铜层&/strong&：电镀完成后，铜离子沉积在晶圆表面，形成一个薄薄的铜层。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/6f07a18fb1c8d6c46eb55e34bb587a03_b.jpg& data-rawwidth=&541& data-rawheight=&210& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&541& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/6f07a18fb1c8d6c46eb55e34bb587a03_r.jpg&&&/figure&第六阶段合影。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/105deac98bef4dee382ca8ef12c857eb_b.jpg& data-rawwidth=&538& data-rawheight=&361& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&538& data-original=&https://pic1.zhimg.com/50/105deac98bef4dee382ca8ef12c857eb_r.jpg&&&/figure&&strong&抛光&/strong&：将多余的铜抛光掉，也就是磨光晶圆表面。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/522ca16de2bdf11b5402cf_b.jpg& data-rawwidth=&540& data-rawheight=&368& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&540& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/522ca16de2bdf11b5402cf_r.jpg&&&/figure&&strong&金属层&/strong&：晶体管级别，六个晶体管的组合，大约500纳米。在不同晶体管之间形成复合互连金属层，具体布局取决于相应处理器所需要的不同功能性。芯片表面看起来异常平滑，但事实上可能包含&strong&20多层&/strong&复杂的电路，放大之后可以看到极其复杂的电路网络，形如未来派的多层高速公路系统。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/5a20697eecc702e290088a_b.jpg& data-rawwidth=&534& data-rawheight=&213& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&534& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/5a20697eecc702e290088a_r.jpg&&&/figure&第七阶段合影。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/76afffd7d1ee0a9fe750753c_b.jpg& data-rawwidth=&544& data-rawheight=&378& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&544& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/76afffd7d1ee0a9fe750753c_r.jpg&&&/figure&&strong&晶圆测试&/strong&：内核级别，大约10毫米/0.5英寸。图中是晶圆的局部，正在接受第一次功能性测试，使用参考电路图案和每一块芯片进行对比。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/4b43f399e5e_b.jpg& data-rawwidth=&545& data-rawheight=&356& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&545& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/4b43f399e5e_r.jpg&&&/figure&&strong&晶圆切片(Slicing)&/strong&：晶圆级别，300毫米/12英寸。将晶圆切割成块，每一块就是一个处理器的内核(Die)。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/4b2d374f792b532c091107_b.jpg& data-rawwidth=&540& data-rawheight=&388& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&540& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/4b2d374f792b532c091107_r.jpg&&&/figure&&strong&丢弃瑕疵内核&/strong&：晶圆级别。测试过程中发现的有瑕疵的内核被抛弃，留下完好的准备进入下一步。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/3a1dcb7c4d8_b.jpg& data-rawwidth=&529& data-rawheight=&213& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&529& data-original=&https://pic1.zhimg.com/50/3a1dcb7c4d8_r.jpg&&&/figure&第八阶段合影。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/90b0e7af539c1bfd5bb3d3_b.jpg& data-rawwidth=&541& data-rawheight=&366& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&541& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/90b0e7af539c1bfd5bb3d3_r.jpg&&&/figure&&strong&单个内核&/strong&：内核级别。从晶圆上切割下来的单个内核，这里展示的是Core i7的核心。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/cf6c64bc595e484cf058bc45_b.jpg& data-rawwidth=&539& data-rawheight=&355& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&539& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/cf6c64bc595e484cf058bc45_r.jpg&&&/figure&&strong&封装&/strong&：封装级别，20毫米/1英寸。&strong&衬底(基片)、内核、散热片&/strong&堆叠在一起，就形成了我们看到的处理器的样子。衬底(绿色)相当于一个底座，并为处理器内核提供电气与机械界面，便于与PC系统的其它部分交互。散热片(银色)就是负责内核散热的了。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/e98a797ba2a023de8ea80f_b.jpg& data-rawwidth=&544& data-rawheight=&366& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&544& data-original=&https://pic1.zhimg.com/50/e98a797ba2a023de8ea80f_r.jpg&&&/figure&&strong&处理器&/strong&：至此就得到完整的处理器了(这里是一颗Core i7)。这种在世界上最干净的房间里制造出来的最复杂的产品实际上是经过数百个步骤得来的，这里只是展示了其中的一些关键步骤。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/bde71b8fe6054d_b.jpg& data-rawwidth=&531& data-rawheight=&195& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&531& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/bde71b8fe6054d_r.jpg&&&/figure&第九阶段合影。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/a4f5ce35b300ce3cfa3881_b.jpg& data-rawwidth=&543& data-rawheight=&344& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&543& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/a4f5ce35b300ce3cfa3881_r.jpg&&&/figure&&strong&等级测试&/strong&：最后一次测试，可以鉴别出每一颗处理器的关键特性，比如最高频率、功耗、发热量等，并决定处理器的等级，比如适合做成最高端的Core i7-975 Extreme，还是低端型号Core i7-920。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/427dfd4afb_b.jpg& data-rawwidth=&542& data-rawheight=&350& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&542& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/427dfd4afb_r.jpg&&&/figure&&strong&装箱&/strong&：根据等级测试结果将同样级别的处理器放在一起装运。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/ee8cebcad8c59ddecbfb5d1_b.jpg& data-rawwidth=&542& data-rawheight=&393& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&542& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/ee8cebcad8c59ddecbfb5d1_r.jpg&&&/figure&&strong&零售包装&/strong&：制造、测试完毕的处理器要么批量交付给OEM厂商，要么放在包装盒里进入零售市场。&br&&br&PS：&br&
以上是曾经在在驱动之家看到的CPU的制造过程，&a href=&//link.zhihu.com/?target=http%3A//news.mydrivers.com/1/139/139076.htm& class=& wrap external& target=&_blank& rel=&nofollow noreferrer&&从沙子到芯片：且看处理器是怎样炼成的&/a&；感觉过程很有意思，遂现在分享给大家。如果有兴趣的话可以进一步观看视频，&a href=&//link.zhihu.com/?target=http%3A//my.tv.sohu.com/us/79473.shtml& class=& wrap external& target=&_blank& rel=&nofollow noreferrer&&从沙子到芯片，Intel英特尔处理器制作过程&/a&。
前方大量图片预警，请非Wifi党留步。。。。。。。 简单地说，处理器的制造过程可以大致分为沙子原料(石英)、硅锭、晶圆、光刻(平版印刷)、蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包装上市等诸多步骤，而且每一步里…
额 .. 既然被邀请了我就说一下吧: (话说为啥破布大神不在了...)&br&&br&那个… 有不少示意图， 流量党酌情进&br&&br&&br&&b&&u&感谢各位的指正！&/u&&/b&&br&&br&-------&br&&br&要想造个芯片, 首先, 你得画出来一个长这样的玩意儿给Foundry (外包的晶圆制造公司)&br&&br&(此处担心有版权问题… 毕竟我也是拿别人钱干活的苦逼phd… 就不放全电路图了… 大家看看就好， 望理解！ ）&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/4dcfbeb14ecdd1bb1d20_b.jpg& data-rawwidth=&600& data-rawheight=&298& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&600& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/4dcfbeb14ecdd1bb1d20_r.jpg&&&/figure&&br&&br&再放大...&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/424eaec51ee_b.jpg& data-rawwidth=&600& data-rawheight=&332& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&600& data-original=&https://pic1.zhimg.com/50/424eaec51ee_r.jpg&&&/figure&&br&cool! 我们终于看到一个门电路啦! 这是一个NAND Gate(与非门), 大概是这样: &br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/7ee1e36e_b.jpg& data-rawwidth=&600& data-rawheight=&332& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&600& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/7ee1e36e_r.jpg&&&/figure&&br&&br&A, B 是输入, Y是输出. &br&其中蓝色的是金属1层, 绿色是金属2层, 紫色是金属3层, 粉色是金属4层... &br&那晶体管(更正, 题主的&晶体管& 自199X年以后已经主要是 MOSFET, 即场效应管了 ) 呢?&br&仔细看图, 看到里面那些白色的点吗? 那是衬底, 还有一些绿色的边框? 那些是Active Layer (也即掺杂层.)&br&&br&&b&-------------------------分割线, 此线以下可随意转载, 以上不行---------------------------------&/b&&br&&b&-------------------------&/b&&b&分割线, 此线&/b&&b&以下可随意转载, 以上不行---------------------------------&/b&&br&&b&-------------------------&/b&&b&分割线, 此线&/b&&b&以下可随意转载, 以上不行---------------------------------&/b&&br&&br&&br&然后Foundry是怎么做的呢? 大体上分为以下几步: &br&&br&首先搞到一块圆圆的硅晶圆, (就是一大块晶体硅, 打磨的很光滑, 一般是圆的)&br&&br&&b&&i&此处重新排版, 图片按照&u&生产步骤&/u&排列. 但是步骤总结单独写出. &/i&&/b&&br&&br&&br&&b&&u&1. 湿洗&/u&&/b& (用各种试剂保持硅晶圆表面没有杂质)&br&&br&&b&&u&2. 光刻&/u&&/b& (用紫外线透过蒙版照射硅晶圆, 被照到的地方就会容易被洗掉, 没被照到的地方就保持原样. 于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案. 注意, 此时还没有加入杂质, 依然是一个硅晶圆. ) &br&&br&&b&3. 离子注入&/b& (在硅晶圆不同的位置加入不同的杂质, 不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应管.)&br&&br&&b&4.1干蚀刻&/b& (之前用光刻出来的形状有许多其实不是我们需要的,而是为了离子注入而蚀刻的. 现在就要用等离子体把他们洗掉, 或者是一些第一步光刻先不需要刻出来的结构, 这一步进行蚀刻). &br&&br&&b&4.2湿蚀刻&/b& (进一步洗掉, 但是用的是试剂, 所以叫湿蚀刻).&br&&br&--- 以上步骤完成后, 场效应管就已经被做出来啦~ 但是以上步骤一般都不止做一次, 很可能需要反反复复的做, 以达到要求. ---&br&&br&&b&5 等离子冲洗 &/b&(用较弱的等离子束轰击整个芯片)&br&&br&&b&6 热处理&/b&, 其中又分为: &br&&br&&b&6.1 快速热退火 &/b&(就是瞬间把整个片子通过大功率灯啥的照到1200摄氏度以上, 然后慢慢地冷却下来, 为了使得注入的离子能更好的被启动以及热氧化)&br&&b&6.2 退火&/b&&br&&b&6.3 热氧化&/b& (制造出二氧化硅, 也即场效应管的栅极(gate) )&br&&br&&b&7 化学气相淀积(CVD)&/b&, 进一步精细处理表面的各种物质&br&&br&&b&8 物理&/b&&b&气相淀积&/b&&b& (PVD)&/b&, 类似, 而且可以给敏感部件加coating&br&&br&&b&9 分子束外延 (MBE)&/b& 如果需要长单晶的话就需要这个..&br&&br&10 电镀处理&br&&br&11 化学/机械 表面处理&br&&br&然后芯片就差不多了, 接下来还要: &br&12 晶圆测试&br&13 晶圆打磨&br&&br&就可以出厂封装了.&br&&br&我们来一步步看: &br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/ad087b11ee6b83a4174009_b.jpg& data-rawwidth=&250& data-rawheight=&115& class=&content_image& width=&250&&&/figure&&i&1上面是氧化层, 下面是衬底(硅) -- 湿洗&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/76b1d049bc735f1da5b8_b.jpg& data-rawwidth=&326& data-rawheight=&72& class=&content_image& width=&326&&&/figure&&i&2 一般来说, 先对整个衬底注入少量(10^10 ~ 10^13 / cm^3) 的P型物质(最外层少一个电子), 作为衬底 -- 离子注入&/i&&br&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/faaded30da9c360a201d1ae4_b.jpg& data-rawwidth=&241& data-rawheight=&146& class=&content_image& width=&241&&&/figure&&i&3先加入Photo-resist, 保护住不想被蚀刻的地方 -- 光刻&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/e835fefd8aa44f18dc99c7b6abc1b11c_b.jpg& data-rawwidth=&239& data-rawheight=&236& class=&content_image& width=&239&&&/figure&&i&4.上&/i&&i&掩膜&/i&&i&! (就是那个标注Cr的地方. 中间空的表示没有遮盖, 黑的表示遮住了.) &/i&&i&-- 光刻&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/d5f9e7cb83a451c2d4404c7_b.jpg& data-rawwidth=&243& data-rawheight=&291& class=&content_image& width=&243&&&/figure&&i&5 紫外线照上去... 下面被照得那一块就被反应了 &/i&&i&-- 光刻&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/cb4e4dc9981cefcff3a345_b.jpg& data-rawwidth=&254& data-rawheight=&147& class=&content_image& width=&254&&&/figure&&i&6.撤去掩膜. &/i&&i&-- 光刻&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/e4bad0dfd34_b.jpg& data-rawwidth=&242& data-rawheight=&144& class=&content_image& width=&242&&&/figure&&i&7 把暴露出来的氧化层洗掉, 露出硅层(就可以注入离子了) &/i&&i&-- 光刻&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/7d22e57e49deb3b2d45c9c5a41437d2f_b.jpg& data-rawwidth=&249& data-rawheight=&110& class=&content_image& width=&249&&&/figure&&i&8 把保护层撤去. 这样就得到了一个准备注入的硅片. 这一步会反复在硅片上进行(几十次甚至上百次).
&/i&&i&-- 光刻&/i&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/739a4d1d49faeaef10993_b.jpg& data-rawwidth=&331& data-rawheight=&72& class=&content_image& width=&331&&&/figure&&i&9 然后光刻完毕后, 往里面狠狠地插入一块少量(10^14 ~ 10^16 /cm^3) 注入的N型物质&/i&&br&&i&就做成了一个N-well (N-井) -- 离子注入&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/dd78d5ea4732bfb8cbfa49_b.jpg& data-rawwidth=&325& data-rawheight=&76& class=&content_image& width=&325&&&/figure&&i&10 用干蚀刻把需要P-well的地方也蚀刻出来. 也可以再次使用光刻刻出来. -- 干蚀刻&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/17afc98ebbadbc1e567a9dbe_b.jpg& data-rawwidth=&343& data-rawheight=&81& class=&content_image& width=&343&&&/figure&&i&11 上图将P-型半导体上部再次氧化出一层薄薄的二氧化硅. -- 热处理&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/fe1e1b6e0e8f7e8be5b64a513dbb85a6_b.jpg& data-rawwidth=&324& data-rawheight=&91& class=&content_image& width=&324&&&/figure&&i&12 用分子束外延处理长出的一层多晶硅， 该层可导电 -- 分子束外延&/i&&br&&br&&i&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/26d9ce7d8bbb55fca720_b.jpg& data-rawwidth=&324& data-rawheight=&79& class=&content_image& width=&324&&&/figure&13 进一步的蚀刻, 做出精细的结构. (在退火以及部分CVD) -- 重复3-8光刻 + 湿蚀刻&/i&&br&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/aa44677e1cfc5d3d001dcced3978336e_b.jpg& data-rawwidth=&334& data-rawheight=&84& class=&content_image& width=&334&&&/figure&&i&14 再次狠狠地插入大量(10^18 ~ 10^20 / cm^3) 注入的P/N型物质, 此时注意MOSFET已经基本成型. -- 离子注入&/i&&br&&br&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/ba641cc32f1ba77cdf9a_b.jpg& data-rawwidth=&322& data-rawheight=&87& class=&content_image& width=&322&&&/figure&&i&15 用&/i&&i&气相积淀 形成&/i&&i&的氮化物层 -- 化学气相积淀&/i&&br&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/1fcc857b3ee12e9be208_b.jpg& data-rawwidth=&327& data-rawheight=&90& class=&content_image& width=&327&&&/figure&&i&16 将氮化物蚀刻出沟道 -- 光刻 + 湿蚀刻&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/f8585ee3fabad534eeeff7b_b.jpg& data-rawwidth=&324& data-rawheight=&95& class=&content_image& width=&324&&&/figure&&i&17 物理气相积淀长出 金属层
-- 物理气相积淀&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/bcf673f0f4a0dfbe49f751fd67ddaa3f_b.jpg& data-rawwidth=&323& data-rawheight=&95& class=&content_image& width=&323&&&/figure&&i&18 将多余金属层蚀刻. 光刻 + 湿蚀刻&/i&&br&&br&&br&&i&重复 17-18 长出每个金属层&/i&&br&&br&哦对了... 最开始那个芯片, 大小大约是1.5mm x 0.8mm&br&&br&&br&-----------------------&br&&br&&b&啊~~ 找到一本关于光刻的书, 更新一下, 之前的回答有谬误.. 见谅见谅! :&/b&&br&书名: && IC Fabrication Technology && By BOSE&br&&br&细说一下光刻. 题主问了: 小于头发丝直径的操作会很困难, 所以光刻(比如说100nm)是怎么做的呢? &br&&br&比如说我们要做一个100nm的门电路(90nm technology), 那么实际上是这样的: &br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/7b86b7f2a_b.jpg& data-rawwidth=&265& data-rawheight=&333& class=&content_image& width=&265&&&/figure&&br&这层掩膜是第一层, 大概是10倍左右的Die Size&br&&br&有两种方法制作: Emulsion Mask 和 Metal Mask&br&&br&Emulsion Mask: &br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/b3ba8ff72ec12_b.jpg& data-rawwidth=&370& data-rawheight=&103& class=&content_image& width=&370&&&/figure&这货分辨率可以达到 2000line / mm (其实挺差劲的... 所以sub-micron ,也即um级别以下的 VLSI不用... )&br&&br&制作方法: 首先: 需要在Rubylith (不会翻译...) 上面刻出一个比想要的掩膜大个20倍的形状 (大概是真正制作尺寸的200倍), 这个形状就可以用激光什么的刻出来, 只需要微米级别的刻度.&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/87e87bb8ff9b0fc1d0b580e1b7098916_b.jpg& data-rawwidth=&106& data-rawheight=&243& class=&content_image& width=&106&&&/figure&&br&然后: &br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/98ddffb1a0e0fedf1f776d7_b.jpg& data-rawwidth=&379& data-rawheight=&245& class=&content_image& width=&379&&&/figure&给!它!照!相! , 相片就是Emulsion Mask! &br&&br&如果要拍的&照片&太大, 也有分区域照的方法. &br&&br&&br&Metal Mask: &br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/7ab2fdeb0bc260f3b5b8ca_b.jpg& data-rawwidth=&331& data-rawheight=&86& class=&content_image& width=&331&&&/figure&&br&制作过程: &br&1. 先做一个Emulsion Mask, 然后用Emulsion Mask以及我之前提到的17-18步做Metal Mask! 瞬间有种Recursion的感觉有木有!!!&br&&br&2. Electron beam: &br&&br&大概长这样&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/ffdd8b686a528eabb69d2_b.jpg& data-rawwidth=&479& data-rawheight=&502& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&479& data-original=&https://pic1.zhimg.com/50/ffdd8b686a528eabb69d2_r.jpg&&&/figure&&br&制作的时候移动的是底下那层. 电子束不移动. &br&就像打印机一样把底下打一遍. &br&&br&好处是精度特别高, 目前大多数高精度的(&100nm技术)都用这个掩膜. 坏处是太慢... &br&&br&做好掩膜后:
&br&Feature Size = k*lamda / NA&br&&br&k一般是0.4, 跟制作过程有关; lamda是所用光的波长; NA是从芯片看上去, 放大镜的倍率. &br&&br&以目前的技术水平, 这个公式已经变了, 因为随着Feature Size减小, 透镜的厚度也是一个问题了&br&&br&Feature Size = k * lamda / NA^2 &br&&br&恩.. 所以其实掩膜可以做的比芯片大一些. 至于具体制作方法, 一般是用高精度计算机探针 + 激光直接刻板. Photomask(掩膜) 的材料选择一般也比硅晶片更加灵活, 可以采用很容易被激光汽化的材料进行制作. &br&&br&今天突然发现我还忘了一个很重要的点! 找了一圈知乎找到了! 多谢 &a data-hash=&3f84ad0cb48d7c6b6e5a95cf44d5623c& href=&//www.zhihu.com/people/3f84ad0cb48d7c6b6e5a95cf44d5623c& class=&member_mention& data-editable=&true& data-title=&@又见山人& data-tip=&p$b$3f84ad0cb48d7c6b6e5a95cf44d5623c& data-hovercard=&p$b$3f84ad0cb48d7c6b6e5a95cf44d5623c&&@又见山人&/a&
!!&br&&br&&br&&u&浸没式光刻&/u&&br&&u&&a href=&http://www.zhihu.com/question/#answer-& class=&internal&&你所在或了解的领域有哪些技术上不是很复杂，但 idea 非常好，很有原创性的研究？ - 科学&/a&&/u&&br&&br&这个光刻的方法绝壁是个黑科技一般的点! 直接把Lamda缩小了一个量级, With no extra cost! 你们说吼不吼啊! &br&&br&Food for Thought: Wikipedia上面关于掩膜的版面给出了这样一幅图, 假设用这样的掩膜最后做出来会是什么形状呢? &br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/8cab30fd9bc4_b.jpg& data-rawwidth=&220& data-rawheight=&220& class=&content_image& width=&220&&&/figure&&b&于是还没有人理Food for thought... &/b&&br&&br&&br&-----------------------&br&&br&&br&大部分附图, 来自&a href=&//link.zhihu.com/?target=http%3A//www.anandtech.com/show/8223/an-introduction-to-semiconductor-physics-technology-and-industry/3& class=& wrap external& target=&_blank& rel=&nofollow noreferrer&&AnandTech | An Introduction to Semiconductor Physics, Technology, and Industry&/a& , &br&&br&附图的步骤在每幅图的下面标注, 一共18步. &br&&b&如有错误欢迎指教!&/b&&br&&br&最终成型大概长这样:&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/ae9a992cbd18453fbffff2ce_b.jpg& data-rawwidth=&550& data-rawheight=&810& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&550& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/ae9a992cbd18453fbffff2ce_r.jpg&&&/figure&&br&&b&其中, 步骤1-15 属于 前端处理 (FEOL), 也即如何做出场效应管&/b&&br&&br&&br&&b&步骤16-18 (加上许许多多的重复) 属于后端处理 (BEOL) , 后端处理主要是用来布线. 最开始那个大芯片里面能看到的基本都是布线! 一般一个高度集中的芯片上几乎看不见底层的硅片, 都会被布线遮挡住. &/b&&br&&br&版权归原网站 (ANAND TECH) 以及原作者所有, 仅供示意参考(实在懒得自己画了..)&br&&br&之前的芯片图来自我自己的设计.&br&&br&---------&br&&br&SOI (Silicon-on-Insulator) 技术: &br&&br&传统CMOS技术的缺陷在于: 衬底的厚度会影响片上的寄生电容, 间接导致芯片的性能下降. SOI技术主要是将 源极/漏极 和 硅片衬底分开, 以达到(部分)消除寄生电容的目的. &br&&br&传统: &br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/bbdb29e4db873c_b.jpg& data-rawwidth=&298& data-rawheight=&105& class=&content_image& width=&298&&&/figure&&br&SOI: &br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/617cbf009bc0ac396a4e0e19e8d245d2_b.jpg& data-rawwidth=&313& data-rawheight=&109& class=&content_image& width=&313&&&/figure&&br&制作方法主要有以下几种(主要在于制作硅-二氧化硅-硅的结构, 之后的步骤跟传统工艺基本一致.)&br&&br&1. 高温氧化退火: &br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/bdca63b814c1d22d2a61ef1_b.jpg& data-rawwidth=&216& data-rawheight=&85& class=&content_image& width=&216&&&/figure&&br&&i&在硅表面离子注入一层氧离子层&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/cffaea97c07d_b.jpg& data-rawwidth=&301& data-rawheight=&52& class=&content_image& width=&301&&&/figure&&i&等氧离子渗入硅层, 形成富氧层&/i&&br&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/d926168efb1bcec80eaf26b_b.jpg& data-rawwidth=&301& data-rawheight=&113& class=&content_image& width=&301&&&/figure&&br&&i&高温退火&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/db736aa430707cedf47f_b.jpg& data-rawwidth=&319& data-rawheight=&52& class=&content_image& width=&319&&&/figure&&i&成型.&/i&&br&&br&&br&&br&&br&或者是2. Wafer Bonding(用两块! )&br&&br&不是要做夹心饼干一样的结构吗? 爷不差钱! 来两块! &br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/c5b4b9c78_b.jpg& data-rawwidth=&216& data-rawheight=&143& class=&content_image& width=&216&&&/figure&&i&来两块! &/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/a0c0b1f200d121dc040e98d5c0a4cd17_b.jpg& data-rawwidth=&303& data-rawheight=&195& class=&content_image& width=&303&&&/figure&&br&&i&对硅2进行表面氧化&/i&&br&&br&&br&&i&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/83cc1bd245a2f10162ac_b.jpg& data-rawwidth=&312& data-rawheight=&143& class=&content_image& width=&312&&&/figure&对硅2进行氢离子注入&/i&&br&&br&&br&&i&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/5a5fb83fad0edc064493c_b.jpg& data-rawwidth=&299& data-rawheight=&147& class=&content_image& width=&299&&&/figure&翻面&/i&&br&&br&&i&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/0651d81eabcaf_b.jpg& data-rawwidth=&372& data-rawheight=&106& class=&content_image& width=&372&&&/figure&将氢离子层处理成气泡层&/i&&br&&br&&i&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/d9d3022cd0dab302a967e0_b.jpg& data-rawwidth=&386& data-rawheight=&106& class=&content_image& width=&386&&&/figure&切割掉多余部分&/i&&br&&i&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/57e6e2f1e4c44cd4d0ef9075_b.jpg& data-rawwidth=&456& data-rawheight=&159& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&456& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/57e6e2f1e4c44cd4d0ef9075_r.jpg&&&/figure&成型! + 再利用&/i&&br&&br&&br&&br&&br&--------&br&&br&22nm Ivy Bridge 制作(来源: &a href=&//link.zhihu.com/?target=http%3A//v.youku.com/v_show/id_XNTA1NjgxOTIw.html& class=& wrap external& target=&_blank& rel=&nofollow noreferrer&&Intel__The_Making_of_a_Chip_with_22nm_3D_Transistors&/a& ) -- 墙内用户&br&&a href=&//link.zhihu.com/?target=https%3A//www.youtube.com/watch%3Fv%3Dd9SWNLZvA8g& class=& wrap external& target=&_blank& rel=&nofollow noreferrer&&youtube.com 的页面&/a&
-- 墙外用户&br&&br&&br&(&b&原谅我直接视频截图了, 3D图 Visio真心画不出啊!!!&/b&)&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/06badb6be09675_b.jpg& data-rawwidth=&388& data-rawheight=&309& class=&content_image& width=&388&&&/figure&光刻&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/7f8cb27e45b5a7b139a1151_b.jpg& data-rawwidth=&384& data-rawheight=&294& class=&content_image& width=&384&&&/figure&离子注入&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/7b0e9650fca205da8a47d_b.jpg& data-rawwidth=&417& data-rawheight=&260& class=&content_image& width=&417&&&/figure&微观图长这样: &br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/d8b95b36ec1ca91ba3ecba19f22b69f3_b.jpg& data-rawwidth=&495& data-rawheight=&279& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&495& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/d8b95b36ec1ca91ba3ecba19f22b69f3_r.jpg&&&/figure&再次光刻+蚀刻&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/b5fa44b4ac9d2ffadf6d9_b.jpg& data-rawwidth=&378& data-rawheight=&248& class=&content_image& width=&378&&&/figure&撤去保护, 中间那个就是Fin&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/46ec42cfbd1ea62a5616d_b.jpg& data-rawwidth=&388& data-rawheight=&214& class=&content_image& width=&388&&&/figure&门部位的多晶硅/高K介质生长&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/ee2ec0a918e31bc9af5c_b.jpg& data-rawwidth=&416& data-rawheight=&245& class=&content_image& width=&416&&&/figure&门部位的氧化层生长&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/20f5d0f912d99f0bbb503c2ddf8b00c9_b.jpg& data-rawwidth=&355& data-rawheight=&222& class=&content_image& width=&355&&&/figure&长成这样&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/04ad874400ddaa66febafdc_b.jpg& data-rawwidth=&373& data-rawheight=&218& class=&content_image& width=&373&&&/figure&&br&源极 漏极制作(光刻+ 离子注入)&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/bac42b80d0c07cf7d386591_b.jpg& data-rawwidth=&403& data-rawheight=&297& class=&content_image& width=&403&&&/figure&初层金属/多晶硅贴片&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/bc429c75dd3af6a3f311_b.jpg& data-rawwidth=&326& data-rawheight=&211& class=&content_image& width=&326&&&/figure&蚀刻+成型&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/420dc38fef985bad443224_b.jpg& data-rawwidth=&324& data-rawheight=&302& class=&content_image& width=&324&&&/figure&&br&物理气相积淀长出表面金属层(因为是三维结构, 所有连线要在上部连出)&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/37eb88bfba58b0ba0b627e34d11a9cc8_b.jpg& data-rawwidth=&358& data-rawheight=&302& class=&content_image& width=&358&&&/figure&&br&机械打磨(对! 不打磨会导致金属层厚度不一致)&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/b56ac716c219dcf745e4_b.jpg& data-rawwidth=&417& data-rawheight=&258& class=&content_image& width=&417&&&/figure&成型! &br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/963f20eab2fbdd9913d4c_b.jpg& data-rawwidth=&606& data-rawheight=&234& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&606& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/963f20eab2fbdd9913d4c_r.jpg&&&/figure&&br&连线&br&&br&就大概酱紫...&br&&br&-------
额 .. 既然被邀请了我就说一下吧: (话说为啥破布大神不在了...) 那个… 有不少示意图， 流量党酌情进 感谢各位的指正！ ------- 要想造个芯片, 首先, 你得画出来一个长这样的玩意儿给Foundry (外包的晶圆制造公司) (此处担心有版权问题… 毕竟我也是拿别人…
&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/v2-a0150b2fef2d4d90b12b60_b.jpg& data-rawwidth=&640& data-rawheight=&386& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&640& data-original=&https://pic2.zhimg.com/v2-a0150b2fef2d4d90b12b60_r.jpg&&&/figure&&p&变革家消费拆解学院第4期&br&&/p&&p&▼&/p&&p&当消费升级的需求大潮踏着春风扑面而来时，无论是商界还是投资圈，人们都兴奋不已，憋屈焦虑了这么长时间的，似乎终于看到了一个新的商业风口！&/p&&p&可是，究竟消费为什么要升级？谁推动了消费的升级？消费者的心理究竟发生了怎样的变化？消费升级的机会究竟有哪些区域特点？消费的不同领域究竟在发生着怎样的变化？&/p&&p&变革家拆解学院将会陆续推出来自不同领域专家对于消费升级的观察和实践思考，以期从理念、趋势或方法论上给予大家启示。&/p&&p&■&strong&变革家专栏作者：&/strong&&strong&玉宸甫&/strong&&/p&&p&&strong&▽▽▽&/strong&&/p&&p&2月15日，涪陵榨菜发布涨价公告，宣布主力9个单品提价15-17%。此前的2016年7月，涪陵榨菜公告宣布，因原料和劳动力涨价单品提高8-15%。&strong&短短七个月，一包榨菜的价格已经从2元涨到了2.6元。&/strong&&/p&&p&&strong&这已经是08年以来涪陵榨菜的第四次提价了，累计涨幅也超过150%。&/strong&2010年涪陵榨菜上市后的公告皆是以原料和劳动力上涨等成本上涨等为理由作提价预告，但实际是怎样呢？&/p&&br&&h1&&strong&“青菜头收购价”&/strong&&/h1&&p&涪陵榨菜的原料为农作物“青菜头”，今年涪陵青菜头大丰收，据2月份的数据统计，2017年涪陵青菜头的产量创历史新高。收购价格均价从去年的0.3元/斤提到了今年的0.5元/斤，而涨价原因是涪陵榨菜去年销量大增，企业库存下降导致。外地厂商抢购青菜头也是涨价的推手。青菜头在榨菜产品的成本占比为45%左右。&/p&&br&&h1&&strong&“其他成本”&/strong&&/h1&&p&目前涪陵榨菜的包装是四层铝箔袋和镀铝袋，受国内去库存和产能过剩企业淘汰的影响，包装业上下游产业萎缩，涪陵榨菜的包装费用成本增加较大。运输、劳动力成本同样有一定的涨幅。&/p&&br&&h1&&strong&“神转折”&/strong&&/h1&&p&&strong&但是，这些成本增加并没有影响涪陵榨菜的业绩。&/strong&2月24日的公司业绩预报显示：营业利润、利润总额和归属上市公司股东净利润同期增长57.39%、65.63%、63.50%。主要原因之一是榨菜产品销量同比略有上升！涨价了，公司销售和利润却不降反升！&/p&&p&&strong&其实这几年涪陵榨菜的财务指标并不难看：&/strong&&/p&&p&请点击此处输入图片描述&/p&&br&&h1&&strong&“强悍的定价权”&/strong&&/h1&&p&涪陵榨菜实行的是“先款后货”的付款方式和铺底资金额度制度，变原来的厂家被动出货为主动铺货，厂家与经销商之间不再是简单的利益关系，上升到了战略伙伴的地位，进一步调动经销商推动产品渠道的不断下沉。&/p&&p&&strong&在多层级销售中，经销商出货压力不会很大，结合整体的让利和折扣出厂价，据消息称涪陵榨菜经销商的利润可以在30%上下浮动，经销商的抵制情绪不会很大。因此在涨价公告发布后，经销商的反馈相对平淡。&/strong&&/p&&p&涪陵榨菜的市场地位目前遥遥领先，其一家占的份额为20%左右，基本是市场排名2-5名的企业总份额总和，在个别地区的市场份额更高达55%。&/p&&br&&h1&&strong&“嘴贱的消费者”&/strong&&/h1&&p&占据主导定价权的产品，消费者对其价格敏感度大多不高。诸如茅台，普通消费者消费频次较低，提价消费者也觉得影响不大。诸如IPONE，消费群体品牌忠诚度高，果粉不太考虑新机的价格因素。&/p&&p&请点击此处输入图片描述&/p&&p&另外就是像涪陵榨菜这样，高频次、低价位、领袖品牌优势明显的产品，消费者基本选择性忽略了几毛钱的差价。&/p&&p&再者，它是分类行业里的最优选择：涪陵榨菜的消费场景主要是早餐食用（榨菜和粥）和流动人口就餐以及涪陵榨菜这几年在着力打造的开胃场景，方便、价低、味道还不错。&strong&这样的壁垒看似很低，实则消费者懒的去选择替代品，除非是价格差价已击破了消费者的产品估值预期，或者是替代品有足够的优势打破消费者的习惯。&/strong&&/p&&br&&h1&&strong&“不仅涨价那么简单”&/strong&&/h1&&p&表面看，&strong&涪陵榨菜的连续涨价是向消费者转移成本提高，而且依靠早年建立的品牌优势和目前的渠道短时间内不难实现，但涨价刚刚开始！&/strong&&/p&&p&涪陵榨菜的单品依靠太高，榨菜占据营收9成以上；华南地区的销售占比过高（45%），渠道集中在省一级……作为快消品，助推主打产品达到天花板后实现产品矩阵：即主打产品为首，其他产品跟进，依托渠道品牌销售，侧翼产品升级成功，最后形成跃升。&/p&&p&&strong&这是消费品成长的模式。旺旺就是这个模式的最佳范本，初期主打旺旺雪饼，后续不断跟进其他产品实现了企业蜕变。&/strong&&/p&&p&&strong&涪陵榨菜的连续涨价，更多是挤占消费者心智，用价格实现品牌价值溢出&/strong&。&/p&&ul&&li&&p&&strong&一是通过涨价，分出更多的蛋糕给代理商，调动代理商进货和扩展市场的积极性，逐渐实现销售渠道的全流通，通过价格优势扩展商超等中高端渠道，改变9成市场为农贸渠道的现状。&/strong&&/p&&/li&&li&&p&&strong&二是借助价格差距强化品牌优势，趁机推动新产品的市场投入，同时多元化产品，降低企业过高依靠榨菜产品的风险，进而真正形成“开胃菜”到“佐餐品”行业的升级。&/strong&&/p&&/li&&li&&p&&strong&三是摆脱廉价品定位，单一榨菜产品时，涪陵榨菜的定位可以是物美价廉。企业在想借助产品结构升级塑造新定位时，价廉就成了双刃刀。&/strong&&/p&&/li&&/ul&&p&前几年，涪陵榨菜曾推出2000元榨菜产品的宣传噱头，想一举改变定位困局，最后不了了之。&/p&&p&&strong&这几年的连续涨价，反而在不断改变自身定位。&/strong&&strong&“脆口”榨菜主打的就是健康而非正宗榨菜，该产品55%的销量增速也表明了涨价下的产品升级更容易打破消费者对涪陵榨菜的传统定位。&/strong&&/p&&br&&h1&&strong&“你会见到5元一包的涪陵榨菜”&/strong&&/h1&&p&&strong&5元一包，不是因为CPI和通胀导致，是涪陵榨菜将来的提价导致。在收购了惠通后，见到这个价格的速度会越来越快。&/strong&本月的产品涨价，如果未遭到市场的过大反击，利润增速无明显降低的情况下，我相信下半年涪陵还会再次提价。&/p&&p&请点击此处输入图片描述&/p&&p&一是此次提价会进一步挤压其大本营中小榨菜厂的生存空间，同时挤压其他地区品牌厂家的市场份额。二是惠通整合进度基本进入尾声，涪陵的新产品会更快面世，举着涨价榨菜的大旗，带领旗下新产品入侵，这样的场面会越来越多。&/p&&p&作为传统快消行业，笔者不否定涪陵榨菜这样稳章稳打小}
谢邀。 美国商务部宣布立即重启对中兴通讯的制裁禁令（ORDER ACTIVATING SUSPENDED DENIAL ORDER），中兴通讯将被禁止以任何形式从美国进口商品。 这意味着中兴通讯在2017年3月认罪并签署的和解协议宣告失败，已缴纳的8.92亿美元罚款仍不足以息事宁人，甚至…
前方大量图片预警，请非Wifi党留步。。。。。。。&br&&br&简单地说，处理器的制造过程可以大致分为&strong&沙子原料(石英)、硅锭、晶圆、光刻(平版印刷)、蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包装上市&/strong&等诸多步骤，而且每一步里边又包含更多细致的过程。&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/aabdfcb5e78eb_b.jpg& data-rawwidth=&483& data-rawheight=&106& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&483& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/aabdfcb5e78eb_r.jpg&&&/figure&下边就图文结合，一步一步看看：&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/06e3adcc78a239c9a845e091a60ff1d7_b.jpg& data-rawwidth=&461& data-rawheight=&331& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&461& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/06e3adcc78a239c9a845e091a60ff1d7_r.jpg&&&/figure&&strong&沙子&/strong&：硅是地壳内第二丰富的元素，而&strong&脱氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25％的硅元素&/strong&，以&strong&二氧化硅(SiO2)&/strong&的形式存在，这也是半导体制造产业的基础。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/ce9f6da51c2_b.jpg& data-rawwidth=&539& data-rawheight=&389& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&539& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/ce9f6da51c2_r.jpg&&&/figure&&strong&硅熔炼&/strong&：12英寸/300毫米晶圆级，下同。通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅，学名&strong&电子级硅(EGS)&/strong&，&strong&平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子&/strong&。此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的，最后得到的就是硅锭(Ingot)。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/b36fe8ebd_b.jpg& data-rawwidth=&541& data-rawheight=&324& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&541& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/b36fe8ebd_r.jpg&&&/figure&&strong&单晶硅锭&/strong&：整体基本呈圆柱形，&strong&重约100千克&/strong&，&strong&硅纯度99.9999％&/strong&。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/9ef15ad1bdbdb_b.jpg& data-rawwidth=&525& data-rawheight=&212& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&525& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/9ef15ad1bdbdb_r.jpg&&&/figure&第一阶段的合影。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/71a160d37a733d4deca5d3b7cf66a175_b.jpg& data-rawwidth=&514& data-rawheight=&321& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&514& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/71a160d37a733d4deca5d3b7cf66a175_r.jpg&&&/figure&&strong&硅锭切割&/strong&：横向切割成圆形的单个硅片，也就是我们常说的晶圆(Wafer)。顺便说，这下知道为什么晶圆都是圆形的了吧？&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/3a4c8ccc5f_b.jpg& data-rawwidth=&534& data-rawheight=&325& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&534& data-original=&https://pic1.zhimg.com/50/3a4c8ccc5f_r.jpg&&&/figure&&strong&晶圆&/strong&：切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面甚至可以当镜子。&strong&事实上，Intel自己并不生产这种晶圆，而是从第三方半导体企业那里直接购买成品，然后利用自己的生产线进一步加工&/strong&，比如现在主流的45nm HKMG(高K金属栅极)。值得一提的是，Intel公司创立之初使用的晶圆尺寸只有2英寸/50毫米。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/ba2c88ba3e_b.jpg& data-rawwidth=&520& data-rawheight=&200& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&520& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/ba2c88ba3e_r.jpg&&&/figure&第二阶段合影。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/52c75ef0ca3b_b.jpg& data-rawwidth=&534& data-rawheight=&330& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&534& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/52c75ef0ca3b_r.jpg&&&/figure&&strong&光刻胶(Photo Resist)&/strong&：图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体，类似制作传统胶片的那种。晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/b51c006c3fe2ee9bb9290_b.jpg& data-rawwidth=&544& data-rawheight=&379& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&544& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/b51c006c3fe2ee9bb9290_r.jpg&&&/figure&&strong&光刻&/strong&：&strong&光刻胶层随后透过掩模(Mask)被曝光在紫外线(UV)之下&/strong&，变得可溶，期间发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，就会形成微处理器的每一层电路图案。一般来说，在晶圆上得到的电路图案是掩模上图案的四分之一。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/37ca8ef950a8b_b.jpg& data-rawwidth=&545& data-rawheight=&446& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&545& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/37ca8ef950a8b_r.jpg&&&/figure&&strong&光刻&/strong&：由此进入50-200纳米尺寸的晶体管级别。一块晶圆上可以切割出数百个处理器，不过从这里开始把视野缩小到其中一个上，展示如何制作晶体管等部件。晶体管相当于开关，控制着电流的方向。现在的晶体管已经如此之小，一个针头上就能放下大约3000万个。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/b280afbdadbe8ee720c4af79_b.jpg& data-rawwidth=&530& data-rawheight=&190& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&530& data-original=&https://pic1.zhimg.com/50/b280afbdadbe8ee720c4af79_r.jpg&&&/figure&第三阶段合影。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/fe0f7fa11b638dee5b2a1ed2a16fe22c_b.jpg& data-rawwidth=&531& data-rawheight=&358& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&531& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/fe0f7fa11b638dee5b2a1ed2a16fe22c_r.jpg&&&/figure&&strong&溶解光刻胶&/strong&：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/cee8f694dec119d_b.jpg& data-rawwidth=&517& data-rawheight=&303& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&517& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/cee8f694dec119d_r.jpg&&&/figure&&strong&蚀刻&/strong&：使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/89adeb31a6bc000cc603db_b.jpg& data-rawwidth=&524& data-rawheight=&318& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&524& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/89adeb31a6bc000cc603db_r.jpg&&&/figure&&strong&清除光刻胶&/strong&：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/34b4ca8f88caa7be0bb7b71_b.jpg& data-rawwidth=&526& data-rawheight=&187& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&526& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/34b4ca8f88caa7be0bb7b71_r.jpg&&&/figure&第四阶段合影。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/742f775e8dcc42ea8587_b.jpg& data-rawwidth=&499& data-rawheight=&351& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&499& data-original=&https://pic1.zhimg.com/50/742f775e8dcc42ea8587_r.jpg&&&/figure&&strong&光刻胶&/strong&：再次浇上光刻胶(蓝色部分)，然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/6e28ca4d2d8c904a686862_b.jpg& data-rawwidth=&544& data-rawheight=&365& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&544& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/6e28ca4d2d8c904a686862_r.jpg&&&/figure&&strong&离子注入(Ion Implantation)&/strong&：在真空系统中，用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射(注入)固体材料，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的导电性。经过电场加速后，注入的离子流的速度可以&strong&超过30万千米每小时&/strong&。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/9e62e39b6a52c8ecc9ce5_b.jpg& data-rawwidth=&531& data-rawheight=&388& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&531& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/9e62e39b6a52c8ecc9ce5_r.jpg&&&/figure&&strong&清除光刻胶&/strong&：离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入区域(绿色部分)也已掺杂，注入了不同的原子。注意这时候的绿色和之前已经有所不同。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/5aabc415dcd2f14e761e7_b.jpg& data-rawwidth=&531& data-rawheight=&225& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&531& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/5aabc415dcd2f14e761e7_r.jpg&&&/figure&第五阶段合影。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/087ee2e0e15fcb_b.jpg& data-rawwidth=&543& data-rawheight=&395& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&543& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/087ee2e0e15fcb_r.jpg&&&/figure&&strong&晶体管就绪&/strong&：至此，晶体管已经基本完成。在绝缘材(品红色)上蚀刻出&strong&三个孔洞&/strong&，并填充铜，以便和其它晶体管互连。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/dd8cf316dc7a3185bbcfc8d_b.jpg& data-rawwidth=&539& data-rawheight=&332& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&539& data-original=&https://pic1.zhimg.com/50/dd8cf316dc7a3185bbcfc8d_r.jpg&&&/figure&&strong&电镀&/strong&：在晶圆上电镀一层硫酸铜，将铜离子沉淀到晶体管上。铜离子会从正极(阳极)走向负极(阴极)。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/0bb1efaf60d13_b.jpg& data-rawwidth=&540& data-rawheight=&369& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&540& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/0bb1efaf60d13_r.jpg&&&/figure&&strong&铜层&/strong&：电镀完成后，铜离子沉积在晶圆表面，形成一个薄薄的铜层。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/6f07a18fb1c8d6c46eb55e34bb587a03_b.jpg& data-rawwidth=&541& data-rawheight=&210& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&541& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/6f07a18fb1c8d6c46eb55e34bb587a03_r.jpg&&&/figure&第六阶段合影。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/105deac98bef4dee382ca8ef12c857eb_b.jpg& data-rawwidth=&538& data-rawheight=&361& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&538& data-original=&https://pic1.zhimg.com/50/105deac98bef4dee382ca8ef12c857eb_r.jpg&&&/figure&&strong&抛光&/strong&：将多余的铜抛光掉，也就是磨光晶圆表面。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/522ca16de2bdf11b5402cf_b.jpg& data-rawwidth=&540& data-rawheight=&368& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&540& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/522ca16de2bdf11b5402cf_r.jpg&&&/figure&&strong&金属层&/strong&：晶体管级别，六个晶体管的组合，大约500纳米。在不同晶体管之间形成复合互连金属层，具体布局取决于相应处理器所需要的不同功能性。芯片表面看起来异常平滑，但事实上可能包含&strong&20多层&/strong&复杂的电路，放大之后可以看到极其复杂的电路网络，形如未来派的多层高速公路系统。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/5a20697eecc702e290088a_b.jpg& data-rawwidth=&534& data-rawheight=&213& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&534& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/5a20697eecc702e290088a_r.jpg&&&/figure&第七阶段合影。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/76afffd7d1ee0a9fe750753c_b.jpg& data-rawwidth=&544& data-rawheight=&378& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&544& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/76afffd7d1ee0a9fe750753c_r.jpg&&&/figure&&strong&晶圆测试&/strong&：内核级别，大约10毫米/0.5英寸。图中是晶圆的局部，正在接受第一次功能性测试，使用参考电路图案和每一块芯片进行对比。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/4b43f399e5e_b.jpg& data-rawwidth=&545& data-rawheight=&356& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&545& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/4b43f399e5e_r.jpg&&&/figure&&strong&晶圆切片(Slicing)&/strong&：晶圆级别，300毫米/12英寸。将晶圆切割成块，每一块就是一个处理器的内核(Die)。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/4b2d374f792b532c091107_b.jpg& data-rawwidth=&540& data-rawheight=&388& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&540& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/4b2d374f792b532c091107_r.jpg&&&/figure&&strong&丢弃瑕疵内核&/strong&：晶圆级别。测试过程中发现的有瑕疵的内核被抛弃，留下完好的准备进入下一步。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/3a1dcb7c4d8_b.jpg& data-rawwidth=&529& data-rawheight=&213& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&529& data-original=&https://pic1.zhimg.com/50/3a1dcb7c4d8_r.jpg&&&/figure&第八阶段合影。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/90b0e7af539c1bfd5bb3d3_b.jpg& data-rawwidth=&541& data-rawheight=&366& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&541& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/90b0e7af539c1bfd5bb3d3_r.jpg&&&/figure&&strong&单个内核&/strong&：内核级别。从晶圆上切割下来的单个内核，这里展示的是Core i7的核心。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/cf6c64bc595e484cf058bc45_b.jpg& data-rawwidth=&539& data-rawheight=&355& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&539& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/cf6c64bc595e484cf058bc45_r.jpg&&&/figure&&strong&封装&/strong&：封装级别，20毫米/1英寸。&strong&衬底(基片)、内核、散热片&/strong&堆叠在一起，就形成了我们看到的处理器的样子。衬底(绿色)相当于一个底座，并为处理器内核提供电气与机械界面，便于与PC系统的其它部分交互。散热片(银色)就是负责内核散热的了。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/e98a797ba2a023de8ea80f_b.jpg& data-rawwidth=&544& data-rawheight=&366& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&544& data-original=&https://pic1.zhimg.com/50/e98a797ba2a023de8ea80f_r.jpg&&&/figure&&strong&处理器&/strong&：至此就得到完整的处理器了(这里是一颗Core i7)。这种在世界上最干净的房间里制造出来的最复杂的产品实际上是经过数百个步骤得来的，这里只是展示了其中的一些关键步骤。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/bde71b8fe6054d_b.jpg& data-rawwidth=&531& data-rawheight=&195& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&531& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/bde71b8fe6054d_r.jpg&&&/figure&第九阶段合影。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/a4f5ce35b300ce3cfa3881_b.jpg& data-rawwidth=&543& data-rawheight=&344& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&543& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/a4f5ce35b300ce3cfa3881_r.jpg&&&/figure&&strong&等级测试&/strong&：最后一次测试，可以鉴别出每一颗处理器的关键特性，比如最高频率、功耗、发热量等，并决定处理器的等级，比如适合做成最高端的Core i7-975 Extreme，还是低端型号Core i7-920。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/427dfd4afb_b.jpg& data-rawwidth=&542& data-rawheight=&350& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&542& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/427dfd4afb_r.jpg&&&/figure&&strong&装箱&/strong&：根据等级测试结果将同样级别的处理器放在一起装运。&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/ee8cebcad8c59ddecbfb5d1_b.jpg& data-rawwidth=&542& data-rawheight=&393& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&542& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/ee8cebcad8c59ddecbfb5d1_r.jpg&&&/figure&&strong&零售包装&/strong&：制造、测试完毕的处理器要么批量交付给OEM厂商，要么放在包装盒里进入零售市场。&br&&br&PS：&br&
以上是曾经在在驱动之家看到的CPU的制造过程，&a href=&//link.zhihu.com/?target=http%3A//news.mydrivers.com/1/139/139076.htm& class=& wrap external& target=&_blank& rel=&nofollow noreferrer&&从沙子到芯片：且看处理器是怎样炼成的&/a&；感觉过程很有意思，遂现在分享给大家。如果有兴趣的话可以进一步观看视频，&a href=&//link.zhihu.com/?target=http%3A//my.tv.sohu.com/us/79473.shtml& class=& wrap external& target=&_blank& rel=&nofollow noreferrer&&从沙子到芯片，Intel英特尔处理器制作过程&/a&。
前方大量图片预警，请非Wifi党留步。。。。。。。 简单地说，处理器的制造过程可以大致分为沙子原料(石英)、硅锭、晶圆、光刻(平版印刷)、蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包装上市等诸多步骤，而且每一步里…
额 .. 既然被邀请了我就说一下吧: (话说为啥破布大神不在了...)&br&&br&那个… 有不少示意图， 流量党酌情进&br&&br&&br&&b&&u&感谢各位的指正！&/u&&/b&&br&&br&-------&br&&br&要想造个芯片, 首先, 你得画出来一个长这样的玩意儿给Foundry (外包的晶圆制造公司)&br&&br&(此处担心有版权问题… 毕竟我也是拿别人钱干活的苦逼phd… 就不放全电路图了… 大家看看就好， 望理解！ ）&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/4dcfbeb14ecdd1bb1d20_b.jpg& data-rawwidth=&600& data-rawheight=&298& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&600& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/4dcfbeb14ecdd1bb1d20_r.jpg&&&/figure&&br&&br&再放大...&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/424eaec51ee_b.jpg& data-rawwidth=&600& data-rawheight=&332& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&600& data-original=&https://pic1.zhimg.com/50/424eaec51ee_r.jpg&&&/figure&&br&cool! 我们终于看到一个门电路啦! 这是一个NAND Gate(与非门), 大概是这样: &br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/7ee1e36e_b.jpg& data-rawwidth=&600& data-rawheight=&332& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&600& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/7ee1e36e_r.jpg&&&/figure&&br&&br&A, B 是输入, Y是输出. &br&其中蓝色的是金属1层, 绿色是金属2层, 紫色是金属3层, 粉色是金属4层... &br&那晶体管(更正, 题主的&晶体管& 自199X年以后已经主要是 MOSFET, 即场效应管了 ) 呢?&br&仔细看图, 看到里面那些白色的点吗? 那是衬底, 还有一些绿色的边框? 那些是Active Layer (也即掺杂层.)&br&&br&&b&-------------------------分割线, 此线以下可随意转载, 以上不行---------------------------------&/b&&br&&b&-------------------------&/b&&b&分割线, 此线&/b&&b&以下可随意转载, 以上不行---------------------------------&/b&&br&&b&-------------------------&/b&&b&分割线, 此线&/b&&b&以下可随意转载, 以上不行---------------------------------&/b&&br&&br&&br&然后Foundry是怎么做的呢? 大体上分为以下几步: &br&&br&首先搞到一块圆圆的硅晶圆, (就是一大块晶体硅, 打磨的很光滑, 一般是圆的)&br&&br&&b&&i&此处重新排版, 图片按照&u&生产步骤&/u&排列. 但是步骤总结单独写出. &/i&&/b&&br&&br&&br&&b&&u&1. 湿洗&/u&&/b& (用各种试剂保持硅晶圆表面没有杂质)&br&&br&&b&&u&2. 光刻&/u&&/b& (用紫外线透过蒙版照射硅晶圆, 被照到的地方就会容易被洗掉, 没被照到的地方就保持原样. 于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案. 注意, 此时还没有加入杂质, 依然是一个硅晶圆. ) &br&&br&&b&3. 离子注入&/b& (在硅晶圆不同的位置加入不同的杂质, 不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应管.)&br&&br&&b&4.1干蚀刻&/b& (之前用光刻出来的形状有许多其实不是我们需要的,而是为了离子注入而蚀刻的. 现在就要用等离子体把他们洗掉, 或者是一些第一步光刻先不需要刻出来的结构, 这一步进行蚀刻). &br&&br&&b&4.2湿蚀刻&/b& (进一步洗掉, 但是用的是试剂, 所以叫湿蚀刻).&br&&br&--- 以上步骤完成后, 场效应管就已经被做出来啦~ 但是以上步骤一般都不止做一次, 很可能需要反反复复的做, 以达到要求. ---&br&&br&&b&5 等离子冲洗 &/b&(用较弱的等离子束轰击整个芯片)&br&&br&&b&6 热处理&/b&, 其中又分为: &br&&br&&b&6.1 快速热退火 &/b&(就是瞬间把整个片子通过大功率灯啥的照到1200摄氏度以上, 然后慢慢地冷却下来, 为了使得注入的离子能更好的被启动以及热氧化)&br&&b&6.2 退火&/b&&br&&b&6.3 热氧化&/b& (制造出二氧化硅, 也即场效应管的栅极(gate) )&br&&br&&b&7 化学气相淀积(CVD)&/b&, 进一步精细处理表面的各种物质&br&&br&&b&8 物理&/b&&b&气相淀积&/b&&b& (PVD)&/b&, 类似, 而且可以给敏感部件加coating&br&&br&&b&9 分子束外延 (MBE)&/b& 如果需要长单晶的话就需要这个..&br&&br&10 电镀处理&br&&br&11 化学/机械 表面处理&br&&br&然后芯片就差不多了, 接下来还要: &br&12 晶圆测试&br&13 晶圆打磨&br&&br&就可以出厂封装了.&br&&br&我们来一步步看: &br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/ad087b11ee6b83a4174009_b.jpg& data-rawwidth=&250& data-rawheight=&115& class=&content_image& width=&250&&&/figure&&i&1上面是氧化层, 下面是衬底(硅) -- 湿洗&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/76b1d049bc735f1da5b8_b.jpg& data-rawwidth=&326& data-rawheight=&72& class=&content_image& width=&326&&&/figure&&i&2 一般来说, 先对整个衬底注入少量(10^10 ~ 10^13 / cm^3) 的P型物质(最外层少一个电子), 作为衬底 -- 离子注入&/i&&br&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/faaded30da9c360a201d1ae4_b.jpg& data-rawwidth=&241& data-rawheight=&146& class=&content_image& width=&241&&&/figure&&i&3先加入Photo-resist, 保护住不想被蚀刻的地方 -- 光刻&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/e835fefd8aa44f18dc99c7b6abc1b11c_b.jpg& data-rawwidth=&239& data-rawheight=&236& class=&content_image& width=&239&&&/figure&&i&4.上&/i&&i&掩膜&/i&&i&! (就是那个标注Cr的地方. 中间空的表示没有遮盖, 黑的表示遮住了.) &/i&&i&-- 光刻&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/d5f9e7cb83a451c2d4404c7_b.jpg& data-rawwidth=&243& data-rawheight=&291& class=&content_image& width=&243&&&/figure&&i&5 紫外线照上去... 下面被照得那一块就被反应了 &/i&&i&-- 光刻&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/cb4e4dc9981cefcff3a345_b.jpg& data-rawwidth=&254& data-rawheight=&147& class=&content_image& width=&254&&&/figure&&i&6.撤去掩膜. &/i&&i&-- 光刻&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/e4bad0dfd34_b.jpg& data-rawwidth=&242& data-rawheight=&144& class=&content_image& width=&242&&&/figure&&i&7 把暴露出来的氧化层洗掉, 露出硅层(就可以注入离子了) &/i&&i&-- 光刻&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/7d22e57e49deb3b2d45c9c5a41437d2f_b.jpg& data-rawwidth=&249& data-rawheight=&110& class=&content_image& width=&249&&&/figure&&i&8 把保护层撤去. 这样就得到了一个准备注入的硅片. 这一步会反复在硅片上进行(几十次甚至上百次).
&/i&&i&-- 光刻&/i&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/739a4d1d49faeaef10993_b.jpg& data-rawwidth=&331& data-rawheight=&72& class=&content_image& width=&331&&&/figure&&i&9 然后光刻完毕后, 往里面狠狠地插入一块少量(10^14 ~ 10^16 /cm^3) 注入的N型物质&/i&&br&&i&就做成了一个N-well (N-井) -- 离子注入&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/dd78d5ea4732bfb8cbfa49_b.jpg& data-rawwidth=&325& data-rawheight=&76& class=&content_image& width=&325&&&/figure&&i&10 用干蚀刻把需要P-well的地方也蚀刻出来. 也可以再次使用光刻刻出来. -- 干蚀刻&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/17afc98ebbadbc1e567a9dbe_b.jpg& data-rawwidth=&343& data-rawheight=&81& class=&content_image& width=&343&&&/figure&&i&11 上图将P-型半导体上部再次氧化出一层薄薄的二氧化硅. -- 热处理&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/fe1e1b6e0e8f7e8be5b64a513dbb85a6_b.jpg& data-rawwidth=&324& data-rawheight=&91& class=&content_image& width=&324&&&/figure&&i&12 用分子束外延处理长出的一层多晶硅， 该层可导电 -- 分子束外延&/i&&br&&br&&i&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/26d9ce7d8bbb55fca720_b.jpg& data-rawwidth=&324& data-rawheight=&79& class=&content_image& width=&324&&&/figure&13 进一步的蚀刻, 做出精细的结构. (在退火以及部分CVD) -- 重复3-8光刻 + 湿蚀刻&/i&&br&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/aa44677e1cfc5d3d001dcced3978336e_b.jpg& data-rawwidth=&334& data-rawheight=&84& class=&content_image& width=&334&&&/figure&&i&14 再次狠狠地插入大量(10^18 ~ 10^20 / cm^3) 注入的P/N型物质, 此时注意MOSFET已经基本成型. -- 离子注入&/i&&br&&br&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/ba641cc32f1ba77cdf9a_b.jpg& data-rawwidth=&322& data-rawheight=&87& class=&content_image& width=&322&&&/figure&&i&15 用&/i&&i&气相积淀 形成&/i&&i&的氮化物层 -- 化学气相积淀&/i&&br&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/1fcc857b3ee12e9be208_b.jpg& data-rawwidth=&327& data-rawheight=&90& class=&content_image& width=&327&&&/figure&&i&16 将氮化物蚀刻出沟道 -- 光刻 + 湿蚀刻&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/f8585ee3fabad534eeeff7b_b.jpg& data-rawwidth=&324& data-rawheight=&95& class=&content_image& width=&324&&&/figure&&i&17 物理气相积淀长出 金属层
-- 物理气相积淀&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/bcf673f0f4a0dfbe49f751fd67ddaa3f_b.jpg& data-rawwidth=&323& data-rawheight=&95& class=&content_image& width=&323&&&/figure&&i&18 将多余金属层蚀刻. 光刻 + 湿蚀刻&/i&&br&&br&&br&&i&重复 17-18 长出每个金属层&/i&&br&&br&哦对了... 最开始那个芯片, 大小大约是1.5mm x 0.8mm&br&&br&&br&-----------------------&br&&br&&b&啊~~ 找到一本关于光刻的书, 更新一下, 之前的回答有谬误.. 见谅见谅! :&/b&&br&书名: && IC Fabrication Technology && By BOSE&br&&br&细说一下光刻. 题主问了: 小于头发丝直径的操作会很困难, 所以光刻(比如说100nm)是怎么做的呢? &br&&br&比如说我们要做一个100nm的门电路(90nm technology), 那么实际上是这样的: &br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/7b86b7f2a_b.jpg& data-rawwidth=&265& data-rawheight=&333& class=&content_image& width=&265&&&/figure&&br&这层掩膜是第一层, 大概是10倍左右的Die Size&br&&br&有两种方法制作: Emulsion Mask 和 Metal Mask&br&&br&Emulsion Mask: &br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/b3ba8ff72ec12_b.jpg& data-rawwidth=&370& data-rawheight=&103& class=&content_image& width=&370&&&/figure&这货分辨率可以达到 2000line / mm (其实挺差劲的... 所以sub-micron ,也即um级别以下的 VLSI不用... )&br&&br&制作方法: 首先: 需要在Rubylith (不会翻译...) 上面刻出一个比想要的掩膜大个20倍的形状 (大概是真正制作尺寸的200倍), 这个形状就可以用激光什么的刻出来, 只需要微米级别的刻度.&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/87e87bb8ff9b0fc1d0b580e1b7098916_b.jpg& data-rawwidth=&106& data-rawheight=&243& class=&content_image& width=&106&&&/figure&&br&然后: &br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/98ddffb1a0e0fedf1f776d7_b.jpg& data-rawwidth=&379& data-rawheight=&245& class=&content_image& width=&379&&&/figure&给!它!照!相! , 相片就是Emulsion Mask! &br&&br&如果要拍的&照片&太大, 也有分区域照的方法. &br&&br&&br&Metal Mask: &br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/7ab2fdeb0bc260f3b5b8ca_b.jpg& data-rawwidth=&331& data-rawheight=&86& class=&content_image& width=&331&&&/figure&&br&制作过程: &br&1. 先做一个Emulsion Mask, 然后用Emulsion Mask以及我之前提到的17-18步做Metal Mask! 瞬间有种Recursion的感觉有木有!!!&br&&br&2. Electron beam: &br&&br&大概长这样&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/ffdd8b686a528eabb69d2_b.jpg& data-rawwidth=&479& data-rawheight=&502& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&479& data-original=&https://pic1.zhimg.com/50/ffdd8b686a528eabb69d2_r.jpg&&&/figure&&br&制作的时候移动的是底下那层. 电子束不移动. &br&就像打印机一样把底下打一遍. &br&&br&好处是精度特别高, 目前大多数高精度的(&100nm技术)都用这个掩膜. 坏处是太慢... &br&&br&做好掩膜后:
&br&Feature Size = k*lamda / NA&br&&br&k一般是0.4, 跟制作过程有关; lamda是所用光的波长; NA是从芯片看上去, 放大镜的倍率. &br&&br&以目前的技术水平, 这个公式已经变了, 因为随着Feature Size减小, 透镜的厚度也是一个问题了&br&&br&Feature Size = k * lamda / NA^2 &br&&br&恩.. 所以其实掩膜可以做的比芯片大一些. 至于具体制作方法, 一般是用高精度计算机探针 + 激光直接刻板. Photomask(掩膜) 的材料选择一般也比硅晶片更加灵活, 可以采用很容易被激光汽化的材料进行制作. &br&&br&今天突然发现我还忘了一个很重要的点! 找了一圈知乎找到了! 多谢 &a data-hash=&3f84ad0cb48d7c6b6e5a95cf44d5623c& href=&//www.zhihu.com/people/3f84ad0cb48d7c6b6e5a95cf44d5623c& class=&member_mention& data-editable=&true& data-title=&@又见山人& data-tip=&p$b$3f84ad0cb48d7c6b6e5a95cf44d5623c& data-hovercard=&p$b$3f84ad0cb48d7c6b6e5a95cf44d5623c&&@又见山人&/a&
!!&br&&br&&br&&u&浸没式光刻&/u&&br&&u&&a href=&http://www.zhihu.com/question/#answer-& class=&internal&&你所在或了解的领域有哪些技术上不是很复杂，但 idea 非常好，很有原创性的研究？ - 科学&/a&&/u&&br&&br&这个光刻的方法绝壁是个黑科技一般的点! 直接把Lamda缩小了一个量级, With no extra cost! 你们说吼不吼啊! &br&&br&Food for Thought: Wikipedia上面关于掩膜的版面给出了这样一幅图, 假设用这样的掩膜最后做出来会是什么形状呢? &br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/8cab30fd9bc4_b.jpg& data-rawwidth=&220& data-rawheight=&220& class=&content_image& width=&220&&&/figure&&b&于是还没有人理Food for thought... &/b&&br&&br&&br&-----------------------&br&&br&&br&大部分附图, 来自&a href=&//link.zhihu.com/?target=http%3A//www.anandtech.com/show/8223/an-introduction-to-semiconductor-physics-technology-and-industry/3& class=& wrap external& target=&_blank& rel=&nofollow noreferrer&&AnandTech | An Introduction to Semiconductor Physics, Technology, and Industry&/a& , &br&&br&附图的步骤在每幅图的下面标注, 一共18步. &br&&b&如有错误欢迎指教!&/b&&br&&br&最终成型大概长这样:&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/ae9a992cbd18453fbffff2ce_b.jpg& data-rawwidth=&550& data-rawheight=&810& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&550& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/ae9a992cbd18453fbffff2ce_r.jpg&&&/figure&&br&&b&其中, 步骤1-15 属于 前端处理 (FEOL), 也即如何做出场效应管&/b&&br&&br&&br&&b&步骤16-18 (加上许许多多的重复) 属于后端处理 (BEOL) , 后端处理主要是用来布线. 最开始那个大芯片里面能看到的基本都是布线! 一般一个高度集中的芯片上几乎看不见底层的硅片, 都会被布线遮挡住. &/b&&br&&br&版权归原网站 (ANAND TECH) 以及原作者所有, 仅供示意参考(实在懒得自己画了..)&br&&br&之前的芯片图来自我自己的设计.&br&&br&---------&br&&br&SOI (Silicon-on-Insulator) 技术: &br&&br&传统CMOS技术的缺陷在于: 衬底的厚度会影响片上的寄生电容, 间接导致芯片的性能下降. SOI技术主要是将 源极/漏极 和 硅片衬底分开, 以达到(部分)消除寄生电容的目的. &br&&br&传统: &br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/bbdb29e4db873c_b.jpg& data-rawwidth=&298& data-rawheight=&105& class=&content_image& width=&298&&&/figure&&br&SOI: &br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/617cbf009bc0ac396a4e0e19e8d245d2_b.jpg& data-rawwidth=&313& data-rawheight=&109& class=&content_image& width=&313&&&/figure&&br&制作方法主要有以下几种(主要在于制作硅-二氧化硅-硅的结构, 之后的步骤跟传统工艺基本一致.)&br&&br&1. 高温氧化退火: &br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/bdca63b814c1d22d2a61ef1_b.jpg& data-rawwidth=&216& data-rawheight=&85& class=&content_image& width=&216&&&/figure&&br&&i&在硅表面离子注入一层氧离子层&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/cffaea97c07d_b.jpg& data-rawwidth=&301& data-rawheight=&52& class=&content_image& width=&301&&&/figure&&i&等氧离子渗入硅层, 形成富氧层&/i&&br&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/d926168efb1bcec80eaf26b_b.jpg& data-rawwidth=&301& data-rawheight=&113& class=&content_image& width=&301&&&/figure&&br&&i&高温退火&/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/db736aa430707cedf47f_b.jpg& data-rawwidth=&319& data-rawheight=&52& class=&content_image& width=&319&&&/figure&&i&成型.&/i&&br&&br&&br&&br&&br&或者是2. Wafer Bonding(用两块! )&br&&br&不是要做夹心饼干一样的结构吗? 爷不差钱! 来两块! &br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/c5b4b9c78_b.jpg& data-rawwidth=&216& data-rawheight=&143& class=&content_image& width=&216&&&/figure&&i&来两块! &/i&&br&&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/a0c0b1f200d121dc040e98d5c0a4cd17_b.jpg& data-rawwidth=&303& data-rawheight=&195& class=&content_image& width=&303&&&/figure&&br&&i&对硅2进行表面氧化&/i&&br&&br&&br&&i&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/83cc1bd245a2f10162ac_b.jpg& data-rawwidth=&312& data-rawheight=&143& class=&content_image& width=&312&&&/figure&对硅2进行氢离子注入&/i&&br&&br&&br&&i&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/5a5fb83fad0edc064493c_b.jpg& data-rawwidth=&299& data-rawheight=&147& class=&content_image& width=&299&&&/figure&翻面&/i&&br&&br&&i&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/0651d81eabcaf_b.jpg& data-rawwidth=&372& data-rawheight=&106& class=&content_image& width=&372&&&/figure&将氢离子层处理成气泡层&/i&&br&&br&&i&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/d9d3022cd0dab302a967e0_b.jpg& data-rawwidth=&386& data-rawheight=&106& class=&content_image& width=&386&&&/figure&切割掉多余部分&/i&&br&&i&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/57e6e2f1e4c44cd4d0ef9075_b.jpg& data-rawwidth=&456& data-rawheight=&159& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&456& data-original=&https://pic4.zhimg.com/50/57e6e2f1e4c44cd4d0ef9075_r.jpg&&&/figure&成型! + 再利用&/i&&br&&br&&br&&br&&br&--------&br&&br&22nm Ivy Bridge 制作(来源: &a href=&//link.zhihu.com/?target=http%3A//v.youku.com/v_show/id_XNTA1NjgxOTIw.html& class=& wrap external& target=&_blank& rel=&nofollow noreferrer&&Intel__The_Making_of_a_Chip_with_22nm_3D_Transistors&/a& ) -- 墙内用户&br&&a href=&//link.zhihu.com/?target=https%3A//www.youtube.com/watch%3Fv%3Dd9SWNLZvA8g& class=& wrap external& target=&_blank& rel=&nofollow noreferrer&&youtube.com 的页面&/a&
-- 墙外用户&br&&br&&br&(&b&原谅我直接视频截图了, 3D图 Visio真心画不出啊!!!&/b&)&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/06badb6be09675_b.jpg& data-rawwidth=&388& data-rawheight=&309& class=&content_image& width=&388&&&/figure&光刻&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/7f8cb27e45b5a7b139a1151_b.jpg& data-rawwidth=&384& data-rawheight=&294& class=&content_image& width=&384&&&/figure&离子注入&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/7b0e9650fca205da8a47d_b.jpg& data-rawwidth=&417& data-rawheight=&260& class=&content_image& width=&417&&&/figure&微观图长这样: &br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/d8b95b36ec1ca91ba3ecba19f22b69f3_b.jpg& data-rawwidth=&495& data-rawheight=&279& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&495& data-original=&https://pic2.zhimg.com/50/d8b95b36ec1ca91ba3ecba19f22b69f3_r.jpg&&&/figure&再次光刻+蚀刻&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/b5fa44b4ac9d2ffadf6d9_b.jpg& data-rawwidth=&378& data-rawheight=&248& class=&content_image& width=&378&&&/figure&撤去保护, 中间那个就是Fin&br&&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/46ec42cfbd1ea62a5616d_b.jpg& data-rawwidth=&388& data-rawheight=&214& class=&content_image& width=&388&&&/figure&门部位的多晶硅/高K介质生长&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/ee2ec0a918e31bc9af5c_b.jpg& data-rawwidth=&416& data-rawheight=&245& class=&content_image& width=&416&&&/figure&门部位的氧化层生长&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/20f5d0f912d99f0bbb503c2ddf8b00c9_b.jpg& data-rawwidth=&355& data-rawheight=&222& class=&content_image& width=&355&&&/figure&长成这样&br&&figure&&img src=&https://pic1.zhimg.com/50/04ad874400ddaa66febafdc_b.jpg& data-rawwidth=&373& data-rawheight=&218& class=&content_image& width=&373&&&/figure&&br&源极 漏极制作(光刻+ 离子注入)&br&&br&&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/50/bac42b80d0c07cf7d386591_b.jpg& data-rawwidth=&403& data-rawheight=&297& class=&content_image& width=&403&&&/figure&初层金属/多晶硅贴片&br&&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/bc429c75dd3af6a3f311_b.jpg& data-rawwidth=&326& data-rawheight=&211& class=&content_image& width=&326&&&/figure&蚀刻+成型&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/420dc38fef985bad443224_b.jpg& data-rawwidth=&324& data-rawheight=&302& class=&content_image& width=&324&&&/figure&&br&物理气相积淀长出表面金属层(因为是三维结构, 所有连线要在上部连出)&br&&figure&&img src=&https://pic4.zhimg.com/50/37eb88bfba58b0ba0b627e34d11a9cc8_b.jpg& data-rawwidth=&358& data-rawheight=&302& class=&content_image& width=&358&&&/figure&&br&机械打磨(对! 不打磨会导致金属层厚度不一致)&br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/b56ac716c219dcf745e4_b.jpg& data-rawwidth=&417& data-rawheight=&258& class=&content_image& width=&417&&&/figure&成型! &br&&figure&&img src=&https://pic3.zhimg.com/50/963f20eab2fbdd9913d4c_b.jpg& data-rawwidth=&606& data-rawheight=&234& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&606& data-original=&https://pic3.zhimg.com/50/963f20eab2fbdd9913d4c_r.jpg&&&/figure&&br&连线&br&&br&就大概酱紫...&br&&br&-------
额 .. 既然被邀请了我就说一下吧: (话说为啥破布大神不在了...) 那个… 有不少示意图， 流量党酌情进 感谢各位的指正！ ------- 要想造个芯片, 首先, 你得画出来一个长这样的玩意儿给Foundry (外包的晶圆制造公司) (此处担心有版权问题… 毕竟我也是拿别人…
&figure&&img src=&https://pic2.zhimg.com/v2-a0150b2fef2d4d90b12b60_b.jpg& data-rawwidth=&640& data-rawheight=&386& class=&origin_image zh-lightbox-thumb& width=&640& data-original=&https://pic2.zhimg.com/v2-a0150b2fef2d4d90b12b60_r.jpg&&&/figure&&p&变革家消费拆解学院第4期&br&&/p&&p&▼&/p&&p&当消费升级的需求大潮踏着春风扑面而来时，无论是商界还是投资圈，人们都兴奋不已，憋屈焦虑了这么长时间的，似乎终于看到了一个新的商业风口！&/p&&p&可是，究竟消费为什么要升级？谁推动了消费的升级？消费者的心理究竟发生了怎样的变化？消费升级的机会究竟有哪些区域特点？消费的不同领域究竟在发生着怎样的变化？&/p&&p&变革家拆解学院将会陆续推出来自不同领域专家对于消费升级的观察和实践思考，以期从理念、趋势或方法论上给予大家启示。&/p&&p&■&strong&变革家专栏作者：&/strong&&strong&玉宸甫&/strong&&/p&&p&&strong&▽▽▽&/strong&&/p&&p&2月15日，涪陵榨菜发布涨价公告，宣布主力9个单品提价15-17%。此前的2016年7月，涪陵榨菜公告宣布，因原料和劳动力涨价单品提高8-15%。&strong&短短七个月，一包榨菜的价格已经从2元涨到了2.6元。&/strong&&/p&&p&&strong&这已经是08年以来涪陵榨菜的第四次提价了，累计涨幅也超过150%。&/strong&2010年涪陵榨菜上市后的公告皆是以原料和劳动力上涨等成本上涨等为理由作提价预告，但实际是怎样呢？&/p&&br&&h1&&strong&“青菜头收购价”&/strong&&/h1&&p&涪陵榨菜的原料为农作物“青菜头”，今年涪陵青菜头大丰收，据2月份的数据统计，2017年涪陵青菜头的产量创历史新高。收购价格均价从去年的0.3元/斤提到了今年的0.5元/斤，而涨价原因是涪陵榨菜去年销量大增，企业库存下降导致。外地厂商抢购青菜头也是涨价的推手。青菜头在榨菜产品的成本占比为45%左右。&/p&&br&&h1&&strong&“其他成本”&/strong&&/h1&&p&目前涪陵榨菜的包装是四层铝箔袋和镀铝袋，受国内去库存和产能过剩企业淘汰的影响，包装业上下游产业萎缩，涪陵榨菜的包装费用成本增加较大。运输、劳动力成本同样有一定的涨幅。&/p&&br&&h1&&strong&“神转折”&/strong&&/h1&&p&&strong&但是，这些成本增加并没有影响涪陵榨菜的业绩。&/strong&2月24日的公司业绩预报显示：营业利润、利润总额和归属上市公司股东净利润同期增长57.39%、65.63%、63.50%。主要原因之一是榨菜产品销量同比略有上升！涨价了，公司销售和利润却不降反升！&/p&&p&&strong&其实这几年涪陵榨菜的财务指标并不难看：&/strong&&/p&&p&请点击此处输入图片描述&/p&&br&&h1&&strong&“强悍的定价权”&/strong&&/h1&&p&涪陵榨菜实行的是“先款后货”的付款方式和铺底资金额度制度，变原来的厂家被动出货为主动铺货，厂家与经销商之间不再是简单的利益关系，上升到了战略伙伴的地位，进一步调动经销商推动产品渠道的不断下沉。&/p&&p&&strong&在多层级销售中，经销商出货压力不会很大，结合整体的让利和折扣出厂价，据消息称涪陵榨菜经销商的利润可以在30%上下浮动，经销商的抵制情绪不会很大。因此在涨价公告发布后，经销商的反馈相对平淡。&/strong&&/p&&p&涪陵榨菜的市场地位目前遥遥领先，其一家占的份额为20%左右，基本是市场排名2-5名的企业总份额总和，在个别地区的市场份额更高达55%。&/p&&br&&h1&&strong&“嘴贱的消费者”&/strong&&/h1&&p&占据主导定价权的产品，消费者对其价格敏感度大多不高。诸如茅台，普通消费者消费频次较低，提价消费者也觉得影响不大。诸如IPONE，消费群体品牌忠诚度高，果粉不太考虑新机的价格因素。&/p&&p&请点击此处输入图片描述&/p&&p&另外就是像涪陵榨菜这样，高频次、低价位、领袖品牌优势明显的产品，消费者基本选择性忽略了几毛钱的差价。&/p&&p&再者，它是分类行业里的最优选择：涪陵榨菜的消费场景主要是早餐食用（榨菜和粥）和流动人口就餐以及涪陵榨菜这几年在着力打造的开胃场景，方便、价低、味道还不错。&strong&这样的壁垒看似很低，实则消费者懒的去选择替代品，除非是价格差价已击破了消费者的产品估值预期，或者是替代品有足够的优势打破消费者的习惯。&/strong&&/p&&br&&h1&&strong&“不仅涨价那么简单”&/strong&&/h1&&p&表面看，&strong&涪陵榨菜的连续涨价是向消费者转移成本提高，而且依靠早年建立的品牌优势和目前的渠道短时间内不难实现，但涨价刚刚开始！&/strong&&/p&&p&涪陵榨菜的单品依靠太高，榨菜占据营收9成以上；华南地区的销售占比过高（45%），渠道集中在省一级……作为快消品，助推主打产品达到天花板后实现产品矩阵：即主打产品为首，其他产品跟进，依托渠道品牌销售，侧翼产品升级成功，最后形成跃升。&/p&&p&&strong&这是消费品成长的模式。旺旺就是这个模式的最佳范本，初期主打旺旺雪饼，后续不断跟进其他产品实现了企业蜕变。&/strong&&/p&&p&&strong&涪陵榨菜的连续涨价，更多是挤占消费者心智，用价格实现品牌价值溢出&/strong&。&/p&&ul&&li&&p&&strong&一是通过涨价，分出更多的蛋糕给代理商，调动代理商进货和扩展市场的积极性，逐渐实现销售渠道的全流通，通过价格优势扩展商超等中高端渠道，改变9成市场为农贸渠道的现状。&/strong&&/p&&/li&&li&&p&&strong&二是借助价格差距强化品牌优势，趁机推动新产品的市场投入，同时多元化产品，降低企业过高依靠榨菜产品的风险，进而真正形成“开胃菜”到“佐餐品”行业的升级。&/strong&&/p&&/li&&li&&p&&strong&三是摆脱廉价品定位，单一榨菜产品时，涪陵榨菜的定位可以是物美价廉。企业在想借助产品结构升级塑造新定位时，价廉就成了双刃刀。&/strong&&/p&&/li&&/ul&&p&前几年，涪陵榨菜曾推出2000元榨菜产品的宣传噱头，想一举改变定位困局，最后不了了之。&/p&&p&&strong&这几年的连续涨价，反而在不断改变自身定位。&/strong&&strong&“脆口”榨菜主打的就是健康而非正宗榨菜，该产品55%的销量增速也表明了涨价下的产品升级更容易打破消费者对涪陵榨菜的传统定位。&/strong&&/p&&br&&h1&&strong&“你会见到5元一包的涪陵榨菜”&/strong&&/h1&&p&&strong&5元一包，不是因为CPI和通胀导致，是涪陵榨菜将来的提价导致。在收购了惠通后，见到这个价格的速度会越来越快。&/strong&本月的产品涨价，如果未遭到市场的过大反击，利润增速无明显降低的情况下，我相信下半年涪陵还会再次提价。&/p&&p&请点击此处输入图片描述&/p&&p&一是此次提价会进一步挤压其大本营中小榨菜厂的生存空间，同时挤压其他地区品牌厂家的市场份额。二是惠通整合进度基本进入尾声，涪陵的新产品会更快面世，举着涨价榨菜的大旗，带领旗下新产品入侵，这样的场面会越来越多。&/p&&p&作为传统快消行业，笔者不否定涪陵榨菜这样稳章稳打小}
我要回帖
更多推荐
- ·马峰老师的理论法学体系怎么样？
- ·“TW”作为“台湾在国际上叫什么英文”的英文缩写，其背后有何法律依据？
- ·高考要求口语的专业口语考什么？
- ·福建南平八中是怎样的学校第四届学生会主席选举
- ·框架每平米建筑面积填充1立方砌块砌墙多少平方多少方？
- ·为什么大城市现在神经病咋那么多那么多呢
- ·疚子图片炎可以吃什么 应该注意什么
- ·求bl网剧《盛势》资源整合是什么意思🌚
- ·做垫片疝气手术一般几个小时15天了，坐几分钟就长痛
- ·腾讯手机云管家微信运营助手可以把微信垃圾清理干净吗？
- ·康佳液晶屏幕显示Agⅰnvⅰew然后就黑屏了
- ·wiha螺丝刀能修手表的螺丝刀机吗
- ·x5345可以完美玩LOL吗?PS在显卡设置里把PS用高效独显gtx750
- ·奥利科2.1a充电器是不是快充充oppo手机没有事吧？8
- ·这是风扇的风扇润滑油打在哪个部位位
- ·刚买的海尔四门冰箱显示e1需要维修吗，打开门里面变形有个坑！
- ·华为手机不怎样注册华为手机账号账号有什么影响吗？
- ·这五根线怎么接，大神们,直线行驶怎么不压线教下我吧！
- ·我这个owwo8的智能手机可以玩绝地求生刺激战场下载全军出击吗
- ·求各位王者大神救命啊！！
- ·山灵 数字滤波器器里面为什么要用胶Coating保护？
- ·怎么把华为手机自带的浏览器google引擎便携版的搜索引擎改为百度，而不是搜狗？
- ·斯威的灵犀语音助手怎么关闭控制系统科大讯飞效果如何？
- ·纸浆水的粘度是多少在500-1000cps，能用电磁流量计测量吗？
- ·vivo怎么下像素火柴人枪战游戏，急在线等
- ·贝数区块链媒体排名是怎么样的一家媒体？
- ·中兴天机7a2015,不运行任何第三方程序的情况下，剩下0.95g内存（总4G）？
- ·苹果6p怎么样，不苹果6p玩游戏怎么样
- ·少儿国画作品可以考级吗已经学了两年了 – 手机爱问
- ·阳光整合服务卡可去中石化冲油费吗油卡可绊定手机号码?
- ·拍摄360杜比全景声选座靠后应该选哪个？
- ·oppor15星云版弄了定时开关 过了指定的时间还没有开机怎么办?
- ·请问腾讯手机管家记账助手怎么删除记录上的记账助手用起来方便吗？
- ·如何避免手机APP滥用隐私相册APP权限
- ·济南现在济南配置最好的网吧吧在哪
