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U盘写保护了，无法格式化，怎么处理？
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插入电脑，可以识别盘符，但是双击无法打开，提示是否格式化，但是格式化操作却无法进行 外观无写保护装置
Format 软件等等 都没用到最后
下载Usboot，用HDD方式进行格式化按提示插拔优盘，完成启动盘。这个时候可以双击盘符，提示是否格式化
点 是 看格式化窗口 格式化完成后还是打不开。为什么啊？
用量产工具。。。。
用量产工具。。。。转载请注明出自中国主板维修基地 ,本贴地址:
我的U盘也是这样，我一般先用芯片识别软件、识别芯片型号，然后下载相应的量产工具进行处理，记住，一定要预产容量选真实容量，要不然刷出来的U盘就会用不住的！！！
用量产工具，最好是用原厂的
一般是FLASH问题，可以使用量产软件试试 看看能不能屏蔽坏块
在DOS下面LFORMAT，如果不行那就用量产软件吧……
我的2G盘只剩下370M可用。不能格式化。用量产工具提示无法识别。郁闷。
量产一下啊！
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如题，我手里这两款的软件有好几个，可以帮忙远程操作修复。需要的q。加时备注下，谢谢。 顺
这个U盘数据用哪个量产工具？试了安国好多量产工具 VID也都改了 都不出来U盘 ，这个盘显示7G 实际是4G的
我的U盘0字节了，无法格式化这么办？！
试了几次都是这样，是不是量产不成功，看了一下u盘什么都没变数据也在
百度上和论坛的所有工具都下载过，没法量产
请教大神，这个用哪个软件修复，现在是打不开U盘，也无法格式化，
我的u盘被写入保护，怎么格式化不了，群联p2251-68
小白求助 写保护了 求量产教程
量产就是批量生产的意思,可以恢复u盘的出厂设置.0kb,raw格式，无法格式化，写保护，丢失文件，扩容等，基本都可以量产修复。纯属爱好。qq:
各位大佬，这个y盘是什么情况，我要怎么做
失败的时候显示的是没完成就拔出了U盘，每次都是，换了usb接口也是一样的情况，各位吧友帮帮忙
请教一下这个盘是什么主控的？是山zai的么？
买一年，没用几次，现在刚插入电脑还能识别，能读取，能写入；当复制几个大点的文件后，就死了，找
有没有会量产群联PS2251-06的大神。。。
用了好多工具量产总是失败。设置不对吗 显示坏块过多 U盘还能修好不。
一打开量产工具U盘就弹出来咋办？
U盘识别成便携设备了，网上找的工具都不能用，无法识别U盘，有没有人有合适的工具啊。金士顿DT R3.0 32G
金士顿32GU盘量产完后怎么变成55.3G了？
这U盘该怎么短接？群联ps2251-07的
这个u盘怎么短接
量产工具下载（转）：https://mega.nz/#!RYsGVLTI 下载秘钥（转）：!3mpx__atjBu-zBVtxTlvsya-uiIsSFK7q5ddcULiCgw 教程：http:
如图，手头有个U盘，应该是16g，为何量产后才5.67g，求大神介绍个适应我这个U盘量产的工具与方法教程，
昨天小女拿U盘到学校拷贝一个文件，回来就不能识别了，点属性，存储空间为0，。然后试着修复和格式化
网上买个U盘，装文件老是不好用，用360检测不出来扩容，，想重新量产一下，，不懂操作，，量产的那个
用什么量产工具
求大神识别主控型号
被写保护了，有什么量产软件可以修复的吗？
盘是这个，刚买没多久，使用问题，被写保护了，在电脑上可以显示出U盘，打开工具点update却无法显示出
主控厂商: Appotech(建荣) 　主控型号: Ax218A FW847 跪谢！！
我这有一百多个要软件开卡的，博为主控方案主控型号是BR825
金士顿U盘写保护了，求大神们支招修复，万分感谢！
大神帮帮忙，我的U盘中毒后写保护了，怎么修复啊，我下了个量产工具一直提示0x5020，还没成功，大神快
金士顿100G3U盘，被写保护。量产不成功
求量产工具
有人会量产ps2251_07吗？我有工具不知道怎么弄
设备描述: [H:]USB 大容量存储设备(Kingston DataTraveler 3.0) 　设备类型: 大容量存储设备 　协议版本: USB 2.10 &
用量产工具后电脑识别不了了，量产工具可以用就是固件刷不进去求大神。。。
　设备描述: Generic USB Hub 　设备类型: 单事务转换器(Single-TT)高速USB集线器 　协议版本: USB 2.00 　当前速度:
4G优盘原来电脑显示3.74G，写保护无法完成格式化。量产后电脑显示4G了。求解！
谁有广州国脉的量产工具
目前有没有USB 3.1接口又可以成功量产的U盘？求介绍 手上威刚的才16G量产完后就没有多少能用了，移动硬
手里几片拆机f，数码之家大树那里买的主控板，搞了一天了，好不容易量产成功，结果发现写入超过150m就
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NAND Flash nand flash坏块管理OOB,BBT,ECC
http://blog.csdn.net/hxh/article/details/8560148以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用。
MT29F2G08使用一个高度复用的8-bit总线（I/O[7:0]）来传输数据、地址、指令。5个命令脚（CLE、ALE、CE#、WE#）实现
NAND命令总线接口规程。3个附加的脚用作:
控制硬件写保护（WP#）、监视芯片状态（R/B#），和发起上电自动读特征（PRE-仅3V芯片支持）。注意, PRE功能不支持宽温芯片。
&&&&&&& MT29F2G08内部有2048个可擦除的块，每个块分为64个可编程的页，每个页包含2112字节（2048个字节作为数据存储区，64个备用字节一般作为错误管理使用）。
每个2112个字节的页可以在300us内编程，每个块（64xK）可以在2ms内被擦除。片上控制逻辑自动进行PROGRAM和ERASE操作。
NAND的内部存储阵列是以页为基本单位进行存取的。读的时候，一页数据从内部存储阵列copy到数据寄存器，之后从数据寄存器按字节依次输出。写（编
程）的时候，也是以页为基本单位的：起始地址装载到内部地址寄存器之后，数据被依次写入到内部数据寄存器，在页数据写入之后，阵列编程过程启动。
为了增加编程的速度，芯片有一个CACHE寄存器。在CACHE编程模式，数据先写入到CACHE寄存器，然后再写入到数据寄存器，一旦数据copy进数
据寄存器后，编程就开始。在数据寄存器被装载及编程开始之后，CACHE寄存器变为空，可以继续装载下一个数据，这样内部的编程和数据的装载并行进行，提
高了编程速度。
&&&&&&& 内部数据搬移命令（INTERNAL DATA MOVE）也使用内部CAHCE寄存器，通常搬移数据需要很长时间，通过使用内部CACHE寄存器和数据寄存器，数据的搬移速度大大增加，且不需要使用外部内存。
2． 功能框图
地址锁存使能。ALE为高时，在WE#下降沿，地址信息通过I/O[7：0]锁存片内的地址寄存器。如果传输的不是地址信息，ALE应该为低。
片选。一旦器件进入PROGRAM或ERASE操作，CE#可以变无效。
命令锁存使能。CLE为高时，在WE#上升沿，命令通过I/O[7:0]锁存到命令寄存器，当不传输命令时，CLE应该为低。
上电读使能。
写保护。当为低时候，所有的PROGRAM和ERASE都被禁止。
数据输入/输出。传输命令、数据、地址。仅在读操作时，数据是输出。
R/B#, R/B2
准备好/忙。集电极开路输出。外部需要接上拉电阻，这个脚表示芯片正在进行PROGRAM或ERASE操作。在读操作期间，表示数据正从阵列中传输到串行数据寄存器中，一旦这些操作完成，R/B#回到High-Z状态。
Block地址和页地址 = 实际的页地址，希望通过这个图，我们能理解块、页、块地址，页地址，列地址，备份空间，备份地址
CAx：列地址；RAx=行地址
5． 总线操作
依次读和数据输出
在读期间（忙）
在编程期间（忙）
在擦除期间（忙）
上电自动读：在上电期间，PRE为VCC，3V
VCC器件自动传输第一页到数据寄存器，而无需要发布一个命令或地址锁存序列。在VCC达到大约2.5V的时候，内部电压检测器触发上电自动读功能。在第
一页数据copy到数据寄存器过程中，R/B#为低，当copy结束后，R/B#变高，在RE#脉冲的作用下第一页数据可以依次输出。
6． 命令表
在忙期间有效
PAGE READ CACHE MODE START
PAGE READ CACHE MODE START LAST
READ for INTERNAL DATA MOVE
RANDOM DATA READ
READ STATUS
PROGRAM PAGE
PROGRAM PAGE CACHE
PROGRAM for INTERNAL DATA MOVE
RANDOM DATA INPUT for PROGRAM
BLOCK ERASE
7． PAGE READ，0x00-0x30
5个地址周期，确定了读出的起始地址，数据才RE#脉冲的作用下，从这个起始地址开始依次输出，直到这一页的结束。
8． RANDOM DATA READ，0x05-0xE0
随机数据读，是为了用户能够设定新的列地址，增加数据读出的灵活性，随即读模式在页读（0x00-0x30序列）后使能。这个命令的发布次数是不受限制的。但仅仅是当前页数据的读出。
9． PAGE READ CACHE MODE START，0x31；PAGE READ CACHE MODE START LAST，0x3F
READ命令后，在R/B#变高后，在发送0x31命令，这时启动将数据寄存器的内容传给CACHE寄存器，然后就可以顺序从CACHE里读第一个
PAGE READ命令获得数据，由于这是数据寄存器是没有用的，因此，芯片自动启动读下一页的PAGE
READ命令，将下一页读到数据寄存器，可以看出这么做提高的读出的速度，除了第一个PAGE READ命令外，其他PAGE
READ命令都是后台自动进行的。再最后一次使用0x3F命令，以便禁止芯片再次自动发布PAGE READ命令。
10．&&&&&&&&&&& READ ID，0x90
读出厂家的芯片标识。
11．&&&&&&&&&&& READ STATUS，0x70
读出芯片的8bit状态。可以通过RE#脉冲，反复读。
12．&&&&&&&&&&& 编程操作
PROGRAM PAGE 0x80-0x10：
Micron NAND FLASH仅支持页的编程，在一个块以内，页必须从一个块的页最低位到这个块的页的最高位连续编程，禁止随机页地址的编程。
芯片也支持页的部分编程操作，这意味着任何单个位在需要一个擦除之前仅可以被编程一次，然而，这种页能被划分成在需要一个擦除之前允许最大8个编程操作。
SERIAL DATA INPUT 0x80：
PAGE PROGRAM操作要求加载SERAIL DATA
INPUT(0x80)命令进入命令寄存器，随着5个地址周期之后，串行数据通过连续的WE#周期加载到值得的起始地址，PROGRAM(0x10)命令
在数据输入完成之后被写入，内部写状态周期自动执行合适的编程算法，并控制所有必要的定时编程和比较操作。写比较仅仅检测“1”是否被成功地编程为“0”
R/B#在阵列编程期间（tPROG）为低，在编程操作期间，仅READ
STATUS和RESET命令有效，状态寄存器的Bit6反映R/B#的状态，当芯片准备好时，读Bit0的状态确定编程操作是否成功或失败，命令寄存器
在新的有效命令写入之前，一直停留在读状态寄存器模式。
RANDOM DATA INPUT 0x85：
在发起数据集输入之后，可以通过RANDOM DATA INPUT命令向新的列地址写入数据。在发布0x10命令之前，可以对同一页多次使用0x85命令。
PROGRAM PAGE CACHE MODE 0x80-0x15：
CACHE编程实际上是标准的页编程命令的带缓冲编程模式，编程开始是发布SERIAL DATA
INPUT(0x80)命令，随后是5个地址周期，以及页的全部或部分数据，数据copy到CACHE寄存器，然后发布CACHE
WRITE(0x15)命令。数据在WE#的上升沿锁存到数据寄存器，在这个锁存期间，R/B#为低，锁存结束之后，R/B#变高，编程开始。
当R/B#变高之后，新的数据可以通过发布另一个CACHE
PROGRAM命令来写入，R/B#保持低的时候由实际的编程时间来控制，第一次等于数据从CACHE寄存器写入到数据寄存器需要的时间，之后，只有数据
寄存器的内容被编程进阵列之后，CACHE寄存器才能锁存到数据寄存器，所有，以后的R/B#为低的实际应该更长一些。
状态寄存器中反映CACHE R/B#的Bit6可以通过READ STATUS命令读出，以便确定什么时候，CACHE寄存器准备好接受新的数据了。
状态寄存器中反映R/B#的Bit5可以被查询，以确定什么时候当前编程周期的实际阵列编程完成。
如果仅使用R/B#来确定编程是否完成，那么编程序列的最后一页必须使用PROGRAM PAGE（0x10）来替代CACHE PROGRAM（0x15）。如果CACHE PROGRAM命令每次都使用，状态寄存器的Bit5必须用来确定编程是否结束。
当状态寄存器的bit6为1时，状态寄存器Bit0返回前一页的编程是否成功，当前PROGRAM操作的成功与否的状态是：Bit5为“1”（准备好状态）时的Bit0状态
13．&&&&&&&&&&& 内部数据搬移
内部数据搬移需要两个命令序列，先发布一个READ FOR INTERNAL DATA MOVE(0x00-0x35)，然后发布一个INTERNAL DATA MOVE(0x85-0x10)命令，数据搬移仅仅支持被读数据die范围。
READ FOR DATA MOVE
0x00-0x35：先将00写到命令寄存器，然后是内部源地址（5个周期），之后，将0x35写到命令寄存器，这将起动从内存传输一页到CACHE寄存
器。尽管5个周期的地址被发布，但是列地址是被忽略的。现在芯片准备接受INTERNAL DATA& MOVE(0x85-0x00)命令。
INTERNAL DATA MOVE 0x85-0x10：在READ FOR INTERNAL DATA
MOVE命令发布之后，以及R/B#变高，就可以发布INTERNAL DATA
MOVE命令了，这个命令将CACEH寄存器内容传输到数据寄存器，然后编程到新的目标地址，再INTERNAL DATA
MOVE命令以及地址序列之后，R/B#变低，同时内部控制逻辑自动将数据编程到新的页，READ
STATUS命令和状态寄存器的bit6能代替R/B#，以确定编程什么时候完成。状态寄存器Bit0指示操作是否成功。在INTERNAL
DATA MOVE命令序列期间，RANDOM DATA
INPUT(0x85)用来修改原始数据的一个或多个字：首先，使用0x00-0x35命令序列将数据copy到CACHE寄存器，然后，使用带要修改的
数据地址的命令RANDOM DATA
INTPUT(0x85)，新的数据输入呈现在外部数据脚，这将copy新的数据进入CACHE寄存器。当0x10写入命令寄存器时候，原始数据+修改的
数据被传输到数据寄存器。编程新的一页将开始，如果有必要RANDOM DATA
INPUT命令可以在启动编程序列(0x10)之前发布多次。因为INTERNAL
DATA MOVE操作并不使用外部内存，所以ECC不可能在编程之前用来检查错误，这将可能或导致数据错误。在这种情况下，执行多次INTERNAL
DATA MOVE操作，这些位错误可能会因没有校正而积累。由于这个原因，我们强烈推荐利用INTERNAL DATA
MOVE的系统使用鲁棒ECC方案。这将可以对每个SECTOR校正2个或多个错误。
14．&&&&&&&&&&& 块擦除操作，0x60-0xD0
一次擦除一个块。三个周期的地址A[28:18]被要求，先发布ERASE SETUP（0x60）命令，然后是三个地址周期，之后是ERASE
CONFIRM（0xD0）命令。通过READ STATUS
RESGISTER命令读擦除操作的状态，当bit6=1时，操作完成，Bit0指示通过/失败条件，0表示通过。
15．&&&&&&&&&&& 复位操作，0xFF
复位操作使芯片进入一个已知的状态，中断正在处理的命令序列。RANDOM READ、PROGRAM、ERASE命令在芯片忙状态可以被中断，正在被编程的位置或正在擦除的块的内容变无效，数据有可能会部分地被擦除或编程。命令寄存器被清除，准备好进入下一个命令。
复位后状态寄存器内容：
准备好和写保护
16．&&&&&&&&&&& 写保护操作
写保护是为了防止不小心的编程和擦除操作。当WP#为低时候，所有的编程和擦除操作都会被禁止。
17．&&&&&&&&&&& 错误管理
NAND芯片出厂时并不保证芯片中所有的块都是好的，只要2048个块中有不少于2008个完好块就认为是合格品可以出厂。但是坏的块的存在，并不影响好
的块的操作。在应用系统中应该提供坏块影射、替代、错误校正等算法就可以保证数据具有很高的可靠性和完整性。
每个CE#的第一个块（物理块地址是0）绝对是经过测试，是完好无缺的。这就提供了存放BOOT代码和重要信息的存储位置。
在芯片出厂之前，厂家会在每个坏块的第一或第二页的第一个备份位置（列地址是2048）用非0xFF编程来标识坏块。
系统软件在进行任何擦除或编程操作之前应该检查每个块的第一或第二页的第一个备份地址数据。这样创建一个坏块表。
经过一定时间的使用，内存的某些位置可能会不能正确地编程和擦除，为了确保数据的可靠性，应该采取一些预防措施，比如：
l& 在写、擦除、或数据搬移操作之后，总是检查状态。
l& 使用某些类型的错误检测纠正算法，以便能恢复某些轻微iede1错误。
l& 使用坏块替代算法。============================
0.NAND的操作管理方式
&&&& NAND FLASH的管理方式：以三星FLASH为例，一片Nand
flash为一个设备(device)，1 (Device) = xxxx (Blocks)，1 (Block) = xxxx
(Pages)，1(Page)&=528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB
块大小(16Bytes，除OOB第六字节外，通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码)。
&&&&& 关于OOB区，是每个Page都有的。Page大小是512字节的NAND每页分配16字节的OOB；如果NAND物理上是2K的Page，则每个Page分配64字节的OOB。如下图：
&&&&&&&&&&&&
以HYNIX为例，图中黑体的是实际探测到的NAND，是个2G
bit（256M）的NAND。PgSize是2K字节，PgsPBlk表示每个BLOCK包含64页，那么每个BLOCK占用的字节数是
64X2K=128K字节；该NAND包好2048个BLOCK，那么可以算出NAND占用的字节数是6M，与实际相符。需要注
意的是SprSize就是OOB大小，也恰好是2K页所用的64字节。
&1.为什么会出现坏块
　&& 由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory
Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。坏块的特性是：当编程/擦除这个块时，会造成Page
Program和Block Erase操作时的错误，相应地反映到Status Register的相应位。
2.坏块的分类
　& 总体上，坏块可以分为两大类：（1）固有坏块：这是生产过程中产生的坏块，一般芯片原厂都会在出厂时都会将每个坏块第一个page的spare area的第6个byte标记为不等于0xff的值。（2）使用坏块：这是在NAND Flash使用过程中，如果Block Erase或者Page Program错误，就可以简单地将这个块作为坏块来处理，这个时候需要把坏块标记起来。为了和固有坏块信息保持一致，将新发现的坏块的第一个page的
spare area的第6个Byte标记为非0xff的值。
3.坏块管理
　&& 根据上面的这些叙述，可以了解NAND Flash出厂时在spare area中已经反映出了坏块信息，因此，如果在擦除一个块之前，一定要先check一下第一页的spare area的第6个byte是否是0xff，如果是就证明这是一个好块，可以擦除；如果是非0xff，那么就不能擦除，以免将坏块标记擦掉。当然，这样处理可能会犯一个错误―――“错杀伪坏块”，因为在芯片操作过程中可能由于电压不稳定等偶然因素会造成NAND操作的错误。但是，为了数据的可靠性及软件设计的简单化，还是需要遵照这个标准。
可以用BBT：bad block
table，即坏块表来进行管理。各家对nand的坏块管理方法都有差异。比如专门用nand做存储的，会把bbt放到block0，因为第0块一定是好
的块。但是如果nand本身被用来boot，那么第0块就要存放程序，不能放bbt了。有的把bbt放到最后一块，当然，这一块坚决不能为坏块。bbt的大小跟nand大小有关，nand越大，需要的bbt也就越大。
&&&&& 需要注意的是：OOB是每个页都有的数据，里面存的有ECC（当然不仅仅）；而BBT是一个FLASH才有一个；针对每个BLOCK的坏块识别则是该块第一页spare area的第六个字节。
4.坏块纠正
&&&&& ECC：NAND
Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错，而是整个Page（例如512Bytes）中只有一个或几个bit出
错。一般使用一种比较专用的校验——ECC。ECC能纠正单比特错误和检测双比特错误，而且计算速度很快，但对1比特以上的错误无法纠正，对2比特以上的
错误不保证能检测。
&&&&& ECC一般每256字节原始数据生成3字节ECC校验数据，这三字节共24比特分成两部分：6比特的列校验和16比特的行校验，多余的两个比特置1。（512生成两组ECC，共6字节）&
&&&&& 当往NAND Flash的page中写入数据的时候，每256字节我们生成一个ECC校验和，称之为原ECC校验和，保存到PAGE的OOB（out-
of-band）数据区中。其位置就是eccpos[]。校验的时候，根据上述ECC生成原理不难推断：将从OOB区中读出的原ECC校验和新ECC校验
和按位异或，若结果为0，则表示不存在错（或是出现了ECC无法检测的错误）；若3个字节异或结果中存在11个比特位为1，表示存在一个比特错误，且可纠
正；若3个字节异或结果中只存在1个比特位为1，表示OOB区出错；其他情况均表示出现了无法纠正的错误。
　 （1）需要对前面由于Page
Program错误发现的坏块进行一下特别说明。如果在对一个块的某个page进行编程的时候发生了错误就要把这个块标记为坏块，首先就要把块里其他好的
面的内容备份到另外一个空的好块里面，然后，把这个块标记为坏块。当然，这可能会犯“错杀”之误，一个补救的办法，就是在进行完块备份之后，再将这个坏块
擦除一遍，如果Block Erase发生错误，那就证明这个块是个真正的坏块，那就毫不犹豫地将它打个“戳”吧！
　 （2）可能有人会问，为什么要使用每个块第一页的spare area的第六个byte作为坏块标记。这是NAND Flash生产商的默认约定，你可以看到Samsung,Toshiba,STMicroelectronics都是使用这个Byte作为坏块标记的。
&&&& （3）为什么好块用0xff来标记？因为Nand Flash的擦除即是将相应块的位全部变为1，写操作时只能把芯片每一位(bit)只能从1变为0，而不能从0变为1。0XFF这个值就是标识擦除成功，是好块。
[转]&[转]&[转]&[转]&[转]&[转]&
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